JPH02255378A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH02255378A JPH02255378A JP1076637A JP7663789A JPH02255378A JP H02255378 A JPH02255378 A JP H02255378A JP 1076637 A JP1076637 A JP 1076637A JP 7663789 A JP7663789 A JP 7663789A JP H02255378 A JPH02255378 A JP H02255378A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、レーザ光等の集束光を照射してその照射部位
の光学的性質を変化させ、その光学的変化を利用して情
報の記録・再生・消去を行う書換可能な光記録媒体に係
わり、特Ｋ、情報の書換操作を高速で行うことができ、
しかも、長期に亘って記録情報を保持できる光記録媒体
の改良に関するものである。
の光学的性質を変化させ、その光学的変化を利用して情
報の記録・再生・消去を行う書換可能な光記録媒体に係
わり、特Ｋ、情報の書換操作を高速で行うことができ、
しかも、長期に亘って記録情報を保持できる光記録媒体
の改良に関するものである。
［従来の技術］
従来、レーザ光等を利用して情報を記録する書換可能な
光記録媒体としては光磁気記録媒体があり、一部で実用
化されている。この方式は光エネルギと磁界により記録
材料層の磁化を反転させて記録し、磁化方向によるファ
ラデー回転角あるいはカー回転角の違いを検出して再生
信号を得る方式である。しかし、この方式においては少
なくともＩｔ？クター以内で書換を行うための実用的な
方法が無いため、限られた分野に応用されているに過ぎ
ないものであった。
光記録媒体としては光磁気記録媒体があり、一部で実用
化されている。この方式は光エネルギと磁界により記録
材料層の磁化を反転させて記録し、磁化方向によるファ
ラデー回転角あるいはカー回転角の違いを検出して再生
信号を得る方式である。しかし、この方式においては少
なくともＩｔ？クター以内で書換を行うための実用的な
方法が無いため、限られた分野に応用されているに過ぎ
ないものであった。
一方、書換可能なもう一つの光記録媒体としては結晶−
アモルファス間の相変化を利用する、所謂、相変化型光
記録媒体が研究途上にある。この方式においては２つの
光ビームを用いて１セクタ一以内での書換（すなわち、
記録されている情報を先行ビームで消去した後、次のビ
ームで゛記録を行う）ができるほか、結晶化時間の短い
記録材料を適用した記録媒体の場合には１つの光ビーム
によるオーバーライド（同時８換）が可能となるため、
様々な分野において応用が可能となる利点を右している
。
アモルファス間の相変化を利用する、所謂、相変化型光
記録媒体が研究途上にある。この方式においては２つの
光ビームを用いて１セクタ一以内での書換（すなわち、
記録されている情報を先行ビームで消去した後、次のビ
ームで゛記録を行う）ができるほか、結晶化時間の短い
記録材料を適用した記録媒体の場合には１つの光ビーム
によるオーバーライド（同時８換）が可能となるため、
様々な分野において応用が可能となる利点を右している
。
そして、この種の相変化型光記録媒体に適用される記録
材料として、従来、二元化合物であるＳｂ Ｔｅ
、及び三元組成物であるＧｅ−８ｂ−Ｔｅ ［特開昭６
３−２２５９３４号公報］等が提案されており、これ等
記録材料層の上に半導体レーザ等の集束光を照射し、溶
融後、急冷することでアモルファス相を形成し、通常、
これを記録状態に対応さける一方、消去に際しては記録
時に較べて低いパワーの集束光を照射し、結晶化温度に
一定時間保つことで結晶相に戻すという方法で行われて
いる。
材料として、従来、二元化合物であるＳｂ Ｔｅ
、及び三元組成物であるＧｅ−８ｂ−Ｔｅ ［特開昭６
３−２２５９３４号公報］等が提案されており、これ等
記録材料層の上に半導体レーザ等の集束光を照射し、溶
融後、急冷することでアモルファス相を形成し、通常、
これを記録状態に対応さける一方、消去に際しては記録
時に較べて低いパワーの集束光を照射し、結晶化温度に
一定時間保つことで結晶相に戻すという方法で行われて
いる。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、この相変化型光記録媒体に適用される記録材
料は、光学系の簡素化あるいは転送速度の向上を図る観
点からその結晶化時間が短いものが好ましく、かつ、記
録された情報を長期に亘って保持させる観点からそのア
モルファス相における安定性が高いものが好ましかった
。
料は、光学系の簡素化あるいは転送速度の向上を図る観
点からその結晶化時間が短いものが好ましく、かつ、記
録された情報を長期に亘って保持させる観点からそのア
モルファス相における安定性が高いものが好ましかった
。
しかしながら、上記Ｓｂ２Ｔｅ３で構成される従来の記
録材料は、その結晶化時間が短く一の要件は具備するも
ののアモルファス相の安定性が不十分のため長期に亘っ
て記録情報を保持できない問題点があった。
録材料は、その結晶化時間が短く一の要件は具備するも
ののアモルファス相の安定性が不十分のため長期に亘っ
て記録情報を保持できない問題点があった。
一方、特開昭６３−２２５９３４号公報に開示されてい
るＧｅ−８ｂ−Ｔｅは、上記Ｓｂ２Ｔｅ３にアモルファ
ス相の安定性は高いが結晶化時間の長いＧｅＴｅを混合
して合成され、Ｓｂ２■ｅ３とＧｅＴｅとの中間的な性
質を具備させて転送速度の向上と記録情報の保存安定性
を図ったものであるが、Ｇ ｅ Ｔ ｅを混合した分だ
けその結晶化時間がＳｂ２Ｔｅ３より長くなるため、充
分な転送速度を得られない問題点があった。
るＧｅ−８ｂ−Ｔｅは、上記Ｓｂ２Ｔｅ３にアモルファ
ス相の安定性は高いが結晶化時間の長いＧｅＴｅを混合
して合成され、Ｓｂ２■ｅ３とＧｅＴｅとの中間的な性
質を具備させて転送速度の向上と記録情報の保存安定性
を図ったものであるが、Ｇ ｅ Ｔ ｅを混合した分だ
けその結晶化時間がＳｂ２Ｔｅ３より長くなるため、充
分な転送速度を得られない問題点があった。
そこで、本発明者等はこれ等の問題点に着目し、情報の
書換操作が高速で行え、しかも長期に亘って記録情報を
保持できる光記録媒体に係わるいくつかの発明を既に提
案している。
書換操作が高速で行え、しかも長期に亘って記録情報を
保持できる光記録媒体に係わるいくつかの発明を既に提
案している。
すなわち、これ等の発明はアモルファス相における安定
性とその結晶化速度が速い記録材料を適用した光記録媒
体に係わるもので、 その第一の改良発明は、光、熱等の手段によりてその光
学的性質が可逆的に変化する記録材料層を基板上に備え
、その光学的変化を利用して情報の記録・再生・消去を
行う光記録媒体を前提とし、上記記録材料が、３ｎ又は
Ｐｂから選択されるＩＶ 、族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅ
から選択されるＶｌ 族元素から成りその化学式がＩ
ＶｂＶＩｂで表現す されるＩＶｂＶＩｂ型の化学量論的化合物と、ｓｂ、Ｂ
ｉｌ又はＡｓから選択されるＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ又は
Ｔｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学式が
Ｖｂ２”ｂ３で表現される■ｂ２ＶＩｂ３型の化学量論
的化合物との混合体に相当する組成を右し、かつ、Ｓｅ
又はＴｅの少なくとも一方を含んでいることを特徴とす
るものであり、 また、第二の改良発明は、 上記記録材料が、Ｌ ｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ
、Ａｇ、又はＡｕから選択されるＩ族元素とＳ、Ｓｅ又
はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学式
がＩＶＩｒ表現されるＩ、、ＶＩｂＰｂ 型の化学量論的化合物と、 Ｇａ、Ｉｎ、又はＴｌのＩＩＩｂｆｓ元素と、Ｇｅ。
性とその結晶化速度が速い記録材料を適用した光記録媒
体に係わるもので、 その第一の改良発明は、光、熱等の手段によりてその光
学的性質が可逆的に変化する記録材料層を基板上に備え
、その光学的変化を利用して情報の記録・再生・消去を
行う光記録媒体を前提とし、上記記録材料が、３ｎ又は
Ｐｂから選択されるＩＶ 、族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅ
から選択されるＶｌ 族元素から成りその化学式がＩ
ＶｂＶＩｂで表現す されるＩＶｂＶＩｂ型の化学量論的化合物と、ｓｂ、Ｂ
ｉｌ又はＡｓから選択されるＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ又は
Ｔｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学式が
Ｖｂ２”ｂ３で表現される■ｂ２ＶＩｂ３型の化学量論
的化合物との混合体に相当する組成を右し、かつ、Ｓｅ
又はＴｅの少なくとも一方を含んでいることを特徴とす
るものであり、 また、第二の改良発明は、 上記記録材料が、Ｌ ｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ
、Ａｇ、又はＡｕから選択されるＩ族元素とＳ、Ｓｅ又
はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学式
がＩＶＩｒ表現されるＩ、、ＶＩｂＰｂ 型の化学量論的化合物と、 Ｇａ、Ｉｎ、又はＴｌのＩＩＩｂｆｓ元素と、Ｇｅ。
３ｎ、又はＰｂのｌＶｂ族元素と、Ａｓ、Ｓｂ、又はＢ
ｉのＶ、族元素、及び、５Ｓｓｅ又はＴｅの■、族元素
から選択された２以上の元素より構成される多元化学量
論的化合物との混合体に相当する組成を有し、 かつ、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含んでいること
を特徴とするものであり、 更Ｋ、第三の改良発明は、 Ｆ記記録材料が、Ｇａ、Ｉｎ、又は］Ｉから選択される
ＩＩＩｂｂ族元素Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶｌ
、族元素から成りその化学式がｍ、 ＶＩｂで表現さ
れるＩＩＩｂＶＩｂ型の化学量論的化合物と、Ｇａ５Ｉ
ｎ、又はＴｌの■、族元素と、Ｇｅ１Ｓｎ、又はＰｂの
ＩＶｂ族元素と、Ａｓ、５ｂ、又はＢｉのＶｂｂ族元素
及び、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅのＶＩｂ族元素から選択された
２以上の元素より構成される多元化学量論的化合物との
混合体に相当する組成を有し、 かつ、Ｓｅ又はＴ１３の少なくとも一方を含んでいるこ
とを特徴とするものであり、 また、第四の改良発明は、 上記記録材料がＧａ、Ｉｎ、又はＴｌから選択されるＩ
ＩＩｂｂ族元素、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択される■、
族元素から成りその化学式がＩＩＩｂ２ｖ■ｂ３で表現
されるＩＩＩｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物と、Ｇ
ａ、ｌｎ、又はＴｌのｍｂｂ族元素、Ｇｅ、Ｓｎ、又は
Ｐ ｂ （７） ＩＶ ｂ族元素、及び、Ｓ、Ｓｅ又は
Ｔｅの■、族元素から選択された２以上の元素より構成
される多元化学量論的化合物との混合体に相当する組成
を有し、 かつ、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含んでいること
を特徴とするものであった。
ｉのＶ、族元素、及び、５Ｓｓｅ又はＴｅの■、族元素
から選択された２以上の元素より構成される多元化学量
論的化合物との混合体に相当する組成を有し、 かつ、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含んでいること
を特徴とするものであり、 更Ｋ、第三の改良発明は、 Ｆ記記録材料が、Ｇａ、Ｉｎ、又は］Ｉから選択される
ＩＩＩｂｂ族元素Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶｌ
、族元素から成りその化学式がｍ、 ＶＩｂで表現さ
れるＩＩＩｂＶＩｂ型の化学量論的化合物と、Ｇａ５Ｉ
ｎ、又はＴｌの■、族元素と、Ｇｅ１Ｓｎ、又はＰｂの
ＩＶｂ族元素と、Ａｓ、５ｂ、又はＢｉのＶｂｂ族元素
及び、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅのＶＩｂ族元素から選択された
２以上の元素より構成される多元化学量論的化合物との
混合体に相当する組成を有し、 かつ、Ｓｅ又はＴ１３の少なくとも一方を含んでいるこ
とを特徴とするものであり、 また、第四の改良発明は、 上記記録材料がＧａ、Ｉｎ、又はＴｌから選択されるＩ
ＩＩｂｂ族元素、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択される■、
族元素から成りその化学式がＩＩＩｂ２ｖ■ｂ３で表現
されるＩＩＩｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物と、Ｇ
ａ、ｌｎ、又はＴｌのｍｂｂ族元素、Ｇｅ、Ｓｎ、又は
Ｐ ｂ （７） ＩＶ ｂ族元素、及び、Ｓ、Ｓｅ又は
Ｔｅの■、族元素から選択された２以上の元素より構成
される多元化学量論的化合物との混合体に相当する組成
を有し、 かつ、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含んでいること
を特徴とするものであった。
［課題を解決するための手段］
本発明は、これ等第−〜第四の改良発明を更に改良し、
各改良発明と同等の結晶化速度を有し、しかも、アモル
ファス相における安定性をより向上させた光記録媒体を
提供することにある。
各改良発明と同等の結晶化速度を有し、しかも、アモル
ファス相における安定性をより向上させた光記録媒体を
提供することにある。
すなわち、請求項１に係る発明は上記第一の改良発明を
更に改良にしたもので、 光、熱等の手段によってその光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体を前提と
し、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、３ｎ又は
Ｐｂから選択されるＩＶｂ族元素と８１Ｓｅ又はＴｅか
ら選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学式がＴＶ２
ＶＩｂで表現されるＩＶｂＶＩｂ型の化学ｌｆｉ論的化
合物と、３ｂ、Ｂｉ、又はＡｓから選択されるＶｂｂ族
元素Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶｌ 族元素か
ら成りその化学式がＶｂ２ｖｒ、３で表現されるＶｂ２
ＶＩｂ３型の化学量論的化合物との混合体に相当する組
成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一が、上記各族の元素及びＩＶ 、族のＳｉ、Ｇｅから
選択された他の元素により部分的に置換された４元以上
の固溶体にて構成されていることを特徴とするものであ
る。
更に改良にしたもので、 光、熱等の手段によってその光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体を前提と
し、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、３ｎ又は
Ｐｂから選択されるＩＶｂ族元素と８１Ｓｅ又はＴｅか
ら選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学式がＴＶ２
ＶＩｂで表現されるＩＶｂＶＩｂ型の化学ｌｆｉ論的化
合物と、３ｂ、Ｂｉ、又はＡｓから選択されるＶｂｂ族
元素Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶｌ 族元素か
ら成りその化学式がＶｂ２ｖｒ、３で表現されるＶｂ２
ＶＩｂ３型の化学量論的化合物との混合体に相当する組
成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一が、上記各族の元素及びＩＶ 、族のＳｉ、Ｇｅから
選択された他の元素により部分的に置換された４元以上
の固溶体にて構成されていることを特徴とするものであ
る。
尚、上記ＩＶｂ、Ｖ、、並びにＶｌ 、は周期表の族番
号を示している。
号を示している。
この請求項１に係る発明において上記ＩＶｂ ＶＩｂ型
の化学量論的化合物としては、ＳｎＳ。
の化学量論的化合物としては、ＳｎＳ。
５ｎＳｅＳ３ｎＴｅ、ＰｂＳ、Ｐｂ５ｅ、及び、ＰｂＴ
ｅ等があり、 一方、Ｖｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物としては、
Ｓ ｂ Ｓ −Ｓ ｂ Ｓ ｅ 、 Ｓ ｂ
２王ｅ３．Ｂｉ Ｓ 、８ｉ Ｓｅ 、Ｂｉ
Ｔｅ３、ＡＳ Ｓ １ＡＳ Ｓｅ３、及び、ＡＳ２Ｔ
ｅ３等がある。
ｅ等があり、 一方、Ｖｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物としては、
Ｓ ｂ Ｓ −Ｓ ｂ Ｓ ｅ 、 Ｓ ｂ
２王ｅ３．Ｂｉ Ｓ 、８ｉ Ｓｅ 、Ｂｉ
Ｔｅ３、ＡＳ Ｓ １ＡＳ Ｓｅ３、及び、ＡＳ２Ｔ
ｅ３等がある。
また、上記ＩＶｂ ＶＩｂ型の化学量論的化合物とＶｂ
２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物との混合体に相当する
組成を有する化学量論的３元化合物としては、Ｓｎ、又
はＰｂのＩＶｂ族元素と、ｓｂ、８１又はＡｓのＶｂ族
元素と、５１Ｓｅ又はＴｅのＶＩｂ族元素から選択され
た３種類の元素より構成され、Ｓｅ又はＴｅの少なくと
も一方を含み、かつ、ＩＶｂＶｌゎ型の化学量論的化合
物とＶｂ２■■ｂ３型の化学量論的化合物との混合体に
相当する組成を有する化学量論的３元化合物なら任意で
あり、例えば、Ｓｎ Ｓｂ Ｓｅ Ｓｎ ５ｂ６Ｓｅ
１１．２ ２ ５’ ２ＳｎＳｂ
Ｔｅ ５Ｐｂ２Ｓｂ６Ｔｅ１１、ＳｎＢ ｉ Ｔｅ
、ＰｂＢ １４Ｓｅ７、ＰｂＢｉ Ｓｅ 、Ｐ
ｂＢ１４Ｔｅ７、及び、ＰｂＢ１４Ｔｅ７等がある。
２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物との混合体に相当する
組成を有する化学量論的３元化合物としては、Ｓｎ、又
はＰｂのＩＶｂ族元素と、ｓｂ、８１又はＡｓのＶｂ族
元素と、５１Ｓｅ又はＴｅのＶＩｂ族元素から選択され
