JPH02260569A - Schottky diode - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 229910018885 Pt—Au Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半絶縁性半導体基板に不純物を注入して導電層
を形成し、この上にショットキ接合電極とオーミック電
極を形成してなるプレーナ型のショットキダイオードに
関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is a planar type semiconductor substrate in which impurities are implanted into a semi-insulating semiconductor substrate to form a conductive layer, and a Schottky junction electrode and an ohmic electrode are formed on the conductive layer. Regarding the Schottky diode.
従来、この種のショットキダイオードとして、第２図（
ａ）乃至（ｈ）に示す方法で製造されるものがある。Conventionally, this type of Schottky diode is shown in Figure 2 (
There are products manufactured by the methods shown in a) to (h).
即ち、先ず第２図（ａ）のように、半絶縁性半導体基板
１にフォトレジストマスク３を利用して不純物を選択的
にイオン注入し、導電層２を形成し、かつアニールして
活性化する。第２図（ｂ）はアニールに際して形成した
酸化膜４を示す。That is, as shown in FIG. 2(a), first, impurities are selectively ion-implanted into a semi-insulating semiconductor substrate 1 using a photoresist mask 3 to form a conductive layer 2, and then activated by annealing. do. FIG. 2(b) shows the oxide film 4 formed during annealing.
次いで、第２図（ｃ）のように、酸化Ｍ！４を除去した
後、ＷＳｉ等のショットキ金属膜７を全面にスパッタし
、かつフォトレジストマスク８を用いて選択エツチング
する。これにより、第２図（ｄ）のように、ショットキ
接合電極９を形成する。その後、全面に酸化膜１０を形
成し、かつオーミック電極形成箇所に窓を設けたフォト
レジストマスク１１を形成する。Next, as shown in FIG. 2(c), oxidation M! After removing 4, a Schottky metal film 7 such as WSi is sputtered over the entire surface and selectively etched using a photoresist mask 8. As a result, a Schottky junction electrode 9 is formed as shown in FIG. 2(d). Thereafter, an oxide film 10 is formed on the entire surface, and a photoresist mask 11 with windows provided at locations where ohmic electrodes are to be formed is formed.
続いて、第２図（ｅ）のように、フォトレジストマスク
１１により、酸化膜１０をエツチングして半導体基板ｌ
の表面を露呈した後、全面にオーミック金属膜１２を形
成する。そして、前記フォトレジストマスク１１及び酸
化Ｉ！１０を除去することにより、所謂リフトオフ法に
よりオーミック電極１３を形成する。Subsequently, as shown in FIG. 2(e), the oxide film 10 is etched using the photoresist mask 11 to form the semiconductor substrate l.
After exposing the surface, an ohmic metal film 12 is formed on the entire surface. Then, the photoresist mask 11 and the oxidized I! By removing 10, an ohmic electrode 13 is formed by a so-called lift-off method.
その後、第２図（ｆ）のように、オーミック電極１３を
溶融して半導体基板１と接合させ、導電層２との電気的
接触をとる。次いで、ショットキ接合電極９とオーミッ
ク電極１３上に酸化膜１４を形成する。更に、画電極９
．１３上に窓を設けたフォトレジストマスク１５を形成
する。Thereafter, as shown in FIG. 2(f), the ohmic electrode 13 is melted and joined to the semiconductor substrate 1, thereby establishing electrical contact with the conductive layer 2. Next, an oxide film 14 is formed on the Schottky junction electrode 9 and the ohmic electrode 13. Furthermore, the picture electrode 9
．． A photoresist mask 15 with a window provided on the photoresist mask 13 is formed.
そして、第２図（ｇ）のように、前記フォトレジストマ
スク１５を用いて酸化膜１４をエツチングし、画電極９
，１３の上面を露呈する。その後、全面に金属膜１６を
被着し、かつ画電極を覆うようにフォトレジストマスク
１７を形成する。Then, as shown in FIG. 2(g), the oxide film 14 is etched using the photoresist mask 15, and the picture electrode 9 is etched.
, 13 are exposed. Thereafter, a metal film 16 is deposited on the entire surface, and a photoresist mask 17 is formed so as to cover the picture electrode.
