JPH02260601A - 抵抗組成物 - Google Patents
抵抗組成物Info
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- JPH02260601A JPH02260601A JP1082569A JP8256989A JPH02260601A JP H02260601 A JPH02260601 A JP H02260601A JP 1082569 A JP1082569 A JP 1082569A JP 8256989 A JP8256989 A JP 8256989A JP H02260601 A JPH02260601 A JP H02260601A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 48
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- -1 Ca'ra 206 Chemical compound 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001602876 Nata Species 0.000 description 1
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVZBASCTMCGVQL-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ta+5].[Sn+2]=O Chemical class [O-2].[Ta+5].[Sn+2]=O ZVZBASCTMCGVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000000037 vitreous enamel Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/003—Thick film resistors
Landscapes
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- Electromagnetism (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔｔｈ立…■豆１
本発明は、窒素雰囲気等の不活性雰囲気中で焼成でき、
特に抵抗値の再現性及び温度特性の優れた酸化スズ系厚
膜抵抗組成物に関する。
特に抵抗値の再現性及び温度特性の優れた酸化スズ系厚
膜抵抗組成物に関する。
良未塁韮韮
厚膜抵抗体は、金属や金属酸化物等の導電性粉末とガラ
ス粉末とを有機ビヒクルに分散させて塗料状又はペース
ト状とした組成物を、絶縁基板上ニ所定ツバターンで印
刷した後焼成し、必要によリドリミングを行って、所定
の抵抗値となるように製造される。従来はルデニウム酸
化物系が主流であったが、近年不活性雰囲気中で焼成で
き、卑金属厚膜導体と適合するＫＭ抵抗体として、酸化
スズ系抵抗組成物が実用化されている０例えば特公昭５
９−１５１６１号（米国特許第４３２２４３７号）には
、酸化スズとガラスフリットからなるガラス質エナメル
抵抗が開示されている。抵抗値調整のため、酸化スズは
好ましくはガラスフリットと混合される前に、制御され
た還元を起させるべく、窒素雰囲気中又は形成ガス中で
熱処理される。特公昭５９−３１２０１号（米国特許第
４０６５７４３号）には、酸化スズと酸化タンタルの混
合物又は酸化スズと酸化タンタルの熱処理生成物、をガ
ラスフリットと混合してなる抵抗組成物が示され、小さ
いＴＣＲで高抵抗値が得られることが記載されている。
ス粉末とを有機ビヒクルに分散させて塗料状又はペース
ト状とした組成物を、絶縁基板上ニ所定ツバターンで印
刷した後焼成し、必要によリドリミングを行って、所定
の抵抗値となるように製造される。従来はルデニウム酸
化物系が主流であったが、近年不活性雰囲気中で焼成で
き、卑金属厚膜導体と適合するＫＭ抵抗体として、酸化
スズ系抵抗組成物が実用化されている０例えば特公昭５
９−１５１６１号（米国特許第４３２２４３７号）には
、酸化スズとガラスフリットからなるガラス質エナメル
抵抗が開示されている。抵抗値調整のため、酸化スズは
好ましくはガラスフリットと混合される前に、制御され
た還元を起させるべく、窒素雰囲気中又は形成ガス中で
熱処理される。特公昭５９−３１２０１号（米国特許第
４０６５７４３号）には、酸化スズと酸化タンタルの混
合物又は酸化スズと酸化タンタルの熱処理生成物、をガ
ラスフリットと混合してなる抵抗組成物が示され、小さ
いＴＣＲで高抵抗値が得られることが記載されている。
又、酸化スズと、酸化スズと酸化タンタルの熱処理生成
物の２種の導電性粉末を、ガラスフリットを混合した抵
抗組成物も知られている。この場合、２種の導電性粉末