た３種類の元素より構成され、Ｓｅ又はＴｅの少なくと
も一方を含み、かつ、ＩＶｂＶｌゎ型の化学量論的化合
物とＶｂ２■■ｂ３型の化学量論的化合物との混合体に
相当する組成を有する化学量論的３元化合物なら任意で
あり、例えば、Ｓｎ Ｓｂ Ｓｅ Ｓｎ ５ｂ６Ｓｅ
１１．２ ２ ５’ ２ＳｎＳｂ
Ｔｅ ５Ｐｂ２Ｓｂ６Ｔｅ１１、ＳｎＢ ｉ Ｔｅ
、ＰｂＢ １４Ｓｅ７、ＰｂＢｉ Ｓｅ 、Ｐ
ｂＢ１４Ｔｅ７、及び、ＰｂＢ１４Ｔｅ７等がある。
そして、この請求項１に係る発明においては、上記化学
量論的３元化合物の構成元素の−を、上記合成の元素及
びＩＶ 、族のＳｉ、Ｇｅから選択した他の元素、すな
わち、３ｎ、ＰｂＳｓｒｌ又はＧｅのｒＶｂ族元素と、
３ｂ、Ｂｉ又はＡｓのＶｂ族元素、及び、Ｓｅ又はＴｅ
のＶＩｂ族元素から選択した他の元素で部分的に置換し
て得られた４元以上の固溶体により上記記録材料が構成
されていることを特徴とするものである。
量論的３元化合物の構成元素の−を、上記合成の元素及
びＩＶ 、族のＳｉ、Ｇｅから選択した他の元素、すな
わち、３ｎ、ＰｂＳｓｒｌ又はＧｅのｒＶｂ族元素と、
３ｂ、Ｂｉ又はＡｓのＶｂ族元素、及び、Ｓｅ又はＴｅ
のＶＩｂ族元素から選択した他の元素で部分的に置換し
て得られた４元以上の固溶体により上記記録材料が構成
されていることを特徴とするものである。
ここで、上記化学口論的３元化合物を構成する３元素に
ついての置換割合の限界は、この置換によって得られる
４元以上の組成物が上記化学口論的３元化合物の結晶構
造を具備する固溶体を構成できなくなるまでであり、そ
の範囲で上記構成元素を任意の割合で他の元素により部
分置換することができる。そして、一の構成元素が他の
一の元素で部分置換された場合には４元固溶体となり、
他の二つの元素で部分置換された場合には５元固溶体と
なる。また、二の構成元素が各々他の一の元素で部分置
換された場合には５元固溶体となり、また、三の構成元
素が各々他の一の元素で部分置換された場合には６元固
溶体となる。
ついての置換割合の限界は、この置換によって得られる
４元以上の組成物が上記化学口論的３元化合物の結晶構
造を具備する固溶体を構成できなくなるまでであり、そ
の範囲で上記構成元素を任意の割合で他の元素により部
分置換することができる。そして、一の構成元素が他の
一の元素で部分置換された場合には４元固溶体となり、
他の二つの元素で部分置換された場合には５元固溶体と
なる。また、二の構成元素が各々他の一の元素で部分置
換された場合には５元固溶体となり、また、三の構成元
素が各々他の一の元素で部分置換された場合には６元固
溶体となる。
また、「置換される元素」とこの元素の一部を置換する
「他の元素Ｊとが全率固溶の関係にある場合、上記置換
に伴う結晶構造の歪みが比較的小さく置換前における化
学量論的３元化合物の結晶構造が変化し難いため、その
置換割合を広い範囲で設定でき有利である。
「他の元素Ｊとが全率固溶の関係にある場合、上記置換
に伴う結晶構造の歪みが比較的小さく置換前における化
学量論的３元化合物の結晶構造が変化し難いため、その
置換割合を広い範囲で設定でき有利である。
そして、互いに全率固溶の関係にある元素の組としでは
、例えば、ＩＶｂ族元素のＧｅとＳｔや、Ｖｂ族元素の
ｓｂとＢｉ、及び、■、族元素のＳｅとＴｅ等がある。
、例えば、ＩＶｂ族元素のＧｅとＳｔや、Ｖｂ族元素の
ｓｂとＢｉ、及び、■、族元素のＳｅとＴｅ等がある。
尚、「化学量論的３元化合物の結晶構造」とは、あるー
の化学量論的３元化合物のとる特有の結晶格子における
原子の配列によって特定されるその化学量論的３元化合
物の構造をいい、また、上記「化学量論的３元化合物の
結晶構造を具備する固溶体」とは、その化学量論的３元
化合物のとる特有の結晶格子の格子点に在る原子の一部
が全く不規則に別種の原子と置換し、その別種の原子が
均一に溶は込んだとみなされる状態のものをいう。
の化学量論的３元化合物のとる特有の結晶格子における
原子の配列によって特定されるその化学量論的３元化合
物の構造をいい、また、上記「化学量論的３元化合物の
結晶構造を具備する固溶体」とは、その化学量論的３元
化合物のとる特有の結晶格子の格子点に在る原子の一部
が全く不規則に別種の原子と置換し、その別種の原子が
均一に溶は込んだとみなされる状態のものをいう。
次Ｋ、請求項２〜４に係わる発明は上記第二の改良発明
を更に改良した発明に係わり、請求項２に係わる発明は
、 光、熱等の手段によってその光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体を前提と
し、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｌ ｔ、
Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃ３，Ｃｕ、Ａｇ、又はＡＬＩから選
択される■族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶ
Ｉｂ族元素から成りその化学式がＩ２ＶＩｂで表現され
るＩ、２ＶＩｂ型の化学績論的化合物と、ＡＳ１８ｂ又
はＢｉから選択されるＶｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ又は１−
ｅから選択されるｖｌｂ族元素から成り、その化学式
がＶｂ２”ｂ３で表現されるＶｂ２ｖ■ｂ３型の化学Ｍ
論的化合物との混合体に相当する組成を有する化学量論
的３元化合物の結晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記合成の元素から選択された他の元素に
より部分的に置換された４元以上の固溶体にて構成され
ていることを特徴とするものであり、 また、請求項３に係わる発明は、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｌ ＋１
Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃ３１Ｃｌ、△０、又はＡｕから選択
される■族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅから選択される■ｌ
、族元素から成りその化学式がＩ Ｖｌ で表現さ
れるｌ２ＶＩ、型の化学量論的化ｂ 合物と、Ｑａ％ Ｉｎ又はＴｌから選択されるＩＩＩｂ
族元素と、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元
素から成り、その化学式がＩＩＩｂ２ＶＩｂ３で表現さ
れるＩＩＩｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物との混合
体に相当する組成を有する化学量論的３元化合物の結晶
構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素及び扉、族のＡＩから選択
された伯の元素により部分的に置換された４元以上の固
溶体にて構成されていることを特徴とするものであり、 更Ｋ、請求項４に係わる発明は、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｌ ｉ
１Ｎａ１ＫＳＲｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、ＡＱ、又はＡＬＩから
選択される■族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅから選択される
ＶＩｂ族元素から成りその化学式がＩＶＩ で表現さ
れるＩ２ｖ■、型の化学量論的化ｂ 合物と、００％Ｓｎ又はＰｂから選択されるＩＶｂ族元
族元、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素か
ら成り、その化学式がＩＶｂＶＩｂ２で表現されるＩＶ
ｂＶＩｂ型の化学Ｍ論的化合物との混合体に相当する組
成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素及びＩＶｂ族の８１から選
択された他の元素により部分的に置換された４元以上の
固溶体にて構成されていることを特徴とするものである
。
を更に改良した発明に係わり、請求項２に係わる発明は
、 光、熱等の手段によってその光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体を前提と
し、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｌ ｔ、
Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃ３，Ｃｕ、Ａｇ、又はＡＬＩから選
択される■族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶ
Ｉｂ族元素から成りその化学式がＩ２ＶＩｂで表現され
るＩ、２ＶＩｂ型の化学績論的化合物と、ＡＳ１８ｂ又
はＢｉから選択されるＶｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ又は１−
ｅから選択されるｖｌｂ族元素から成り、その化学式
がＶｂ２”ｂ３で表現されるＶｂ２ｖ■ｂ３型の化学Ｍ
論的化合物との混合体に相当する組成を有する化学量論
的３元化合物の結晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記合成の元素から選択された他の元素に
より部分的に置換された４元以上の固溶体にて構成され
ていることを特徴とするものであり、 また、請求項３に係わる発明は、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｌ ＋１
Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃ３１Ｃｌ、△０、又はＡｕから選択
される■族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅから選択される■ｌ
、族元素から成りその化学式がＩ Ｖｌ で表現さ
れるｌ２ＶＩ、型の化学量論的化ｂ 合物と、Ｑａ％ Ｉｎ又はＴｌから選択されるＩＩＩｂ
族元素と、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元
素から成り、その化学式がＩＩＩｂ２ＶＩｂ３で表現さ
れるＩＩＩｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物との混合
体に相当する組成を有する化学量論的３元化合物の結晶
構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素及び扉、族のＡＩから選択
された伯の元素により部分的に置換された４元以上の固
溶体にて構成されていることを特徴とするものであり、 更Ｋ、請求項４に係わる発明は、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｌ ｉ
１Ｎａ１ＫＳＲｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、ＡＱ、又はＡＬＩから
選択される■族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅから選択される
ＶＩｂ族元素から成りその化学式がＩＶＩ で表現さ
れるＩ２ｖ■、型の化学量論的化ｂ 合物と、００％Ｓｎ又はＰｂから選択されるＩＶｂ族元
族元、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素か
ら成り、その化学式がＩＶｂＶＩｂ２で表現されるＩＶ
ｂＶＩｂ型の化学Ｍ論的化合物との混合体に相当する組
成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素及びＩＶｂ族の８１から選
択された他の元素により部分的に置換された４元以上の
固溶体にて構成されていることを特徴とするものである
。
尚、上記Ｉ、ＩＩＩ 、ＩＶｂＳＶｂ、並’ｒｊニＶ
Ｉ、ハ周期表の族番号を示しており、特Ｋ、■は■、亜
族と１．亜族を代表するものである。
Ｉ、ハ周期表の族番号を示しており、特Ｋ、■は■、亜
族と１．亜族を代表するものである。
そして、上記請求項２に係わる発明において、ｌ２ＶＩ
、型の化学量論的化合物としては、Ｌ ｉ２Ｓ、Ｌ ｉ
２ Ｓｅ、Ｌ １２Ｔｅ、Ｎａ、、Ｓ。
、型の化学量論的化合物としては、Ｌ ｉ２Ｓ、Ｌ ｉ
２ Ｓｅ、Ｌ １２Ｔｅ、Ｎａ、、Ｓ。
Ｎａ２５ｅ、Ｎａ２Ｔｅ、に２ Ｓ、に２ Ｓｅ。
Ｋ Ｔｅ、Ｒｂ Ｓ、Ｒｂ Ｓｅ、Ｒｂ２Ｔｅ。
Ｃｓ Ｓ、Ｃｓ Ｓｅ、Ｃｓ２Ｔｅ、Ｃｕ２Ｓ１Ｃ
Ｕ ５ｅ１Ｃｕ２Ｔｅ、Ａｇ２Ｓ１Ａｇ２Ｓ１ＡＡｑ
Ｔｅ、Ａｕ、、５ＳＡｕ２Ｓｅ、及び、Ａｕ２Ｔｅ等
があり、 一方、上記Ｖｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物としで
は、Ｓｂ Ｓ １Ｓｂ Ｓｅ １Ｓｂ Ｔｅ３、Ｂｉ
Ｓ 、Ｂｉ Ｓｅ 、Ｂ＋ Ｔｅ３、△Ｓ
Ｓ １ＡＳ Ｓｅ３、及び、ＡＳ２Ｔｅ３等がある。
Ｕ ５ｅ１Ｃｕ２Ｔｅ、Ａｇ２Ｓ１Ａｇ２Ｓ１ＡＡｑ
Ｔｅ、Ａｕ、、５ＳＡｕ２Ｓｅ、及び、Ａｕ２Ｔｅ等
があり、 一方、上記Ｖｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物としで
は、Ｓｂ Ｓ １Ｓｂ Ｓｅ １Ｓｂ Ｔｅ３、Ｂｉ
Ｓ 、Ｂｉ Ｓｅ 、Ｂ＋ Ｔｅ３、△Ｓ
Ｓ １ＡＳ Ｓｅ３、及び、ＡＳ２Ｔｅ３等がある。
また、上記Ｉ、２ＶＩｂ型の化学量論的化合物と■ｂ２
ｖＩ、３型の化学量論的化合物との混合体に相当する組
成を有する化学量論的３元化合物としては、Ｌ ＋ 、
Ｎａ、Ｋｓ Ｒｂｔ Ｃｓｔ Ｃｕｔ ＡＱ、又はＡｕ
のＩＭ元ｌと、Ａ Ｓ 、 Ｓ ｂ又ハＢ ｉ （７）
Ｖｂ族元素と、８％Ｓｅ又はＴｅのＶＩｂ族元素から選
択された３種類の元素より構成され、Ｓｅ又はＴｅの少
なくとも一方を含み、かつ、■２ＶＩｂ型の化学量論的
化合物とＶｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物との混合
体に相当する組成を有する化学量論的３元化合物なら任
意であり、例えば、Ｓｎ Ｓｂ Ｓｓ 、Ｓｎ
５ｂ６Ｓｅ、１．ｓｎｓｂ Ｔｅ 、Ｐｂ ５
ｂ６Ｔｅ１１．ＳｎＢｉ Ｔｅ ％ＰｂＢ１ Ｓ
ｅ７．ＰｂＢｉ Ｓｅ 、Ｐｂ Ｂ１４Ｓｅ９．
及び、ＰｂＢ １４Ｔｅ、等がある。
ｖＩ、３型の化学量論的化合物との混合体に相当する組
成を有する化学量論的３元化合物としては、Ｌ ＋ 、
Ｎａ、Ｋｓ Ｒｂｔ Ｃｓｔ Ｃｕｔ ＡＱ、又はＡｕ
のＩＭ元ｌと、Ａ Ｓ 、 Ｓ ｂ又ハＢ ｉ （７）
Ｖｂ族元素と、８％Ｓｅ又はＴｅのＶＩｂ族元素から選
択された３種類の元素より構成され、Ｓｅ又はＴｅの少
なくとも一方を含み、かつ、■２ＶＩｂ型の化学量論的
化合物とＶｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物との混合
体に相当する組成を有する化学量論的３元化合物なら任
意であり、例えば、Ｓｎ Ｓｂ Ｓｓ 、Ｓｎ
５ｂ６Ｓｅ、１．ｓｎｓｂ Ｔｅ 、Ｐｂ ５
ｂ６Ｔｅ１１．ＳｎＢｉ Ｔｅ ％ＰｂＢ１ Ｓ
ｅ７．ＰｂＢｉ Ｓｅ 、Ｐｂ Ｂ１４Ｓｅ９．
及び、ＰｂＢ １４Ｔｅ、等がある。
そして、この請求項２に係る発明においては、上記化学
量論的３元化合物の構成元素の−を、上記各族の元素か
ら選択した他の元素、すなわち、Ｌ ｔ 、Ｎａ、Ｋ、
Ｒｂ、Ｃｓ、ＣＬＩ、ＡＱ、又はＡｕの■族元素と、Ａ
ｓ、Ｓｂ又はＢｉのＶｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅの
■■ｂ族元素から選択した他の元素で部分的に置換して
得られた４元以上の固溶体により上記記録材料が構成さ
れていることを特徴と、するものである。
量論的３元化合物の構成元素の−を、上記各族の元素か
ら選択した他の元素、すなわち、Ｌ ｔ 、Ｎａ、Ｋ、
Ｒｂ、Ｃｓ、ＣＬＩ、ＡＱ、又はＡｕの■族元素と、Ａ
ｓ、Ｓｂ又はＢｉのＶｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅの
■■ｂ族元素から選択した他の元素で部分的に置換して
得られた４元以上の固溶体により上記記録材料が構成さ
れていることを特徴と、するものである。
次Ｋ、請求項３に係わる発明において上記■２Ｖｌ 、
型の化学ｉｔ論的化合物としては上記請求項２のそれと
同一であり、一方の”ｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合
物としては、Ｇａ Ｓ ＳＧａ Ｓｅ３．Ｇａ Ｔｅ
、）ｎ Ｓ 、Ｉｒｔ、、Ｓｅ３．Ｉｎ Ｔ
ｅ 、Ｔｊ Ｓ 、■Ｉｊ Ｓ０３、及び、Ｔｌ
Ｉ０３等がある。
型の化学ｉｔ論的化合物としては上記請求項２のそれと
同一であり、一方の”ｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合
物としては、Ｇａ Ｓ ＳＧａ Ｓｅ３．Ｇａ Ｔｅ
、）ｎ Ｓ 、Ｉｒｔ、、Ｓｅ３．Ｉｎ Ｔ
ｅ 、Ｔｊ Ｓ 、■Ｉｊ Ｓ０３、及び、Ｔｌ
Ｉ０３等がある。
また、上記Ｉ、 ＶＩｂ型の化学量論的化合物とＩＩＩ
ｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物との混合体に相当す
る組成を有する化学量論的３元化合物とし又は、Ｌ ｉ
、Ｎａ、に１Ｒｂ、Ｃ８１Ｃｌ、ＡＱ、又はＡｕの王族
元素と、Ｇａ、ｔｎ又はＴｌのｍｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ
又はＴｅのＶＩｂ族元素から選択された３種類の元素よ
り構成され、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、か
つ、Ｉ２ ＶＩ、型の化学量論的化合物とＩＩＩｂ２Ｖ
Ｉｂ３型の化学量論的化合物との混合体に相当する組成
を有する化学量論的３元化合物なら任意であり、 例えば、ＣＬＪＧａＳｅ 、ｃｕ Ｉ ｎ５ｅ２、Ｃ
ｕ１ｎＴｅ ５ＡａｌｎＴｅ２、 △ｑＧａｓｅ 、及び、Ａ （Ｊ Ｉ ｎ ２ Ｓ
ｅ ａ等がある。
ｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物との混合体に相当す
る組成を有する化学量論的３元化合物とし又は、Ｌ ｉ
、Ｎａ、に１Ｒｂ、Ｃ８１Ｃｌ、ＡＱ、又はＡｕの王族
元素と、Ｇａ、ｔｎ又はＴｌのｍｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ
又はＴｅのＶＩｂ族元素から選択された３種類の元素よ
り構成され、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、か
