JPH02254367A - 半導体検査装置 - Google Patents

半導体検査装置

Info

Publication number
JPH02254367A
JPH02254367A JP1077635A JP7763589A JPH02254367A JP H02254367 A JPH02254367 A JP H02254367A JP 1077635 A JP1077635 A JP 1077635A JP 7763589 A JP7763589 A JP 7763589A JP H02254367 A JPH02254367 A JP H02254367A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe needle
shutter
tip
needle
probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1077635A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Nakagawa
博 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1077635A priority Critical patent/JPH02254367A/ja
Publication of JPH02254367A publication Critical patent/JPH02254367A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野j この発明は、半導体検査装置、特にその針当て検査装置
のプローブカードの構造に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は、従来の半導体検査装置のプローブカードの構
造を示す正面図、第4図は第3図のB−Bにおける断面
図である。
図において多層基板(1)上に、プローブ針(2)を固
定している。プローブ針(2月よ、針先端位置を被検査
半導体チップのパッド位置に合わせて曲げ加工し、位置
合せしている。
信号及び電源用端子(3)は、多層基板(1)上に配線
された基板パターン(4)及び、電線(5)により、プ
ローブ針(2)と導通接続している。
次に動作について説明する。
プローブ針(2)の針先端を、被検査半導体チップのパ
ッドに押し付け、引っかいてパッドの表面酸化膜を破り
、接触することにより、信号及び電源用端子(3)から
、電源及び信号を被検査半導体チップに供給したり、あ
るいは、取り出したりして、被検査半導体チップの電気
特性などの検査を行う。
〔発明が解決しようとする課題〕
プローブ針の先端を被検査半導体チップのパッドに押し
付け、引っかいてパッドの表面酸化膜を破り、導通接触
を得る際、パッドを形成するアルミニウムの引っかきく
ずがプローブ針先端に付着し、たまっていく。このアル
ミニウムくずは、検査を繰り返すことにより増加し、被
検査半導体チップ上に落下し、接触などを誘発し、完成
製品の動作に悪影響を及ぼしたり、不良品にしてしまう
などの問題点がある。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたものであり、アルミニウムくずなどによる製品への
悪影響、及び、不良品を発生させない針当り検査装置を
得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体検査装置は、被検査半導体チップ
とプローブ針との間に、上下機構付きシャッタ機構を設
け、更に、プローブ針先端付近に、エアー吹き付はノズ
ル及び、吸引ノズルを備えたものである。
〔作用〕
この発明におけるシャッター機構は、プローブ針が被検
査半導体チップに接触していないとき、閉じてプローブ
針を覆い、落下するアルミニウムくずをこのシャッター
で受ける。更に、プローブ針先に付着したアルミニウム
くずを、エアー吹き付はノズルで吹き飛ばし、吸引ノズ
ルで回収して、被検査半導体チップへのアルミニウムく
ず落下を防ぐものである。
〔実施例J 以下、この発明の一実施例を図に従って説明する。第1
図は、半導体検査装置の構造を示す正面図、第2図は第
1図のA−Aにおける断面図である。
図において、(1)は多層基板、(2)はプローブ針、
(6)はチャックステージ、(7)は被検査半導体チッ
プ、(3)は距離検出リミットスイッチ、(9)はシャ
ッタ制御部、αqはシャッタ開閉機構、α旧よシャッタ
、@はシャッタ上下機構、σ4はシールドカーテン、α
弔はエアー吸い出しノズル、 Q5は吸引ノズルである
次に動作について説明する。
チャックステージ(6)上にセットされた被検査半導体
チップ(7)をチャックステージ(6)で水平移動し、
被検査半導体チップ(7)のパッド部分とプローブ針(
2)の先端とを位置合せする。チャックステージ(6)
を上昇し、被検査半導体チップ(7)をプローブ針(2
)の先端に近づけて47<。チャックステージ(6)と
多層基板(1)との距離がある一定距離以下になると、
距離検出リミットスイッチ(8)がON t、、リミッ
トスイッチ(8)の信号が、シャッタ制御部(9)に伝
達される。シャッタ制御部(9)は、シャッタ開閉機m
QGを制御して、シャッタQ〃が開き、同時に、シャッ
タ上下機構(2)を制御して、シャッタ(6)が上昇す
る。
シャッタ(ロ)は、被検査半導体チップ(7)とプロー
ブ針(2)の導通接触を妨げない位置まで上昇する。
第2図中、−点鎖線は、シャッタaηが開いてチャック
ステージ(6)及びシャッタ開閉機構αOが上昇し、被
検査半導体チップ(7)とプローブ針(2)が導通接触
している状態を示している。
被検査半導体チップ(7)とプローブ針(2)とが、導
通している間に検査を行う。検査が終了すると、チャッ
クステージ(6)が下降し、被検査半導体チップ(7)
はプローブ針(2)から離れて下降して行く。多層基板
(1)とチャックステージ(6)の距離がある一定以上
になると、距離検出リミットスイッチ(8)により検出
し、シャッタ上下機構(2)によりシャッタα1)は下
降し、同時にシャッタ開閉機構aOによりシャッタ(L
IJは閉じる。プローブ針(2)は、シャッタQη及び
シールドカーテン(至)により完全に覆われる。エアー
吹き出しノズルα弔より、プローブ針(2)の先端にエ
アーを吹き付け、プローブ針(2)の先端に付着したア
ルミニウムくずを吹き飛ばしながら、吸引ノズル(へ)
によりアルミニウムくずを回収する。
以上の一連動作により、連続的に検査を行ってもプロー
ブ針(2)の先端に付着したアルミニウムくずを回収す
るため、アルミニウムくずは、被検査半導体チップ(7
)上に落下しない。
なお、上記実施例においては、エアー吹き出しノズルQ
4及び吸引ノズルa5を設け、アルミニウムくずを回収
する場合について説明したが、吸引ノズルaωを省き、
シャッタα〃及びシールドカーテンa4の表面をアルミ
ニウムくずなどが付着し易い性質にし、エアー吹き出し
ノズルで吹き飛ばしたアルミニウムくずが付着しても、
同様の効果を得ることができる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によればアルミニウムくずなど
のプローブ針による引っかきくずを回収するようにした
ので、被検査半導体チップ上に引っかきくずが落下せず
、検査による不良品の発生をなくすという効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例による半導体検査装置の
構造を示す正面図、第2図は第1図のA・Aにおける断
面図、第3図は従来の半導体検査装置の構造を示す正面
図、第4図は第3図のB−Bにおける断面図である。 図において(1)は多層基板、(2)はプローブ針、(
6)はチャックステージ、(7)は被検査半導体チップ
、(8)は距陰検出リミットスイッチ、(9)はシャッ
タ制御部、ahはシャッタ開閉機構、の月よシャッタ、
(2)はシャッタ上下機構、Q4はシールドカーテン、
α場はエアー吹き出しノズル、a’aは吸引ノズルであ
る。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第21!1 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数のプローブ針と、上記プローブ針を取付けた基板上
    にシャッタ機構を設けたことを特徴とする半導体検査装
    置。
JP1077635A 1989-03-28 1989-03-28 半導体検査装置 Pending JPH02254367A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1077635A JPH02254367A (ja) 1989-03-28 1989-03-28 半導体検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1077635A JPH02254367A (ja) 1989-03-28 1989-03-28 半導体検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02254367A true JPH02254367A (ja) 1990-10-15

