JPH0226287B2 - - Google Patents
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- JPH0226287B2 JPH0226287B2 JP56040197A JP4019781A JPH0226287B2 JP H0226287 B2 JPH0226287 B2 JP H0226287B2 JP 56040197 A JP56040197 A JP 56040197A JP 4019781 A JP4019781 A JP 4019781A JP H0226287 B2 JPH0226287 B2 JP H0226287B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
- G11B5/70—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent on a base layer
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気カードに関するものである。
最近、コンピユーターを用いた事務省力化にキ
ヤツシユカード、磁気通帳、磁気定期券等の磁気
記録媒体類が盛んに用いられるようになつた。こ
れらの媒体はポリエステルや塩化ビニルフイルム
または紙のような基体上に直接磁気塗料をコーテ
イングしたものや、あらかじめ別のベースに磁性
層を形成したテープを基体に貼り合せ、あるいは
転着加工したもの等種々工夫されている。磁性層
の特性についても様々の用途に応じてφγやHcの
異なる仕様のものが使用されており、例えば日本
の主な銀行で発行されているキヤツシユカードは
磁性層特性値として保磁力規格650±50Oeである
のに対してISO規格に準拠するカードでは保磁力
約300Oeと異なつている。
ヤツシユカード、磁気通帳、磁気定期券等の磁気
記録媒体類が盛んに用いられるようになつた。こ
れらの媒体はポリエステルや塩化ビニルフイルム
または紙のような基体上に直接磁気塗料をコーテ
イングしたものや、あらかじめ別のベースに磁性
層を形成したテープを基体に貼り合せ、あるいは
転着加工したもの等種々工夫されている。磁性層
の特性についても様々の用途に応じてφγやHcの
異なる仕様のものが使用されており、例えば日本
の主な銀行で発行されているキヤツシユカードは
磁性層特性値として保磁力規格650±50Oeである
のに対してISO規格に準拠するカードでは保磁力
約300Oeと異なつている。
ところで、こうした磁気カードの入用に応じて
個人が複数枚のカードを携帯することがあり、こ
の場合カードの磁性面同志が接触した状態で保持
されることがある。磁気記録再生システムの利点
として容易に記録−消去−再記録可能な面のある
反面、外部磁場の影響を受けやすい欠点がある。
すなわち、記録済みのカードの磁性層はそれ自体
微小な永久磁石となつていることから、前述した
ように、それらが互いに接触した場合信号の転写
や出力減衰等の影響を受け易い。現行の最も汎用
の磁気カードHc＝300Oe φγ＝1.3Mx／cm（以
下、Ａカードと称す）とHc＝600Oe φγ＝
1.3Mx／cm（以下、Ｂカードと称す）の２種のカ
ードを例にとると、低保磁力のＡカードでは相手
の高保磁力のＢカードの信号から発生する微少磁
場の影響をうけて、接触前初期値の30％にも達す
る出力減衰をこうむることが知られている。
個人が複数枚のカードを携帯することがあり、こ
の場合カードの磁性面同志が接触した状態で保持
されることがある。磁気記録再生システムの利点
として容易に記録−消去−再記録可能な面のある
反面、外部磁場の影響を受けやすい欠点がある。
すなわち、記録済みのカードの磁性層はそれ自体
微小な永久磁石となつていることから、前述した
ように、それらが互いに接触した場合信号の転写
や出力減衰等の影響を受け易い。現行の最も汎用
の磁気カードHc＝300Oe φγ＝1.3Mx／cm（以
下、Ａカードと称す）とHc＝600Oe φγ＝
1.3Mx／cm（以下、Ｂカードと称す）の２種のカ
ードを例にとると、低保磁力のＡカードでは相手
の高保磁力のＢカードの信号から発生する微少磁
場の影響をうけて、接触前初期値の30％にも達す