次いで、このフォトレジストマスク１７を用いて前記金
属膜１６をエツチングすることで、第２図（ｈ）のよう
に、各電極９，１３に夫々接続される第１層配線１８を
形成する。Next, by etching the metal film 16 using this photoresist mask 17, first layer interconnections 18 connected to each electrode 9, 13 are formed, as shown in FIG. 2(h).
〔発明が解決しようとする課題〕
上述したような製造方法で形成されるショットキダイオ
ードでは、ショットキ接合電極９とオーミック電極１３
との距離でショットキの逆方向の耐圧が決定され、高耐
圧のダイオードを得るためには両電極間の距離を大きく
することが要求される。しかしながら、両電極間の距離
を大きくすると、その分寄生抵抗が大きくなって特性の
劣化をまねき、また集積回路を構成する場合に集積度の
低下をまねくという問題がある。[Problems to be Solved by the Invention] In the Schottky diode formed by the manufacturing method described above, the Schottky junction electrode 9 and the ohmic electrode 13
The reverse breakdown voltage of the Schottky is determined by the distance between the two electrodes, and in order to obtain a diode with high breakdown voltage, it is necessary to increase the distance between the two electrodes. However, if the distance between the two electrodes is increased, the parasitic resistance increases accordingly, leading to deterioration of characteristics, and when forming an integrated circuit, there is a problem that the degree of integration is decreased.
本発明は特性の劣化や集積度の低下を生じることなく高
耐圧を得ることができるショットキダイオードを提供す
ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a Schottky diode that can obtain a high breakdown voltage without deteriorating its characteristics or reducing its degree of integration.
本発明のショットキダイオードは、ショットキ接合電極
とオーミック電極との間の導電層の表面に絶縁層を形成
している。In the Schottky diode of the present invention, an insulating layer is formed on the surface of the conductive layer between the Schottky junction electrode and the ohmic electrode.
上述した構成では、絶縁層によってショットキ接合電極
端での電界集中を緩和し、ショットキダイオードの逆方
向耐圧を改善する。In the above configuration, the insulating layer alleviates electric field concentration at the end of the Schottky junction electrode and improves the reverse breakdown voltage of the Schottky diode.
次に、本発明を図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図（ａ）乃至（ｉ）は本発明の一実施例のショット
キダイオードをその製造工程に従って示す断面図である
。FIGS. 1(a) to 1(i) are cross-sectional views showing a Schottky diode according to an embodiment of the present invention according to its manufacturing process.
先ず、第１図（ａ）のように、半絶縁性半導体基板１に
所要領域を窓あけしたフォトレジストマスク３を形成し
、半導体基板ｌに不純物を選択的にイオン注入して導電
層２を形成する。その後、第１図（ｂ）のように、フォ
トレジストマスクを除去し酸化膜４を全面成長させアニ
ールし、活性化を行う。First, as shown in FIG. 1(a), a photoresist mask 3 with windows in a required area is formed on a semi-insulating semiconductor substrate 1, and impurity ions are selectively implanted into the semiconductor substrate 1 to form a conductive layer 2. Form. Thereafter, as shown in FIG. 1(b), the photoresist mask is removed, and the oxide film 4 is grown over the entire surface, annealed, and activated.
次に、第１図（ｃ）のように、前記酸化膜４を除去した
後、今度はショットキ接合電極とオーミック電極の間に
相当する箇所に窓あけしたフォトレジストマスク５を形
成し、これを利用して前記導電層２の不純物とは異なる
不純物或いは酸素をイオン注入し、導電層２内に絶縁層
６を形成する。Next, as shown in FIG. 1(c), after removing the oxide film 4, a photoresist mask 5 with a window formed between the Schottky junction electrode and the ohmic electrode is formed. Using this method, an impurity different from the impurity of the conductive layer 2 or oxygen is ion-implanted to form an insulating layer 6 in the conductive layer 2.
その後、第１図（ｄ）のように、フォトレジストマスク
５を除去した後、ＷＳｉ等のショットキ金属膜７を全面
にスパッタ形成する。更に、ショットキ接合電極を形成
する箇所にフォトレジストマスク８を形成してショット
キ金属膜７を覆う。Thereafter, as shown in FIG. 1(d), after removing the photoresist mask 5, a Schottky metal film 7 such as WSi is sputtered over the entire surface. Furthermore, a photoresist mask 8 is formed at a location where a Schottky junction electrode is to be formed to cover the Schottky metal film 7.