Family

ID=13639357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1077635A Pending JPH02254367A (ja) 1989-03-28 1989-03-28 半導体検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02254367A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003054564A3 (en) * 2001-12-19 2004-02-19 Formfactor Inc Probe card covering system and method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003054564A3 (en) * 2001-12-19 2004-02-19 Formfactor Inc Probe card covering system and method
JP2005514596A (ja) * 2001-12-19 2005-05-19 フォームファクター,インコーポレイテッド プローブ・カード・カバーリング・システムおよび方法
US6960923B2 (en) * 2001-12-19 2005-11-01 Formfactor, Inc. Probe card covering system and method
US7128587B2 (en) 2001-12-19 2006-10-31 Formfactor, Inc. Probe card covering system and method
CN100390553C (zh) * 2001-12-19 2008-05-28 佛姆费克托公司 探针卡遮蔽系统及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5910727A (en) Electrical inspecting apparatus with ventilation system
JP2510545B2 (ja) 製品を検査する方法と装置
US6686753B1 (en) Prober and apparatus for semiconductor chip analysis
CN109991166A (zh) 用于产品外观缺陷检测的设备及其组合光源装置、方法
JPH06323824A (ja) バンプ外観検査方法およびバンプ外観検査装置
JP2008045965A (ja) ウェハの検査方法及びウェハのクラック検査装置
KR102278473B1 (ko) 접점 검사 장치
US5156319A (en) Wire bonding inspection equipment
JPH02254367A (ja) 半導体検査装置
KR101119278B1 (ko) 기판검사시스템 및 기판검사방법
CN218546555U (zh) 一种用于pcb表面元器件识别的自动视觉检测装置
WO2003073493A1 (en) Probe area setting method and probe device
JPH09153530A (ja) クリーン度の高い検査装置
CN206824218U (zh) 光敏电阻检测分拣装置
JP2003100821A (ja) ウェハーの検査システムおよび検査方法
JP4387572B2 (ja) 部品認識制御方法及び部品認識制御装置
JP2007095766A (ja) プローバ装置及び半導体デバイスの検査方法
JPH0595034A (ja) 半導体製造装置
JP2632894B2 (ja) プローブ装置
JP3346369B2 (ja) ベアチップ検査方法
KR100278896B1 (ko) 섀도마스크 검사방법 및 장치
KR102540043B1 (ko) 깨짐 검출 기능을 구비한 초박형 유리 벤딩 시험장치
JPS62221127A (ja) 半導体装置の検査装置
JPH10339613A (ja) ワイヤボンディングにおけるボンディング点の検査方法
JPH0371697A (ja) 回路基板検査装置