る出力減衰をこうむることが知られている。
もちろんこのような場合、使用するカードリー
ダーのスライスレベルを操作してその最低検出レ
ベルを下げ、前述の如く出力低下したカードでも
充分読み取れるようにすることは可能であるが、
実際上カードの信頼性がそこなわれるだけでな
く、すでに市場に出荷され活動しているカードリ
ーダーの仕様変更操作は極めて困難である。
ダーのスライスレベルを操作してその最低検出レ
ベルを下げ、前述の如く出力低下したカードでも
充分読み取れるようにすることは可能であるが、
実際上カードの信頼性がそこなわれるだけでな
く、すでに市場に出荷され活動しているカードリ
ーダーの仕様変更操作は極めて困難である。
また一方カードの出力減衰を防ぐためにその磁
性層の保磁力を高めることが考えられるがこれに
は信号記録用の磁気ヘツドに大電流を必要とし結
局市場に出回つているカードリーダーの仕様変更
につながることや、もともと磁気記録システムの
特長である記録再生法の容易さをそこなうことに
なりかねない。
性層の保磁力を高めることが考えられるがこれに
は信号記録用の磁気ヘツドに大電流を必要とし結
局市場に出回つているカードリーダーの仕様変更
につながることや、もともと磁気記録システムの
特長である記録再生法の容易さをそこなうことに
なりかねない。
本発明の目的は、前述したような従来技術の問
題点にかんがみて、磁性層同志が接触することに
よつてほとんど出力減衰を示さず、通常のカード
リーダーの入力電流を変更せずに書き込み読み取
りが可能な磁気カードを提供することである。
題点にかんがみて、磁性層同志が接触することに
よつてほとんど出力減衰を示さず、通常のカード
リーダーの入力電流を変更せずに書き込み読み取
りが可能な磁気カードを提供することである。
このような目的は、本発明によれば、磁気記録
再生のための磁性層を有する磁気カードにおい
て、前記磁性層は、該層全体に亘つて上部に高保
磁力層、下部に低保磁力層の２層構造を有し、前
記高保磁力層の厚さは、外部磁場の影響による前
記磁性層からの再生出力の減衰を実質的に防止す
るに充分であるが、前記磁性層への所望の磁気記
録を行なうために必要な電流が、前記磁性層が前
記低保磁力層のみからなる場合にその磁性層への
前記所望の磁気記録を行なうために必要とされる
電流より実質的に増大しない厚さとすることによ
つて達成される。
再生のための磁性層を有する磁気カードにおい
て、前記磁性層は、該層全体に亘つて上部に高保
磁力層、下部に低保磁力層の２層構造を有し、前
記高保磁力層の厚さは、外部磁場の影響による前
記磁性層からの再生出力の減衰を実質的に防止す
るに充分であるが、前記磁性層への所望の磁気記
録を行なうために必要な電流が、前記磁性層が前
記低保磁力層のみからなる場合にその磁性層への
前記所望の磁気記録を行なうために必要とされる
電流より実質的に増大しない厚さとすることによ
つて達成される。
次に、添付図面に基づいて本発明の実施例につ
いて本発明を詳細に説明する。
いて本発明を詳細に説明する。
添付図面の第１図は、本発明の一実施例として
の磁気カードの一部を斜視図にて示しており、こ
の磁気カードは、カード基体１に、上部に高保磁
力層３、下部に低保磁力層４の２層構造を有する
磁性層を備えてなつている。参照番号２は、その
磁性層上に設けられた保護コート層を示してい
る。
の磁気カードの一部を斜視図にて示しており、こ
の磁気カードは、カード基体１に、上部に高保磁
力層３、下部に低保磁力層４の２層構造を有する
磁性層を備えてなつている。参照番号２は、その
磁性層上に設けられた保護コート層を示してい
る。
第２図は、第１図に示したような本発明によつ
て２層構造の磁性層を備えた磁気カード１０に対
し、通常構造の磁気カード２０が磁性層同志が接
触するようにして重ね合わされている状態を部分
的に拡大して示している。両磁気カードは、記録
済みであつて、磁気カード２０は、カード基体
１′に高保磁力磁性層５を有し、その上に保護コ
ート層２′を有している。本発明による磁気カー
ド１０の高保磁力層３および低保磁力層４には信
号書き込みによつて磁極NA，SAが残留しこれに
よつて磁性層内には反磁場HAが発生している。
これに接触している磁気カード２０の高保磁力磁
性層５からはその磁極NB，SBによつて漏洩する
磁場HBが発生しNA，SAを消磁しようとする磁場
