JPH02243389A

JPH02243389A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH02243389A
Application number: JP1063445A
Authority: JP
Inventors: Hideo Kobayashi; 英夫小林; Osamu Ueno; 修上野; Kiichi Kamiyanagi; 喜一上柳
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1989-03-17
Filing date: 1989-03-17
Publication date: 1990-09-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、レーザ光等の集束光を照射してその照射部位
の光学的性質を変化させ、その光学的変化を利用して情
報の記録・再生・消去を行う書換可能な光記録媒体に係
わり、特に、情報の書換操作を高速で行うことができ、
しかも、長期に亘って記録情報を保持できる光記録媒体
の改良に関するものである。

［従来の技術Ｊ従来、レーザ光等を利用して情報を記録する書換可能な
光記録媒体としては光磁気記録媒体があり、一部で実用
化されている。この方式は光エネルギと磁界により記録
材料層の磁化を反転させて記録し、磁化方向によるファ
ラデー回転角あるいはカー回転角の違いを検出して再生
信号を得る方式である。しかし、この方式においては少
なくとも１セクタ一以内で書換を行うための実用的な方
法が無いため、限られた分野に応用されているに過ぎな
いものであった。

一方、書換可能なもう一つの光記録媒体としては結晶−
アモルファス間の相変化を利用する、所謂、相変化型光
記録媒体が研究途上にある。この方式においては２つの
光ビームを用いて１セクタ一以内での書換（すなわち、
記録されている情報を先行ビームで消去した後、次のビ
ームで記録を行う）ができるほか、結晶化時間の短い記
録材料を適用した記録媒体の場合には１つの光ビームに
よるオーバーライド（同時書換）が可能となるため、様
々な分野において応用が可能となる利点を有している。

そして、この種の相変化型光記録媒体に適用される記録
材料として、従来、二元化合物であるＳｂ　Ｔｅ３、及
び三元組成物であるＧｅ−８ｂ−Ｔｅ　［特開昭６３−
２２５９３４号公報］等カ提案すしており、これ等記録
材料層の上に半導体レーザ等の集束光を照射し、溶融後
、急冷することでアモルファス相を形成し、通常、これ
を記録状態に対応させる一方、消去に際しては記録時に
較べて低いパワーの集束光を照射し、結晶化温度に一定
時間保つことで結晶相に戻すという方法で行われている
。

［発明が解決しようとする課題］ところで、この相変化型光記録媒体に適用される記録材
料は、光学系の簡素化あるいは転送速度の向上を図る観
点からその結晶化時間が短いものが好ましく、かつ、記
録された情報を長期に亘って保持させる観点からそのア
モルファス相における安定性が高いものが好ましかった
。

しかしながら、上記Ｓｂ　Ｔｅ３で構成される従来の記
録材料は、その結晶化時間が短く−の要件は具備するも
ののアモルファス相の安定性が不十分のため長期に亘っ
て記録情報を保持できない問題点があった。

一方、特開昭６３−２２５９３４号公報に開示されてい
るＧｅ−８ｂ−７ｅは、上記５ｂ２Ｔｅａにアモルファ
ス相の安定性は高いが結晶化時間の長いＧｅＴｅを混合
して合成され、ｓ　ｂ　２　Ｔ　ｅ　３とＧｅＴｅとの
中間的な性質を具備させて転送速度の向上と記録情報の
保存安定性を図ったものであるが、ＧｅＴｅを混合した
分だけその結晶化時間がＳｂ２Ｔｅ３より長くなるため
、充分な転送速度を得られない問題点があった。

［Ｗ４題を解決するための手段１本発明は以上の問題点に着目されてなされたもので、そ
の課題とするところは、アモルファス相における安定性
とその結晶化時間の短縮を図ることにより、情報の書換
操作を高速で行うことができると共に長期に亘って記録
情報を保持できる光記録媒体を提供することにある。

