JPH02262617A - 液晶表示素子用配向膜の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子用配向膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH02262617A JPH02262617A JP8429089A JP8429089A JPH02262617A JP H02262617 A JPH02262617 A JP H02262617A JP 8429089 A JP8429089 A JP 8429089A JP 8429089 A JP8429089 A JP 8429089A JP H02262617 A JPH02262617 A JP H02262617A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment film
- glass substrate
- oriented film
- forming agent
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 abstract 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 50
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940110676 inzo Drugs 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C65/00—Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
- B29C65/78—Means for handling the parts to be joined, e.g. for making containers or hollow articles, e.g. means for handling sheets, plates, web-like materials, tubular articles, hollow articles or elements to be joined therewith; Means for discharging the joined articles from the joining apparatus
- B29C65/7841—Holding or clamping means for handling purposes
- B29C65/7847—Holding or clamping means for handling purposes using vacuum to hold at least one of the parts to be joined
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
- B29C66/40—General aspects of joining substantially flat articles, e.g. plates, sheets or web-like materials; Making flat seams in tubular or hollow articles; Joining single elements to substantially flat surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
液晶表示素子の配向膜に関し、
不要位置に膜形成されている配向膜形成剤を簡単に除去
することを目的とし、 透明電極（２）をパターン形成したガラス基板（１）の
全域に配向膜形成剤（１６）を塗布し、乾燥させる工程
と、該ガラス基板（１）上の配向膜保存領域（１４）と
底面が同形状で、先端部に難溶性の弾性体（１１）を備
えた真空吸引器（１０）を該ガラス基板（１）の配向膜
保存領域（１４）に位置合わせする工程と、該真空吸引
器（１０）の中を減圧し、前記ガラス基板（１）を真空
吸着させた状態で、前記ガラス基板（１）を配向膜形成
剤（１６）の溶剤中に浸漬し、震盪して不要位置の配向
膜形成剤（１６）を溶解除去する工程と、真空吸引器（
１０）の中を大気圧に戻し、ガラス基板（１）を分離す
る工程と、該ガラス基板（１）を熱処理して配向膜形成
剤（１６）を硬化させる工程と、を含んで液晶表示素子
用配向膜の製造方法を構成する。
することを目的とし、 透明電極（２）をパターン形成したガラス基板（１）の
全域に配向膜形成剤（１６）を塗布し、乾燥させる工程
と、該ガラス基板（１）上の配向膜保存領域（１４）と
底面が同形状で、先端部に難溶性の弾性体（１１）を備
えた真空吸引器（１０）を該ガラス基板（１）の配向膜
保存領域（１４）に位置合わせする工程と、該真空吸引
器（１０）の中を減圧し、前記ガラス基板（１）を真空
吸着させた状態で、前記ガラス基板（１）を配向膜形成