の比率を種々変化させることにより、導電成分全量とガ
ラスの割合を大きく変えることなく抵抗値を調整するこ
とができるので、広い抵抗値範囲にわたってＴＣＲが小
さい値に維持される他、耐湿性、高温特性等環境特性の
優れた抵抗体を製造することができる。
物の２種の導電性粉末を、ガラスフリットを混合した抵
抗組成物も知られている。この場合、２種の導電性粉末
の比率を種々変化させることにより、導電成分全量とガ
ラスの割合を大きく変えることなく抵抗値を調整するこ
とができるので、広い抵抗値範囲にわたってＴＣＲが小
さい値に維持される他、耐湿性、高温特性等環境特性の
優れた抵抗体を製造することができる。
ところがこれらの酸化スズ系抵抗の場合、抵抗値がバラ
ついたり、ＴＣＲが不安定であるなど、抵抗特性の安定
性、再現性が大きな問題になっている。又特に酸化スズ
とガラスのみからなる抵抗体では、ＴＣＲが負に大きい
値を示すので、実用上より０により近いものが要求され
ている。
ついたり、ＴＣＲが不安定であるなど、抵抗特性の安定
性、再現性が大きな問題になっている。又特に酸化スズ
とガラスのみからなる抵抗体では、ＴＣＲが負に大きい
値を示すので、実用上より０により近いものが要求され
ている。
更に酸化スズ−ガラス抵抗では、低い抵抗値、例えば１
に０７口付近の抵抗値が得られにくく、１０に０７口付
近が限界であった。酸化タンタルを含むものでも、抵抗
値は高抵抗側にしか変化しない、他の酸化物添加剤によ
り調整を行う場合でも、添加量が微量であるためバラツ
キが大きく、抵抗値分布、ＴＣＲ分布が悪くなる。
に０７口付近の抵抗値が得られにくく、１０に０７口付
近が限界であった。酸化タンタルを含むものでも、抵抗
値は高抵抗側にしか変化しない、他の酸化物添加剤によ
り調整を行う場合でも、添加量が微量であるためバラツ
キが大きく、抵抗値分布、ＴＣＲ分布が悪くなる。
■が パシようと る問題
本発明の目的は、抵抗値やＴＣＨのバラツキが改善され
、かつＴ ＣＨの小さい、一定品質を有する安定な抵抗
体を、再現性良く製造することにある。又他の目的は、
広い抵抗値範囲にわたって優れた特性を示し、特に従来
得られなかった１０数に０７口以下の低い抵抗値を有す
る酸化スズ系抵抗体を提供することである。
、かつＴ ＣＨの小さい、一定品質を有する安定な抵抗
体を、再現性良く製造することにある。又他の目的は、
広い抵抗値範囲にわたって優れた特性を示し、特に従来
得られなかった１０数に０７口以下の低い抵抗値を有す
る酸化スズ系抵抗体を提供することである。
問題を ゝ るための−
本発明は、（ａ） Ｍ化スズ粉末及び（ｂ）酸化スズと
酸化タンタルを熱処理して得られた粉末から成る群から
選んだ１又は２以上の導電性粉末と、ガラス粉末と、タ
ンタル複酸化物とを有機ビヒクルに分散させてなる抵抗
組成物である。又この組成物においてタンタル複酸化物
の配合量が、導電性粉末とガラス粉末の合計１００重量
部に対して３０重量部以下である抵抗組成物である。
酸化タンタルを熱処理して得られた粉末から成る群から
選んだ１又は２以上の導電性粉末と、ガラス粉末と、タ
ンタル複酸化物とを有機ビヒクルに分散させてなる抵抗
組成物である。又この組成物においてタンタル複酸化物
の配合量が、導電性粉末とガラス粉末の合計１００重量
部に対して３０重量部以下である抵抗組成物である。
複酸化物は、金属のイオン半径のあまり異ならない２種
以上の金属が共存する複合酸化物であるが、本発明でい
うタンタル複酸化物は、このほか金属タンタル酸塩を含
むものである６例えばＮａＴａ ０３ 、ＫＴａ ０３
などのアルカリ金属のタンタル酸塩、Ｂａ ’ｒａ ２
０６ 、Ｃａ ’ｒａ ２０６などアルカリ土類金属と
タンタルの複酸化物、 Ｃ０Ｔａ２０６、Ｎｉ’ｌ’ａ
２０６、ＦｅＴａ２０６、ＦｅＴａ０＋、ＣｕＴａ２０
６、ＡａＴａ０３、ＺｎＴａ２０Ｇ、ＴｉＴａ２Ｏ＋、
ＶＴａＯ４、ＣｒＴａ０＋、ＭｎＴａ２０６、ＹＴａＯ
＋、ランタン系金属とタンタルの複酸化物などの遷移金
属−タンタル複酸化物の他、Ｇａ Ｔａ ０４ 、Ｉｎ
ＴａＯ４、Ｓｎ’Ｉ’ａ ２０７．５ｂＴａＯ＊などが
あげられる。
以上の金属が共存する複合酸化物であるが、本発明でい
うタンタル複酸化物は、このほか金属タンタル酸塩を含
むものである６例えばＮａＴａ ０３ 、ＫＴａ ０３
などのアルカリ金属のタンタル酸塩、Ｂａ ’ｒａ ２
０６ 、Ｃａ ’ｒａ ２０６などアルカリ土類金属と
タンタルの複酸化物、 Ｃ０Ｔａ２０６、Ｎｉ’ｌ’ａ
２０６、ＦｅＴａ２０６、ＦｅＴａ０＋、ＣｕＴａ２０
６、ＡａＴａ０３、ＺｎＴａ２０Ｇ、ＴｉＴａ２Ｏ＋、
ＶＴａＯ４、ＣｒＴａ０＋、ＭｎＴａ２０６、ＹＴａＯ
＋、ランタン系金属とタンタルの複酸化物などの遷移金
属−タンタル複酸化物の他、Ｇａ Ｔａ ０４ 、Ｉｎ
ＴａＯ４、Ｓｎ’Ｉ’ａ ２０７．５ｂＴａＯ＊などが
あげられる。
本発明では、導電成分として （ａ）酸化スズ粉末及び