つ、Ｉ２ ＶＩ、型の化学量論的化合物とＩＩＩｂ２Ｖ
Ｉｂ３型の化学量論的化合物との混合体に相当する組成
を有する化学量論的３元化合物なら任意であり、 例えば、ＣＬＪＧａＳｅ 、ｃｕ Ｉ ｎ５ｅ２、Ｃ
ｕ１ｎＴｅ ５ＡａｌｎＴｅ２、 △ｑＧａｓｅ 、及び、Ａ （Ｊ Ｉ ｎ ２ Ｓ
ｅ ａ等がある。
そして、この請求項３に係る発明においては、上記化学
量論的３元化合物の構成元素の−を、ト記合成の元素及
びＩＩＩｂ族のＡｌから選択した他の元素、すなわち、
ｌ ｉ 、 Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＱＧａＡＱｌ又は
ＡｕのＩ族元素と、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ又はＴｌのｍｂ族
族元と、ｓ％ｓｅ又はＴｅのＶＩｂ族元素から選択した
他の元素で部分的に置換して得られた４元以上の固溶体
により上記記録材料が構成されていることを特徴とする
ものである。
量論的３元化合物の構成元素の−を、ト記合成の元素及
びＩＩＩｂ族のＡｌから選択した他の元素、すなわち、
ｌ ｉ 、 Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＱＧａＡＱｌ又は
ＡｕのＩ族元素と、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ又はＴｌのｍｂ族
族元と、ｓ％ｓｅ又はＴｅのＶＩｂ族元素から選択した
他の元素で部分的に置換して得られた４元以上の固溶体
により上記記録材料が構成されていることを特徴とする
ものである。
尚、化学量論的３元化合物の構成元素の一部を置換する
「他の元ｌｋＪが■、族のＴｌにて構成される場合には
、得られる４元以上の固溶体における結晶化速度が向上
する利点があり有利である。
「他の元ｌｋＪが■、族のＴｌにて構成される場合には
、得られる４元以上の固溶体における結晶化速度が向上
する利点があり有利である。
更Ｋ、請求項４に係わる発明において上記■２■、型の
化学量論的化合物としては上記請求項２のそれと同一で
あり、一方のＩＶｂＶＩｂ２型の化学量論的化合物とし
ｒは、ＧｅＳ １ＧｅＳｅ２、５ｎＳ２、及び、Ｓ「）
Ｓ０２等がアル。
化学量論的化合物としては上記請求項２のそれと同一で
あり、一方のＩＶｂＶＩｂ２型の化学量論的化合物とし
ｒは、ＧｅＳ １ＧｅＳｅ２、５ｎＳ２、及び、Ｓ「）
Ｓ０２等がアル。
また、上記Ｉ２ＶＩｂ型の化学量論的化合物とＩＶｂＶ
Ｉｂ２型の化学量論的化合物との混合体に相当する組成
を有する化学量論的３元化合物としては、Ｌ ｉ ＳＮ
ａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＣｕｌＡｇ％又はＡｕの王族元素
と、Ｇｅ、Ｓｎ又はＰｂのｒＶｂ族元族元、Ｓ、Ｓｅ又
はＴｅの■、族元素から選択された３種類の元素より構
成され、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、
ｌ２ＶＩｂ型の化学量論的化合物とＩＶｂＶＩｂ２型の
化学量論的化合物との北合体に相当する組成を右する化
学量論的３元化合物なら任意であり、 例、ｔ−ハ、Ｃｕ２５ｎＳｅ３等がある。
Ｉｂ２型の化学量論的化合物との混合体に相当する組成
を有する化学量論的３元化合物としては、Ｌ ｉ ＳＮ
ａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＣｕｌＡｇ％又はＡｕの王族元素
と、Ｇｅ、Ｓｎ又はＰｂのｒＶｂ族元族元、Ｓ、Ｓｅ又
はＴｅの■、族元素から選択された３種類の元素より構
成され、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、
ｌ２ＶＩｂ型の化学量論的化合物とＩＶｂＶＩｂ２型の
化学量論的化合物との北合体に相当する組成を右する化
学量論的３元化合物なら任意であり、 例、ｔ−ハ、Ｃｕ２５ｎＳｅ３等がある。
そして、この請求項４に係る発明においては、上記化学
量論的３元化合物の構成元素の−を、上記６族の元素及
びＩＶｂ族のＢｉから選択した他の元素、すなわち、Ｌ
ｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ。
量論的３元化合物の構成元素の−を、上記６族の元素及
びＩＶｂ族のＢｉから選択した他の元素、すなわち、Ｌ
ｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ。
Ｃ１，ＡＱ、又はＡｕの■族元素と、Ｓｔ、Ｇｅ。
Ｓｎ又はＰｂのｒＶｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅのＶ
Ｉｂ族元素から選択した他の元素で部分的に置換して得
られた４元以上の固溶体により上記記録材料が構成され
ていることを特徴とするものである。
Ｉｂ族元素から選択した他の元素で部分的に置換して得
られた４元以上の固溶体により上記記録材料が構成され
ていることを特徴とするものである。
更Ｋ、請求項５〜７に係わる発明は上記第三の改良発明
を更に改良した発明に係り、 請求項５に係わる発明は、 光、熱等の手段によってその光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体を前提と
し、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はｌ” ｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ
、Ｉｎ、又はＴ Ｉから選択されるＩＩＩｂ族元素とＳ
、Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りそ
の化学式がＩＩＩｂＶＩｂで表現される■。
を更に改良した発明に係り、 請求項５に係わる発明は、 光、熱等の手段によってその光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体を前提と
し、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はｌ” ｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ
、Ｉｎ、又はＴ Ｉから選択されるＩＩＩｂ族元素とＳ
、Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りそ
の化学式がＩＩＩｂＶＩｂで表現される■。
■Ｉｂ型の化学口論的化合物と、Ｇｅ、Ｓｎ、又はＰｂ
から選択されるＩＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ、又は１”ｅか
ら選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学式がＩＶｂ
ＶＩｂで表現される■ゎＶＩｂ型の化学量論的化合物と
の混合体に相当する組成を有する化学量論的３元化合物
の結晶構造を具備し、この化学量論的３元化合物の３の
構成元素の少なくとも一の元素が、上記各族の元素、Ｉ
ＩＩｂ族のＡｌ、及び■ゎ族の８１から選択された他の
元素により部分的に置換された４元以上の固溶体にて構
成されていることを特徴とするものであり、また、請求
項６に係わる発明は、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、又はＴｊから選択されるｌｌＩｂ族元素とＳ、Ｓｅ
又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学
式が！ＩＩ２ＶＩｂで表現される■。
から選択されるＩＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ、又は１”ｅか
ら選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学式がＩＶｂ
ＶＩｂで表現される■ゎＶＩｂ型の化学量論的化合物と
の混合体に相当する組成を有する化学量論的３元化合物
の結晶構造を具備し、この化学量論的３元化合物の３の
構成元素の少なくとも一の元素が、上記各族の元素、Ｉ
ＩＩｂ族のＡｌ、及び■ゎ族の８１から選択された他の
元素により部分的に置換された４元以上の固溶体にて構
成されていることを特徴とするものであり、また、請求
項６に係わる発明は、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、又はＴｊから選択されるｌｌＩｂ族元素とＳ、Ｓｅ
又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学
式が！ＩＩ２ＶＩｂで表現される■。
ＶＩｂ型の化学Ｗ論的化合物と、Ｇｅ、Ｓｎ、又はＰ
ｂから選択されるＩＶｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ又はＦｅか
ら選択されるＶＩｂ族元素から成り、その化学式がＩｖ
、ＶＩｂ２で表現されるＩＶｂＶＩＩ、型の化学量論的
化合物との混合体に相当する組成を有する化学量論的３
元化合物の結晶構造を具備し、この化学量論的３元化合
物の３の構成元素の少なくとも一の元素が、上記各族の
元素、ＩＩＩｂ族のΔｌ、及びＩＶｂＦＡのＳｉから選
択された他の元素により部分的に置換された４元以上の
固溶体にて構成されていることを特徴とするものであり
、また、請求項７に係わる発明は、 上記記録材料が、 ３ｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ’Ｉ
ｎ１又はＴｊから選択されるＩＩＩｂ族元素とＳ、Ｓｅ
又はｌ−ｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りその化
学式が■ゎＶｌ 、で表現される２種類のＩＩＩｂＶＩ
ｂ型化学理論的化合物を混合した混合体に相当する組成
を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素及びＩＩＩｂ族のＡｌから
選択された他の元素により部分的に置換された４元以上
の固溶体にて構成されていることを特徴とづるものであ
る。
ｂから選択されるＩＶｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ又はＦｅか
ら選択されるＶＩｂ族元素から成り、その化学式がＩｖ
、ＶＩｂ２で表現されるＩＶｂＶＩＩ、型の化学量論的
化合物との混合体に相当する組成を有する化学量論的３
元化合物の結晶構造を具備し、この化学量論的３元化合
物の３の構成元素の少なくとも一の元素が、上記各族の
元素、ＩＩＩｂ族のΔｌ、及びＩＶｂＦＡのＳｉから選
択された他の元素により部分的に置換された４元以上の
固溶体にて構成されていることを特徴とするものであり
、また、請求項７に係わる発明は、 上記記録材料が、 ３ｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ’Ｉ
ｎ１又はＴｊから選択されるＩＩＩｂ族元素とＳ、Ｓｅ
又はｌ−ｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りその化
学式が■ゎＶｌ 、で表現される２種類のＩＩＩｂＶＩ
ｂ型化学理論的化合物を混合した混合体に相当する組成
を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素及びＩＩＩｂ族のＡｌから
選択された他の元素により部分的に置換された４元以上
の固溶体にて構成されていることを特徴とづるものであ
る。
尚、上記１１１．ＩＶｂ並びに■、は周期表の族ｂ
番号を示している。
そして、上記請求項５に係る発明においてＩＩＩｂＶＩ
ｂ型の化学ｔＡ論的化合物としては、ＧａＳ、ＧａＳｅ
、ＧａＴｅ、 Ｉｎｋ、 ＩｎＳｅ。
ｂ型の化学ｔＡ論的化合物としては、ＧａＳ、ＧａＳｅ
、ＧａＴｅ、 Ｉｎｋ、 ＩｎＳｅ。
ｉｎ王ｅ、ＩＩＳ、ＴｌＳｅ、及び、ＴｌＴｅ等があり
、 一方、上記ＩＶｂＶＩｂ型の化学量論的化合物としては
、ＧｅＳ、Ｇｅｎｅ、ＧｅＴｅ、ＳｎＳ。
、 一方、上記ＩＶｂＶＩｂ型の化学量論的化合物としては
、ＧｅＳ、Ｇｅｎｅ、ＧｅＴｅ、ＳｎＳ。
５ｎＳＯ，５ｎＴｅ、ＰｂＳ、Ｐｂ５ｅ、及び、ＰｂＴ
ｅ等がある。
ｅ等がある。
また、ト記ＩＩＩｂＶＩｂ型の化学Ｍ論的化合物とＩＶ
ｂＶｆｂ’Ｊ！ｌの化学量論的化合物との混合体に相当
する組成を有する化学量論的３元化合物としては、Ｇａ
、（ｎ又はＴｌのｌｌＩｂ族元素と、ＱｅＳ３ｎ。
ｂＶｆｂ’Ｊ！ｌの化学量論的化合物との混合体に相当
する組成を有する化学量論的３元化合物としては、Ｇａ
、（ｎ又はＴｌのｌｌＩｂ族元素と、ＱｅＳ３ｎ。
又はＰｂのＩＶｂ族元族元、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅのＶＩ
ｂ族元素から選択された３種類の元素より構成され、ｓ
ｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｉｌｌ、Ｖ
Ｉｂ型の化学量論的化合物とＩＶｂＶＩｂ型の化学Ｍ論
的化合物との混合体に相当する組成を有する化学量論的
３元化合物なら任意であり、例えば、Ｇａ２Ｇｅ−Ｔｅ
３、ＧａＧｅＴｅ２、Ｉｎ ＧｅＴｅ Ｘ Ｉｎ
５ｎＴｅ４．１ｎＰｂＴｅ 、ＩｎＧｅＴｅ２、 ｒｉｌＧｅＴｅ 、及び、Ｔｌ ＧｅＴｅ３等がある
。
ｂ族元素から選択された３種類の元素より構成され、ｓ
ｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｉｌｌ、Ｖ
Ｉｂ型の化学量論的化合物とＩＶｂＶＩｂ型の化学Ｍ論
的化合物との混合体に相当する組成を有する化学量論的
３元化合物なら任意であり、例えば、Ｇａ２Ｇｅ−Ｔｅ
３、ＧａＧｅＴｅ２、Ｉｎ ＧｅＴｅ Ｘ Ｉｎ
５ｎＴｅ４．１ｎＰｂＴｅ 、ＩｎＧｅＴｅ２、 ｒｉｌＧｅＴｅ 、及び、Ｔｌ ＧｅＴｅ３等がある
。
そして、この請求項５に係る発明においては、上記化学
ｌＩｔ論的論的３含化の構成元素の−を、上ムＣ合成の
元素、■ 族のＡＩ、及びｒＶｂＭのＢｉから選択した
他の元素、すなわち、ＡＩ、Ｇａ、ｌｎ又は１−１のｌ
１ｌｂ族元素と、３ ｉ 、 Ｇｅ、３ｎ１又はＰｂの
ＩＶｂ族元族元、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅのＶＩｂ族元素か
ら選択した他の元素で部分的に置換して得られた４元以
上の固溶体により上記記録材料が構成されていることを
特徴とするしのである。
ｌＩｔ論的論的３含化の構成元素の−を、上ムＣ合成の
元素、■ 族のＡＩ、及びｒＶｂＭのＢｉから選択した
他の元素、すなわち、ＡＩ、Ｇａ、ｌｎ又は１−１のｌ
１ｌｂ族元素と、３ ｉ 、 Ｇｅ、３ｎ１又はＰｂの
ＩＶｂ族元族元、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅのＶＩｂ族元素か
ら選択した他の元素で部分的に置換して得られた４元以
上の固溶体により上記記録材料が構成されていることを
特徴とするしのである。
次Ｋ、請求項６に係わる発明において上記１１１２ＶＩ
ｂ型の化学量論的化合物としては上記請求項５のそれと
同一であり、一方のＩＶｂＶＩｂ２型の化学Ｍ論的化合
物としては、ＧｅＳ Ｇｅｎｅ２、ＳｎＳ２．５ｎ
Ｓｅ２、及び、５ｎＴｅ２等がある。
ｂ型の化学量論的化合物としては上記請求項５のそれと
同一であり、一方のＩＶｂＶＩｂ２型の化学Ｍ論的化合
物としては、ＧｅＳ Ｇｅｎｅ２、ＳｎＳ２．５ｎ
Ｓｅ２、及び、５ｎＴｅ２等がある。
また、上記ｎｌ２ＶＩｂ型の化学量論的化合物とＩＶｂ
ＶＩｂ２型の化学量論的化合物との混合体に相当する組
成を有する化学量論的３元化合物としては、Ｇａ、 Ｉ
ｎ又はＴｌのｍｂ族元素と、Ｇｅ１３ｎ、又はＰｂのＩ
Ｖ 族元素と、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅのＶＩｂ族元素か
ら選択された３種類の元素より構成され、Ｓｅ又はＴｅ
の少なくとも一方を含み、かつ、Ｉ［Ｉ２ＶＩｂ型の化
学量論的化合物とＩＶｂＶＩｂ２型の化学量論的化合物
との混合体に相当する組成を有する化学量論的３元化合
物なら任意であり、例えば、Ｇ ａ Ｇ ｅ Ｓ ８３
等がある。
ＶＩｂ２型の化学量論的化合物との混合体に相当する組
成を有する化学量論的３元化合物としては、Ｇａ、 Ｉ
ｎ又はＴｌのｍｂ族元素と、Ｇｅ１３ｎ、又はＰｂのＩ
Ｖ 族元素と、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅのＶＩｂ族元素か
ら選択された３種類の元素より構成され、Ｓｅ又はＴｅ
の少なくとも一方を含み、かつ、Ｉ［Ｉ２ＶＩｂ型の化
学量論的化合物とＩＶｂＶＩｂ２型の化学量論的化合物
との混合体に相当する組成を有する化学量論的３元化合
物なら任意であり、例えば、Ｇ ａ Ｇ ｅ Ｓ ８３
等がある。
そして、この請求項６に係る発明においては、上記化学
量論的３元化合物の構成元素の−を、上記各族の元素、
ＩＩＩｂ族のＡｌ、及び！■ゎ族のＢｉから選択した他
の元素、すなわち、Ａｊ、Ｇａ、ｉｎ又はＴｌのｌｌＩ
ｂ族元素と、Ｓｉ 、Ｑｅ、３ｎ。
量論的３元化合物の構成元素の−を、上記各族の元素、
ＩＩＩｂ族のＡｌ、及び！■ゎ族のＢｉから選択した他
の元素、すなわち、Ａｊ、Ｇａ、ｉｎ又はＴｌのｌｌＩ
ｂ族元素と、Ｓｉ 、Ｑｅ、３ｎ。
又はＰｂの■ 族元素と、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅの■、族
元素から選択した他の元素で部分的に置換して得られた
４元以上の固溶体により上記記録材料が構成されている
ことを特徴とするものである。
元素から選択した他の元素で部分的に置換して得られた
４元以上の固溶体により上記記録材料が構成されている
ことを特徴とするものである。
更Ｋ、請求項７に係わる発明Ｋ、おいて、上記各ｎｉ、
ｖｒｂ型の化学量論的化合物としては上記請求項５のそ
れと同一であり、また、２種類の■。
ｖｒｂ型の化学量論的化合物としては上記請求項５のそ
れと同一であり、また、２種類の■。
ｖＩ、型化学Ｍ論的化合物の混合体に相当する組成を有
する化学量論的３元化合物としては、Ｑａ。
する化学量論的３元化合物としては、Ｑａ。
Ｉｎ又はＴｌのｌｌＩｂ族元素と、５Ｓｓｅ又は王ｅの
ｖＩ、族元素から選択された３）ｉｉ類の元素より構成
され、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、２
種類のｍ、ｖｉ、型化学は論的化合物のｉ１２合体に相
当する組成を有する化学Ｕ論的３元化合物なら任意であ
り、例えば、Ｇａ Ｉ ｎＳｅ２、Ｇａ Ｉ ｎｓｅ
、Ｇａ３ＳｅＴｔ、、Ｇａ ５ｅＴｅ、Ｇａ１ｌ
）Ｓｅ 、＆Ｕ、Ｉｎ”１ｌｓｅ２等がある。
ｖＩ、族元素から選択された３）ｉｉ類の元素より構成
