JPH02254367A - 半導体検査装置 - Google Patents
半導体検査装置Info
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- JPH02254367A JPH02254367A JP1077635A JP7763589A JPH02254367A JP H02254367 A JPH02254367 A JP H02254367A JP 1077635 A JP1077635 A JP 1077635A JP 7763589 A JP7763589 A JP 7763589A JP H02254367 A JPH02254367 A JP H02254367A
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- probe needle
- shutter
- tip
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Links
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 16
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 5
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- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野j
この発明は、半導体検査装置、特にその針当て検査装置
のプローブカードの構造に関するものである。
のプローブカードの構造に関するものである。
第3図は、従来の半導体検査装置のプローブカードの構
造を示す正面図、第4図は第3図のB−Bにおける断面
図である。
造を示す正面図、第4図は第3図のB−Bにおける断面
図である。
図において多層基板(1)上に、プローブ針(2)を固
定している。プローブ針(2月よ、針先端位置を被検査
半導体チップのパッド位置に合わせて曲げ加工し、位置
合せしている。
定している。プローブ針(2月よ、針先端位置を被検査
半導体チップのパッド位置に合わせて曲げ加工し、位置
合せしている。
信号及び電源用端子(3)は、多層基板(1)上に配線
された基板パターン(4)及び、電線(5)により、プ
ローブ針(2)と導通接続している。
された基板パターン(4)及び、電線(5)により、プ
ローブ針(2)と導通接続している。
次に動作について説明する。
プローブ針(2)の針先端を、被検査半導体チップのパ
ッドに押し付け、引っかいてパッドの表面酸化膜を破り
、接触することにより、信号及び電源用端子(3)から
、電源及び信号を被検査半導体チップに供給したり、あ
るいは、取り出したりして、被検査半導体チップの電気
特性などの検査を行う。
ッドに押し付け、引っかいてパッドの表面酸化膜を破り
、接触することにより、信号及び電源用端子(3)から
、電源及び信号を被検査半導体チップに供給したり、あ
るいは、取り出したりして、被検査半導体チップの電気
特性などの検査を行う。
プローブ針の先端を被検査半導体チップのパッドに押し
付け、引っかいてパッドの表面酸化膜を破り、導通接触
を得る際、パッドを形成するアルミニウムの引っかきく
ずがプローブ針先端に付着し、たまっていく。このアル
ミニウムくずは、検査を繰り返すことにより増加し、被
検査半導体チップ上に落下し、接触などを誘発し、完成
製品の動作に悪影響を及ぼしたり、不良品にしてしまう
などの問題点がある。
付け、引っかいてパッドの表面酸化膜を破り、導通接触
を得る際、パッドを形成するアルミニウムの引っかきく
ずがプローブ針先端に付着し、たまっていく。このアル
ミニウムくずは、検査を繰り返すことにより増加し、被
検査半導体チップ上に落下し、接触などを誘発し、完成
製品の動作に悪影響を及ぼしたり、不良品にしてしまう
などの問題点がある。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたものであり、アルミニウムくずなどによる製品への
悪影響、及び、不良品を発生させない針当り検査装置を
得ることを目的とする。
れたものであり、アルミニウムくずなどによる製品への
悪影響、及び、不良品を発生させない針当り検査装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る半導体検査装置は、被検査半導体チップ
とプローブ針との間に、上下機構付きシャッタ機構を設
け、更に、プローブ針先端付近に、エアー吹き付はノズ
ル及び、吸引ノズルを備えたものである。
とプローブ針との間に、上下機構付きシャッタ機構を設
け、更に、プローブ針先端付近に、エアー吹き付はノズ
ル及び、吸引ノズルを備えたものである。
この発明におけるシャッター機構は、プローブ針が被検
査半導体チップに接触していないとき、閉じてプローブ
針を覆い、落下するアルミニウムくずをこのシャッター
で受ける。更に、プローブ針先に付着したアルミニウム
くずを、エアー吹き付はノズルで吹き飛ばし、吸引ノズ
ルで回収して、被検査半導体チップへのアルミニウムく
ず落下を防ぐものである。
査半導体チップに接触していないとき、閉じてプローブ
針を覆い、落下するアルミニウムくずをこのシャッター
で受ける。更に、プローブ針先に付着したアルミニウム