すなわち本発明は、光、熱等の手段によってその光学的
性質が可逆的に変化する記録材料層を基板上に備え、そ
の光学的変化を利用して情報の記録・再生・消去を行う
光記録媒体を前提とし、上記記録材料が、０８％　ｉｎ
、又はＴｌの■ｂ族族元と、ＱｅｌＳｎ、又はＰｂのＩ
Ｖｂ族元素と、Ａｓｑ　Ｓｂ、又ハ８　ｉ　（ｉ’ｌ　
Ｖ　ｂ族元素、及ヒ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅのＶｌｂ族元素
から選択された３以上の元素を有し、その構成元素にＳ
ｅ又はＴｅの少なくとも一方を含んでいると共に、同一
の晶系を有する複数の元素、若しくは化学量論的化合物
により合成された固溶体にて構成されていることを特徴
とするものである。

尚、上記ｍ、　、ｒｖ、　、ｖ、　、並びに■、は周期
表の族番号を示している。

このような技術的手段において上記晶系とは、結晶の単
位空間格子を軸角、軸長により７種類の晶系、すなわち
、三斜晶系（ｔｒｉｃｌｉｎｉｃ　）　、立方晶系（ｃ
ｕｂｉｃ　）　、正方晶系（ｔｅｉｔｒａｇＯｎａ＋）
　、菱面体晶系（ｒｈｏｎ＋ｂｏｈｅｄｏｒａｌ　）　
、斜方晶系（ｏｒｔｈｏｒｏｓｂｉｃ　）　、六方晶系
（ｈｅＸａｏｏｎａ＋　）　、及び、単斜晶系（１ｏｎ
ｏｃ＋＋ｎ＋ｃ）に分類したものである。また、５ｔｒ
ｕｋｔｕｒｂｅｒｒｃハ【　（シュトウルクトウア　ベ
リヒト）による分類とは、上記・・・二よる分類に加え
て化合物の結合状態を考慮した結晶構造の分類に係わり
、その内容は、Ａタイプ（元素）がＡ１〜Ａ２０、Ｂタ
イプ〈化合物ＸＹ）が８１〜Ｂ３７、Ｃタイプ（化合物
ＸＹ、、）が０１〜Ｃ５４、Ｄタイプ（Ｘ、Ｙ、’）が
Ｄ０２〜Ｄ８１１、及び、Ｈｌ　、し１〜Ｌ２２等に分
類されているものである。

ここで、上記Ｑａ、）ｎ、又はＴｌの■、族元素、Ｑｅ
、　Ｓｎ、又はＰｂのＩＶｂ族元素、Ａｓ。

ｓｂ、又は３ｉのｖｂ族元素、ｓ、ｓｅ又はＴｅのＶｌ
　、族元素及び、これ等元素から構成される化学量論的
化合物を晶系により分類すると第１表に示す通りである
。

尚、各元素、又は化学」論的化合物のカッコ内の記号は
ｓｔｒｕｋｔｕｒｂｅｒｉｃｈｔによる分類記号である
。

そして、同一の晶系を有する複数の元素、若しくは化学
量論的化合物により合成される固溶体としては、Ｓｅ又
はＴｅを含み晶系が同一の３以上の単一元素を混合して
合成される３元若しくはこれ以上の多元固溶体や、Ｓｅ
又はＴｅを含み晶系が同一の単一元素と２元化合物とを
混合して合成される３元若しくはこれ以上の多元固溶体
、Ｓｅ又はＴｅを含み晶系が同一の単一元素と３元化合
物とを混合して合成される３元若しくはこれ以上の多元
固溶体、あるいは、Ｓｅ又はＴｅを含み晶系が同一の２
種以上の２元化合物を混合して合成される３元若しくは
これ以上の多元固溶体や、Ｓｅ又はＴｅを含み晶系が同
一の２種以上の３元化合物を混合して合成される３元若
しくはこれ以上の多元固溶体、及び、Ｓｅ又はＴｅを含
み晶系が同一の２元化合物と３元化合物とを混合して合
成される３元若しくはこれ以上の多元固溶体等がある。

