JPH02253685A - 化合物半導体の結晶成長方法 - Google Patents
化合物半導体の結晶成長方法Info
- Publication number
- JPH02253685A JPH02253685A JP7571889A JP7571889A JPH02253685A JP H02253685 A JPH02253685 A JP H02253685A JP 7571889 A JP7571889 A JP 7571889A JP 7571889 A JP7571889 A JP 7571889A JP H02253685 A JPH02253685 A JP H02253685A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window layer
- semiconductor laser
- compound semiconductor
- built
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 title claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- QYTDEUPAUMOIOP-UHFFFAOYSA-N TEMPO Chemical compound CC1(C)CCCC(C)(C)N1[O] QYTDEUPAUMOIOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザの高光出力化および高信頼性
化を目的とした共振器端面上への化合物半導体の結晶成
長方法に関するものである。
化を目的とした共振器端面上への化合物半導体の結晶成
長方法に関するものである。
従来の半導体レーザの共振器端面上への化合物半導体結
晶からなる窓層、もしくは端面保護層（以降、総じて窓
層と呼ぶ）の形成技術についていくつかの例を用いて説
明する。
晶からなる窓層、もしくは端面保護層（以降、総じて窓
層と呼ぶ）の形成技術についていくつかの例を用いて説
明する。
特開昭５２−７４２９２号公報においては、ＡＮＧａＡ
ｓ系半導体レーザの信頼性向上を目的として共振器端面
を前記半導体レーザの活性層よりもＡ１組成の大きな組
成からなるＡｌＧａＡｓ結晶層で覆い、さらにその上を
絶縁膜で覆うことを提案している。
ｓ系半導体レーザの信頼性向上を目的として共振器端面
を前記半導体レーザの活性層よりもＡ１組成の大きな組
成からなるＡｌＧａＡｓ結晶層で覆い、さらにその上を
絶縁膜で覆うことを提案している。
また、特開昭５９−３９０８２号公報におｌ、Ｎでは・
、ＡＮＧａＡｓ系半導体レーザの共振器端面をＺｎ５ｅ
単結晶薄膜でコートすることは、端面を絶縁膜でコート
するよりも信頼性を向上する上で極めて効果的であるこ
とを示している。
、ＡＮＧａＡｓ系半導体レーザの共振器端面をＺｎ５ｅ
単結晶薄膜でコートすることは、端面を絶縁膜でコート
するよりも信頼性を向上する上で極めて効果的であるこ
とを示している。
さらに、特開昭６１−２５８４８９号公報においては、
Ａ４’ＧａＡｓ系、Ｉｎ（ＧａＡＪ’）Ｐ系またはＩｎ
ＧａＡｓＰ系からなる半導体レーザの共振器端面にＺｎ
５ｅ単結晶層を形成することが、信頼性の向上に効果的
であることを提案している。
Ａ４’ＧａＡｓ系、Ｉｎ（ＧａＡＪ’）Ｐ系またはＩｎ
ＧａＡｓＰ系からなる半導体レーザの共振器端面にＺｎ
５ｅ単結晶層を形成することが、信頼性の向上に効果的
であることを提案している。
上記いずれの従来例も、半導体レーザの共振器端面発光
領域が発光動作中に外気中の酸素や水蒸気等と反応する
ことにより劣化することを、窓層で覆うことにより抑制
する乙とで信頼性を向上しようとするものである。
領域が発光動作中に外気中の酸素や水蒸気等と反応する
ことにより劣化することを、窓層で覆うことにより抑制
する乙とで信頼性を向上しようとするものである。
また、特に特開昭６１−２５８４８９号公報の例では、
半導体レーザを構成する結晶と窓層結晶との格子定数を
整合させるために窓層結晶の組成を制御するものである
。
半導体レーザを構成する結晶と窓層結晶との格子定数を
整合させるために窓層結晶の組成を制御するものである
。
第４図は従来技術による窓構造を有するＡｌＧａＡｓ系
結晶からなる半導体レーザの共振器端面近傍の断面図で
ある。この図において、１はｐ型（以後、ｐ−と略す）
ＧａＡｓ基板、２はｐＡ ｌ ０．５ Ｇ ａ （１，
＠ Ａ ｓ第１クラッド層、３はｐＡ Ｉ ｇ８、＠Ｇ
ａ 、）、１．ＢＡ ｓ活性層、４はｎ型（以後、ｎ
−と略す） Ａ ｌ ６． 、 Ｇ ａ ６． 、 Ａ
ｓ第２クラッド層、５はｎ−ＧａＡｓコンタクト層、
６はＡ ｌ ｏ、 。
結晶からなる半導体レーザの共振器端面近傍の断面図で
ある。この図において、１はｐ型（以後、ｐ−と略す）