次に、第１図（６）のように、フォトレジストマスク８
を用いてショットキ金属膜７をドライエツチングし、シ
ョットキ接合電極９を形成する。Next, as shown in FIG. 1 (6), the photoresist mask 8
The Schottky metal film 7 is dry etched using a etchant to form a Schottky junction electrode 9.
次いで、酸化膜１０を全面に成長させ、更にこの上にオ
ーミック電極を形成する箇所に窓あけしたフォトレジス
トマスク１１を形成する。Next, an oxide film 10 is grown over the entire surface, and a photoresist mask 11 with windows formed thereon is formed at locations where ohmic electrodes are to be formed.
次に、第１図（ｆ）のように、フォトレジストマスク１
１を用いて酸化膜１０をエツチングし、半導体基板１の
表面を露呈させる。そして、ＡｕＧｅ−Ｎ１等のオーミ
ック金属膜１２を形成し、かつ前記フォトレジストマス
ク１１を除去することで、所謂リトフ・オフ法によりオ
ーミック電極１３を形成する。Next, as shown in FIG. 1(f), a photoresist mask 1
1 is used to etch the oxide film 10 to expose the surface of the semiconductor substrate 1. Then, by forming an ohmic metal film 12 such as AuGe-N1 and removing the photoresist mask 11, an ohmic electrode 13 is formed by a so-called litho-off method.
次に、第１図（ｇ）のように、オーミック電極１３を加
熱処理して半導体基板に接合させ、電気的に接触させる
。更に、前記フォトレジストマスク１１と酸化膜１０を
除去した後、改めて酸化膜１４を全面成長し、かつこれ
ら電極９．１３上に窓あけしたフォトレジストマスク１
５を形成する。Next, as shown in FIG. 1(g), the ohmic electrode 13 is heat-treated to be bonded to the semiconductor substrate and brought into electrical contact. Furthermore, after removing the photoresist mask 11 and the oxide film 10, an oxide film 14 is grown again on the entire surface, and a photoresist mask 1 with windows formed over the electrodes 9 and 13 is formed.
form 5.
次いで、第１図（ｈ）のように、フオトレジストマスク
１５により酸化膜１４をエツチングしてショットキ接合
電極９とオーミック電極１３を露呈させる。Next, as shown in FIG. 1(h), the oxide film 14 is etched using the photoresist mask 15 to expose the Schottky junction electrode 9 and the ohmic electrode 13.
その後、第１図（ｉ）のように、全面にＴｉ−Ｐｔ−Ａ
ｕ等の金属膜１６をスパッタ法により形成し、かつ両電
極９．１３を覆うようにフォトレジストマスク１７を形
成する。そして、このフォトレジストマスク１７で金属
膜１６を選択エツチングすることで、ショットキ接合電
極９又はオーミック電極１３に接続された第１層配線１
８を形成する。After that, as shown in Fig. 1(i), Ti-Pt-A was applied to the entire surface.
A metal film 16 such as U is formed by sputtering, and a photoresist mask 17 is formed to cover both electrodes 9 and 13. Then, by selectively etching the metal film 16 using this photoresist mask 17, the first layer wiring 1 connected to the Schottky junction electrode 9 or the ohmic electrode 13 is etched.
form 8.
このように形成されるショットキダイオードは、ショッ
トキ接合電極９とオーミック電極１３との間に絶縁層６
が存在しているため、ショットキ接合電極９の端部にお
ける電界集中を緩和し、その逆方向耐圧を向上させる。The Schottky diode formed in this way has an insulating layer 6 between the Schottky junction electrode 9 and the ohmic electrode 13.
The presence of the Schottky junction electrode 9 alleviates the electric field concentration at the end of the Schottky junction electrode 9 and improves its reverse breakdown voltage.
したがって、両電極の間隔を大きくする必要はなくなり
、寄生抵抗の増大を防いで特性を改善し、かつ集積度を
向上することが可能となる。Therefore, there is no need to increase the distance between the two electrodes, and it is possible to prevent an increase in parasitic resistance, improve characteristics, and increase the degree of integration.