され、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、２
種類のｍ、ｖｉ、型化学は論的化合物のｉ１２合体に相
当する組成を有する化学Ｕ論的３元化合物なら任意であ
り、例えば、Ｇａ Ｉ ｎＳｅ２、Ｇａ Ｉ ｎｓｅ
、Ｇａ３ＳｅＴｔ、、Ｇａ ５ｅＴｅ、Ｇａ１ｌ
）Ｓｅ 、＆Ｕ、Ｉｎ”１ｌｓｅ２等がある。
そして、この請求項７に係る発明におい−（は、上記化
学品論的３元化合物の構成元素の−を、上記各族の元素
及びＩＩＩｂ族のＡｌから選択した他の元素、すなわち
、Ａｊ、Ｇａ、ｉｎｌ又はＴＪのＩＩＩｂ族元素と、Ｓ
、Ｓｅ、又はＴｅの■、族元素から選択した他の元素で
部分的に置換して得られた４元以上の固溶体により上記
記録材料が構成されていることを特徴とするものである
。
学品論的３元化合物の構成元素の−を、上記各族の元素
及びＩＩＩｂ族のＡｌから選択した他の元素、すなわち
、Ａｊ、Ｇａ、ｉｎｌ又はＴＪのＩＩＩｂ族元素と、Ｓ
、Ｓｅ、又はＴｅの■、族元素から選択した他の元素で
部分的に置換して得られた４元以上の固溶体により上記
記録材料が構成されていることを特徴とするものである
。
更Ｋ、請求項８〜９に係わる発明は上記第四の改良発明
を更に改良したもので、 請求項８に係わる発明は、 光、熱等の手段によってその光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体を前提と
し、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、又はＴｌから選択されるＩＩＩｂ族元素と、Ｓ、Ｓ
ｅ又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りその化
学式が”ｂ２ＶＩｂ３で表現される２種類のＩＩＩｂ２
”ｂ３型化学量論的化合物を混合した混合体に相当する
組成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し
、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素及びＩＩＩｂ族のＡｌから
選択された他の元素により部分的に置換された４元以上
の固溶体にて構成されていることを特徴とするものｅあ
り、 また、請求項９に係わる発明は、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも１方を含み、かつ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、又はＴｌから選択される１ｌＩｂ族元索とＳ、Ｓｅ
又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元族元素成りその化学
式が■ゎ２ＶＩｂ３で表現されるＩＩＩｂ２ＶＩｂ３型
の化学５１論的化合物と、Ｇｅ、３ｎ、又はＰｂから選
択されるＩＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ、又はＴｅから選択さ
れる■、族族元から成りその化学式がＩＶｂＶｌゎで表
現されるＩＶｂＶＩｂ型の化学量論的化合物との混合体
に相当する組成を有する化学量論的３元化合物の結晶構
造を具備し、この化学量論的３元化合物の３の構成元素
の少なくとも一の元素が、上記各族の元素、ＩＩＩｂ族
のＡｌ、及びＩＶｂ族の８１から選択された他の元素に
より部分的に置換された４元以上の固溶体にて構成され
ていることを特徴とするものである。
を更に改良したもので、 請求項８に係わる発明は、 光、熱等の手段によってその光学的性質が可逆的に変化
する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化を利用
して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体を前提と
し、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、又はＴｌから選択されるＩＩＩｂ族元素と、Ｓ、Ｓ
ｅ又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りその化
学式が”ｂ２ＶＩｂ３で表現される２種類のＩＩＩｂ２
”ｂ３型化学量論的化合物を混合した混合体に相当する
組成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し
、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素及びＩＩＩｂ族のＡｌから
選択された他の元素により部分的に置換された４元以上
の固溶体にて構成されていることを特徴とするものｅあ
り、 また、請求項９に係わる発明は、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも１方を含み、かつ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、又はＴｌから選択される１ｌＩｂ族元索とＳ、Ｓｅ
又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元族元素成りその化学
式が■ゎ２ＶＩｂ３で表現されるＩＩＩｂ２ＶＩｂ３型
の化学５１論的化合物と、Ｇｅ、３ｎ、又はＰｂから選
択されるＩＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ、又はＴｅから選択さ
れる■、族族元から成りその化学式がＩＶｂＶｌゎで表
現されるＩＶｂＶＩｂ型の化学量論的化合物との混合体
に相当する組成を有する化学量論的３元化合物の結晶構
造を具備し、この化学量論的３元化合物の３の構成元素
の少なくとも一の元素が、上記各族の元素、ＩＩＩｂ族
のＡｌ、及びＩＶｂ族の８１から選択された他の元素に
より部分的に置換された４元以上の固溶体にて構成され
ていることを特徴とするものである。
尚、上記■ 、ｌＶｂ、並びにＶＩｂは周期表の族す
番号を示している。
そして、請求項８に係わる発明において上記各ＩＩＩｂ
２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物としては、Ｇａ Ｓ
、Ｇａ Ｓｅ 、Ｇａ２Ｔｅ３．Ｉｎ Ｓ
、Ｉｎ Ｓｅ 、Ｉｎ２Ｔｅ３．Ｔｊ Ｓ
、Ｔｌ Ｓｅ 、及び、Ｔ１２Ｔｅ３等がある。
２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物としては、Ｇａ Ｓ
、Ｇａ Ｓｅ 、Ｇａ２Ｔｅ３．Ｉｎ Ｓ
、Ｉｎ Ｓｅ 、Ｉｎ２Ｔｅ３．Ｔｊ Ｓ
、Ｔｌ Ｓｅ 、及び、Ｔ１２Ｔｅ３等がある。
また、上記２種類のＩＩＩｂ２ＶＩｂ３型化学ｊ論的化
合物を混合した混合体に相当する組成を有する化学量論
的３元化合物としては、Ｇａ、Ｉｎ又は１−１の■、族
元素と、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅのｖｉｂ族元素から選択され
た３種類の元素より構成され、Ｓｅ又はＴｅの少なくと
も一方を含み、かつ、”ｂ２ｖ■ｂ３型の化学量論的化
合物を２種類以上混合した混合体に相当する組成を有す
る化学量論的３元化合物なら任意であり、 例えば、Ｉｎ ５Ｔｅ２等がある。
合物を混合した混合体に相当する組成を有する化学量論
的３元化合物としては、Ｇａ、Ｉｎ又は１−１の■、族
元素と、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅのｖｉｂ族元素から選択され
た３種類の元素より構成され、Ｓｅ又はＴｅの少なくと
も一方を含み、かつ、”ｂ２ｖ■ｂ３型の化学量論的化
合物を２種類以上混合した混合体に相当する組成を有す
る化学量論的３元化合物なら任意であり、 例えば、Ｉｎ ５Ｔｅ２等がある。
そして、この請求項８に係る発明においては、上記化学
量論的３元化合物の構成元素の−を、上記各族の元素及
び■１族のＡｌｌから選択した他の元素、すなわち、Ａ
Ｉ、Ｇａ、Ｉｎ、又はＴｌのｌｌＩｂ族元素と、Ｓ、Ｓ
ｅ又はＴｅのＶＩｂ族元素から選択した他の元素で部分
的に置換して得られた４元以上の固溶体により上記記録
材料が構成されていることを特徴とするものである。
量論的３元化合物の構成元素の−を、上記各族の元素及
び■１族のＡｌｌから選択した他の元素、すなわち、Ａ
Ｉ、Ｇａ、Ｉｎ、又はＴｌのｌｌＩｂ族元素と、Ｓ、Ｓ
ｅ又はＴｅのＶＩｂ族元素から選択した他の元素で部分
的に置換して得られた４元以上の固溶体により上記記録
材料が構成されていることを特徴とするものである。
次Ｋ、請求項９に係わる発明において上記”ｂ２Ｖｌゎ
、型の化学量論的化合物としては上記請求項８のそれと
同一であり、一方のＩＶｂＶｌゎ型の化学量論的化合物
としては、ＧｅＳ、、Ｇｅｎｅ。
、型の化学量論的化合物としては上記請求項８のそれと
同一であり、一方のＩＶｂＶｌゎ型の化学量論的化合物
としては、ＧｅＳ、、Ｇｅｎｅ。
ＧｅＴｅ、ＳｎＳ、５ｎＳｅ、５ｎＴｅ、ＰｂＳ。
Ｐｂ３ｅ、及び、ＰｂＴｅ等がある。
また、上記ＩＩＩｂ２ｖ！ｂ３型の化学量論的化合物と
ＩＶｂＶＩｂ型の化学量論的化合物との混合体に相当す
る組成を有する化学量論的３元化合物としては、Ｇａ、
［ｎ又はＴｌのｍｂ族元素と、Ｇｅ、Ｓｎ、又はＰｂの
ＩＶｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ、又はｌ−ｅのＶＩｂ族元素
から選択された３種類の元素より構成され、Ｓｅ又はＴ
ｅの少なくとも一方を含み、かつ、上記ＩＩＩｂ２ＶＩ
ｂ３型の化学量論的化合物とｒｖ、ｖｉ、型の化学量論
的化合物との混合体に相当する組成を有する化学量論的
３元化合物なら任意であり、例えば、Ｇａ ５ｎＴｅ
７等がある。
ＩＶｂＶＩｂ型の化学量論的化合物との混合体に相当す
る組成を有する化学量論的３元化合物としては、Ｇａ、
［ｎ又はＴｌのｍｂ族元素と、Ｇｅ、Ｓｎ、又はＰｂの
ＩＶｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ、又はｌ−ｅのＶＩｂ族元素
から選択された３種類の元素より構成され、Ｓｅ又はＴ
ｅの少なくとも一方を含み、かつ、上記ＩＩＩｂ２ＶＩ
ｂ３型の化学量論的化合物とｒｖ、ｖｉ、型の化学量論
的化合物との混合体に相当する組成を有する化学量論的
３元化合物なら任意であり、例えば、Ｇａ ５ｎＴｅ
７等がある。
そして、この請求項９に係る発明においては、上記化学
量論的３元化合物の構成元素の−を、上記各族の元素、
■ゎ族のＡＩｌ、及びＩＶｂ族のＢｉから選択した他の
元素、すなわち、ＡＩ、Ｇａ。
量論的３元化合物の構成元素の−を、上記各族の元素、
■ゎ族のＡＩｌ、及びＩＶｂ族のＢｉから選択した他の
元素、すなわち、ＡＩ、Ｇａ。
（ｎ 又ＬＬ Ｔ ｌ （７）ＩＩＩ Ｂ族元素と、ｓ
＋、Ｇｅ、ｓｎ。
＋、Ｇｅ、ｓｎ。
又はＰｂのＩＶｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅのＶＩ
ｂ族元素から選択した他の元素で部分的に置換して得ら
れた４元以上の固溶体により上記記録材料が構成されて
いることを特徴とするものである。
ｂ族元素から選択した他の元素で部分的に置換して得ら
れた４元以上の固溶体により上記記録材料が構成されて
いることを特徴とするものである。
尚、上記請求項２〜９に係わる発明において、化学量論
的３元化合物を構成する３元素についての置換割合の限
界は、請求項１に係わる発明と同様にこの置換によって
得られる４元以上の組成物が上記化学量論的３元化合物
の結晶構造を具備する固溶体を構成できなくなるまでで
あり、その範囲で上記構成元素を任意の割合で他の元素
により部分置換することができる。
的３元化合物を構成する３元素についての置換割合の限
界は、請求項１に係わる発明と同様にこの置換によって
得られる４元以上の組成物が上記化学量論的３元化合物
の結晶構造を具備する固溶体を構成できなくなるまでで
あり、その範囲で上記構成元素を任意の割合で他の元素
により部分置換することができる。
また、上記請求項２〜９に係わる発明において、ｒ置換
される元素」とこの元素の一部を置換する「他の元素」
とが全率固溶の関係にある場合、上記置換に伴う結晶構
造の歪みが比較的小さく置換性における化学量論的３元
化合物の結晶構造が変化し難いため、請求項１゛に係°
わる発明と同様にその置換割合を広い範囲で設定できる
利点がある。
される元素」とこの元素の一部を置換する「他の元素」
とが全率固溶の関係にある場合、上記置換に伴う結晶構
造の歪みが比較的小さく置換性における化学量論的３元
化合物の結晶構造が変化し難いため、請求項１゛に係°
わる発明と同様にその置換割合を広い範囲で設定できる
利点がある。
また、上記請求項５・−９に係わる発明において、化学
量論的３元化合物の構成元素の一部を置換Ｊる「他の元
素Ｊが■、族の−「ｌにて構成される場合、得られる４
元以上の固溶体における結晶化速度が向上するため、請
求項３に係わる発明と同様な利点を有する。
量論的３元化合物の構成元素の一部を置換Ｊる「他の元
素Ｊが■、族の−「ｌにて構成される場合、得られる４
元以上の固溶体における結晶化速度が向上するため、請
求項３に係わる発明と同様な利点を有する。
次Ｋ、これ等記録材料を適用した光記録媒体の基本構造
は、光透過性の基板とこの面上に形成された記録材料層
とで構成される。尚、記録材料層が溶融後固化するまで
に変形することを防止する目的、あるいは、記録材料層
の機械的損傷、酸化等を防止する目的で上記記録材料層
上に保Ｆｊ層を設けることも可能である。
は、光透過性の基板とこの面上に形成された記録材料層
とで構成される。尚、記録材料層が溶融後固化するまで
に変形することを防止する目的、あるいは、記録材料層
の機械的損傷、酸化等を防止する目的で上記記録材料層
上に保Ｆｊ層を設けることも可能である。
そして、上記光透過性の基板としては、ガラスの他アク
リル、ポリカーボネート、エポキシ等の樹脂材料が利用
できる。ここで、基板として樹脂材料を適用した場合に
は樹脂材料の熱的損傷を防ぐため、記録材料層と基板間
Ｋ、例えばｓｈｏ、、、ＺｒＯ、ＺｎＳ等、あるいはこ
れ等の混合物等で構成される無機誘電体層を設けてもよ
い。尚、基板の反対側から集束光を照射して記録・再生
・消去を行う光記録媒体においては、アルミニウム等の
光不透過性の材料により基板を構成しｔも当然のことな
がらよい。
リル、ポリカーボネート、エポキシ等の樹脂材料が利用
できる。ここで、基板として樹脂材料を適用した場合に
は樹脂材料の熱的損傷を防ぐため、記録材料層と基板間
Ｋ、例えばｓｈｏ、、、ＺｒＯ、ＺｎＳ等、あるいはこ
れ等の混合物等で構成される無機誘電体層を設けてもよ
い。尚、基板の反対側から集束光を照射して記録・再生
・消去を行う光記録媒体においては、アルミニウム等の
光不透過性の材料により基板を構成しｔも当然のことな
がらよい。
また、上記保護層を構成する材料としては、上記無機誘
電体層を構成する材料と同様の材料の他、紫外線硬化樹
脂、アクリル、ポリカーボネート、エポキシ等の樹脂材
料、及び、ガラス等を挙げることができる。また、上記
保護層はこれ等材料の単一層で構成してもよく、あるい
は上記材料を複数積層して構成してもよく任意である。
電体層を構成する材料と同様の材料の他、紫外線硬化樹
脂、アクリル、ポリカーボネート、エポキシ等の樹脂材
料、及び、ガラス等を挙げることができる。また、上記
保護層はこれ等材料の単一層で構成してもよく、あるい
は上記材料を複数積層して構成してもよく任意である。
更Ｋ、上記記録材料層と接する部分が樹脂材料の場合に
は、基板と同様にこれ等間に無機誘電体層を介装してし
よい。
は、基板と同様にこれ等間に無機誘電体層を介装してし
よい。
一方、上記記録材料層の形成方法としてはスパッタリン
グ法や真空蒸着法等が利用できる。ツなわら、上記スパ
ッタリング法としては複数のターゲットを用い、夫々の
ターゲットに加える電力Ｌｊを適宜調整することにより
目的の組成物を合成ｌろと同時にこの組成物を１Ａ板に
着膜させる同時スパッタリングの他、目的の組成物に対
応した１０合金ターゲツトを用いてスパッタリングを行
うことも可能である。
グ法や真空蒸着法等が利用できる。ツなわら、上記スパ
ッタリング法としては複数のターゲットを用い、夫々の
ターゲットに加える電力Ｌｊを適宜調整することにより
目的の組成物を合成ｌろと同時にこの組成物を１Ａ板に
着膜させる同時スパッタリングの他、目的の組成物に対
応した１０合金ターゲツトを用いてスパッタリングを行
うことも可能である。
また、上記真空蒸着法としては複数の蒸着源を使用し、
夫々の蒸着達磨を調整りることにより目的の組成物を得
ると同時にこれをＬｌ板に着膜させる共蒸着法が利用℃
・きる。
夫々の蒸着達磨を調整りることにより目的の組成物を得
ると同時にこれをＬｌ板に着膜させる共蒸着法が利用℃
・きる。
尚、この技術的手段における光記録媒体においては、従
来同様、記録材料層の７モルノ？ス相を記録状態に対応
させその結晶相を消去状態に対応させてもよく、この反
対Ｋ、記録材料層のア［ルノ７ス相を消去状態に対応さ
せその結晶相を記録状態に対応さけてもよくその選択は
任意である。
来同様、記録材料層の７モルノ？ス相を記録状態に対応
させその結晶相を消去状態に対応させてもよく、この反
対Ｋ、記録材料層のア［ルノ７ス相を消去状態に対応さ
せその結晶相を記録状態に対応さけてもよくその選択は
任意である。
［作用］
請求項１に係る発明によれば上記記録材料層を構成する
記録材料が、３ｎ又はＰｂから選択されるＩＶｂ族元素
と８％Ｓｅ又はＴｅから選択される■ 族元素から成り
その化学式がＩＶｂＶＩｂで表現す されるＩＶｂＶＩｂ型の化学量論的化合物と、ｓｂ、Ｂ
ｉ、又はＡＳから選択されるＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ又は
７’ ｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学
式がＶｂ２ＶＩｂ３で表現されるＶｂ２ＶＩｂ３型の化
学量論的化合物との混合体に相当する組成を右する化学
量論的３元化合物の結晶構造を具備しており、 また、請求項２に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、Ｌ＋、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、 Ｃｓ、Ｃ
Ｕ、ＡＱ、又は△Ｕから選択される王族元素と５ＳＳｅ
、又はＴｅから選択される■、族元素から成りその化学
式が■２■、ぐ表現されるＩ２ＶＩｂ型の化学量論的化
合物と、Ａｓ、ｓｂ又はＢ１から選択されるＶｂ族族元
と、５１Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素から
成り、イの化学式がｖ、２■■ゎ、で表現されるＶｂ２
■Ｉｂ３型の化学量論的化合物とのｎ１合体に相当する
