JPH02262697A - 半導体記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、表示用の文字や記号等が書き込まれた読出
し専用の半導体記憶装置に関する。

〔従来の技術〕

近年、ＴＶ、ＶＴＲの多様化、多機能化及び操作性の向
上が急速に進んでおり、チャンネルやＶＴＲの動作状態
等をテレビ放送画面上にスーパーインポーズで表示する
ようになっている。このような表示文字等にアンダーラ
インを付記して見やすくしたり、文字を破線表示させて
、見る人の注意を引きつける工夫もなされている０文字
やアンダーライン付文字等をテレビに表示させる表示用
集積回路は、テレビ回路に追加的に装着されるが、低コ
ストで表示文字が多く見やす（高機能化が要求されてい
る。

第２図に従来の表示用半導体集積回路の要部、特に続出
専用メモリ回路のブロック図を示している。同図におい
て、ｌは各種タイミングを発生するタイミングジェネレ
ータ、２は表示制御等のコマンドをラッチする表示制御
レジスタ、３は制御データを記憶する表示用データメモ
リでＲＡＭよりなる。４は表示すべき文字やアンダーラ
イン。

テストパターン等が予め記録された続出専用のキャラク
タメモリで、ＲＯＭよりなる。５は文字とアンダーライ
ン等を合成する合成回路である。

次に動作について説明する０図示しないキーボードから
入力された制御データを表示制御レジスタ２にラッチさ
せ、表示内容であるキャラクタコード等を表示用データ
メモリ３に記憶させる。タイミングジェネレータｌから
のタイミング信号に合わせて表示用データメモリ３から
キャラクタコードを読み出しキャラクタメモリ４をアク
セスし、該当する表示文字フォントを合成回路５へ入力
すＬ″やフォントｂの″　　　（アンダーライン）とが
キャラクタメモリ４に一連のアドレス下に記憶されてお
り、表示制御レジスタ２及びタイミングジェネレータｌ
で制御されたデータメモリ３を介して２回アクセスし、
“Ｌ′″と１−″を逐次キャラクタメモリ４から読み出
す、読み出したフォントａ′Ｌ”とフォントｂ“とを合
成回！Ｉ５のフォノ）ｃを出力して表示ＣＲＴへ送る。

（発明が解決しようとする課題〕 従来のキャラクタメモリは文字や記号等のフォントと付
記用のアンダーライン等のテスト用フォントとが同一メ
モリ領域内に一連のアドレスに従って記憶されているの
で、キャラクタメモリの全アドレスを２度又はそれ以上
アクセスする必要があり、応答性が悪く、表示までの時
間が長く、画面が見ずらいという欠点があった。

この発明は上記問題点を解消するためになされたもので
、遅れを感じさせない速度でアンダーラインつきフォン
トやテスト用パターンを画面に表示させる半導体記憶装
置を提供することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

この発明においては、第１図に示すように、文字等デー
タと該文字等データに付加される付加データとが記録さ
れた読出し専用の半導体記憶装置であって、記憶装置を
文字等データのみからなる第１データ領域８と付加デー
タのみからなる第２データ領域９とに分割し、かつこれ
らを互いに隣接してウェーハー上に形成した。

〔作用〕

付加データ例えばアンダーライン付記の文字を読み出す
場合は、まず、第１データ領域８から文字“Ｌｌを読み
出す０次に記録データ量の少ない第２データ領域９から
アンダーライン１−”を読み出し、所定の合成回路でこ
れらを合“成して、アンダーライン付文字“旦”を出力
する。付加データは付加的なものでその数は文字等デー
タより少なく、第２データ領域９のアクセスが高速化す
る。