（HA＋HB）をつくる。この（HA＋HB）の強さの
うちHBは、NB，SBに近い程、すなわち磁気カー
ド１０の表面付近程大きいから結局この（HA＋
HB）に充分にたえる高保磁力層３があれば接触
による減磁を防止することが可能である。
て２層構造の磁性層を備えた磁気カード１０に対
し、通常構造の磁気カード２０が磁性層同志が接
触するようにして重ね合わされている状態を部分
的に拡大して示している。両磁気カードは、記録
済みであつて、磁気カード２０は、カード基体
１′に高保磁力磁性層５を有し、その上に保護コ
ート層２′を有している。本発明による磁気カー
ド１０の高保磁力層３および低保磁力層４には信
号書き込みによつて磁極NA，SAが残留しこれに
よつて磁性層内には反磁場HAが発生している。
これに接触している磁気カード２０の高保磁力磁
性層５からはその磁極NB，SBによつて漏洩する
磁場HBが発生しNA，SAを消磁しようとする磁場
（HA＋HB）をつくる。この（HA＋HB）の強さの
うちHBは、NB，SBに近い程、すなわち磁気カー
ド１０の表面付近程大きいから結局この（HA＋
HB）に充分にたえる高保磁力層３があれば接触
による減磁を防止することが可能である。
一方、磁気カード１０の磁性層に通常のリング
ヘツドによつて磁気記録する過程を考察するなら
ば、ヘツドギヤツプから漏洩する書き込み信号磁
場はヘツドに近い磁性層の上部程強く、下部程弱
くなつており磁性層の上部が比較的高い保磁力層
３になつていても、低保磁力単層の場合と比較し
て飽和記録電流値はそれ程変らない。
ヘツドによつて磁気記録する過程を考察するなら
ば、ヘツドギヤツプから漏洩する書き込み信号磁
場はヘツドに近い磁性層の上部程強く、下部程弱
くなつており磁性層の上部が比較的高い保磁力層
３になつていても、低保磁力単層の場合と比較し
て飽和記録電流値はそれ程変らない。
したがつて、本発明のごとく上部に高保磁力層
下部に低保磁力層の２層構造を有する磁性層を形
成することによつて他の磁気カードの接触による
出力減衰の小さいかつ従来のカードリーダーの書
き込み電流仕様を変更する必要なく扱うことが可
能な磁気カードを提供することができる。
下部に低保磁力層の２層構造を有する磁性層を形
成することによつて他の磁気カードの接触による
出力減衰の小さいかつ従来のカードリーダーの書
き込み電流仕様を変更する必要なく扱うことが可
能な磁気カードを提供することができる。
次に具体例によつて詳細を説明する。
22μのポリエチレンテレフタル酸エステルベー
スに熱硬化型シリコンを導くコーテイングして剥
離ベースとなしこの上にエポキシ系樹脂を主成分
とし若干のシリコン系潤滑剤を添加した保護層を
約2μの厚さにコーテイング後別に保磁力約650Oe
のCo−γ−Fe2O3磁性粉をポリエステル系樹脂を
主バインダーとするラツカー中にボールミルにて
微分散磁性塗料を調製してパーコーターにて、１
〜10μ程度の各種の厚さに塗布し、さらに保磁力
300Oeのγ−Fe2O3磁性粉を同種の調合を行なつ
て磁性塗料となし、この磁性塗料を上記試作済み
のテープ上に磁性層全体の厚さ（保磁力650Oeの
高保磁力層と保磁力300Oeの低保磁力層との合計
厚さ）が計10μとなるよう積層コーテイングし、
この上に約2μ程の感熱接着剤を塗布し所定の巾
にスリツトした後塩化ビニル基板上に反転熱転写
プレスして供試磁気カードとなした。
スに熱硬化型シリコンを導くコーテイングして剥
離ベースとなしこの上にエポキシ系樹脂を主成分
とし若干のシリコン系潤滑剤を添加した保護層を
約2μの厚さにコーテイング後別に保磁力約650Oe
のCo−γ−Fe2O3磁性粉をポリエステル系樹脂を
主バインダーとするラツカー中にボールミルにて
微分散磁性塗料を調製してパーコーターにて、１
〜10μ程度の各種の厚さに塗布し、さらに保磁力
300Oeのγ−Fe2O3磁性粉を同種の調合を行なつ
て磁性塗料となし、この磁性塗料を上記試作済み
のテープ上に磁性層全体の厚さ（保磁力650Oeの
高保磁力層と保磁力300Oeの低保磁力層との合計
厚さ）が計10μとなるよう積層コーテイングし、
この上に約2μ程の感熱接着剤を塗布し所定の巾
にスリツトした後塩化ビニル基板上に反転熱転写
プレスして供試磁気カードとなした。
この試作カードにFM420FClの信号をヘツドギ