組成を右４る化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し
、一方、請求項３に係る発明によれば上記記録材料層を
構成する記録材料が、上記Ｉ２ＶＩｂ型の化学量論的化
合物と、Ｇａ、Ｉｎ又は王ｌから選択される１１Ｉｂ族
元素と、Ｓ、Ｓｅ、又はＴＯから選択されるＶＩｂ族元
素から成り、その化学式が”ｂ２■１ で表現される
ＩＩＩｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物との混合体に
相当する組成を右する化学量論的３元化合物の結晶構造
を具備し、 更Ｋ、請求項４に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、上記Ｉ２ＶＩｂ型の化学量論的化合
物と、Ｑｅ、３ｎ又はＰｂから選択されるＩＶｂ族元素
と、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素か
ら成り、その化学式がＩＶ 。
記録材料が、３ｎ又はＰｂから選択されるＩＶｂ族元素
と８％Ｓｅ又はＴｅから選択される■ 族元素から成り
その化学式がＩＶｂＶＩｂで表現す されるＩＶｂＶＩｂ型の化学量論的化合物と、ｓｂ、Ｂ
ｉ、又はＡＳから選択されるＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ又は
７’ ｅから選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学
式がＶｂ２ＶＩｂ３で表現されるＶｂ２ＶＩｂ３型の化
学量論的化合物との混合体に相当する組成を右する化学
量論的３元化合物の結晶構造を具備しており、 また、請求項２に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、Ｌ＋、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、 Ｃｓ、Ｃ
Ｕ、ＡＱ、又は△Ｕから選択される王族元素と５ＳＳｅ
、又はＴｅから選択される■、族元素から成りその化学
式が■２■、ぐ表現されるＩ２ＶＩｂ型の化学量論的化
合物と、Ａｓ、ｓｂ又はＢ１から選択されるＶｂ族族元
と、５１Ｓｅ又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素から
成り、イの化学式がｖ、２■■ゎ、で表現されるＶｂ２
■Ｉｂ３型の化学量論的化合物とのｎ１合体に相当する
組成を右４る化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し
、一方、請求項３に係る発明によれば上記記録材料層を
構成する記録材料が、上記Ｉ２ＶＩｂ型の化学量論的化
合物と、Ｇａ、Ｉｎ又は王ｌから選択される１１Ｉｂ族
元素と、Ｓ、Ｓｅ、又はＴＯから選択されるＶＩｂ族元
素から成り、その化学式が”ｂ２■１ で表現される
ＩＩＩｂ２ＶＩｂ３型の化学量論的化合物との混合体に
相当する組成を右する化学量論的３元化合物の結晶構造
を具備し、 更Ｋ、請求項４に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、上記Ｉ２ＶＩｂ型の化学量論的化合
物と、Ｑｅ、３ｎ又はＰｂから選択されるＩＶｂ族元素
と、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素か
ら成り、その化学式がＩＶ 。
Ｖｌ で表現される■ｖ、ＶＩｂ２型の化学量論的化
合物との混合体に相当する組成を有する化学量論的３元
化合物の結晶構造を具備しており、 また、請求項５に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、Ｇａ１ ｌｎ又はＴｌｔから選択さ
れるＩＩＩｂ族元素とＳ、Ｓｅ、又はＴｅから選択され
るＶＩｂ族元素から成りその化学式がＩＩＩ Ｖｌ
で表現されるＩ２ＶＩｂ型の化学量論的化ｂ 合物と、Ｇｅ、Ｓｎ又はＰｂから選択されるＩＶｂ族元
素とＳ、Ｓｅ、又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素か
ら成りその化学式がｒＶ、 ＶＩｂで表現されるｔｖ、
ｖｔ、型の化学量論的化合物との混合体に相当する組成
を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、 一方、請求項６に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、上記ＩＩＩ、 ＶＩｂ型の化学量論
的化合物と、Ｇｅ、Ｓｎ、又はＰｂから選択されるＩＶ
ｂ族元東と、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅから選択される■ 族
元素から成りその化学式がＩＶｂＶｌ で表現される
ＩＶｂＶＩｂ２型の化学量論的化合物との混合体に相当
する組成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具
備し、 更Ｋ、請求項７に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、２種類のｍ、ｖｉ、型化学績論的化
合物を混合した混合体に相当する組成を有する化学量論
的３元化合物の結晶構造を具備しており、 また、請求項８に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、Ｇａ、Ｉｎ又はＴｌから選択される
ｍｂ族元素と、５Ｓｓｅ又はＴｅから選択される■。族
元素から成りその化学式が” ｂ２ＶＩｂ３で表現され
る２種類の” ｂ２ＶＩｂ３型化学蝋論的化合物を混合
した混合体に相当する組成を有する化学量論的３元化合
物の結晶構造を具備し、一方、請求項９に係る発明によ
れば上記記録材料層を構成する記録材料が、上記ＩＩＩ
ｂ２ＶＩｂ３型の化学を論的化合物と、Ｇｅ、Ｓｎ、又
はＰｂから選択されるＩＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅ
から選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学式がＩＶ
ｂＶＩｂで表現されるＩＶｂＶＩｂ型の化学量論的化合
物との混合体に相当する組成を有する化学量論的３元化
合物の結晶構造を具備しているため、 記録材料層の結晶化速度が速まると共に記録材料層にお
けるアモルファス相の安定性も＾くなる。
合物との混合体に相当する組成を有する化学量論的３元
化合物の結晶構造を具備しており、 また、請求項５に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、Ｇａ１ ｌｎ又はＴｌｔから選択さ
れるＩＩＩｂ族元素とＳ、Ｓｅ、又はＴｅから選択され
るＶＩｂ族元素から成りその化学式がＩＩＩ Ｖｌ
で表現されるＩ２ＶＩｂ型の化学量論的化ｂ 合物と、Ｇｅ、Ｓｎ又はＰｂから選択されるＩＶｂ族元
素とＳ、Ｓｅ、又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素か
ら成りその化学式がｒＶ、 ＶＩｂで表現されるｔｖ、
ｖｔ、型の化学量論的化合物との混合体に相当する組成
を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、 一方、請求項６に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、上記ＩＩＩ、 ＶＩｂ型の化学量論
的化合物と、Ｇｅ、Ｓｎ、又はＰｂから選択されるＩＶ
ｂ族元東と、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅから選択される■ 族
元素から成りその化学式がＩＶｂＶｌ で表現される
ＩＶｂＶＩｂ２型の化学量論的化合物との混合体に相当
する組成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具
備し、 更Ｋ、請求項７に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、２種類のｍ、ｖｉ、型化学績論的化
合物を混合した混合体に相当する組成を有する化学量論
的３元化合物の結晶構造を具備しており、 また、請求項８に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、Ｇａ、Ｉｎ又はＴｌから選択される
ｍｂ族元素と、５Ｓｓｅ又はＴｅから選択される■。族
元素から成りその化学式が” ｂ２ＶＩｂ３で表現され
る２種類の” ｂ２ＶＩｂ３型化学蝋論的化合物を混合
した混合体に相当する組成を有する化学量論的３元化合
物の結晶構造を具備し、一方、請求項９に係る発明によ
れば上記記録材料層を構成する記録材料が、上記ＩＩＩ
ｂ２ＶＩｂ３型の化学を論的化合物と、Ｇｅ、Ｓｎ、又
はＰｂから選択されるＩＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅ
から選択されるＶＩｂ族元素から成りその化学式がＩＶ
ｂＶＩｂで表現されるＩＶｂＶＩｂ型の化学量論的化合
物との混合体に相当する組成を有する化学量論的３元化
合物の結晶構造を具備しているため、 記録材料層の結晶化速度が速まると共に記録材料層にお
けるアモルファス相の安定性も＾くなる。
また、請求項１〜９に係わる発明において上記記録材料
層を構成する記録材料が、化学量論的３元化合物、の３
の構成元素の少なくとも−を他の元素により部分的に置
換させた４元以上の固溶体にて構成されているため、記
録材料層におけるアモルファス相の安定性を更に高める
ことが可能となる。
層を構成する記録材料が、化学量論的３元化合物、の３
の構成元素の少なくとも−を他の元素により部分的に置
換させた４元以上の固溶体にて構成されているため、記
録材料層におけるアモルファス相の安定性を更に高める
ことが可能となる。
更Ｋ、請求項１〜９に係わる発明において上記記録材料
層を構成する記録材料がＳｅ又はＴ ｅの少なくとも一
方を含んでいるため、可視及び近赤外光に対しての光吸
収を有する。
層を構成する記録材料がＳｅ又はＴ ｅの少なくとも一
方を含んでいるため、可視及び近赤外光に対しての光吸
収を有する。
ここで、従来におけるＧｅ−８ｂ−Ｔｅに較べて請求項
１〜９に係る発明において上記記録材料層の結晶化速度
が速まる理由について本発明者等は以下のように推察し
ている。
１〜９に係る発明において上記記録材料層の結晶化速度
が速まる理由について本発明者等は以下のように推察し
ている。
まず、請求項１に係る発明のＩＶｂ ＶＩｂ型化学ｌ論
的化合物は、第１表に示すような融点を有している。こ
の融点とは同相を形成している原子間結合を切断するの
に必要な温度を意味し１おり、結晶構造が同一の場合に
は融点の値が原子間の結合力をそのまま反映していると
考えられ、従って、融点が高いほど結晶相の原子間結合
力が強いものと考えられる。そして第１表に示されるＩ
ＶｂＶＩｂ型化学ｌ論的化合物の結晶構造は全てＮａＣ
１型でありこの考え方が適用可能である。但し、Ｇｅ１
”ｅについては室温でＧｅＴｅ型あるいはＡｓ型と呼ば
れる層状構造を有しているが、４４０℃以上の温度にお
いては上記ＮａＣｌ型に変態するため、第１表に示され
たＧｅＴｅの融点はＮａＣｌ型に対する値ということが
できる。
的化合物は、第１表に示すような融点を有している。こ
の融点とは同相を形成している原子間結合を切断するの
に必要な温度を意味し１おり、結晶構造が同一の場合に
は融点の値が原子間の結合力をそのまま反映していると
考えられ、従って、融点が高いほど結晶相の原子間結合
力が強いものと考えられる。そして第１表に示されるＩ
ＶｂＶＩｂ型化学ｌ論的化合物の結晶構造は全てＮａＣ
１型でありこの考え方が適用可能である。但し、Ｇｅ１
”ｅについては室温でＧｅＴｅ型あるいはＡｓ型と呼ば
れる層状構造を有しているが、４４０℃以上の温度にお
いては上記ＮａＣｌ型に変態するため、第１表に示され
たＧｅＴｅの融点はＮａＣｌ型に対する値ということが
できる。
すなわち、上記ｒＶ、 ＶＩｂ型化学愚論的化合物の融
点がＧｅＴｅより高いことから、その結晶相におけるＩ
Ｖｂ−ＶＩｂ原子間の結合力が上記Ｇｅ−丁ｅ原子間の
結合力より強いと考えられる。このため、■ゎ■、型の
化学量論的化合物とＶｂ２■■ｂ３型の化学量論的化合
物との混合体に相当する組成を有する化学ｆｆｉ論的３
元化合物においてもＩＶｂ−■、原子間の結合力が強く
、その結晶相における自由エネルギが低い。
点がＧｅＴｅより高いことから、その結晶相におけるＩ
Ｖｂ−ＶＩｂ原子間の結合力が上記Ｇｅ−丁ｅ原子間の
結合力より強いと考えられる。このため、■ゎ■、型の
化学量論的化合物とＶｂ２■■ｂ３型の化学量論的化合
物との混合体に相当する組成を有する化学ｆｆｉ論的３
元化合物においてもＩＶｂ−■、原子間の結合力が強く
、その結晶相における自由エネルギが低い。
従って、請求項１に係わる発明の記録材料は、従来の記
録材料であるＧｅ−８ｂ−Ｔｅと比較して結晶相とアモ
ルファス相との自由エネルギ差、すなわち、変態エネル
ギが大きくなるため、その結晶化速度が速まるものと推
察される。
録材料であるＧｅ−８ｂ−Ｔｅと比較して結晶相とアモ
ルファス相との自由エネルギ差、すなわち、変態エネル
ギが大きくなるため、その結晶化速度が速まるものと推
察される。
第
表
次Ｋ、請求項２〜９並びに従来における記録材料層を構
成する元素は第２表に示すような電気陰性度を有してい
る。この表で示した電気陰性度の値はＰａｕｌｉｎｇ
（ポーリング）の電気陰性度の値に価電子による遮蔽
効果を加味して求められたＰｈ１ｌｌｉｐｓ（フィリッ
プス）の電気陰性度の値である（Ｊ、Ｃ，Ｐｈ１ｌｌｉ
ｐｓ、“Ｂｏｎｄｓ ａｎｄ Ｂａｎｄｓ １ｎＳｅｉ
＋１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ、’ Ａｃａｄｅｓｉｃ
Ｐｒｅｓｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋａｎｄ Ｌｏｎｄｏ
ｎ、 １９７３．）が、Ｋ１Ｒｂ１及びＣ８については
Ｐｈｉ Ｉ ｌ ＋Ｅ）８の電気陰性度の値が求められ
てないためＰａｕ ｔ Ｉｎｇの電気陰性度の飴が記載
されている。この電気陰性度の値から原子間の結合状態
を考察した場合、各原子における電気陰性度の値の差が
大きい程合原子間の結合におけるイオン結合性が増加す
る傾向を示すことが解明されている。
成する元素は第２表に示すような電気陰性度を有してい
る。この表で示した電気陰性度の値はＰａｕｌｉｎｇ
（ポーリング）の電気陰性度の値に価電子による遮蔽
効果を加味して求められたＰｈ１ｌｌｉｐｓ（フィリッ
プス）の電気陰性度の値である（Ｊ、Ｃ，Ｐｈ１ｌｌｉ
ｐｓ、“Ｂｏｎｄｓ ａｎｄ Ｂａｎｄｓ １ｎＳｅｉ
＋１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ、’ Ａｃａｄｅｓｉｃ
Ｐｒｅｓｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋａｎｄ Ｌｏｎｄｏ
ｎ、 １９７３．）が、Ｋ１Ｒｂ１及びＣ８については
Ｐｈｉ Ｉ ｌ ＋Ｅ）８の電気陰性度の値が求められ
てないためＰａｕ ｔ Ｉｎｇの電気陰性度の飴が記載
されている。この電気陰性度の値から原子間の結合状態
を考察した場合、各原子における電気陰性度の値の差が
大きい程合原子間の結合におけるイオン結合性が増加す
る傾向を示すことが解明されている。
ところで、上記Ｐｈ１ｌｌｉｐＳの電気陰性度の数値は
正四面体構造に対する計算結果値であるが、上記記録材
料層を構成する原子においても非結合電子対まで含める
と電子軌道は正四面体的であるので、これ等原子につい
てＰｈ１ｌｌｉｐｓの電気陰性唯の数値を適用すること
は可能である。
正四面体構造に対する計算結果値であるが、上記記録材
料層を構成する原子においても非結合電子対まで含める
と電子軌道は正四面体的であるので、これ等原子につい
てＰｈ１ｌｌｉｐｓの電気陰性唯の数値を適用すること
は可能である。
そこで、このＰｈｉ Ｉ Ｉ ｉｐｓの電気陰性度の数
値を用いて従来のＧ ｅ −Ｓ ｂ −Ｔ ｅにおける
各原子間の結合状態をみてみると、第２表から上記Ｇｅ
の値Ｌｔ １．３５ 、Ｓｂの値は１．３１ 、及び、
Ｔｅの値は１．４７であることから、Ｇｅ−８ｂ間の電
気陰性度差は０．０４．５ｂ−Ｔｅ間の電気陰性度差は
０．１Ｂ 、及び、Ｑｅ−１”ｅ間の電気陰性度差は０
．１２Ｆあり、上記Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅを構成するＧｅ−
８ｂ結合、５ｂ−Ｔｅ結合、及び、ＧｅＴｅ結合におけ
るイオン結合力は弱い。
値を用いて従来のＧ ｅ −Ｓ ｂ −Ｔ ｅにおける
各原子間の結合状態をみてみると、第２表から上記Ｇｅ
の値Ｌｔ １．３５ 、Ｓｂの値は１．３１ 、及び、
Ｔｅの値は１．４７であることから、Ｇｅ−８ｂ間の電
気陰性度差は０．０４．５ｂ−Ｔｅ間の電気陰性度差は
０．１Ｂ 、及び、Ｑｅ−１”ｅ間の電気陰性度差は０
．１２Ｆあり、上記Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅを構成するＧｅ−
８ｂ結合、５ｂ−Ｔｅ結合、及び、ＧｅＴｅ結合におけ
るイオン結合力は弱い。
これに対し、請求項２〜４における上記記録材料の一部
を構成するＩ、 ＶＩｂ型の化学量論的化合物は、その
電気陰性度の値が上記Ｖｌゎ腰元素中最小のＴ ｅ （
１，４７）と、電気陰性度の値が上記■族元素中最大の
Ｌ ｉ （１，００）間における電気陰性度差が０．４
７あり、一方、その電気陰性度の値が上記■、族元素中
最大の３ （１，８７）と、電気陰性度の値が上記工族
元素中最小のＡ Ｑ （０，５７）間における電気陰性
度差、が１．３０あり、■族元素−■、族元素間におけ
る電気陰性度差が０．４７〜１．３０と太きく■広原子
−■、族原子間におけるイオン結合力が強い。
を構成するＩ、 ＶＩｂ型の化学量論的化合物は、その
電気陰性度の値が上記Ｖｌゎ腰元素中最小のＴ ｅ （
１，４７）と、電気陰性度の値が上記■族元素中最大の
Ｌ ｉ （１，００）間における電気陰性度差が０．４
７あり、一方、その電気陰性度の値が上記■、族元素中
最大の３ （１，８７）と、電気陰性度の値が上記工族
元素中最小のＡ Ｑ （０，５７）間における電気陰性
度差、が１．３０あり、■族元素−■、族元素間におけ
る電気陰性度差が０．４７〜１．３０と太きく■広原子
−■、族原子間におけるイオン結合力が強い。
また、請求項５〜９における上記記録材料の一部を構成
するｍ２ＶＩｂ型の化学量論的化合物、並びに”ｂ２■
Ｉｂ３型の化学Ｍ論的化合物は、その電気陰性度の値が
上記■、族元素中最小のＴｅ （１，４７）と、電気陰
性度の値が上記■、族元素中最大のＧａ（ｔ１３）間に