ここで、上記第１表に基づきその具体例を挙げると、例
えば、共に晶系が大方品系（ｈｅｘａｇｏｎａ　ｌ　）
であるＴｊ、Ｓ、Ｓｅ１及びＴｅから選択された単一元
素を混合して合成される３元若しくは多元固溶体、共に
晶系が菱面体晶系（ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｏｒａｌ　）で
あるＳ　ｂ　　Ｔ　ｅ　　−Ｂ　ｉ　２　Ｔ　ｅ　３、
及びＢ　Ｉ　２Ｓ０３等から選択された２種以上の２元
化合物を混合して合成される３元若しくは多元固溶体、
共に晶系が立方晶系（ｃｕｂｉｃ　）である５ｎＴｅ（
８１）　、ＧｅＴｅ　（Ｂｌ　）　、及びＰｂＴｅ（Ｂ
１）とを混合して合成される３元固溶体、同じく晶系が
共に立方晶系（ｃｕｂｉｃ　）であるＧｅＴｅ　（８１
）、ＩｎＳｂ　（８３）、及び、Ｔｉ７Ｓｂ２　（Ｂ２
）とを混合して合成される３元固溶体、共に晶系が菱面
体晶系（ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｏｒａｌ　）であるＧｅＳ
ｂ　　Ｔｅ　　、Ｇｅ　　Ｂｉ２Ｔｅ３．ＰｂＢｉ　　
Ｓｓ、等から選択された２種以上の３元化合物を混合し
て合成される多元固溶体、共に晶系が菱面体晶系（ｒｈ
ｏｍｂｏｈｅｄｏｒａｌ　）であるＡｓ。

Ｂ　ｉ　ｓ　Ｓ　ｂ等の単一元素とＳ　ｂ　　Ｔ　ｅ　
　、　Ｂ　ｉ　２Ｔｅ３等の２元化合物を混合して合成
される３元固溶体、共に晶系が菱面体晶系（ｒｈｏｍｂ
ｏｈｅｄｏｒａｌ　）ｒあるＳ　ｂ　　Ｔ　ｅ　　、　
８　ｔ　２　Ｔ　Ｂ３等の２元化合物と、ＧｅＳｂ　　
Ｔｅ１、ＧｅＢ　１２Ｔｅ４等の３元化合物を混合して
合成される多元固溶体等がある。

尚、上記固溶体とは、ある一つの元素及び化合物のとる
特有の結晶相の格子点にある原子が全く不規則に別種の
原子と置換するか、あるいは、ある一つの元素及び化合
物のとる特有の結晶相の格子間隙に別種の原子が統計的
に分布されるように入込んだ相、すなわち、ある結晶相
に他物質が均一に溶は込んだとみなされる相をいう。

また、−散型固溶体とは特有の融点を持ち、この融点ま
で分解しない固溶体をいう。

この様な記録材料を適用した光記録媒体の基本構造は、
光透過性の基板とこの面上に形成された記録材料層とで
構成される。尚、記録材料層が溶融後固化するまでに変
形することを防止する目的、あるいは、記録材料層の機
械的損傷、酸化等を防止する目的で上記記録材料層上に
保護層を設けることも可能である。

そして、上記光透過性の基板としては、ガラスの他アク
リル、ポリカーボネート、エポキシ等の樹脂材料が利用
できる。ここで、基板として樹脂材料を適用した場合に
は樹脂材料の熱的損傷を防ぐため、記録材料層と基板間
に、例えばＳ　ｉ　０２、ＺｒＯ、ＺｎＳ等、あるいは
これ等のｕ合物等で構成される無機誘電体層を設けても
よい。尚、基板の反対側から集束光を照射して記録・再
生・消去を行う光記録媒体においては、アルミニウム等
の光不透過性の材料により基板を構成しても当然のこと
ながらよい。

また、上記保護層を構成する材料としては、上記無機誘
電体層を構成する材料と同様の材料の他、紫外線硬化樹
脂、アクリル、ポリカーボネート、エポキシ等の樹脂材
料、及び、ガラス等を挙げることができる。また、上記
保護層はこれ等材料の単一層で構成してもよく、あるい
は上記材料を複数積層して構成してもよく任意である。

更に、上記記録材料層と接する部分が樹脂材料の場合に
は、基板と同様にこれ等間に無ｎ誘電体層を介装しても
よい。

一方、上記記録材料層の形成方法としてはスパッタリン
グ法や真空蒸着法等が利用できる。すなわち、上記スパ
ッタリング法としては°複数のターゲットを用い、夫々
のターゲットに加える電力はを適宜調整することにより
目的の組成物を合成すると同時にこの組成物を基板に着
膜させる同時スパッタリングの他、目的の組成物に対応
した１の合金ターゲットを用いてスパッタリングを行う
ことも可能である。