ヤツプ約10μのパーマロイヘツドを用い19cm／sec
のスピードでヘツドに流す電流値を変えて書き込
みその時出力再生値を測定、いわゆる入出力特性
曲線を描いた。第３図はその入出力特性曲線を示
している。
ヤツプ約10μのパーマロイヘツドを用い19cm／sec
のスピードでヘツドに流す電流値を変えて書き込
みその時出力再生値を測定、いわゆる入出力特性
曲線を描いた。第３図はその入出力特性曲線を示
している。
第３図において、曲線Ａは、300Oeの保磁力を
有する低保磁力層単独からなる磁性層を有した通
常構造の磁気カードの入出力特性を示し、曲線
Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅは、高保磁力層（650Oe）と低保
磁力層（300Oe）との２層構造の磁性層を有した
本発明の磁気カードであつて、それぞれ高保磁力
層の厚さが1μ，3μ，5μ，7μである磁気カードの
入出力特性を示し、曲線Ｆは、650Oeの保持力を
有する高保磁力層単独からなる磁性層を有した通
常構造の磁気カードの入出力特性を示している。
有する低保磁力層単独からなる磁性層を有した通
常構造の磁気カードの入出力特性を示し、曲線
Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅは、高保磁力層（650Oe）と低保
磁力層（300Oe）との２層構造の磁性層を有した
本発明の磁気カードであつて、それぞれ高保磁力
層の厚さが1μ，3μ，5μ，7μである磁気カードの
入出力特性を示し、曲線Ｆは、650Oeの保持力を
有する高保磁力層単独からなる磁性層を有した通
常構造の磁気カードの入出力特性を示している。
また、接触出力減衰値を測定するため、本発明
による２層の磁性層を有しその高保磁力層の厚さ
を種々変えた供試カード及び保磁力650Oeの単一
磁性層を有する通常カードに充分飽和する記録電
流によつてFM420FClの信号を書き込んだ後、手
で各供試カードと通常カードとを相互の磁性面同
志が接触するように強く押圧した後、各供試カー
ドの出力減衰を測定した。第４図は、この出力減
衰率と各供試カードの高保磁力層の厚さとの関係
を示している。
による２層の磁性層を有しその高保磁力層の厚さ
を種々変えた供試カード及び保磁力650Oeの単一
磁性層を有する通常カードに充分飽和する記録電
流によつてFM420FClの信号を書き込んだ後、手
で各供試カードと通常カードとを相互の磁性面同
志が接触するように強く押圧した後、各供試カー
ドの出力減衰を測定した。第４図は、この出力減
衰率と各供試カードの高保磁力層の厚さとの関係
を示している。
第４図の結果から明らかなように接触による出
力減衰率を15％以内に抑えるためには２層構造磁
性層のうち高保磁力層厚みとして少なくとも2μ
形成されていれば良いことがわかる。またこの時
の入出力特性曲線は保磁力300Oe単層のそれとほ
とんど変らないことがわかる。
力減衰率を15％以内に抑えるためには２層構造磁
性層のうち高保磁力層厚みとして少なくとも2μ
形成されていれば良いことがわかる。またこの時
の入出力特性曲線は保磁力300Oe単層のそれとほ
とんど変らないことがわかる。
以上実施例では、低保磁力層として保磁力
300Oeのγ−Fe2O3磁性粉高保磁力層として保磁
力650OeのCo−γ−Fe2O3磁性粉を用いて説明し
たが、他の保磁力の異なる磁性体、Fe3O4，
CγO2、合金粉、蒸着、ハリウムフエライト、マ
ンガンジンクフエライト等の組合せで構成される
低部に、例えば約200Oeから450Oeの保磁力を有
する低保磁力層上部、例えば約500Oeから
3000Oeの保磁力を有する高保磁力層を有し、高
保磁力層の厚さが例えば約1μから5μである２層
構造磁性層を備えた磁気カードは同様の効果が期
待できる。
300Oeのγ−Fe2O3磁性粉高保磁力層として保磁
力650OeのCo−γ−Fe2O3磁性粉を用いて説明し
たが、他の保磁力の異なる磁性体、Fe3O4，
CγO2、合金粉、蒸着、ハリウムフエライト、マ
ンガンジンクフエライト等の組合せで構成される
低部に、例えば約200Oeから450Oeの保磁力を有
する低保磁力層上部、例えば約500Oeから
3000Oeの保磁力を有する高保磁力層を有し、高