（ｂ）酸化スズと酸化タンタルを熱処理して得られた粉
末から選ばれる１又は２以上を使用する。
（ｂ）酸化スズと酸化タンタルを熱処理して得られた粉
末から選ばれる１又は２以上を使用する。
（ａ）と （ｂ）の比率を変化させることにより、導電
成分とガラスの割合を大きく変えることなく抵抗値を調
整することができる。（ａ）の酸化スズ粉末は、公知の
方法に従ってＳｎＯ２粉末を不活性雰囲気中又は還元性
雰囲気中で熱処理し、酸素量を制御したものを使用する
のが望ましい、（ｂ）の酸化スズと酸化タンタルの熱処
理は、例えば酸化スズ粉末と酸化タンタル粉末を混合し
、不活性雰囲気中又は還元性雰囲気中、５００〜ｂ 度で行う。
成分とガラスの割合を大きく変えることなく抵抗値を調
整することができる。（ａ）の酸化スズ粉末は、公知の
方法に従ってＳｎＯ２粉末を不活性雰囲気中又は還元性
雰囲気中で熱処理し、酸素量を制御したものを使用する
のが望ましい、（ｂ）の酸化スズと酸化タンタルの熱処
理は、例えば酸化スズ粉末と酸化タンタル粉末を混合し
、不活性雰囲気中又は還元性雰囲気中、５００〜ｂ 度で行う。
ガラスの組成には特に制限はなく、従来公知の酸化スズ
抵抗用の非還元性ガラスがいずれも使用できる０例えば
、アルカリ土類金属硼珪酸塩ガラス、アルカリ土類金属
アルミニウム硼珪酸塩ガラスなどが挙げられる。
抵抗用の非還元性ガラスがいずれも使用できる０例えば
、アルカリ土類金属硼珪酸塩ガラス、アルカリ土類金属
アルミニウム硼珪酸塩ガラスなどが挙げられる。
尚、導電性粉末とガラス粉末は予め熱処理し、複合粉末
としたものを使用してもよい。
としたものを使用してもよい。
発明の抵抗組成物には、更にこの種の酸化スズ系抵抗に
常用される添加剤を、適宜含有させてもよい。
常用される添加剤を、適宜含有させてもよい。
止」
本発明のタンタル複酸化物は、少量の添加によっても抵
抗値やＴＣＨなどの特性のバラツキを改善する。従って
抵抗特性の安定性が優れた抵抗体を、容易に製造するこ
とができる。又ＴＣＲの絶対値を小さくし、０に近づけ
る優れた作用を有する。
抗値やＴＣＨなどの特性のバラツキを改善する。従って
抵抗特性の安定性が優れた抵抗体を、容易に製造するこ
とができる。又ＴＣＲの絶対値を小さくし、０に近づけ
る優れた作用を有する。
更に、タンタル複酸化物の種類によっては、酸化スズと
ガラスからなる比較的低抵抗の抵抗組成物に添加すると
、ＴＣＲを０に近づけるとともに、抵抗値を大きく低下
させる効果を有する。このような作用を示すものとして
は、ｃｏ Ｔａ ２０６、ＮｉＴａ２０ｂ、ＧａＴａ０
＋、５ｎＴａ２０７などがあげられる。又、導電成分に
酸化スズと酸化タンタルの熱処理粉末を用いた、比較的
抵抗値の高い抵抗に添加した場合には、逆に抵抗値を増
大させる作用を有するものもある。従って、ＴＣＲの改
善と同時に抵抗値の調整も可能な添加剤としても有効で
ある。
ガラスからなる比較的低抵抗の抵抗組成物に添加すると
、ＴＣＲを０に近づけるとともに、抵抗値を大きく低下
させる効果を有する。このような作用を示すものとして
は、ｃｏ Ｔａ ２０６、ＮｉＴａ２０ｂ、ＧａＴａ０
＋、５ｎＴａ２０７などがあげられる。又、導電成分に
酸化スズと酸化タンタルの熱処理粉末を用いた、比較的
抵抗値の高い抵抗に添加した場合には、逆に抵抗値を増
大させる作用を有するものもある。従って、ＴＣＲの改
善と同時に抵抗値の調整も可能な添加剤としても有効で
ある。
曳ハヱ
実施例及び比較例で用いた導電性粉末は、次のようにし
て製造されたものである。
て製造されたものである。
ＳｎＯ２粉末をアルミナルツボ中に入れ、Ｎ２雰囲気中
８００℃で１時間、次いで１２００℃で１時間保持して
熱処理し、徐冷した。（以下熱処理５ｎ０２粉末という
、） 別個にｓｎ ０２粉末とＴａ２ｅｓ粉末とを重量で７０
：３Ｇの比率で混合し、ボールミル粉砕を行った後アル
ミナルツボ中に入れ、Ｎ２雰囲気中８００℃で１時間、
次いで１２００℃で１時間保持して熱処理し、徐冷した
。（以下熱処理ＳｎＯ２／Ｔａ２０５粉末という、） 実施例１ 熱処理５００２粉末７０重量部と、Ｓｉ ０２−Ｂ２０
ｓ −Ｂａ ０−８ｎ ０２−Ｃａ Ｏガラス粉末３０
重量部と、タンタル酸コバルトＣｏＴａｚＯ６２重量部
とを有機ビヒクルと共に混練して、ペースト状の抵抗組
成物を製造した。
８００℃で１時間、次いで１２００℃で１時間保持して
熱処理し、徐冷した。（以下熱処理５ｎ０２粉末という
、） 別個にｓｎ ０２粉末とＴａ２ｅｓ粉末とを重量で７０
：３Ｇの比率で混合し、ボールミル粉砕を行った後アル
ミナルツボ中に入れ、Ｎ２雰囲気中８００℃で１時間、
次いで１２００℃で１時間保持して熱処理し、徐冷した
。（以下熱処理ＳｎＯ２／Ｔａ２０５粉末という、） 実施例１ 熱処理５００２粉末７０重量部と、Ｓｉ ０２−Ｂ２０
ｓ −Ｂａ ０−８ｎ ０２−Ｃａ Ｏガラス粉末３０
重量部と、タンタル酸コバルトＣｏＴａｚＯ６２重量部