また、上記真空蒸着法としては複数の蒸着源を使用し、
夫々の蒸着速度を調整することにより目的の組成物を得
ると同時にこれを基板に着膜させる共蒸着法が利用でき
る。

尚、この技術的手段における光記録媒体においては、従
来同様、記録材料層のアモルファス相を記録状態に対応
させその結晶相を消去状態に対応させてもよく、この反
対に、記録材料層のアモルファス相を消去状態に対応さ
せその結晶相を記録状態に対応させてもよくその選択は
任意である。

［作用］このような技術的手段によれば、上記記録材料層を形成
する記録材料が、Ｇａ、Ｉｎ、又はＴｌのｍｂ族元素と
、Ｇｅ、Ｓｎ、又はＰｂのＩＶｂ族元素と、Ａｓ１Ｓｂ
、又は３ｉのＶ、族元素、及び、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅのｍ
ｂ族元素から選択された３以上の元素を有し、その構成
元素にＳｅ又はＴｅの少なくとも一方を含んでいると共
に、同一の晶系を有する複数の元素、若しくは化学ぬ論
的化合物により合成された固溶体にて構成されているた
め、記録材料層の結晶化時間の短縮化が図れると共に、
記録材料層におけるアモルファス相の安定性も高めるこ
とが可能となる。

ここで、この技術的手段における上記記録材料層の結晶
化時間が従来の材料であるＧｅ−８ｂ−Ｔｅに較べて短
くなる理由について本発明者等は以下のように推察して
いる。

まず、上記記録材料層を形成する記録材料は固溶体によ
り構成されその結晶相が単一相であることが挙げられる
。しかも、上記固溶体は同一の結晶系を有する複数の元
素、若しくは化学ｍ論的化合物により合成されているた
め、結晶整合性が良好で結晶格子内の歪みが小さくその
結晶相における自由エネルギが非常に小さい。従って、
結晶相とアモルファス相との自由エネルギ差、すなわち
、変態エネルギが大きくなるため、記録材料層における
結晶化時間が短縮されるものと推察される。

これに対し、従来におけるＧｅ−８ｂ−Ｔｅは晶系が互
いに異なる立方晶系（ｃｕｂｉｃ　）のＧｅＴｅと、菱
面体晶系（ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｏｒａｌ　）の５ｂ２Ｔ
ｅ３とを涙金して合成されているため、その結晶整合性
が極めて悪くその組成物における結晶格子内の歪みが大
きく不安定である。従って、結晶相における自由エネル
ギが大きく結晶相とアモルファス相との自由エネルギ差
、すなわち、変態エネルギが小さいため、その記録材料
層における結晶化時間が遅いものと思われる。

一方、この技術的手段においてその記録材料層における
アモルファス相の安定性が従来の記録材料であるＳｂ　
Ｔｅ３に較べて高い理由は以下のように推察している。

まず、上記記録材料を構成するＧａ、ｌｎ、又はＴｌの
ｍｂ族元素、Ｇｅ、Ｓｎ、又はＰｂのＩＶ　（、１１元
素、Ａ　ｓ　、　Ｓ　ｂ　、　又ハＢ　＋　＋７）　Ｖ
　Ｂ族元素、及び、ｓ、ｓｅ又はＴｅのＶｌｂ族元素間
における結合は共有結合性が強いため、そのアモルファ
ス相の安定性は高い。

更に、これ等発明における記録材料が３元以上の多元材
料であるため、原子半径の違いによる原子移動の阻止効
果が強く、２元材料である上記Ｓｂ　Ｔｅ３に較べて活
性化エネルギが大きくなす、この点からも上記記録材料
層におけるアモルファス相の安定性は高い。

また、この技術的手段によれば、上記記録材料がＳｅ又
はＴｅの少なくとも一方を含んでいるため、可視及び近
赤外光に対しての光吸収を有する。

［実施例］以下、本発明の実施例について詳細に説明する。

Ｏ第一実施例この実施例に係る光記録媒体は、第１図に示すように厚
さ　１．２ａｍのアクリル製基板（１）と、この基板（
１）上に形成された厚さ１００　ｎｍの５１０２製無ｍ
読電体層（２）と、この無機誘電体層（２）上に形成さ
れた厚さ１００　ｒｖの５ｂ−Ｔｅ−Ｂｉ−８ｅ製記録
材料層（３）と、この記録材料層（３）上に形成された
厚さ１００　ｎ１ｌｌのＳ　ｉ　Ｏ２装態機誘電体層（
４）と、この無機誘電体層（４）上に紫外線硬化樹脂製
の接着層（５）を介して形成された厚さ１．２８１のア
クリル製保護板（６）とでその主要部が構成されている
ものである。