おける電気陰性度差が０．３４あり、一方、その電気陰
性度の値が、上記Ｖｌ 、族元素中最大の３ （１，８
７）と、電気陰性度の値が上記■、族元素中最小のＴ
ｊ （０，９４）間における電気陰性度差が０．９３あ
り、■ 族元素−■、族元素間における電気陰性度差が
０．３４〜０．９３と大きく、■。
するｍ２ＶＩｂ型の化学量論的化合物、並びに”ｂ２■
Ｉｂ３型の化学Ｍ論的化合物は、その電気陰性度の値が
上記■、族元素中最小のＴｅ （１，４７）と、電気陰
性度の値が上記■、族元素中最大のＧａ（ｔ１３）間に
おける電気陰性度差が０．３４あり、一方、その電気陰
性度の値が、上記Ｖｌ 、族元素中最大の３ （１，８
７）と、電気陰性度の値が上記■、族元素中最小のＴ
ｊ （０，９４）間における電気陰性度差が０．９３あ
り、■ 族元素−■、族元素間における電気陰性度差が
０．３４〜０．９３と大きく、■。
族原子−■、族原子問におけるイオン結合力も強い。
以上から、Ｉ族原子−■、族原子間の結合力、並びに■
族原子−■、族原子間の結合力はイオン結合力が強い
分だけＧｅ−８ｂ−Ｔｅを構成する各原子間の結合力（
大部分が共有結合力）より強くなると考えられる。
族原子−■、族原子間の結合力はイオン結合力が強い
分だけＧｅ−８ｂ−Ｔｅを構成する各原子間の結合力（
大部分が共有結合力）より強くなると考えられる。
従って、請求項２〜４に係わる発明においては、Ｉ、、
ＶＩｂ型の化学量論的化合物と、Ｖｂ２ＶＩｂ３型の化
学量論的化合物、ＩＩＩｂ２”ｂ３型の化学問論的化合
物、又は、ＩＶｂＶＩｂ２型の化学問論的化合物との混
合体に相当する組成を有する化学量論的３元化合物中に
結合力の強い■広原子−■、族原子間の結合を含むため
、 また、請求項５〜７に係わる発明におい工は、頂りＶＩ
ｂ型の化学問論的化合物と、ＩＶゎ■、型の化学問論的
化合物、ＩＶｂＶＩｂ２型の化学量論的化合物、又は、
ＩＩＩｂＶＩｂ型の化学量論的化合物との混合体に相当
する組成を有する化学量論的３元化合物中に結合力の強
い■、族原子−■、族原子間の結合を含むため、 更Ｋ、請求項８〜９に係わる発明においては、” ｂ２
ＶＩｂ３型の化学量論的化合物と、ＩＩＩｂ２”ｂ３型
の化学量論的化合物又はＩＶｂＭｌ、型の化学量論的化
合物との混合体に相当する組成を有する化学＆１論的３
元化合物中に結合力の強い■、族原子−■。
ＶＩｂ型の化学量論的化合物と、Ｖｂ２ＶＩｂ３型の化
学量論的化合物、ＩＩＩｂ２”ｂ３型の化学問論的化合
物、又は、ＩＶｂＶＩｂ２型の化学問論的化合物との混
合体に相当する組成を有する化学量論的３元化合物中に
結合力の強い■広原子−■、族原子間の結合を含むため
、 また、請求項５〜７に係わる発明におい工は、頂りＶＩ
ｂ型の化学問論的化合物と、ＩＶゎ■、型の化学問論的
化合物、ＩＶｂＶＩｂ２型の化学量論的化合物、又は、
ＩＩＩｂＶＩｂ型の化学量論的化合物との混合体に相当
する組成を有する化学量論的３元化合物中に結合力の強
い■、族原子−■、族原子間の結合を含むため、 更Ｋ、請求項８〜９に係わる発明においては、” ｂ２
ＶＩｂ３型の化学量論的化合物と、ＩＩＩｂ２”ｂ３型
の化学量論的化合物又はＩＶｂＭｌ、型の化学量論的化
合物との混合体に相当する組成を有する化学＆１論的３
元化合物中に結合力の強い■、族原子−■。
族原子間の結合を含むため、上記Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅより
結晶相の自由エネルギが低下し、結晶相とアモルファス
相との自由エネルギ差、すなわち変態エネルギが大きく
なるため、請求項２〜９における上記記録材料は従来の
記録材料であるＧｅ−３ｂ−Ｔｅと比較してその結晶化
速度が速まるものと推察される。
結晶相の自由エネルギが低下し、結晶相とアモルファス
相との自由エネルギ差、すなわち変態エネルギが大きく
なるため、請求項２〜９における上記記録材料は従来の
記録材料であるＧｅ−３ｂ−Ｔｅと比較してその結晶化
速度が速まるものと推察される。
尚、Ｓｂ Ｔｅ３はイオン結合力の強い結合を含んでい
ないにも拘らず結晶化時間が短い。これは上記の議論に
反するようであるが、Ｓｂ２Ｔｅ３の結晶化時間が短い
理由は変態エネルギが大きいためではなく活性化エネル
ギが小さいためと考えられ、上記の議論に反するもので
はない。
ないにも拘らず結晶化時間が短い。これは上記の議論に
反するようであるが、Ｓｂ２Ｔｅ３の結晶化時間が短い
理由は変態エネルギが大きいためではなく活性化エネル
ギが小さいためと考えられ、上記の議論に反するもので
はない。
一方、請求項１〜９においてその記録材料層におけるア
モルファス相の安定性が従来の記録材料であるＧｅ−８
ｂ−ＴｅやＳｂ２Ｔｅ３に較べて高い理由は以下のよう
に推察している。
モルファス相の安定性が従来の記録材料であるＧｅ−８
ｂ−ＴｅやＳｂ２Ｔｅ３に較べて高い理由は以下のよう
に推察している。
まず、上記Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅはイオン結合性が弱く共有
結合性が強いため、元素数が増加すると歪みの発生に伴
う自由エネルギの上昇によりアモルファス相が不安定化
し易いが、請求項２〜９における記録材料はイオン結合
性が強く、このイオン結合は結合方向及び結合距離に対
する制限の弱い結合であることから、幾分歪みのある構
造でも安定化し、上記Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅに較べてそのア
モルファス相の安定性が高い。
結合性が強いため、元素数が増加すると歪みの発生に伴
う自由エネルギの上昇によりアモルファス相が不安定化
し易いが、請求項２〜９における記録材料はイオン結合
性が強く、このイオン結合は結合方向及び結合距離に対
する制限の弱い結合であることから、幾分歪みのある構
造でも安定化し、上記Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅに較べてそのア
モルファス相の安定性が高い。
また、請求項１〜９における記録材料が４元以上の多元
材料であるため原子半径の違いによる原子移動の阻止効
果が強く、２元材料である５ｂ２Ｔθ３や３元材料であ
るＧｅ−３ｂ−Ｔｅに較べて活性化エネルギが大きくな
り、この点がらも上記記録材料層におけるアモルファス
相の安定性が更に高くなる。
材料であるため原子半径の違いによる原子移動の阻止効
果が強く、２元材料である５ｂ２Ｔθ３や３元材料であ
るＧｅ−３ｂ−Ｔｅに較べて活性化エネルギが大きくな
り、この点がらも上記記録材料層におけるアモルファス
相の安定性が更に高くなる。
第
２表
［実施例］
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
Ｏ第一実施例
この実施例に係る光記録媒体は、第１図に示ずように厚
さ １．２Ｍのアクリル製基板（１）と、この基板（１
）上に形成された厚さ１０００■の５ｉ０２製無機誘電
体Ｆ！！ （２）と、この無機誘電体層（２）上に形成
された厚さ１００ ｎａ＋の３ ｎ −８ｂ−Ｂｉ−Ｔ
ｅ製、又は、５ｎ−ｓｂ−３ｅ−１”ｅ製記録材料層（
３）と、この記録材料層（３）上に形成された厚ざｔｏ
ｏ ｒｖのＳｉＯ２製無機誘電体層（４）と、この無機
誘電体層（４）トに紫外線硬化樹脂製の接着層（５）を
介して形成された厚さ１．２ｅｍのアクリル製保護板（
６）とでイの主要部が構成されているものである。
さ １．２Ｍのアクリル製基板（１）と、この基板（１
）上に形成された厚さ１０００■の５ｉ０２製無機誘電
体Ｆ！！ （２）と、この無機誘電体層（２）上に形成
された厚さ１００ ｎａ＋の３ ｎ −８ｂ−Ｂｉ−Ｔ
ｅ製、又は、５ｎ−ｓｂ−３ｅ−１”ｅ製記録材料層（
３）と、この記録材料層（３）上に形成された厚ざｔｏ
ｏ ｒｖのＳｉＯ２製無機誘電体層（４）と、この無機
誘電体層（４）トに紫外線硬化樹脂製の接着層（５）を
介して形成された厚さ１．２ｅｍのアクリル製保護板（
６）とでイの主要部が構成されているものである。
ここで、上記光記録媒体における記録材料層〈３）は、
夫々（ＳｎＳｂ２Ｔｅ４）と（ＳｎＢ ｉ Ｔ ｅ
４） 、及び、（Ｓ ｒｌＳ ｂ ２ Ｔ ｅ ４）と
（Ｓｎｏｂ Ｔｅ４）の２の合金ターゲットを用いた
ＲＦマグネトロンスパッタリングにより形成され、夫々
の合金ターゲットへの投入ＲＦパワーを適宜調整し、光
記録媒体１については（ＳｎＳｂ２Ｔｅ４）と（ＳｎＢ
＋、、Ｔｅ４）とを４５：５５の割合で、また、光記
録媒体２については（ＳｎＳｂ２Ｔｅ４”）と（ＳｎＳ
ｂ２Ｔｅ４）とを７４：２６の割合で混合して第３表の
１〜２に示された組成を有する４元固溶体を得たもので
ある。
夫々（ＳｎＳｂ２Ｔｅ４）と（ＳｎＢ ｉ Ｔ ｅ
４） 、及び、（Ｓ ｒｌＳ ｂ ２ Ｔ ｅ ４）と
（Ｓｎｏｂ Ｔｅ４）の２の合金ターゲットを用いた
ＲＦマグネトロンスパッタリングにより形成され、夫々
の合金ターゲットへの投入ＲＦパワーを適宜調整し、光
記録媒体１については（ＳｎＳｂ２Ｔｅ４）と（ＳｎＢ
＋、、Ｔｅ４）とを４５：５５の割合で、また、光記
録媒体２については（ＳｎＳｂ２Ｔｅ４”）と（ＳｎＳ
ｂ２Ｔｅ４）とを７４：２６の割合で混合して第３表の
１〜２に示された組成を有する４元固溶体を得たもので
ある。
尚、第３表中の光記録媒体３〜５は比較例であり、３は
記録材料として３ｂ−Ｔｅを用いた第一実施例と同一構
造の光記録媒体、４は記録材料としてＧｅ−８ｂ−Ｔｅ
を用いた同一構造の光記録媒体、５は記録材料として５
ｎ−８ｂ−Ｔｅを用いた同一構造の光記録媒体である。
記録材料として３ｂ−Ｔｅを用いた第一実施例と同一構
造の光記録媒体、４は記録材料としてＧｅ−８ｂ−Ｔｅ
を用いた同一構造の光記録媒体、５は記録材料として５
ｎ−８ｂ−Ｔｅを用いた同一構造の光記録媒体である。
また、上記３においてはＳｂ Ｔｅ３の合金ターゲット
を１つ用いたＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
また、４はＳｂ Ｔｅ３とＧｅ■ｅの２の合金り一ゲッ
トを用い６７：３３の割合によるＲＦマグネトロンスパ
ッタリングにより、また、５は、Ｓｂ Ｔｅ３と５ｎＴ
ｅの２の合金ターゲットを用い５０ ： ５０の割合に
占るＲＦマグネトロンスバＩタリングにより夫々形成さ
れている。
を１つ用いたＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
また、４はＳｂ Ｔｅ３とＧｅ■ｅの２の合金り一ゲッ
トを用い６７：３３の割合によるＲＦマグネトロンスパ
ッタリングにより、また、５は、Ｓｂ Ｔｅ３と５ｎＴ
ｅの２の合金ターゲットを用い５０ ： ５０の割合に
占るＲＦマグネトロンスバＩタリングにより夫々形成さ
れている。
そして、これ等光記録媒体（１〜５）における光吸収は
可視から近赤外中にわたっており、少なくとも４００
ｎ１〜８６０ ｒｖの範囲で光記録媒体とじて使用可能
であった。
可視から近赤外中にわたっており、少なくとも４００
ｎ１〜８６０ ｒｖの範囲で光記録媒体とじて使用可能
であった。
そこで、波長８３０ ｎｍの半導体レーザを光源としで
使用したときの記録消去特性を第３表に示す。
使用したときの記録消去特性を第３表に示す。
第
表
ここで、第３表における評価基準は以下のようにしで行
った。
った。
すなわち、「結晶化時間Ｊについては１００ ｎｓで結
晶化可能な場合を○、不可能な場合を×で示した。
晶化可能な場合を○、不可能な場合を×で示した。
また、１安定性」については結晶化温度が１２０℃以下
のものを×で、１２０℃〜１６０℃のものをＯで、１６
０℃以上のものをＯで示した。
のものを×で、１２０℃〜１６０℃のものをＯで、１６
０℃以上のものをＯで示した。
そして、この第３表から明らかなように第一実施例に係
る光記録媒体（１〜２）については比較例における４と
較べて結晶化時間が短く、従来より高速で情報の記録消
去が可能となり、かつ、比較例における３〜５と較べて
結晶化温度が高くアモルファス相の安定性にも優れてい
た。
る光記録媒体（１〜２）については比較例における４と
較べて結晶化時間が短く、従来より高速で情報の記録消
去が可能となり、かつ、比較例における３〜５と較べて
結晶化温度が高くアモルファス相の安定性にも優れてい
た。
尚、１〜２における光記録媒体の記録材料は、擬２元系
状態図（第２図）に示された光記録媒体５における５ｎ
ｏｂ Ｔｅ４の構成元素であるｓｂ並びにＴｅを、互
いに全率固溶の関係にあるＢ１とＳｅにより部分置換し
て得られた構造を有する４元固溶体であり、置換前にお
ける光記録媒体５と比較してアモルファス相の安定性が
更に向上していることが確認できた。
状態図（第２図）に示された光記録媒体５における５ｎ
ｏｂ Ｔｅ４の構成元素であるｓｂ並びにＴｅを、互
いに全率固溶の関係にあるＢ１とＳｅにより部分置換し
て得られた構造を有する４元固溶体であり、置換前にお
ける光記録媒体５と比較してアモルファス相の安定性が
更に向上していることが確認できた。
◎第二実施例
この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＬ
１−８ｂ−３ｅ−Ｔｅで構成されている以外は第一実施
例に係る光記録媒体と路間−である。
１−８ｂ−３ｅ−Ｔｅで構成されている以外は第一実施
例に係る光記録媒体と路間−である。
尚、このＬ ＋−８ｂ−８ｅ−Ｔｅで示された記録材料
は、Ｌ ｊ ２５３ ｂ ２５３ ｅ ３ｏＴ ｅ ２
０の組成で示される４元固溶体のターゲットを１枚用い
たスパッタリングにより形成されている。
は、Ｌ ｊ ２５３ ｂ ２５３ ｅ ３ｏＴ ｅ ２
０の組成で示される４元固溶体のターゲットを１枚用い
たスパッタリングにより形成されている。
また、この４元固溶体は擬２元系状態図（第３図）に示
されたＬ ＋ Ｓ ｂ Ｓ ｅ ２の構成元素であるＳ
ｅを、互いに全率固溶の関係にある１”ｅにより部分置
換して得られた構造を有するものである。
されたＬ ＋ Ｓ ｂ Ｓ ｅ ２の構成元素であるＳ
ｅを、互いに全率固溶の関係にある１”ｅにより部分置
換して得られた構造を有するものである。
そして、この光記録媒体の記録消去特性を以下の第４表
に示す。
に示す。
Ｏ第三実施例
この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＡに
ｌ−１ｎ−Ｔｊ−Ｔｅ、及び、Ａｇ−ＩｎＴｌ−８ｅ−
Ｔｅで構成されている以外は第−実施例に係る光記録媒
体と路間−である。
ｌ−１ｎ−Ｔｊ−Ｔｅ、及び、Ａｇ−ＩｎＴｌ−８ｅ−
Ｔｅで構成されている以外は第−実施例に係る光記録媒
体と路間−である。
尚、上記ＡＱ−Ｉｎ−Ｔｊ−Ｔｅで示される光記録媒体
１の記録材料は、 （ｆ’１Ｔｅ）と（ＩｎＴｌと（ＴｌＴｓ）の３の合金
ターゲットを用いた同時スパッタリングにより形成され
、夫々、５０：４０：１０の割合に設定して得られた４
元固溶体である。
１の記録材料は、 （ｆ’１Ｔｅ）と（ＩｎＴｌと（ＴｌＴｓ）の３の合金
ターゲットを用いた同時スパッタリングにより形成され
、夫々、５０：４０：１０の割合に設定して得られた４
元固溶体である。
また、ＡＱ−１ｎ−Ｔｌ−３ｅ−Ｔｅ？示すしる光記録
媒体８の記録材料は、上記同様、（ＡｏＴｅ）と（Ｉｎ
Ｔｅ＞と（１−Ｉ Ｓ ｅ ）の３の合金ターゲットを
用いた同時スパッタリングにより形成され、夫々゛、５
０：４０：１０の割合に設定して得られた５元固溶体で
ある。
媒体８の記録材料は、上記同様、（ＡｏＴｅ）と（Ｉｎ
Ｔｅ＞と（１−Ｉ Ｓ ｅ ）の３の合金ターゲットを
用いた同時スパッタリングにより形成され、夫々゛、５
０：４０：１０の割合に設定して得られた５元固溶体で
ある。
尚、光記録媒体７の４元固溶体は、擬２元系状態図（第
４図）に示されたＡｇ■ｎＴｅ２の構成元素であるＩｎ
をＴｌにより部分置換して得られた構造を有するもので
あり、一方、光記録媒体８の５元固溶体は、擬２元系状
態図（第４図）に示された上記ＡａｌｎＴｅ２の構成元
素であるｉｎ並びにＴｅを、Ｔｌ及びＴｅと全率固溶の
関係にあるＳｅにより部分置換して得られた構造を有す
るものである。
４図）に示されたＡｇ■ｎＴｅ２の構成元素であるＩｎ
をＴｌにより部分置換して得られた構造を有するもので
あり、一方、光記録媒体８の５元固溶体は、擬２元系状
態図（第４図）に示された上記ＡａｌｎＴｅ２の構成元
素であるｉｎ並びにＴｅを、Ｔｌ及びＴｅと全率固溶の
関係にあるＳｅにより部分置換して得られた構造を有す
るものである。
そして、この光記録媒体の記録消去特性を以下の第４表
に示す。
に示す。
Ｏ第四実施例
この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＣｕ
−Ａｕ−８ｎ−８ｅで構成されている以外は第一実施例
に係る光記録媒体と路間−である。
−Ａｕ−８ｎ−８ｅで構成されている以外は第一実施例
に係る光記録媒体と路間−である。
尚、このＣｕ−Ａｕ−８ｎ−８ｅｔ’示される記録材料
は、Ｃｕ２□Ａｕ２５Ｓｎ１３Ｓｅ３７の組成で示され
る４元固溶体のターゲットを１枚用いたスパッタリング
により形成されている。
は、Ｃｕ２□Ａｕ２５Ｓｎ１３Ｓｅ３７の組成で示され
る４元固溶体のターゲットを１枚用いたスパッタリング
により形成されている。
また、この４元固溶体は擬２元系状態図（第５図）に示
されたＣＵ２ＳｎＳ０３の構成元素であるＣＵをＡＬＪ
により部分置換して得られた構造を有するものである。
されたＣＵ２ＳｎＳ０３の構成元素であるＣＵをＡＬＪ
により部分置換して得られた構造を有するものである。
そして、この光記録媒体の記録消去特性を以下の第４表
に示す。
に示す。
Ｏ第五実施例
この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＩ
ｎ−Ｇｅ−８ｅ−Ｔｅで構成されている以外は第−実施
例に係る光記録媒体と路間−である。
ｎ−Ｇｅ−８ｅ−Ｔｅで構成されている以外は第−実施
例に係る光記録媒体と路間−である。
尚、このＩ ｎ−Ｇｅ−５ｅ−Ｔｅで示さレル記録材料
は、Ｉ ｎ ２５Ｇ ｅ ２５８ ｅ １３Ｔ ｅ ３
７（７）組成で示される４元固溶体のターゲットを１枚
用いたスパッタリングにより形成されている。
は、Ｉ ｎ ２５Ｇ ｅ ２５８ ｅ １３Ｔ ｅ ３
７（７）組成で示される４元固溶体のターゲットを１枚
用いたスパッタリングにより形成されている。
また、この４元固溶体は擬２元系状態図（第６図）に示
されたＩｎＧｅＴｅ２の構成元素である１’ ｅを互い
に全率固溶の関係にあるＳｅにより部分置換して得られ
た構造を有するものである。
されたＩｎＧｅＴｅ２の構成元素である１’ ｅを互い
に全率固溶の関係にあるＳｅにより部分置換して得られ
た構造を有するものである。
そして、この光記録媒体の記録消去特性を以下の第４表
に示す。
に示す。
◎第六実施例
この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＧａ
−Ｔｌ−Ｇｅ−８ｅで構成されている以外は第一実施例