とを有機ビヒクルと共に混練して、ペースト状の抵抗組
成物を製造した。
この抵抗ペーストを、予め銅厚膜電極が焼付けされたア
ルミナ基板上に１１１１１ Ｘ １ ａａの正方形パタ
ーンに印刷し、空気中１５０℃で１０分間乾燥した後、
Ｎ２雰囲気中最高温度９００℃１０分間保持、６０分サ
イクルの条件で焼成した。得られた抵抗体の抵抗値・Ｔ
ＣＲ（高温１１！ＩＨ−Ｔｅｌ ＋２５℃〜＋１２５℃
、低温側Ｃ−ＴＣＲ−２５℃〜−５５゛ｃ）及び抵抗値
のバラツキ（ｅＶ）を調べ、表１に示した。
ルミナ基板上に１１１１１ Ｘ １ ａａの正方形パタ
ーンに印刷し、空気中１５０℃で１０分間乾燥した後、
Ｎ２雰囲気中最高温度９００℃１０分間保持、６０分サ
イクルの条件で焼成した。得られた抵抗体の抵抗値・Ｔ
ＣＲ（高温１１！ＩＨ−Ｔｅｌ ＋２５℃〜＋１２５℃
、低温側Ｃ−ＴＣＲ−２５℃〜−５５゛ｃ）及び抵抗値
のバラツキ（ｅＶ）を調べ、表１に示した。
実施例２〜６
Ｃｏ Ｔａ ２０ｓに代えて表１に示すタンタル複酸化
物を使用する以外は、実施例１と同様にして抵抗ペース
トを作製した。アルミナ基板上に焼付けして得られた抵
抗体゛の特性を、表１に示す。
物を使用する以外は、実施例１と同様にして抵抗ペース
トを作製した。アルミナ基板上に焼付けして得られた抵
抗体゛の特性を、表１に示す。
比較例Ｉ
Ｃｏ’Ｔ’ａ２０ｂを配合しないほかは、実施例１と同
様にして抵抗ペーストを作製した。アルミナ基板上に焼
付けして得られた抵抗体の特性は、表１に示される通り
、ＴＣＲが負に大きく、又抵抗値バラツキも大きいもの
であった。
様にして抵抗ペーストを作製した。アルミナ基板上に焼
付けして得られた抵抗体の特性は、表１に示される通り
、ＴＣＲが負に大きく、又抵抗値バラツキも大きいもの
であった。
比較例２
ｃｏ Ｔａ ２０＆に代えてＴａ２’ｓを使用する以外
は、実施例１と同様にして抵抗ペース１−を作製した。
は、実施例１と同様にして抵抗ペース１−を作製した。
アルミナ基板上に焼付けして得られた抵抗体の特性を、
表１に示す。
表１に示す。
表１
表１から、本発明のタンタル複酸化物を配合することに
より抵抗値バラツキ、ＴＣＲが大きく改善されているこ
とがわかる。実施例１〜４．６では抵抗値を低下させる
効果も認められる。尚、比較例２から明らかな通り、Ｔ
ａ２０５を添加しても抵抗値バラツキは改善されない。
より抵抗値バラツキ、ＴＣＲが大きく改善されているこ
とがわかる。実施例１〜４．６では抵抗値を低下させる
効果も認められる。尚、比較例２から明らかな通り、Ｔ
ａ２０５を添加しても抵抗値バラツキは改善されない。
実方組例 ７
熱処理Ｓｎ ０２粉末５６重量部と、熱処理５ｎ０２
／Ｔａ ２０６粉末１４重量部と、Ｓｉ ０２−８２０
ｓ −Ｂａ ０−３ｎ ０２−Ｃａ Ｏガラス粉末３０
重量部と、Ｃ０ＴａｚＯｔ、６重量部とを有機ビヒクル
と共に混練して、抵抗ペーストを製造した。
／Ｔａ ２０６粉末１４重量部と、Ｓｉ ０２−８２０
ｓ −Ｂａ ０−３ｎ ０２−Ｃａ Ｏガラス粉末３０
重量部と、Ｃ０ＴａｚＯｔ、６重量部とを有機ビヒクル
と共に混練して、抵抗ペーストを製造した。
この抵抗ペーストを、実施例１と同様にしてアルミナ基
板上に焼付けし、抵抗体を得た。特性を表２に示す。
板上に焼付けし、抵抗体を得た。特性を表２に示す。
実施例８
Ｃｏ Ｔａ ２０６に代えてＮｉ Ｔａ ２０６を使用
する以外は、実施例７と同様にして抵抗ペーストを作製
した。アルミナ基板上に焼付けして得られた抵抗体の特
性を、表２に示す。
する以外は、実施例７と同様にして抵抗ペーストを作製
した。アルミナ基板上に焼付けして得られた抵抗体の特
性を、表２に示す。
比較例３．４
ＣＯＴａ２０ｓを配合せず、導電性粉末の配合比を表２
の通りとするほかは、実施例７と同様にして、それ〆れ
抵抗ペーストを作製した。アルミナ基板上に焼付けして
得られた抵抗体の特性を、表２に示した。
の通りとするほかは、実施例７と同様にして、それ〆れ
抵抗ペーストを作製した。アルミナ基板上に焼付けして
得られた抵抗体の特性を、表２に示した。
表２
表２から明らかなとおり、本発明で得られた抵抗体は、
高抵抗域においても抵抗値バラツキ及び’Ｉ” ＣＲ特
性が極めて優れている。尚、実施例７．８と比較例４と
を比較すると、これらの添加剤は、この酸化スズ−酸化
タンタル抵抗においては、抵抗値を上げると同時にＴＣ
Ｒをプラス側にシフトさせる効果を有していることがわ
かる。
高抵抗域においても抵抗値バラツキ及び’Ｉ” ＣＲ特
性が極めて優れている。尚、実施例７．８と比較例４と
を比較すると、これらの添加剤は、この酸化スズ−酸化
タンタル抵抗においては、抵抗値を上げると同時にＴＣ
Ｒをプラス側にシフトさせる効果を有していることがわ
かる。
１匪立皇１
本発明は、酸化スズ系抵抗組成物にタンタル複酸化物を
配合することにより、中抵抗域から高抵抗域まで広い抵