ここで、上記光記録媒体における記録材料層（３）は、
共に菱面体晶系（ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｏｒａ　ｌ　）で
あるＳｂ２Ｔｅ３　（結晶構造Ｃ３３）とＢ　ｉ　２Ｓ
ｅ３　（結晶構造Ｃ３３）の２の合金ターゲットを用い
たＲＦマグネトロンスパッタリングにより形成され、夫
々の合金ターゲットへの投入ＲＦパワーを適宜調整する
ことにより第２表の１〜２に示された組成を有するもの
を得た。

尚、第２表中の３〜４は比較例であり、３は記録材料と
して５ｂ−Ｔｅを用いた第一実施例と同一構造の光記録
媒体、４は記録材料としてＱｅ−８ｂ−Ｔｅを用いた同
一構造の光記録媒体である。

また、上記３においてはＳｂ　Ｔｅ３の合金ターゲット
を１つ用いたＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
また、４はＳｂ　Ｔｅ３とＧｅＴｅの２の合金ターゲッ
トを用いたＲＦマグネトロンスパッタリングにより夫々
形成されている。

そして、これ等光記録媒体（１〜４）における光吸収は
可視から近赤外中にわたっており、少なくとも４００　
ｎ１１〜８６０　ｎｉの範囲で光記録媒体として使用可
能であった。

そこで、波長８３０　ｎｓの半導体レーザを光源として
使用したときの記録消去特性を第２表に示す。

第表ここで、第２表における評価基準は以下のようにして行
った。

すなわち、ｒ結晶化時間」については１００ｎｓで結晶
化可能な場合をＯ１不可能な場合を×で示した。

また、「安定性」については結晶化温度が１２０℃以下
のものを×で、１２０℃以上のものをＯで示した。

そして、この第２表から明らかなように第一実施例に係
る光記録媒体（１〜２）については比較例における３と
較べて結晶化時間が短く、従来より高速で情報の記録消
去が可能となり、かつ、比較例における４と較べて結晶
化温度が高くアモルファス相の安定性にも優れていた。

尚、実施例に係る光記録媒体（１〜２）の記録材料は、
晶系が共に菱面体晶系（ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｏｒａｌ　
＞で、その結晶構造も共に（Ｃ３３）であるＳｂ２Ｔｅ
３とＢｉ２Ｓｅ３とを混合して合成されており、結晶格
子内の歪みが極めて小さく結晶相の自由エネルギが更に
低くなるため、その結晶化時間が特に短い利点を有して
いた。

更に、上記１の光記録媒体は第２図に示す擬２元系状態
図から予測されるように一致固溶体であるため、冷却処
理中に偏析が起こらず複数回書換でもその特性が変化し
ない利点を有していた。

Ｏ第二実施例この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層が５ｂ
−８ｅ−Ｂ　ｉ　−８で構成されている以外は第一実施
例に係る光記録媒体と路間−である。

尚、この５ｂ−３ｅ−ｓ　ｉ　−Ｓテ示される記録材料
は、晶系が共に斜方晶系（ｏｒｔｈｏｒｏｍｂｉｃ　）
であるＳｂ　　Ｓｅ　　（結晶構造Ｄ５８）と、Ｂ　ｌ
　２Ｓ３　（結晶構造Ｄ５８）とを８４：１６、及び、
６５　：　３５の割合で混合して得た１枚のターゲット
を用いたスパッタリングにより形成されている。

そして、この光記録媒体の記録消去特性を以下の第３表
に示す。

◎第三実施例この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＩｎ
−Ｔｅ−Ｔｊ−８ｅで構成されている以外は第一実施例
に係る光記録媒体と路間−である。

尚、こ（７）Ｉｎ−Ｔｅ　　Ｔｌ　Ｓｅで示される記録
材料は、晶系が共に正方晶系（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ　
）であるＩｎＴｅ（結晶構造Ｂ５１）とＴｌＳｅ　（結
晶構造Ｂ５７）の２の合金ターゲットを用いた２元同時
スパッタリングにより形成されている。