剤（１６）の溶剤中に浸漬し、震盪して不要位置の配向
膜形成剤（１６）を溶解除去する工程と、真空吸引器（
１０）の中を大気圧に戻し、ガラス基板（１）を分離す
る工程と、該ガラス基板（１）を熱処理して配向膜形成
剤（１６）を硬化させる工程と、を含んで液晶表示素子
用配向膜の製造方法を構成する。
本発明は液晶表示素子用配向膜の製造方法に関する。
液晶表示素子は消費電力が少なく、駆動電圧が低く、軽
量で薄形化が可能であることから、時計や電卓などの小
容量の表示に用いられているが、最近ではパーソナルコ
ンピュータやワードプロセッサなどのオフィスオートメ
ーション（略称ＯＡ）機器用としての需要が増加し、よ
り情報量の太き（、且つ応答時間の速い表示素子の実用
化が急がれている。
量で薄形化が可能であることから、時計や電卓などの小
容量の表示に用いられているが、最近ではパーソナルコ
ンピュータやワードプロセッサなどのオフィスオートメ
ーション（略称ＯＡ）機器用としての需要が増加し、よ
り情報量の太き（、且つ応答時間の速い表示素子の実用
化が急がれている。
一方、需要の拡大に対応して量産に向く製造方法を確立
する必要がある。
する必要がある。
時計や電卓など小型で小容量の表示にはセグメント型の
表示構造がとられているが、大容量の表示にはマトリッ
クス型の表示構造がとられている。
表示構造がとられているが、大容量の表示にはマトリッ
クス型の表示構造がとられている。
第３図はか−る液晶表示素子の断面構造を示すものであ
る。
る。
この構造と製造方法を説明すると次のようになる。
先ず、ガラス基板１の上に酸化インジウム、（Ｉｎｚ０
３）と酸化錫（ＳｎＯ□）との混合物（略称ＩＴＯ）か
らなる透明導電膜を化学気相成長法（略称ＣＶＤ法）や
スパッタ法などにより前面に亙って形成した後、写真蝕
刻技術（フォトリソグラフィ）を用いて選択エツチング
し、幅と間隔がそれぞれ３００μｍ程度でストライブ状
の透明電極２を形成する。
３）と酸化錫（ＳｎＯ□）との混合物（略称ＩＴＯ）か
らなる透明導電膜を化学気相成長法（略称ＣＶＤ法）や
スパッタ法などにより前面に亙って形成した後、写真蝕
刻技術（フォトリソグラフィ）を用いて選択エツチング
し、幅と間隔がそれぞれ３００μｍ程度でストライブ状
の透明電極２を形成する。
この透明電極２は走査線あるいは信号線となるものであ
る。
る。
次に、透明電極２を設けたガラス基板１の上にスピンコ
ード法などにより配向膜形成剤を塗布し、熱処理を施し
て配向膜３を形成する。
ード法などにより配向膜形成剤を塗布し、熱処理を施し
て配向膜３を形成する。
次に、このようにして形成した二枚のガラス基板ｌを透
明電極２が互いに交叉するようにスペーサ４を介して対
向せしめ、この間に液晶５を封入することにより液晶表
示素子６が完成している。
明電極２が互いに交叉するようにスペーサ４を介して対
向せしめ、この間に液晶５を封入することにより液晶表
示素子６が完成している。
なお、相転移型液晶を使用する場合はこのま−でよいが
、ＴＮ型（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅ＋５ａｔｉｃの略）液
晶を使用する場合には偏光子７と検光子８とを第３図に
示すようにガラス基板１に付加する必要がある。
、ＴＮ型（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅ＋５ａｔｉｃの略）液
晶を使用する場合には偏光子７と検光子８とを第３図に
示すようにガラス基板１に付加する必要がある。
液晶表示素子はこのようにして構成されており、このう
ちで配向）！！３は液晶５を表示面の前面に亙って一定
の方向に正しく配向させるためのものであり、ガラス基
板ｌへの塗布方法としては転写印刷法かスピンコード法
が行われている。
ちで配向）！！３は液晶５を表示面の前面に亙って一定
の方向に正しく配向させるためのものであり、ガラス基
板ｌへの塗布方法としては転写印刷法かスピンコード法
が行われている。
こ−で、転写印刷法はガラス基板上で配向膜の形成を必
要とする領域にだけ塗布することができるが、均一な厚
さに配向膜を形成することが難しく、凹凸が生ずると云
う問題がある。
要とする領域にだけ塗布することができるが、均一な厚
さに配向膜を形成することが難しく、凹凸が生ずると云
う問題がある。
一方、スピンコード法を使用すると均一な厚さに塗布で
きるもの＼、ガラス基板のシール部や電極取り出し部な
ど基板との強い密着が必要な位置にも配向膜が形成され
ると云う問題がある。
きるもの＼、ガラス基板のシール部や電極取り出し部な
ど基板との強い密着が必要な位置にも配向膜が形成され
ると云う問題がある。
そこで、この除去方法として写真蝕刻技術が使用されて
いる。
いる。
すなわち、配向膜の形成が必要な位置にのみフォトレジ
ストを被覆し、溶剤により不要位置の配向膜形成剤工６
を溶解除去するか、あるいはドライエツチングを施して
除去するものである。
ストを被覆し、溶剤により不要位置の配向膜形成剤工６