に係る光記録媒体と路間−である。
−Ｔｌ−Ｇｅ−８ｅで構成されている以外は第一実施例
に係る光記録媒体と路間−である。
尚、このＧａ−Ｔｊ−Ｇｅ−８ｓで示される記録材料は
、Ｇａ Ｔｊ Ｇｅ２ｏＳｅ６ｏの組成で示される４元
固溶体のターゲットを１枚用いたスパッタリングにより
形成されている。
、Ｇａ Ｔｊ Ｇｅ２ｏＳｅ６ｏの組成で示される４元
固溶体のターゲットを１枚用いたスパッタリングにより
形成されている。
また、この４元固溶体はＧａＧｅ５０３の構成元素であ
るＧａをＴｌにより部分置換して得られた構造を有する
ものである。
るＧａをＴｌにより部分置換して得られた構造を有する
ものである。
そして、この光記録媒体の記録消去特性を以下の第４表
に示す。
に示す。
Ｏ第七実施例
この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＩ
ｎ−Ｔｊ−８ｅ−Ｔｅで構成されている以外は第一実施
例に係る光記録媒体と路間−である。
ｎ−Ｔｊ−８ｅ−Ｔｅで構成されている以外は第一実施
例に係る光記録媒体と路間−である。
尚、このＩｎ−Ｔｊ−８ｅ−Ｔｅで示される記録材料は
、Ｉ ｎ ２ＳＴ １２５８ ｅ ３ｏＴ ｅ ２０の
組成で示される４元固溶体のターゲットを１枚用いたス
パッタリングにより形成されている。
、Ｉ ｎ ２ＳＴ １２５８ ｅ ３ｏＴ ｅ ２０の
組成で示される４元固溶体のターゲットを１枚用いたス
パッタリングにより形成されている。
また、この４元固溶体は擬２元系状態図（第７図）に示
されたＩｎＴｌＳｅ２の構成元素であるＳｅを互いに全
率固溶の関係にあるＴｅにより部分置換して得られた構
造を有するものである。
されたＩｎＴｌＳｅ２の構成元素であるＳｅを互いに全
率固溶の関係にあるＴｅにより部分置換して得られた構
造を有するものである。
そして、この光記録媒体の記録消去特性を以下の第４表
に示す。
に示す。
◎第八実施例
この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＩ
ｎ−８−８ｅ−Ｔｅで構成されている以外は第一実施例
に係る光記録媒体と路間−である。
ｎ−８−８ｅ−Ｔｅで構成されている以外は第一実施例
に係る光記録媒体と路間−である。
尚、このＩ ｎ−８−８ｅ−Ｔｅで示される記録材料は
、Ｉｎ４ｏＳ２ｏＳｅ１３Ｔｅ２□の組成で示され６４
元固溶体のターゲットを１枚用いたスパッタリングによ
り形成されている。
、Ｉｎ４ｏＳ２ｏＳｅ１３Ｔｅ２□の組成で示され６４
元固溶体のターゲットを１枚用いたスパッタリングによ
り形成されている。
また、この４元固溶体は擬２元系状態図（第８図）に示
されたＩｎ ５Ｔｅ２の構成元素である１− ｅを互い
に全率固溶の関係にあるＳｅにより部分置換して得られ
た構造を有するものである。
されたＩｎ ５Ｔｅ２の構成元素である１− ｅを互い
に全率固溶の関係にあるＳｅにより部分置換して得られ
た構造を有するものである。
そして、この光記録媒体の記録消去特性を以下の第４表
に示す。
に示す。
Ｏ第九実施例
この実１１１１ｇ４に係る光記録媒体は、その記録材料
層がＱａ−Ｔｊ−８ｎ−Ｔｅ１及び、Ｇａ−８ｎ−３ｅ
−Ｔｅで構成されている以外は第一実施例に係る光記録
媒体と路間−である。
層がＱａ−Ｔｊ−８ｎ−Ｔｅ１及び、Ｇａ−８ｎ−３ｅ
−Ｔｅで構成されている以外は第一実施例に係る光記録
媒体と路間−である。
尚、Ｇａ−Ｔｊ−３ｎ−Ｔｅｔ’示すレル光記録１１１
一体１４（７）記録材料は、Ｇａ２９Ｔ １５ Ｓ ｎ
８ｌ−ｅｓａの組成で示される４元固溶体のターゲット
を１枚用いたスパッタリングにより、また、Ｇａ−８ｎ
−３ｅ −１’ ｅで示される光記録媒体１５の記録材
料は、Ｇａ３４Ｓｎ８Ｓｅ１５Ｔｅ４３の組成で示され
る４元固溶体のターゲットを１枚用いたスパッタリング
により形成されている。
一体１４（７）記録材料は、Ｇａ２９Ｔ １５ Ｓ ｎ
８ｌ−ｅｓａの組成で示される４元固溶体のターゲット
を１枚用いたスパッタリングにより、また、Ｇａ−８ｎ
−３ｅ −１’ ｅで示される光記録媒体１５の記録材
料は、Ｇａ３４Ｓｎ８Ｓｅ１５Ｔｅ４３の組成で示され
る４元固溶体のターゲットを１枚用いたスパッタリング
により形成されている。
また、光記録媒体１４の４元固溶体は擬２元系状態図（
第９図）に示されたＧａ ５ｎＴｅ、の構成元素であ
るＧａをＴｌにより部分置換して得られた構造を有し、
また、光記録媒体１５の４元固溶体は擬２元系状態図（
第９図）に示されたＧａ４５ｎＴｅ７の構成元素である
Ｔｅ＠互いに全率固溶の関係にあるＳｅにより部分置換
して得られた構造を有するものである。
第９図）に示されたＧａ ５ｎＴｅ、の構成元素であ
るＧａをＴｌにより部分置換して得られた構造を有し、
また、光記録媒体１５の４元固溶体は擬２元系状態図（
第９図）に示されたＧａ４５ｎＴｅ７の構成元素である
Ｔｅ＠互いに全率固溶の関係にあるＳｅにより部分置換
して得られた構造を有するものである。
そして、この光記録媒体の記録消去特性を以下の第４表
に示す。
に示す。
Ｏ第十実施例
この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＰｂ
−Ｂ ｉ −８−８ｅ−Ｔｅｔ’構成されティる以外は
第−実ＩＭｆｐ４に係る光記録媒体と路間−である。
−Ｂ ｉ −８−８ｅ−Ｔｅｔ’構成されティる以外は
第−実ＩＭｆｐ４に係る光記録媒体と路間−である。
尚、上記Ｐｂ−Ｂ １−８−８ｅ−Ｔｅで示される光記
録媒体１６の記録材料は、（ＰｂＳｅ）と（Ｂｉ ８
ｅ３）と（Ｂ ｉ ２ Ｓ Ｔ ｅ ２ ）の３の合金
ターゲツトを用いた同時スパッタリングにより形成され
、夫々、３３：５１：１６の割合に設定して得られた５
元固溶体である。
録媒体１６の記録材料は、（ＰｂＳｅ）と（Ｂｉ ８
ｅ３）と（Ｂ ｉ ２ Ｓ Ｔ ｅ ２ ）の３の合金
ターゲツトを用いた同時スパッタリングにより形成され
、夫々、３３：５１：１６の割合に設定して得られた５
元固溶体である。
尚、光記録媒体１６の５元固溶体は、擬２元系状態図（
第１０図）に示されたＰｂＢ ｉ Ｓｅ７の構成元素
である１のＳｅを２のＳとＴｅにより部分置換して得ら
れた構造を有するものである。
第１０図）に示されたＰｂＢ ｉ Ｓｅ７の構成元素
である１のＳｅを２のＳとＴｅにより部分置換して得ら
れた構造を有するものである。
そして、この光記録媒体の記録消去特性を以下の第４表
に示す。
に示す。
第
表
◎第十−実施例
この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＣｕ
−Ｔｊ−８ｂ−８ｅで構成されている以外は第一実施例
に係る光記録媒体と路間−である。
−Ｔｊ−８ｂ−８ｅで構成されている以外は第一実施例
に係る光記録媒体と路間−である。
尚、このＣｕ−丁ｊ−３ｂ−８ｅで示される記録材料は
、ＣＵ２ｏＴｊ５Ｓｂ２５Ｓｅ５ｏの組成で示される４
元固溶体のターゲットを１枚用いたスパッタリングによ
り形成されている。
、ＣＵ２ｏＴｊ５Ｓｂ２５Ｓｅ５ｏの組成で示される４
元固溶体のターゲットを１枚用いたスパッタリングによ
り形成されている。
また、この４元固溶体は擬２元系状態図（第１１図）に
示されたＣｕ５ｂＳ０２の構成元素であるＩｂ族のＣｕ
をｌｌＩｂ族のＴｌにより部分Ｗ１換して得られた構造
を有するものである。
示されたＣｕ５ｂＳ０２の構成元素であるＩｂ族のＣｕ
をｌｌＩｂ族のＴｌにより部分Ｗ１換して得られた構造
を有するものである。
そして、この光記録媒体の記録消去特性を以下の第４表
に示ず。
に示ず。
上記第４表より明らかなようＫ、第二実施例〜第十−実
施例に係る光記録媒体（６〜１７）は、第３表において
示した第一実施例に係る光記録媒体（１〜２）と同様、
比較例と較べて結晶化時間が短〈従来より高速で情報の
記録消去が可能で、しかも、結晶化温度が高くアモルフ
ァス相の安定性にも優れていた。
施例に係る光記録媒体（６〜１７）は、第３表において
示した第一実施例に係る光記録媒体（１〜２）と同様、
比較例と較べて結晶化時間が短〈従来より高速で情報の
記録消去が可能で、しかも、結晶化温度が高くアモルフ
ァス相の安定性にも優れていた。
尚、第三実施例に係る光記録媒体１及び８の４元固溶体
と５元固溶体は、共に擬２元系状態図（第４図）に示さ
れたＡａ Ｉ ｎＴｅ、、の構成元系であるｉｎをＴｊ
により部分置換して得られた構造を具備しており、上記
Ｔｌの作用により結晶化速度が更に速まる利点を有して
いた。
と５元固溶体は、共に擬２元系状態図（第４図）に示さ
れたＡａ Ｉ ｎＴｅ、、の構成元系であるｉｎをＴｊ
により部分置換して得られた構造を具備しており、上記
Ｔｌの作用により結晶化速度が更に速まる利点を有して
いた。
同様Ｋ、第六実施例に係る光記録媒体１１、第九実施例
に係る光記録媒体１４、及び、第十−実施例に係る光記
録媒体１７の４元固溶体についても、１１についてはＧ
ａＧｅ５０３の構成元素であるＱａをＴｌにより、１４
についてはＧａ４５ｎＴｅ７の構成元素であるＧａをＴ
ｊにより、また、１７についてはＣｕ５ｂＳｅ２の構成
元素であるＣＵをＴｌにより部分置換して得られた構造
を具備しており、夫々、結晶化速度が更に速まる利点を
有していた。
に係る光記録媒体１４、及び、第十−実施例に係る光記
録媒体１７の４元固溶体についても、１１についてはＧ
ａＧｅ５０３の構成元素であるＱａをＴｌにより、１４
についてはＧａ４５ｎＴｅ７の構成元素であるＧａをＴ
ｊにより、また、１７についてはＣｕ５ｂＳｅ２の構成
元素であるＣＵをＴｌにより部分置換して得られた構造
を具備しており、夫々、結晶化速度が更に速まる利点を
有していた。
［発明の効果］
以上のように請求項１に係る発明によれば、上記記録材
料層を構成する記録材料がＳｎ、又はＰｂから選択され
るＩＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ、又はＴｅから選択されるＶ
Ｉｂ族元素から成りその化学゛・式がＩＶｂ ＶＩｂで
表現されるＩＶｂＶｌゎ型の化学量論的化合物と、Ｓｂ
、Ｂｉ、又はＡｓから選択されるＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ
又はＴｅから選択される■、族元素から成りその化学式
がＶｂ２”ｂ３で表現されるＶｂ２ＶＩｂ３型の化学量
論的化合物との混合体に相当する組成を有する化学量論
的３元化合物の結晶構造を具備しており、 また、請求項２に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、Ｌ ｉ Ｎ Ｎ ａ 、Ｋ、Ｒｂ、
Ｃｓ、Ｃｕ５ＡＱ１又はＡｕから選択される■族元素と
５Ｓｓｅ、又はＴｅから選択される■、族元素から成り
その化学式がＩ、 ＶＩｂで表現される：ｒ２ｖｉ、型
の化学量論的化合物と、Ａｓ。
料層を構成する記録材料がＳｎ、又はＰｂから選択され
るＩＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ、又はＴｅから選択されるＶ
Ｉｂ族元素から成りその化学゛・式がＩＶｂ ＶＩｂで
表現されるＩＶｂＶｌゎ型の化学量論的化合物と、Ｓｂ
、Ｂｉ、又はＡｓから選択されるＶｂ族元素とＳ、Ｓｅ
又はＴｅから選択される■、族元素から成りその化学式
がＶｂ２”ｂ３で表現されるＶｂ２ＶＩｂ３型の化学量
論的化合物との混合体に相当する組成を有する化学量論
的３元化合物の結晶構造を具備しており、 また、請求項２に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、Ｌ ｉ Ｎ Ｎ ａ 、Ｋ、Ｒｂ、
Ｃｓ、Ｃｕ５ＡＱ１又はＡｕから選択される■族元素と
５Ｓｓｅ、又はＴｅから選択される■、族元素から成り
その化学式がＩ、 ＶＩｂで表現される：ｒ２ｖｉ、型
の化学量論的化合物と、Ａｓ。
ｓｂ又はＢ ｉから選択されるＶｂ族元素と、５１Ｓｅ
又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素から成り、その化
学式がＶｂ２ＶＩｂ３で表現されるＶｂ２■■ｂ３型の
化学量論的化合物との混合体に相当する組成を有する化
学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、一方、請求項
３に係る発明によれば上記記録材料層を構成する記録材
料が、上記Ｉ２ＶＩｂ型の化学量論的化合物と、Ｇａ、
Ｉｎ又はＴｌから選択されるＩＩＩｂ族元素と、Ｓ、Ｓ
ｅｌ又はＴｅから選択されるＶｌ 族元素から成り、
その化学式が”ｂ２Ｖｌ で表現されるＩＩＩｂ２Ｖ
Ｉｂ３型の化学量論的化合物との混合体に相当する組成
を有する化学量論的３元化合物のｔ晶構造を具備し、更
Ｋ、請求項４に係る発明によれば上記記録材料層を構成
する記録材料が、上記Ｉ２ＶＩｂ型の化学量論的化合物
と、Ｇｅ、Ｓｎ又はＰｂから選択されるＩＶｂ族元素と
、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅから選択される■ 族元素から成
り、その化学式がＩＶ。
又はＴｅから選択されるＶＩｂ族元素から成り、その化
学式がＶｂ２ＶＩｂ３で表現されるＶｂ２■■ｂ３型の
化学量論的化合物との混合体に相当する組成を有する化
学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、一方、請求項
３に係る発明によれば上記記録材料層を構成する記録材
料が、上記Ｉ２ＶＩｂ型の化学量論的化合物と、Ｇａ、
Ｉｎ又はＴｌから選択されるＩＩＩｂ族元素と、Ｓ、Ｓ
ｅｌ又はＴｅから選択されるＶｌ 族元素から成り、
その化学式が”ｂ２Ｖｌ で表現されるＩＩＩｂ２Ｖ
Ｉｂ３型の化学量論的化合物との混合体に相当する組成
を有する化学量論的３元化合物のｔ晶構造を具備し、更
Ｋ、請求項４に係る発明によれば上記記録材料層を構成
する記録材料が、上記Ｉ２ＶＩｂ型の化学量論的化合物
と、Ｇｅ、Ｓｎ又はＰｂから選択されるＩＶｂ族元素と
、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅから選択される■ 族元素から成
り、その化学式がＩＶ。
■ で表現されるＩＶｂＶＩｂ２型の化学量論的化合物
との混合体に相当する組成を有する化学量論的３元化合
物の結晶構造を具備しており、 また、請求項５に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、Ｇａ、Ｉｎ又はＴｌから選択される
■、族元素とＳ、Ｓｅ、又はＴｅから選択される■、族
元素から成りその化学式がｍ、 ＶＩｂで表現されるＩ
ＩＩ、ｖｔ、型の化学量論的化合物と、（３ｅ、３ｎ又
はＰｂから選択されるＩＶｂ族元素とＳ、Ｓｅｌ又はＴ
ｅから選択される■■ｂ族元素から成りその化学式がｆ
Ｖ、ＶＩｂで表現されるＩＶｂＶｌゎ型の化学口論的化
合物との混合体に相当する組成を有する化学量論的３元
化合物の結晶構造を具備し、 一方、請求項６に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、上記ＩＩＩ、 ＶＩｂ型の化学量論
的化合物と、ＱｅＳ３ｎ、又はＰｂから選択されるＩＶ
ｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅから選択される■、族
族元から成りその化学式がＩｖゎＶｌ で表現される
ＩＶｂＶＩｂ２型の化学量論的化合物との混合体に相当
する組成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具
備し、 更Ｋ、請求項７に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、２種類のＩＩＩｂＶＩｂ型化常噛論
的化合物をａ合した混合体に相当視る組成を有する化学
量論的３元化合物の結晶構造を具備しており、 また、請求項８に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、Ｇａ、ｉｎ又はＴｌから選択される
ＩＩＩｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択される■
■ｂ／Ａ元素から成りその化学式が１１１ｂ２ＶＩｂ３
’ｒ表現される２種類の” ｂ２ＶＩｂ３型化学鯖論的
化合物を混合した混合体に相当する組成を右づる化学量
論的３元化合物の結晶構造を具備し、一方、請求項９に
係る発明によれば上記記録材料層を構成する記録材料が
、上記ＩＩＩｂ２”ｂ３型の化学４論的化合物と、Ｇｅ
、３ｎ、又はＰｂから選択されるＩＶｂ族元素とＳ、Ｓ
ｅ又はＴｅから選択されるＶＩｂ族兄素から成りその化
学式がＩＶｂＶＩｂで表現されるＩＶｂＶＩゎ型の化学
量論的化合物との混合体に相当する組成を有する化学量
論的３元化合物の結晶構造を具備しているため、記録材
料層の結晶化速度が速まると共に記録材料層におけるア
モルファス相の安定性も高くなる。
との混合体に相当する組成を有する化学量論的３元化合
物の結晶構造を具備しており、 また、請求項５に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、Ｇａ、Ｉｎ又はＴｌから選択される
■、族元素とＳ、Ｓｅ、又はＴｅから選択される■、族
元素から成りその化学式がｍ、 ＶＩｂで表現されるＩ
ＩＩ、ｖｔ、型の化学量論的化合物と、（３ｅ、３ｎ又
はＰｂから選択されるＩＶｂ族元素とＳ、Ｓｅｌ又はＴ
ｅから選択される■■ｂ族元素から成りその化学式がｆ
Ｖ、ＶＩｂで表現されるＩＶｂＶｌゎ型の化学口論的化
合物との混合体に相当する組成を有する化学量論的３元
化合物の結晶構造を具備し、 一方、請求項６に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、上記ＩＩＩ、 ＶＩｂ型の化学量論
的化合物と、ＱｅＳ３ｎ、又はＰｂから選択されるＩＶ
ｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ、又はＴｅから選択される■、族
族元から成りその化学式がＩｖゎＶｌ で表現される
ＩＶｂＶＩｂ２型の化学量論的化合物との混合体に相当
する組成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具
備し、 更Ｋ、請求項７に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、２種類のＩＩＩｂＶＩｂ型化常噛論
的化合物をａ合した混合体に相当視る組成を有する化学
量論的３元化合物の結晶構造を具備しており、 また、請求項８に係る発明によれば上記記録材料層を構
成する記録材料が、Ｇａ、ｉｎ又はＴｌから選択される
ＩＩＩｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択される■
■ｂ／Ａ元素から成りその化学式が１１１ｂ２ＶＩｂ３
’ｒ表現される２種類の” ｂ２ＶＩｂ３型化学鯖論的