ＧａＡｓ基板、２はｐＡ ｌ ０．５ Ｇ ａ （１，
＠ Ａ ｓ第１クラッド層、３はｐＡ Ｉ ｇ８、＠Ｇ
ａ 、）、１．ＢＡ ｓ活性層、４はｎ型（以後、ｎ
−と略す） Ａ ｌ ６． 、 Ｇ ａ ６． 、 Ａ
ｓ第２クラッド層、５はｎ−ＧａＡｓコンタクト層、
６はＡ ｌ ｏ、 。
Ｇａ、）、、Ａｓ窓層、そして７はこの窓層６との界面
に残留した酸化異物である。
に残留した酸化異物である。
また、第５図はこの状態での活性層３と窓層６の端面付
近のバッド図を表現しており、この図において、１ｏは
価電子帯、１１は伝導帯、１２は界面準位、１３は表面
準位、モして１４はフェルミ・レベルを表しており、界
面近傍およヒＤｔＲ面近傍において価電子帯１ｏと伝導
帯１１は、界面準位１２および表面準位１３によるフェ
ルミ・レベル・ピンニング効果によりバンド・ベンゾ、
イノグしている。
近のバッド図を表現しており、この図において、１ｏは
価電子帯、１１は伝導帯、１２は界面準位、１３は表面
準位、モして１４はフェルミ・レベルを表しており、界
面近傍およヒＤｔＲ面近傍において価電子帯１ｏと伝導
帯１１は、界面準位１２および表面準位１３によるフェ
ルミ・レベル・ピンニング効果によりバンド・ベンゾ、
イノグしている。
しかしながら、窓層６の形成において最も重要なポイン
１−は、窓層６と活性層３との界面状態であり、いかに
良質な窓層６を形成しようとも、窓層６を成長した界面
に多くの界面準位１２を発生させては逆に端面の劣化を
促進してしまうことになる。従来の技術においては、こ
の点についての開示は得られない。例えばＪａｒｎａｌ
ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｅｅ ａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ、１Ｂ（５）、ｐ１４２２−ｐ１４３
３にも述べられているように、ＧａＡｓ系、ＩｎＰ系の
結晶の（１１０）へき開端面の表面準位は、完全に清浄
な状態においては、バンド・ギヤ・ツブ内には位置せず
、価電子帯、伝導帯のバンド中に入り、深い準位にはな
らないが、表面酸化や異物付着等の表面汚染によりバン
ド・ギャップ中に深い準位を形成するとされている。し
かしながら、従来技術においては、超高真空中で半導体
レーザの共振器端面を効率良く形成する方法は未だ実現
されておらず、窓層を結晶成長する前にいかに成長面を
清浄化するかが窓層形成時の重要課題であった。
１−は、窓層６と活性層３との界面状態であり、いかに
良質な窓層６を形成しようとも、窓層６を成長した界面
に多くの界面準位１２を発生させては逆に端面の劣化を
促進してしまうことになる。従来の技術においては、こ
の点についての開示は得られない。例えばＪａｒｎａｌ
ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｅｅ ａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ、１Ｂ（５）、ｐ１４２２−ｐ１４３
３にも述べられているように、ＧａＡｓ系、ＩｎＰ系の
結晶の（１１０）へき開端面の表面準位は、完全に清浄
な状態においては、バンド・ギヤ・ツブ内には位置せず
、価電子帯、伝導帯のバンド中に入り、深い準位にはな
らないが、表面酸化や異物付着等の表面汚染によりバン
ド・ギャップ中に深い準位を形成するとされている。し
かしながら、従来技術においては、超高真空中で半導体
レーザの共振器端面を効率良く形成する方法は未だ実現
されておらず、窓層を結晶成長する前にいかに成長面を
清浄化するかが窓層形成時の重要課題であった。
この発明は、上述のような状況にかんがみてなされたも
ので、窓層を結晶成長する際の成長向の清浄化を効率良
く行い、界面準位の少ない良好な窓層を形成することが
できる化合物半導体の結晶成長方法を実現することを目
的としている。
ので、窓層を結晶成長する際の成長向の清浄化を効率良
く行い、界面準位の少ない良好な窓層を形成することが
できる化合物半導体の結晶成長方法を実現することを目
的としている。
この発明に係る化合物半導体の結晶成長方法は、分子線
エビタキシー法により、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる半導体レーザの共振器端面に化合物半導体からなる
薄膜を新たに窓Ｉｍとして結晶成長する場合、窓層の成
長前に超高真空の分子線エビタキンー装置内で窓層を成
長する半導体レーザを高温に加熱し、半導体レーザを成
す化合物半導体結晶を構成する■族元素とともに、Ｉｎ
、Ｓｂ。
エビタキシー法により、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から
なる半導体レーザの共振器端面に化合物半導体からなる
薄膜を新たに窓Ｉｍとして結晶成長する場合、窓層の成