半導体構造としては文字等データと付加データとは類似
するので隣接して形成すると製作効率が良い。

〔実施例〕

以下、この発明を図面に従って説明する。第１図におい
て、１はタイミングジェネレータ、２は表示制御レジス
タ、３は表示用データメモリでＲＡＭよりなり、６は文
字数字コードか、アンダーライン等付記的フォントのコ
ードもしくはテストパターンコードかを識別する判別回
路、５は合成回路、８は第１データ領域としてのキャラ
クタメモリ、９は第２データ領域としての付記データメ
モリである。キャラクタメモリ８と付記データメモリ９
とは読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）であり、キャラクタ
メモリ８には文字・数字等独立して意味を持ちうる主表
示フォノ）Ｉｔの文字データが、付記データメモリ９に
はアンダーラインやテストパターン等付記的な文字等の
主表示フォントに付加されて意味を持つ副表示フォノ）
ｌ［の付加データが夫々予め記録されている。キャラク
タメモリ８と付記データメモリ９とはウェーハー上にチ
ップ形成されたパターン配置では分割されているが隣接
して形成され、アドレス付けにおいても主表示フォント
専用の文字アドレス８ａと副表示フォント専用の付記物
アドレス９ａとが夫々独立に形成されている。

次に動作について説明する０表示要求のあった表示デー
タが、表示ｉ＃］？Ｉレジスタ２を介して表示用データ
メモリ３に記憶されている。タイミングジェネレータ１
からのタイミング信号に合わせて、表示用データメモリ
３から表示データを読み出し、判別回路６に入力する０
判別回路６は表示データを調べ、午；番フォントａの主
表示フォントコードであるか、フォントｂの副表示フォ
ントコードであるかを識別する０文字等の主表示フォン
ト要求であれば、キャラクタメモリ８内の比較的大写−
（アンダーライン）とが表示要求されている場合を考え
ると、まずフォントａの′″Ｌ”をキャラクタメモリ８
から読み出し合成回路５へ入力する。次は副表示フォン
ト要求の“であるので、判別回路５は付記データメモリ
９内の小容量の付記物アドレス９ａを直接アクセスする
。そしてフォント“−”を付記データメモリ９から読み
出し、合成回路５へ入力する０合成回路５ではフォント
ａの“Ｌ”にフォントｂの“を付加してフォントＣの“
Ｌ”を得ることができる。付記データメモリ９内の副表
示フォント数は、キャラクタメモリ８内の主表示フォン
ト数に較べてはるかに少数であり、例えば数個対１２６
であり、アンダーラインの付記された文章を表示する場
合は付記物アドレス９ａ内の同一アドレスを繰り返しア
クセスするのでアクセスは短時間に行われる。

従ってアンダーライン付記の文字や、破線表示文字等が
見苦しさ感を与えることなく滑らかにテレビ画面に表示
される。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、この発明によれば、文字等デ
ータと該文字等データに付加される付加データとが記録
された読出し専用の半導体記憶装置であって、記憶装置
を文字等データのみからなる第１データ領域と付加デー
タのみからなる第２データ領域とに分割し、かつこれら
を互いに隣接してウェーハー上に形成したので、付加デ
ータの読み出しが高速化し、下線付文字等の付加データ
付文字等のテレビ画面上への表示が、順滑に行われ、見
易いスーパーインポーズ文字が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の記憶装置のブロック図、第２図は従来
のブロック図、第３図はフォント表示を説明する図であ
る。 ■・・・タイミングジェネレータ、２・・・表示制御レ
ジスタ、３・・・表示用データメモリ、５・・・合成回
路、６・・・判別回路、８・・・キャラクタメモリ、８
ａ・・・文字アドレス、９・・・付記データメモリ、９
ａ・・・付記物アドレス。 第 図１（英ぢ朋の記速表−１の）゛ａツク図代理人　　大
　　岩　　増　　ｍ（ほか２名）９・　テストハツーン
メモソ ９ａ：イ寸言乙物アｈ−４ズ ｔａ） （ｂン ＣＣ） フォントＣ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 文字等データと該文字等データに付加される付加データ
   とが記録された読出し専用の半導体記憶装置であって、 前記記憶装置を前記文字等データのみからなる第１デー
   タ領域と前記付加データのみからなる第２データ領域と
   に分割し、かつこれらを互いに隣接してウェーハー上に
   形成したことを特徴とする半導体記憶装置。