ここで、前記シ町ツキダイオードを構成する各電極は次
の素材で形成してもよい、即ち、ショットキ接合電極に
アルミニウムを、オーミック電極にＡｕＧｅ−Ｎｉ−Ａ
ｕを、また第１層配線にＴｉ−Ａｕ層を夫々用いてもよ
い。Here, each electrode constituting the Shimachi Tsuki diode may be formed of the following materials: Aluminum for the Schottky junction electrode, AuGe-Ni-A for the ohmic electrode.
Alternatively, a Ti--Au layer may be used for the first layer wiring.
以上説明したように本発明は、ショットキ接合電極とオ
ーミック電極との間の導電層の表面に絶縁層を形成して
いるので、この絶縁層によってショットキ接合電極端で
の電界集中を緩和し、ショットキダイオードの逆方向耐
圧を改善することができる。これにより、ショットキ接
合電極とオーミック電極との間隔を大きくする必要がな
く、寄生抵抗の増大を防止して特性を向上し、かつ集積
度を向上できる効果がある。As explained above, in the present invention, since an insulating layer is formed on the surface of the conductive layer between the Schottky junction electrode and the ohmic electrode, this insulating layer alleviates electric field concentration at the end of the Schottky junction electrode, and The reverse breakdown voltage of the diode can be improved. This eliminates the need to increase the distance between the Schottky junction electrode and the ohmic electrode, and has the effect of preventing an increase in parasitic resistance, improving characteristics, and increasing the degree of integration.
第１図（ａ）乃至（ｉ）は本発明の第１実施例を製造工
程に従って示す断面図、第２図（ａ）乃至（ｈ）は従来
のショットキダイオードをその製造工程に従って示す断
面図である。
ｌ・・・半絶縁性半導体基板、２・・・導電層、３・・
・フォトレジストマスク、４・・・酸化膜、５・・・フ
ォトレジストマスク、６・・・絶縁層、７・・・ショッ
トキ金属膜、８・・・フォトレジストマスク、９・・・
ショットキ接合電極、１０・・・酸化膜、１１・・・フ
ォトレジストマスク、１２・・・オーミック金属膜、１
３・・・オーミック電極、１４・・・酸化膜、１５・・
・フォトレジストマスク、１６・・・金属膜、１７・・
・フォトレジストマスク、１８・・・第１層配線。
第１図
第２
図
°Ｏ
■
第２
図FIGS. 1(a) to (i) are cross-sectional views showing a first embodiment of the present invention according to the manufacturing process, and FIGS. 2(a) to (h) are cross-sectional views showing a conventional Schottky diode according to the manufacturing process. be. l... Semi-insulating semiconductor substrate, 2... Conductive layer, 3...
- Photoresist mask, 4... Oxide film, 5... Photoresist mask, 6... Insulating layer, 7... Schottky metal film, 8... Photoresist mask, 9...
Schottky junction electrode, 10... Oxide film, 11... Photoresist mask, 12... Ohmic metal film, 1
3... Ohmic electrode, 14... Oxide film, 15...
・Photoresist mask, 16...Metal film, 17...
- Photoresist mask, 18...first layer wiring. Figure 1 Figure 2 °O ■ Figure 2
Claims (1)
の表面にショットキ接合電極とオーミック電極を並んで
形成してなるプレーナ型のショットキダイオードにおい
て、前記ショットキ接合電極とオーミック電極との間の
導電層に絶縁層を形成したことを特徴とするショットキ
ダイオード。1. In a planar Schottky diode in which a conductive layer is formed on a semi-insulating semiconductor substrate, and a Schottky junction electrode and an ohmic electrode are formed side by side on the surface of this conductive layer, there is a gap between the Schottky junction electrode and the ohmic electrode. A Schottky diode characterized in that an insulating layer is formed on a conductive layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065689A JPH02260569A (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Schottky diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8065689A JPH02260569A (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Schottky diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260569A true JPH02260569A (en) | 1990-10-23 |
Family
ID=13724399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8065689A Pending JPH02260569A (en) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | Schottky diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260569A (en) |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8065689A patent/JPH02260569A/en active Pending
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