を溶解除去するか、あるいはドライエツチングを施して
除去するものである。
然し、これらの方法ではフォトレジスト除去工程におい
て配向膜形成剤１６が汚染され、またドライエツチング
工程は工数が嵩むと云う問題がある。
て配向膜形成剤１６が汚染され、またドライエツチング
工程は工数が嵩むと云う問題がある。
配向膜の形成をスピンコード法で行うと薄い膜を均一な
厚さに形成できることから一般に使用されているが、ガ
ラス基板のシール部や電極取り出し部など基板との密着
が必要な位置にも塗布されるため、除、去が必要である
。
厚さに形成できることから一般に使用されているが、ガ
ラス基板のシール部や電極取り出し部など基板との密着
が必要な位置にも塗布されるため、除、去が必要である
。
そこで、この除去を配向膜を汚染することなく且つ簡単
な方法で行うことが課題である。
な方法で行うことが課題である。
上記の課題は透明電極をパターン形成したガラス基板の
全域に配向膜形成剤を塗布し、乾燥する工程と、該ガラ
ス基板上の配向膜保存領域と底面が同形状で、先端部に
難溶性の弾性体を備えた真空吸引器を該ガラス基板の配
向膜保存領域に位置合わせする工程と、該真空吸引器内
を減圧し、前記基板を真空吸着させた状態で、前記ガラ
ス基板を配向膜形成剤の溶剤中に浸漬し、震盪して不要
位置の配向膜形成剤を溶解除去する工程と、真空吸引器
の当接領域を大気圧に戻し、ガラス基板を分離する工程
と、該ガラス基板を熱処理して配向膜形成剤を硬化させ
る工程とを含んで液晶表示素子用配向膜の製造方法を構
成することより解決することができる。
全域に配向膜形成剤を塗布し、乾燥する工程と、該ガラ
ス基板上の配向膜保存領域と底面が同形状で、先端部に
難溶性の弾性体を備えた真空吸引器を該ガラス基板の配
向膜保存領域に位置合わせする工程と、該真空吸引器内
を減圧し、前記基板を真空吸着させた状態で、前記ガラ
ス基板を配向膜形成剤の溶剤中に浸漬し、震盪して不要
位置の配向膜形成剤を溶解除去する工程と、真空吸引器
の当接領域を大気圧に戻し、ガラス基板を分離する工程
と、該ガラス基板を熱処理して配向膜形成剤を硬化させ
る工程とを含んで液晶表示素子用配向膜の製造方法を構
成することより解決することができる。
本発明は必要とする配向膜保存領域を先端にゴム弾性体
を備えた真空吸引器で吸引し、この状態で溶剤に浸漬し
、震盪することによりガラス基板のシール部および電極
取り出し部を含む不要領域の配向膜を除去するものであ
る。
を備えた真空吸引器で吸引し、この状態で溶剤に浸漬し
、震盪することによりガラス基板のシール部および電極
取り出し部を含む不要領域の配向膜を除去するものであ
る。
本発明は、
■ 配向膜形成領域が方形で単純な形状である。
■ 溶剤により可溶なものである。
などのことがら配向膜形成領域と同形の底面をもつ真空
吸引器を使用するものである。
吸引器を使用するものである。
第１図は真空吸引器の構造と使用方法の説明図であり、
また第２図は別の真空吸引器の構造を示すものである。
また第２図は別の真空吸引器の構造を示すものである。
本発明の実施に使用する真空吸引器１０は吸着すべき物
体に接する先端には耐薬品性をもちゴム弾性を示す弾性
体１１が取り付けてあり、ガラスなどの透明材料を用い
て構成されており、上方に真空コック１２を備えている
。
体に接する先端には耐薬品性をもちゴム弾性を示す弾性
体１１が取り付けてあり、ガラスなどの透明材料を用い
て構成されており、上方に真空コック１２を備えている
。
そして、真空吸引器１０の開口端１３の形状は第１図Ｃ
Ｂ）右下がりの斜線で示す配向膜保存領域１４の縁端部
と一敗している。
Ｂ）右下がりの斜線で示す配向膜保存領域１４の縁端部
と一敗している。
すなわち、図示を省略した排気系に接続しである真空吸
引器１０の開口端１３をガラス基板１の上に膜形成しで
ある配向膜の配向保存領域１４に位置合わせした後、排
気系を動作させて真空吸着させ、溶剤に浸漬震盪すれば
配向膜形成剤１６は溶解除去することができる。
引器１０の開口端１３をガラス基板１の上に膜形成しで
ある配向膜の配向保存領域１４に位置合わせした後、排
気系を動作させて真空吸着させ、溶剤に浸漬震盪すれば
配向膜形成剤１６は溶解除去することができる。
なお、ガラス基板１の面積が大きく、真空吸着によって
破壊が生ずる危険性がある場合は、第２図に示すような
二重構造の真空吸引器１５を使用して外周部のみを吸引
するようにすれば安全である。
破壊が生ずる危険性がある場合は、第２図に示すような
二重構造の真空吸引器１５を使用して外周部のみを吸引
するようにすれば安全である。
このように真空吸引の方法をとれば、配向膜は汚染され
ることなく、簡単に不要領域の配向膜を除去することが
でき、これを熱処理することにより安定な配向膜を得る
ことができる。
ることなく、簡単に不要領域の配向膜を除去することが
でき、これを熱処理することにより安定な配向膜を得る
ことができる。
実施例１：
厚さが１．１ ｍで面積が２８６ Ｘ１９５ ｔｍのガ
ラス基板上にＩｎｚＯ，と５ｎＱｚを共蒸着して面積抵