保磁力層の厚さが例えば約1μから5μである２層
構造磁性層を備えた磁気カードは同様の効果が期
待できる。
添付図面の第１図は本発明の一実施例の磁気カ
ードの部分斜視図、第２図は第１図の磁気カード
と他の磁気カードとの接触状態を例示する部分拡
大断面図、第３図は種々な磁気カードの入出力特
性を示す図、第４図は高保磁力層の厚さと出力減
衰率との関係を例示する図である。 １……カード基体、３……高保磁力層、４……
低保磁力層。
ードの部分斜視図、第２図は第１図の磁気カード
と他の磁気カードとの接触状態を例示する部分拡
大断面図、第３図は種々な磁気カードの入出力特
性を示す図、第４図は高保磁力層の厚さと出力減
衰率との関係を例示する図である。 １……カード基体、３……高保磁力層、４……
低保磁力層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気記録再生のための磁性層を有する磁気カ
ードにおいて、前記磁性層は、該層全体に亘つて
上部に高保磁力層、下部に低保磁力層の２層構造
を有し、前記高保磁力層の厚さは、外部磁場の影
響による前記磁性層からの再生出力の減衰を実質
的に防止するに充分であるが、前記磁性層への所
望の磁気記録を行なうために必要な電流が、前記
磁性層が前記低保磁力層のみからなる場合にその
磁性層への前記所望の磁気記録を行なうために必
要とされる電流より実質的に増大しない厚さとさ
れていることを特徴とする磁気カード。 ２ 前記高保磁力層の厚さは、1μから5μである
特許請求の範囲第１項記載の磁気カード。 ３ 前記高保磁力層の保磁力は、500Oeから
3000Oeであり、前記低保磁力層の保磁力は、
200Oeから450Oeである特許請求の範囲第１項又
は第２項記載の磁気カード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56040197A JPS57154635A (en) | 1981-03-19 | 1981-03-19 | Magnetic card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56040197A JPS57154635A (en) | 1981-03-19 | 1981-03-19 | Magnetic card |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57154635A JPS57154635A (en) | 1982-09-24 |
| JPH0226287B2 true JPH0226287B2 (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=12574050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56040197A Granted JPS57154635A (en) | 1981-03-19 | 1981-03-19 | Magnetic card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57154635A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6233325A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 感熱磁気記録媒体 |
| JPS63153317U (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-07 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5529850Y2 (ja) * | 1975-05-14 | 1980-07-16 |
-
1981
- 1981-03-19 JP JP56040197A patent/JPS57154635A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57154635A (en) | 1982-09-24 |
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