抗値範囲が得られ、かつ抵抗特性及び安定性が優れた厚
膜抵抗体を、容易に、再現性良く製造することができる
ものである。
配合することにより、中抵抗域から高抵抗域まで広い抵
抗値範囲が得られ、かつ抵抗特性及び安定性が優れた厚
膜抵抗体を、容易に、再現性良く製造することができる
ものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （ａ）酸化スズ粉末及び （ｂ）酸化スズと酸化タンタルを熱処理して得られた粉
末 から成る群から選んだ１又は２以上の導電性粉末と、ガ
ラス粉末と、タンタル複酸化物とを有機ビヒクルに分散
させてなる抵抗組成物。 ２ タンタル複酸化物の配合量が、導電性粉末とガラス
粉末の合計１００重量部に対して３０重量部以下である
、請求項１に記載された抵抗組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082569A JP2802770B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 抵抗組成物 |
| US07/496,968 US4986933A (en) | 1989-03-31 | 1990-03-21 | Resistor composition |
| DE69014373T DE69014373T2 (de) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | Widerstand-Zusammensetzung. |
| EP90106142A EP0390182B1 (en) | 1989-03-31 | 1990-03-30 | Resistor composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082569A JP2802770B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 抵抗組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260601A true JPH02260601A (ja) | 1990-10-23 |
| JP2802770B2 JP2802770B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=13778119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1082569A Expired - Fee Related JP2802770B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 抵抗組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4986933A (ja) |
| EP (1) | EP0390182B1 (ja) |
| JP (1) | JP2802770B2 (ja) |
| DE (1) | DE69014373T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0542893B1 (en) * | 1990-08-09 | 2000-05-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Fluorocarbon paint composition |
| US5569412A (en) * | 1994-08-18 | 1996-10-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Tin oxide based conductive powders and coatings |
| US5736071A (en) * | 1996-01-18 | 1998-04-07 | Central Glass Company, Limited | Transparent conductive double oxide and method for producing same |
| JP2005154885A (ja) * | 2003-03-26 | 2005-06-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 遮熱コーティング材料 |
| US20060162381A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-07-27 | Ohmite Holdings, Llc | Method of manufacturing tin oxide-based ceramic resistors & resistors obtained thereby |