抗が５０Ω／ｃｎ＋”の透明導電膜を形成し、写真蝕刻
技術を用いて２２４ Ｘ１４０ ｍの表示部に幅が０．
３５Ｍのストライプ状の透明電極を形成した。
ラス基板上にＩｎｚＯ，と５ｎＱｚを共蒸着して面積抵
抗が５０Ω／ｃｎ＋”の透明導電膜を形成し、写真蝕刻
技術を用いて２２４ Ｘ１４０ ｍの表示部に幅が０．
３５Ｍのストライプ状の透明電極を形成した。
か＼る二枚のガラス基板を透明電極が直交するように対
向して配置すると６４０ Ｘ４００ ドツトで画素ピ
ッチが０．３５閣の表示素子が形成できる。
向して配置すると６４０ Ｘ４００ ドツトで画素ピ
ッチが０．３５閣の表示素子が形成できる。
さて、ストライプ状の透明電極をパターン形成したガラ
ス基板上に配向膜形成剤としてポリイミドを３％含むＮ
−メチルピロリドン溶液をスピンコード法により被覆し
た後、予め小型の回転ポンプに接続されてあり、第１図
に示す構造のガラス製の真空吸引器を２２４ Ｘ１４０
ｔｔｔｔａの表示部（配向膜保存領域）に位置決めし
た。
ス基板上に配向膜形成剤としてポリイミドを３％含むＮ
−メチルピロリドン溶液をスピンコード法により被覆し
た後、予め小型の回転ポンプに接続されてあり、第１図
に示す構造のガラス製の真空吸引器を２２４ Ｘ１４０
ｔｔｔｔａの表示部（配向膜保存領域）に位置決めし
た。
なお、ガラス基板に当接する弾性体はテフロンからなっ
ている。
ている。
次に、排気系を動作させて真空吸引器内を１０ ｍＴｏ
ｒｒに吸引してから真空コックを締め、ガラス基板を吸
着させた状態で、ヒドラジン溶液中に浸して震盪し、ポ
リイミドを溶解除去した後、水槽で洗滌し、その後、Ｎ
２ガスを吹きつけて乾燥し、真空コックを開いてガラス
基板を分離した。
ｒｒに吸引してから真空コックを締め、ガラス基板を吸
着させた状態で、ヒドラジン溶液中に浸して震盪し、ポ
リイミドを溶解除去した後、水槽で洗滌し、その後、Ｎ
２ガスを吹きつけて乾燥し、真空コックを開いてガラス
基板を分離した。
次に、このガラス基板を２５０°Ｃで１時間加熱するこ
とにより表示部のみに配向膜を被覆することができた。
とにより表示部のみに配向膜を被覆することができた。
実施例２：
実施例１と同様にしてストライプ状の透明電橋をパター
ン形成したガラス基板上に配向膜形成剤としてメチルセ
ルロースの３％水溶液をスピンコード法により被覆した
後、予め小型の回転ポンプに接続されており、第１図に
示す構造のガラス製の真空吸引器を２２４ Ｘ１４０
ｍｉｎの表示部（配向膜保存領域）に位置決めした。
ン形成したガラス基板上に配向膜形成剤としてメチルセ
ルロースの３％水溶液をスピンコード法により被覆した
後、予め小型の回転ポンプに接続されており、第１図に
示す構造のガラス製の真空吸引器を２２４ Ｘ１４０
ｍｉｎの表示部（配向膜保存領域）に位置決めした。
なお、ガラス基板に当接する弾性体はシリコンゴムから
なっている。
なっている。
次に、排気系を動作させて真空吸引器内を１Ｏ−Ｔｏｒ
ｒに吸引してから真空コックを締め、ガラス基板を吸着
させた状態で、６０″Ｃの純水中に浸して震盪し、メチ
ルセルロースを溶解除去した後、純水槽で洗滌し、その
後、Ｎ２ガスを吹きつけて乾燥し、真空コックを開いて
ガラス基板を分離した。
ｒに吸引してから真空コックを締め、ガラス基板を吸着
させた状態で、６０″Ｃの純水中に浸して震盪し、メチ
ルセルロースを溶解除去した後、純水槽で洗滌し、その
後、Ｎ２ガスを吹きつけて乾燥し、真空コックを開いて
ガラス基板を分離した。
次に、このガラス基板を２５０°Ｃで１時間加熱するこ
とにより表示部のみに配向膜を被覆することができた。
とにより表示部のみに配向膜を被覆することができた。
本発明によれば、配向膜を汚染することなく、簡単な操
作で不要領域の配向膜形成剤を除くことができ、これに
より品質の向上と共に作業工数の短縮が可能となる。
作で不要領域の配向膜形成剤を除くことができ、これに
より品質の向上と共に作業工数の短縮が可能となる。
第１図は真空吸引器の構造と使用方法の説明図、第２図
は真空吸引器の別の構造を示す断面図、第３図は液晶表
示素子の断面構造図、 である。 図において、 １はガラス基板、 ２は透明電橋、３は配向膜
、 ６は液晶表示素子、１０、１５は真空吸
引器、 １１は弾性体、１３は開口端、
１４は配向膜保存領域、１６は配向膜形成剤、 である。 助−面図 卒３目 上ち咬５シ別の積層はＴ眸飴図 峯２目 卒／［２Ｉ
は真空吸引器の別の構造を示す断面図、第３図は液晶表
示素子の断面構造図、 である。 図において、 １はガラス基板、 ２は透明電橋、３は配向膜
、 ６は液晶表示素子、１０、１５は真空吸
引器、 １１は弾性体、１３は開口端、
１４は配向膜保存領域、１６は配向膜形成剤、 である。 助−面図 卒３目 上ち咬５シ別の積層はＴ眸飴図 峯２目 卒／［２Ｉ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明電極（２）をパターン形成したガラス基板（１）の
全域に配向膜形成剤（１６）を塗布し、乾燥させる工程