くずを、エアー吹き付はノズルで吹き飛ばし、吸引ノズ
ルで回収して、被検査半導体チップへのアルミニウムく
ず落下を防ぐものである。
〔実施例J
以下、この発明の一実施例を図に従って説明する。第1
図は、半導体検査装置の構造を示す正面図、第2図は第
1図のA−Aにおける断面図である。
図は、半導体検査装置の構造を示す正面図、第2図は第
1図のA−Aにおける断面図である。
図において、(1)は多層基板、(2)はプローブ針、
(6)はチャックステージ、(7)は被検査半導体チッ
プ、(3)は距離検出リミットスイッチ、(9)はシャ
ッタ制御部、αqはシャッタ開閉機構、α旧よシャッタ
、@はシャッタ上下機構、σ4はシールドカーテン、α
弔はエアー吸い出しノズル、 Q5は吸引ノズルである
。
(6)はチャックステージ、(7)は被検査半導体チッ
プ、(3)は距離検出リミットスイッチ、(9)はシャ
ッタ制御部、αqはシャッタ開閉機構、α旧よシャッタ
、@はシャッタ上下機構、σ4はシールドカーテン、α
弔はエアー吸い出しノズル、 Q5は吸引ノズルである
。
次に動作について説明する。
チャックステージ(6)上にセットされた被検査半導体
チップ(7)をチャックステージ(6)で水平移動し、
被検査半導体チップ(7)のパッド部分とプローブ針(
2)の先端とを位置合せする。チャックステージ(6)
を上昇し、被検査半導体チップ(7)をプローブ針(2
)の先端に近づけて47<。チャックステージ(6)と
多層基板(1)との距離がある一定距離以下になると、
距離検出リミットスイッチ(8)がON t、、リミッ
トスイッチ(8)の信号が、シャッタ制御部(9)に伝
達される。シャッタ制御部(9)は、シャッタ開閉機m
QGを制御して、シャッタQ〃が開き、同時に、シャッ
タ上下機構(2)を制御して、シャッタ(6)が上昇す
る。
チップ(7)をチャックステージ(6)で水平移動し、
被検査半導体チップ(7)のパッド部分とプローブ針(
2)の先端とを位置合せする。チャックステージ(6)
を上昇し、被検査半導体チップ(7)をプローブ針(2
)の先端に近づけて47<。チャックステージ(6)と
多層基板(1)との距離がある一定距離以下になると、
距離検出リミットスイッチ(8)がON t、、リミッ
トスイッチ(8)の信号が、シャッタ制御部(9)に伝
達される。シャッタ制御部(9)は、シャッタ開閉機m
QGを制御して、シャッタQ〃が開き、同時に、シャッ
タ上下機構(2)を制御して、シャッタ(6)が上昇す
る。
シャッタ(ロ)は、被検査半導体チップ(7)とプロー
ブ針(2)の導通接触を妨げない位置まで上昇する。
ブ針(2)の導通接触を妨げない位置まで上昇する。
第2図中、−点鎖線は、シャッタaηが開いてチャック
ステージ(6)及びシャッタ開閉機構αOが上昇し、被
検査半導体チップ(7)とプローブ針(2)が導通接触
している状態を示している。
ステージ(6)及びシャッタ開閉機構αOが上昇し、被
検査半導体チップ(7)とプローブ針(2)が導通接触
している状態を示している。
被検査半導体チップ(7)とプローブ針(2)とが、導
通している間に検査を行う。検査が終了すると、チャッ
クステージ(6)が下降し、被検査半導体チップ(7)
はプローブ針(2)から離れて下降して行く。多層基板
(1)とチャックステージ(6)の距離がある一定以上
になると、距離検出リミットスイッチ(8)により検出
し、シャッタ上下機構(2)によりシャッタα1)は下
降し、同時にシャッタ開閉機構aOによりシャッタ(L
IJは閉じる。プローブ針(2)は、シャッタQη及び
シールドカーテン(至)により完全に覆われる。エアー
吹き出しノズルα弔より、プローブ針(2)の先端にエ
アーを吹き付け、プローブ針(2)の先端に付着したア
ルミニウムくずを吹き飛ばしながら、吸引ノズル(へ)
によりアルミニウムくずを回収する。
通している間に検査を行う。検査が終了すると、チャッ
クステージ(6)が下降し、被検査半導体チップ(7)
はプローブ針(2)から離れて下降して行く。多層基板
(1)とチャックステージ(6)の距離がある一定以上
になると、距離検出リミットスイッチ(8)により検出
し、シャッタ上下機構(2)によりシャッタα1)は下
降し、同時にシャッタ開閉機構aOによりシャッタ(L
IJは閉じる。プローブ針(2)は、シャッタQη及び
シールドカーテン(至)により完全に覆われる。エアー
吹き出しノズルα弔より、プローブ針(2)の先端にエ
アーを吹き付け、プローブ針(2)の先端に付着したア
ルミニウムくずを吹き飛ばしながら、吸引ノズル(へ)
によりアルミニウムくずを回収する。
以上の一連動作により、連続的に検査を行ってもプロー
ブ針(2)の先端に付着したアルミニウムくずを回収す
るため、アルミニウムくずは、被検査半導体チップ(7
)上に落下しない。
ブ針(2)の先端に付着したアルミニウムくずを回収す
るため、アルミニウムくずは、被検査半導体チップ(7
)上に落下しない。
なお、上記実施例においては、エアー吹き出しノズルQ
4及び吸引ノズルa5を設け、アルミニウムくずを回収
する場合について説明したが、吸引ノズルaωを省き、
シャッタα〃及びシールドカーテンa4の表面をアルミ
ニウムくずなどが付着し易い性質にし、エアー吹き出し
ノズルで吹き飛ばしたアルミニウムくずが付着しても、
同様の効果を得ることができる。
4及び吸引ノズルa5を設け、アルミニウムくずを回収
する場合について説明したが、吸引ノズルaωを省き、