| US9351398B2 (en) * | 2013-04-04 | 2016-05-24 | GM Global Technology Operations LLC | Thick film conductive inks for electronic devices |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS60155544A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-08-15 | イ−・アイ・デユポン・ドウ・ヌム−ル・アンド・カンパニ− | ホウケイ酸塩ガラス組成物 |
| JPS60157201A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-08-17 | イ−・アイ・デユポン・ドウ・ヌム−ル・アンド・カンパニ− | 抵抗体組成物および抵抗体の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1209947A (en) * | 1966-12-07 | 1970-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductive elements |
| SU841068A1 (ru) * | 1979-09-07 | 1981-06-23 | Предприятие П/Я А-3481 | Резистивна паста |
| US4548741A (en) * | 1982-06-01 | 1985-10-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for doping tin oxide |
| US4707346A (en) * | 1982-06-01 | 1987-11-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for doping tin oxide |
| JPS648441A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Hitachi Ltd | Character string retrieving system |
| JPH07109808B2 (ja) * | 1988-03-30 | 1995-11-22 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性複合粉末の製造方法及びその粉末を用いた抵抗組成物 |
| JPH0719681B2 (ja) * | 1988-03-30 | 1995-03-06 | 昭栄化学工業株式会社 | 抵抗組成物 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1082569A patent/JP2802770B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-21 US US07/496,968 patent/US4986933A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-30 EP EP90106142A patent/EP0390182B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-30 DE DE69014373T patent/DE69014373T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5946007A (ja) * | 1975-03-21 | 1984-03-15 | インターナショナル、レジスティブ、カンパニー、インコーポレーテッド | 電気抵抗体の製造法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0390182A2 (en) | 1990-10-03 |
| DE69014373D1 (de) | 1995-01-12 |
| EP0390182B1 (en) | 1994-11-30 |
| JP2802770B2 (ja) | 1998-09-24 |
| EP0390182A3 (en) | 1991-03-13 |
| DE69014373T2 (de) | 1995-05-04 |
| US4986933A (en) | 1991-01-22 |
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|---|---|---|---|
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