Ｏ第四実施例この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＰｂ
−８ｎ−Ｔｅで構成されている以外は第一実施例に係る
光記録媒体と路間−である。

尚、このＰｂ−８ｎ−Ｔｅで示される記録材料は、晶系
が共に立方晶系（ｃｕｂｉｃ　）であるＰｂＴｅ（結晶
構造Ｂｌ）と５ｎＴｅ　（結晶構造８１）の２の合金タ
ーゲットを用いた２元同時スパッタリングにより形成さ
れている。

◎第五実施例この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＩｎ
−Ｑａ−Ｔｅで構成されている以外は第一実施例に係る
光記録媒体と路間−である。

尚、このＩｎ−Ｇａ−Ｔｅで示される記録材料は、晶系
が共に立方晶系（ｃｕｂｉｃ　）であるＩｎ５ｂ（結晶
構造８３）とＧａｒｂ　（結晶構造８３）の２の合金タ
ーゲットを用いた２元同時スパッタリングにより形成さ
れている。

Ｏ第六実施例この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＩｎ
−Ｇｅ−Ｔｅで構成されている以外は第一実施例に係る
光記録媒体と路間−である。

尚、このＩｎ−Ｇｅ−Ｔｅで示される記録材料は、晶系
が共に立方晶系（ｃｕｂｉｃ　）であるＩｎ２Ｔｅ３　
（結晶構造８３）と、ＧｅＴｅ　（結晶構造Ｂ１）の２
の合金ターゲットを用いた２元同時スパッタリングによ
り形成されている。

Ｏ第七実施例この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層が５ｂ
−Ｇｅ−８ｅで構成されている以外は第一実施例に係る
光記録媒体と路間−である。

尚、このＳ　ｂ　−Ｇ　ｅ　−８ｅで示される記録材料
は、晶系が共に斜方晶系（ｏｒｔｈｏｒｏｍｂｉｃ　）
　テあるＳｂ２Ｓｅ３　（結晶構造Ｄ５８）とＧｅｎｅ
　（結晶構造Ｂ２９）の２の合金ターゲットを用いた２
元同時スパッタリングにより形成されている。

Ｏ第ハ実施例この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層がＢ　
ｔ　−Ｔｅ−３−８ｅで構成されている以外は第一実施
例に係る光記録媒体と路間−である。

尚、このＢ　１−Ｔｅ−８−８ｅｔ’示される記録材料
は、晶系が共に菱面体晶系（ｒｈｏｌｂｏｈｌｌｉｄｏ
ｒａｌ　）であるＢｉ　　Ｔｅ　　Ｓ（結晶構造Ｃ３３
）とＢｉ２Ｓｅ３　（結晶構造Ｃ３３）の２の合金ター
ゲットを用いた２元同時スパッタリングにより形成され
ている。

あるＳｂ　Ｔｅ３　（結晶構造Ｃ３３）と、Ｂ　Ｉ　２
Ｔｅ　　（結晶構造Ｃ３３）、及び、Ｂｉ２５０３（結
晶構造Ｃ３３）の３の合金ターゲットを用いた３元同時
スパッタリングにより形成されている。

Ｏ第九実施例この実施例に係る光記録媒体は、その記録材料層が５ｂ
−Ｔｅ−Ｂ　ｉ　−８ｅで構成されている以外は第一実
施例に係る光記録媒体と路間−である。

尚、この５ｂ−Ｔｅ−Ｂ　ｉ　−８ｅｔ’示される記録
材料は、共に菱面体晶系（ｒｈｏｍｂｏｈｅｄｏｒａｌ
　）　ｔ’第表上記第３表から明らかなように第二実施例〜第九実施例
に係る光記録媒体（５〜１４）は、第２表において示し
た第一実施例に係る光記録媒体（１〜２）と同様、比較
例と較べて結晶化時間が短〈従来より高速で情報の記録
消去が可能で、しかも、結晶化温度が高くアモルファス
相の安定性にも優れていた。

特に、第六実施例と第七実施例を除く光記録媒体（５〜
１０．１３〜１４）の記録材料は、晶系と結晶構造とが
共に同一の化学量論化合物を混合して合成されており、
結晶格子内の歪みが極めて小さく結晶相の自由エネルギ
が更に低くなるため、その結晶化時間が特に短い利点を
有していた。