シャッタα〃及びシールドカーテンa4の表面をアルミ
ニウムくずなどが付着し易い性質にし、エアー吹き出し
ノズルで吹き飛ばしたアルミニウムくずが付着しても、
同様の効果を得ることができる。
以上のように、この発明によればアルミニウムくずなど
のプローブ針による引っかきくずを回収するようにした
ので、被検査半導体チップ上に引っかきくずが落下せず
、検査による不良品の発生をなくすという効果が得られ
る。
のプローブ針による引っかきくずを回収するようにした
ので、被検査半導体チップ上に引っかきくずが落下せず
、検査による不良品の発生をなくすという効果が得られ
る。
第1図は、この発明の一実施例による半導体検査装置の
構造を示す正面図、第2図は第1図のA・Aにおける断
面図、第3図は従来の半導体検査装置の構造を示す正面
図、第4図は第3図のB−Bにおける断面図である。 図において(1)は多層基板、(2)はプローブ針、(
6)はチャックステージ、(7)は被検査半導体チップ
、(8)は距陰検出リミットスイッチ、(9)はシャッ
タ制御部、ahはシャッタ開閉機構、の月よシャッタ、
(2)はシャッタ上下機構、Q4はシールドカーテン、
α場はエアー吹き出しノズル、a’aは吸引ノズルであ
る。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第21!1 第1図
構造を示す正面図、第2図は第1図のA・Aにおける断
面図、第3図は従来の半導体検査装置の構造を示す正面
図、第4図は第3図のB−Bにおける断面図である。 図において(1)は多層基板、(2)はプローブ針、(
6)はチャックステージ、(7)は被検査半導体チップ
、(8)は距陰検出リミットスイッチ、(9)はシャッ
タ制御部、ahはシャッタ開閉機構、の月よシャッタ、
(2)はシャッタ上下機構、Q4はシールドカーテン、
α場はエアー吹き出しノズル、a’aは吸引ノズルであ
る。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第21!1 第1図
Claims (1)
- 複数のプローブ針と、上記プローブ針を取付けた基板上
にシャッタ機構を設けたことを特徴とする半導体検査装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1077635A JPH02254367A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 半導体検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1077635A JPH02254367A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 半導体検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02254367A true JPH02254367A (ja) | 1990-10-15 |
Family
ID=13639357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1077635A Pending JPH02254367A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 半導体検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02254367A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003054564A3 (en) * | 2001-12-19 | 2004-02-19 | Formfactor Inc | Probe card covering system and method |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1077635A patent/JPH02254367A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003054564A3 (en) * | 2001-12-19 | 2004-02-19 | Formfactor Inc | Probe card covering system and method |
JP2005514596A (ja) * | 2001-12-19 | 2005-05-19 | フォームファクター,インコーポレイテッド | プローブ・カード・カバーリング・システムおよび方法 |
US6960923B2 (en) * | 2001-12-19 | 2005-11-01 | Formfactor, Inc. | Probe card covering system and method |
US7128587B2 (en) | 2001-12-19 | 2006-10-31 | Formfactor, Inc. | Probe card covering system and method |
CN100390553C (zh) * | 2001-12-19 | 2008-05-28 | 佛姆费克托公司 | 探针卡遮蔽系统及方法 |
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