と、 該ガラス基板（１）上の配向膜保存領域（１４）と底面
が同形状で、先端部に難溶性の弾性体（１１）を備えた
真空吸引器（１０）を該ガラス基板（１）の配向膜保存
領域（１４）に位置合わせする工程と、該真空吸引器（
１０）の中を減圧し、前記ガラス基板（１）を真空吸着
させた状態で、前記ガラス基板（１）を配向膜形成剤（
１６）の溶剤中に浸漬し、震盪して不要位置の配向膜形
成剤（１６）を溶解除去する工程と、 真空吸引器（１０）の中を大気圧に戻し、ガラス基板（
１）を分離する工程と、 該ガラス基板（１）を熱処理して配向膜形成剤（１６）
を硬化させる工程と、 を含むことを特徴とする液晶表示素子用配向膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8429089A JPH02262617A (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 液晶表示素子用配向膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8429089A JPH02262617A (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 液晶表示素子用配向膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02262617A true JPH02262617A (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=13826340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8429089A Pending JPH02262617A (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 液晶表示素子用配向膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02262617A (ja) |
-
1989
- 1989-04-03 JP JP8429089A patent/JPH02262617A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6272167A (ja) | 薄膜電界効果トランジスタ用のゲ−ト電極材料を沈積及び硬化する方法 | |
| JPS6019608B2 (ja) | 電極パタ−ン形成方法 | |
| JPS5854316A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS63104023A (ja) | 電気光学装置 | |
| JPS6161083B2 (ja) | ||
| JPH02262617A (ja) | 液晶表示素子用配向膜の製造方法 | |
| JPH0279308A (ja) | 電極形成方法 | |
| JP2606369B2 (ja) | 電極の欠陥修正法および液晶表示素子の欠陥修正法 | |
| JPH02190822A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS6041018A (ja) | 液晶表示用セルの製造方法 | |
| JPS60131521A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP3116665B2 (ja) | 積層電極の製造方法 | |
| JPH03212612A (ja) | 垂直配向型の液晶表示素子の製造方法 | |
| JPH06148660A (ja) | 透明導電膜のエッチング方法及び装置 | |
| JP2773111B2 (ja) | 二層配線基板の製造方法 | |
| JP2000047237A (ja) | 導電膜パターンの形成方法及び液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH05289313A (ja) | ガラスマスク | |
| JPH01151237A (ja) | 透明導電性膜のエツチング方法 | |
| JPH09101528A (ja) | 液晶表示体及びその製造方法、及びそれを用いた携帯機器 | |
| JP2857901B2 (ja) | 液晶表示素子用電極基板の製造方法 | |
| JPS6041019A (ja) | 液晶表示用セルの製造法 | |
| JPS6281029A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10123551A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH04116982A (ja) | 薄膜トランジスタアレイの製造方法 | |
| JPS59198429A (ja) | 液晶表示体 |