化合物を混合した混合体に相当する組成を右づる化学量
論的３元化合物の結晶構造を具備し、一方、請求項９に
係る発明によれば上記記録材料層を構成する記録材料が
、上記ＩＩＩｂ２”ｂ３型の化学４論的化合物と、Ｇｅ
、３ｎ、又はＰｂから選択されるＩＶｂ族元素とＳ、Ｓ
ｅ又はＴｅから選択されるＶＩｂ族兄素から成りその化
学式がＩＶｂＶＩｂで表現されるＩＶｂＶＩゎ型の化学
量論的化合物との混合体に相当する組成を有する化学量
論的３元化合物の結晶構造を具備しているため、記録材
料層の結晶化速度が速まると共に記録材料層におけるア
モルファス相の安定性も高くなる。
また、請求項１〜９に係わる発明において上記記録材料
層を構成する記録材料が、化学５１論的３元化合物の３
の構成元素の少なくとも−を他の元素により部分的に置
換させた４元以上の固溶体にて構成されているため、記
録材料層におけるアモルファス相の安定性を更に高める
ことが可能となる。
層を構成する記録材料が、化学５１論的３元化合物の３
の構成元素の少なくとも−を他の元素により部分的に置
換させた４元以上の固溶体にて構成されているため、記
録材料層におけるアモルファス相の安定性を更に高める
ことが可能となる。
従って、高速での書換が可能であるという効果を有して
いると共Ｋ、長期に亘って記録情報を確実に保持できる
効果を有している。
いると共Ｋ、長期に亘って記録情報を確実に保持できる
効果を有している。
更Ｋ、請求項１〜９に係わる発明の記録材料層を構成す
る記録材料が、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、
可視及び近赤外光に対し光吸収があるため、広く利用さ
れている半導体レーザ等が使用できる効果を右している
。
る記録材料が、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、
可視及び近赤外光に対し光吸収があるため、広く利用さ
れている半導体レーザ等が使用できる効果を右している
。
また、請求項１０に係わる発明によれば、化学量論的３
元化合物の「置換される元素」と「置換する他の元素」
とがηいに全率固溶の関係にあり、ｌ記置換に伴う結晶
構造の歪みが比較的小さく置換前における化学量論的３
元化合物の結晶＃ｌ造が変化し難いため、置換〃１合を
広い範囲で設定できる効果を有している。
元化合物の「置換される元素」と「置換する他の元素」
とがηいに全率固溶の関係にあり、ｌ記置換に伴う結晶
構造の歪みが比較的小さく置換前における化学量論的３
元化合物の結晶＃ｌ造が変化し難いため、置換〃１合を
広い範囲で設定できる効果を有している。
史Ｋ、請求項１１に係わる発明によれば、化学Ｍ１１０
０化合物の構成元素を置換する他の元素がｌｌＩｂ族の
丁！にて構成され、得られる４元以上の固溶体にお１フ
る結晶化速度が更に速まるため、書換速度がより向−卜
する効果を有している。
０化合物の構成元素を置換する他の元素がｌｌＩｂ族の
丁！にて構成され、得られる４元以上の固溶体にお１フ
る結晶化速度が更に速まるため、書換速度がより向−卜
する効果を有している。
第１図は実施例に係る光記録媒体の層構成を示？１ｌＩ
ｉ面図、また、第２図〜第１１図は第一実施例〜第五実
施例、及び、第七実施例〜第十−実施例において使用さ
れた記録材料の置換前における化学１−１論的３元化合
物の擬２元系状態図を夫々示している。 ［符号説明］ （１）・・・基板 （２＞（４）・・・無機誘電体層 （３）・・・記録材料層 （５）・・・接着層 （６）・・・保護板 特 許 出 願 人 富士ゼロックス株式会社代 理
人 弁理上 中 村 智 廣 （外２名
）第 図 ｎＴｅ 恥 ８０ Ｓｂ、Ｔｅ。 第４ 図 ｍｏｌ 、 ’ｆ・ 第３図 第５ 因 ｎＳｅ２ ｍｏｌ、／・ ｕ２Ｓｅ 第６図 ＩｎＧｅＴｅ。 ｅＴｅ 印 帥 ｎＴｅ ｍｏｌ、”ム 第８図 ｎ２Ｓ３ ｍｏｌ、”／・ ｎ２Ｔｅ３ 弔 図 ｆｆ１Ｓｅ ｎＳｅ 第９図 ｍｏｌ、’／ｅ ０Ｃ 第１０ 図 第１１図
ｉ面図、また、第２図〜第１１図は第一実施例〜第五実
施例、及び、第七実施例〜第十−実施例において使用さ
れた記録材料の置換前における化学１−１論的３元化合
物の擬２元系状態図を夫々示している。 ［符号説明］ （１）・・・基板 （２＞（４）・・・無機誘電体層 （３）・・・記録材料層 （５）・・・接着層 （６）・・・保護板 特 許 出 願 人 富士ゼロックス株式会社代 理
人 弁理上 中 村 智 廣 （外２名
）第 図 ｎＴｅ 恥 ８０ Ｓｂ、Ｔｅ。 第４ 図 ｍｏｌ 、 ’ｆ・ 第３図 第５ 因 ｎＳｅ２ ｍｏｌ、／・ ｕ２Ｓｅ 第６図 ＩｎＧｅＴｅ。 ｅＴｅ 印 帥 ｎＴｅ ｍｏｌ、”ム 第８図 ｎ２Ｓ３ ｍｏｌ、”／・ ｎ２Ｔｅ３ 弔 図 ｆｆ１Ｓｅ ｎＳｅ 第９図 ｍｏｌ、’／ｅ ０Ｃ 第１０ 図 第１１図
Claims (11)
- （１）光、熱等の手段によつてその光学的性質が可逆的
に変化する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体に
おいて、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｓｎ又は
Ｐｂから選択されるIV＿ｂ族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅか
ら選択されるVI＿ｂ族元素から成りその化学式がIV＿ｂ
VI＿ｂで表現されるIV＿ｂVI＿ｂ型の化学量論的化合物
と、Ｓｂ、Ｂｉ、又はＡｓから選択されるＶ＿ｂ族元素
とＳ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるVI＿ｂ族元素から成
りその化学式がＶ＿ｂ＿２VI＿ｂ＿３で表現されるＶ＿
ｂ＿２VI＿ｂ＿３型の化学量論的化合物との混合体に相
当する組成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を
具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一が、上記各族の元素及びIV＿ｂ族のＳｉ、Ｇｅから選
択された他の元素により部分的に置換された４元以上の
固溶体にて構成されていることを特徴とする光記録媒体
。 - （２）光、熱等の手段によつてその光学的性質が可逆的
に変化する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体に
おいて、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｌｉ、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｕから選択さ
れる I 族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるVI＿
ｂ族元素から成りその化学式が I ＿２VI＿ｂで表現さ
れる I ＿２VI＿ｂ型の化学量論的化合物と、Ａｓ、Ｓ
ｂ又はＢｉから選択されるＶ＿ｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ又
はＴｅから選択されるVI＿ｂ族元素から成り、その化学
式がＶ＿ｂ＿２VI＿ｂ＿３で表現されるＶ＿ｂ＿２VI＿
ｂ＿３型の化学量論的化合物との混合体に相当する組成
を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素から選択された他の元素に
より部分的に置換された４元以上の固溶体にて構成され
ていることを特徴とする光記録媒体。 - （３）光、熱等の手段によつてその光学的性質が可逆的
に変化する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体に
おいて、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｌｉ、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｕから選択さ
れる I 族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるVI＿
ｂ族元素から成りその化学式が I ＿２VI＿ｂで表現さ
れる I ＿２VI＿ｂ型の化学量論的化合物と、Ｇａ、Ｉ
ｎ又はＴｌから選択されるIII＿ｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ
又はＴｅから選択されるVI＿ｂ族元素から成り、その化
学式がIII＿ｂ＿２VI＿ｂ＿３で表現されるIII＿ｂ＿２
VI＿ｂ＿３型の化学量論的化合物との混合体に相当する
組成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し
、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素及びIII＿ｂ族のＡｌから
選択された他の元素により部分的に置換された４元以上
の固溶体にて構成されていることを特徴とする光記録媒
体。 - （４）光、熱等の手段によつてその光学的性質が可逆的
に変化する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体に
おいて、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｌｉ、Ｎ
ａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｕから選択さ
れる I 族元素とＳ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるVI＿
ｂ族元素から成りその化学式が I ＿２VI＿ｂで表現さ
れる I ＿２VI＿ｂ型の化学量論的化合物と、Ｇｅ、Ｓ
ｎ又はＰｂから選択されるIV＿ｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ又
はＴｅから選択されるVI＿ｂ族元素から成り、その化学
式がIV＿ｂVI＿ｂ＿２で表現されるIV＿ｂVI＿ｂ＿２型
の化学量論的化合物との混合体に相当する組成を有する
化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素及びIV＿ｂ族のＳｉから選
択された他の元素により部分的に置換された４元以上の
固溶体にて構成されていることを特徴とする光記録媒体
。 - （５）光、熱等の手段によってその光学的性質が可逆的
に変化する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体に
おいて、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、又はＴｌから選択されるIII＿ｂ族元素とＳ、Ｓｅ
又はＴｅから選択されるVI＿ｂ族元素から成りその化学
式がIII＿ｂVI＿ｂで表現されるIII＿ｂVI＿ｂ型の化学
量論的化合物と、Ｇｅ、Ｓｎ、又はＰｂから選択される
IV＿ｂ族元素とＳ、Ｓｅ、又はＴｅから選択されるVI＿
ｂ族元素から成りその化学式がIV＿ｂVI＿ｂで表現され
るIV＿ｂVI＿ｂ型の化学量論的化合物との混合体に相当
する組成を有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具
備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素、III＿ｂ族のＡｌ、及び
IV＿ｂ族のＳｉから選択された他の元素により部分的に
置換された４元以上の固溶体にて構成されていることを
特徴とする光記録媒体。 - （６）光、熱等の手段によつてその光学的性質が可逆的
に変化する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体に
おいて、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、又はＴｌから選択されるIII＿ｂ族元素とＳ、Ｓｅ
又はＴｅから選択されるVI＿ｂ族元素から成りその化学
式がIII＿ｂVI＿ｂで表現されるIII＿ｂVI＿ｂ型の化学
量論的化合物と、Ｇｅ、Ｓｎ、又はＰｂから選択される
IV＿ｂ族元素と、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅから選択されるVI＿
ｂ族元素から成り、その化学式がIV＿ｂVI＿ｂ＿２で表
現されるIV＿ｂVI＿ｂ＿２型の化学量論的化合物との混
合体に相当する組成を有する化学量論的３元化合物の結
晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素、III＿ｂ族のＡｌ、及び
IV＿ｂ族のＳｉから選択された他の元素により部分的に
置換された４元以上の固溶体にて構成されていることを
特徴とする光記録媒体。 - （７）光、熱等の手段によつてその光学的性質が可逆的
に変化する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体に
おいて、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、又はＴｌから選択されるIII＿ｂ族元素とＳ、Ｓｅ
又はＴｅから選択されるVI＿ｂ族元素から成りその化学
式がIII＿ｂVI＿ｂで表現される２種類のIII＿ｂVI＿ｂ
型化学量論的化合物を混合した混合体に相当する組成を
有する化学量論的３元化合物の結晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素及びIII＿ｂ族のＡｌから
選択された他の元素により部分的に置換された４元以上
の固溶体にて構成されていることを特徴とする光記録媒
体。 - （８）光、熱等の手段によつてその光学的性質が可逆的
に変化する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体に
おいて、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、又はＴｌから選択されるIII＿ｂ族元素と、Ｓ、Ｓ
ｅ又はＴｅから選択されるVI＿ｂ族元素から成りその化
学式がIII＿ｂ＿２VI＿ｂ＿３で表現される２種類のII
I＿ｂ＿２VI＿ｂ＿３型化学量論的化合物を混合した混
合体に相当する組成を有する化学量論的３元化合物の結
晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素及びIII＿ｂ族のＡｌから
選択された他の元素により部分的に置換された４元以上
の固溶体にて構成されていることを特徴とする光記録媒
体。 - （９）光、熱等の手段によってその光学的性質が可逆的
に変化する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体に
おいて、 上記記録材料が、 Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み、かつ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、又はＴｌから選択されるIII＿ｂ族元素とＳ、Ｓｅ
又はＴｅから選択されるVI＿ｂ族元素か ら成りその化
学式がIII＿ｂ＿２VI＿ｂ＿３で表現されるIII＿ｂ＿２
VI＿ｂ＿３型の化学量論的化合物と、Ｇｅ、Ｓｎ、又は
Ｐｂから選択されるIV＿ｂ族元素とＳ、Ｓｅ、又はＴｅ
から選択されるVI＿ｂ族元素から成りその化学式がIV＿
ｂVI＿ｂで表現されるIV＿ｂVI＿ｂ型の化学量論的化合
物との混合体に相当する組成を有する化学量論的３元化
合物の結晶構造を具備し、 この化学量論的３元化合物の３の構成元素の少なくとも
一の元素が、上記各族の元素、III＿ｂ族のＡｌ、及び
IV＿ｂ族のＳｉから選択された他の元素により部分的に
置換された４元以上の固溶体にて構成されていることを
特徴とする光記録媒体。 - （１０）上記化学量論的３元化合物の置換される元素と
置換する他の元素とが、互いに全率固溶の関係にあるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第９項記載の
光記録媒体。 - （１１）上記化学量論的３元化合物の構成元素を置換す
る他の元素が、III＿ｂ族のＴｌであることを特徴とす
る特許請求の範囲第３項、第５項乃至第９項記載の光記
録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1076637A JPH02255378A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 光記録媒体 |
| DE1990623786 DE69023786T2 (de) | 1989-03-17 | 1990-03-16 | Optischer Aufzeichnungsträger. |
| EP90105008A EP0387898B1 (en) | 1989-03-17 | 1990-03-16 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1076637A JPH02255378A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02255378A true JPH02255378A (ja) | 1990-10-16 |
Family
ID=13610893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1076637A Pending JPH02255378A (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-30 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02255378A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11145810B2 (en) | 2019-03-20 | 2021-10-12 | Toshiba Memory Corporation | Memory device |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1076637A patent/JPH02255378A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11145810B2 (en) | 2019-03-20 | 2021-10-12 | Toshiba Memory Corporation | Memory device |
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