更に、第二実施例に係る５の光記録媒体と第三実施例に
係る１の光記録媒体は、夫々第３図〜第４図に示す擬２
元系状態図から予測されるように一致固溶体であるため
、冷却処理中に偏析が起こらず複数回書換でもその特性
が変化しない利点を有していた。

［発明の効果］以上のように請求項１に係る発明によれば、上記記録材
料層を構成する記録材料がＧａ、ｌｎ。

又はＴｊのｍｂ族元素と、Ｇｅ、Ｓｎ、又はＰｂ（７）
ＩＶ、族元素と、Ａ　ｓ　ＳＳ　ｂ　、　又ハＢ　ｉ　
（７）Ｖｂ１Ｍ元素、及び、ｓ、ｓｅ又はＴｅのＶｌｂ
族元素から選択された３以上の元素を有し、その構成元
素にＳｅ又はＴｅの少なくとも一方を含んでいると共に
、同一の晶系を有する複数の元素、若しくは化学量論的
化合物により合成された固溶体にて構成されているため
、記録材料層の結晶化時間の短縮化が図れると共に、記
録材料層におけるアモルファス相の安定性も高めること
が可能となる。

従って、高速での書換が可能であるという効果を有して
いると共に、長期に亘って記録情報を保持できる効果を
有している。

更に、請求項１に係る発明の記録材料層を構成する記録
材料が、Ｓｅ又はＴｅの少なくとも一方を含み可視及び
近赤外光に対し光吸収があるため、広く利用されている
半導体レーザ等が使用できる効果を有している。

また、請求項２に係る発明によれば、上記同一の晶系を
有する元素若しくは化学量論的化合物がｓｔｒｕｋｔｕ
ｒｂｅｒｉｃｈｔ　ニよる分類上同一の結晶構造を有し
ており、これ等元素若しくは化学は論的化合物にて構成
される記録材料の結晶格子内における歪みが極めて小さ
く結晶相の自由エネルギが更に低くなるため、その結晶
化時間の短縮化を更に促進できる効果を有している。

更に、請求項３に係る発明によれば、記録材料を構成す
る固溶体が一致固溶体であるため、冷却処理中に偏析が
起こらず複数回書換でもその特性が変化しない効果を有
している。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例に係る光記録媒体の層構成を示す断面図
、第２図〜第９図は第一実施例〜第八実施例において使
用された記録材料の擬２元系状態図を夫々示している。［符号説明］（１）・・・基板（４）・・・無機誘電体層・・・記録材料シ・・・接着層・・・保護板特　許　出　願　人　富士ゼロックス株式会社代　　理
　　人　　弁理士　　中　　村　　智　　廣　（外２名
）第２図０Ｃ第図ｂ２Ｓｅ３４゜第図第図Ｃｍｏｌ　、　”Ｉｎ第４図第図弔図Ｂｉ２Ｔｅ２５ｍｏｌ、７゜８゜ｉ２Ｓｅ３

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光、熱等の手段によってその光学的性質が可逆的
に変化する記録材料層を基板上に備え、その光学的変化
を利用して情報の記録・再生・消去を行う光記録媒体に
おいて、上記記録材料が、Ｇａ、Ｉｎ、又はＴｌのIII＿ｂ族元
素と、Ｇｅ、Ｓｎ、又はＰｂのIV＿ｂ族元素と、Ａｓ、
Ｓｂ、又はＢｉのＶ＿ｂ族元素、及び、Ｓ、Ｓｅ又はＴ
ｅのVI＿ｂ族元素から選択された３以上の元素を有し、
その構成元素にＳｅ又はＴｅの少なくとも一方を含んで
いると共に、同一の晶系を有する複数の元素、若しくは
化学量論的化合物により合成された固溶体にて構成され
ていることを特徴とする光記録媒体。
（２）上記同一の晶系を有する元素、若しくは化学量論
的化合物が、ｓｔｒｕｋｔｕｒｂｅｒｉｃｈｔによる分
類上同一の結晶構造を有していることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光記録媒体。
（３）上記固溶体が一致型固溶体であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第２項記載の光記録媒体。