長前に超高真空の分子線エビタキンー装置内で窓層を成
長する半導体レーザを高温に加熱し、半導体レーザを成
す化合物半導体結晶を構成する■族元素とともに、Ｉｎ
、Ｓｂ。
Ｓｉ、Ｓｎ、Ｂｅ元素のうちのいずれか、もしくは複数
の元素を半導体し・−ザの窓層を成長する面にあらかじ
め照射し、その後に窓層を成長するものである。
の元素を半導体し・−ザの窓層を成長する面にあらかじ
め照射し、その後に窓層を成長するものである。
乙の発明においては、窓層を結晶成長する際の成長面の
清浄化を効率良く行うことから、端面準位の少ない良好
な窓層が形成できる。すなわち、大気中で窓層を形成し
ようとする半導体レーザの共振器端面をへき開により形
成し、すぐに分子線エビクキシー装置内にセ・ソトする
場き、端面の汚染の原因は主に酸化もしくは水分の付着
である。
清浄化を効率良く行うことから、端面準位の少ない良好
な窓層が形成できる。すなわち、大気中で窓層を形成し
ようとする半導体レーザの共振器端面をへき開により形
成し、すぐに分子線エビクキシー装置内にセ・ソトする
場き、端面の汚染の原因は主に酸化もしくは水分の付着
である。
そこで、窓層の成長面には半導体レーザを構成する■族
元素を当てて高温に加熱することにより、サーマル・エ
ツチングしながら、酸素原子との親和力が強く、その酸
化生成物の蒸気圧がｎｉＬ記半導体レーザを構成する結
晶材料の酸化物の蒸気圧よりも大きな特性を有する元素
を同時に照射する乙とにより、共振器端面に吸着した酸
素を除去し、かつその照射元素に窓層界面で深い準位を
形成せず、浅い不純物準位を形成する元素を用いること
により、窓層界面に深い界面準位が発生することを大幅
に抑制する。
元素を当てて高温に加熱することにより、サーマル・エ
ツチングしながら、酸素原子との親和力が強く、その酸
化生成物の蒸気圧がｎｉＬ記半導体レーザを構成する結
晶材料の酸化物の蒸気圧よりも大きな特性を有する元素
を同時に照射する乙とにより、共振器端面に吸着した酸
素を除去し、かつその照射元素に窓層界面で深い準位を
形成せず、浅い不純物準位を形成する元素を用いること
により、窓層界面に深い界面準位が発生することを大幅
に抑制する。
この発明の一実施例について、以下図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
第１図はこの発明による窓層形成過程の概念を模式的に
表現して説明するための図で、窓層成長面の界面の清浄
化を示すものである。第４図と同様の母体レーザ構造の
自然酸化膜を有するへき開による共振器端面にＡｓ元素
とともにＢｅ元素を照射している。これにより、例えば
端面の最表面にＡＮ−０２０の形で付着している酸素原
子は、蒸気圧の高いＢｅ−０２１の形で取り除かれ、余
剰のＢｅ元素２２は母体結晶中に取込まれ、浅いアクセ
プタとなると考えられる。
表現して説明するための図で、窓層成長面の界面の清浄
化を示すものである。第４図と同様の母体レーザ構造の
自然酸化膜を有するへき開による共振器端面にＡｓ元素
とともにＢｅ元素を照射している。これにより、例えば
端面の最表面にＡＮ−０２０の形で付着している酸素原
子は、蒸気圧の高いＢｅ−０２１の形で取り除かれ、余
剰のＢｅ元素２２は母体結晶中に取込まれ、浅いアクセ
プタとなると考えられる。
第２図は、第１図のようにして清浄化された端面に窓層
を形成した状態でのバンド図を表現しており、上述の効
果により界面準位１２の密度が下がり、窓層界面におけ
るバンド・ベンディングも小さくなっている。これによ
り、第５図に示したような界面準位１２の多い状態に比
べ、レーザ光の窓層界面での吸収が小さくなり、この界
面光吸収によるＣ ＯＤ （Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ
０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａｇｅ）の発生もさらに抑制
される。
を形成した状態でのバンド図を表現しており、上述の効
果により界面準位１２の密度が下がり、窓層界面におけ
るバンド・ベンディングも小さくなっている。これによ
り、第５図に示したような界面準位１２の多い状態に比
べ、レーザ光の窓層界面での吸収が小さくなり、この界
面光吸収によるＣ ＯＤ （Ｃａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃ
０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｍａｇｅ）の発生もさらに抑制
される。
第３図の（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は窓構造以外同一の構
造からなる半導体レーザについて、（ａ）窓層のないも
の、（ｂ）従来の方法による窓層を有するもの、（Ｃ）
第１図に示したこの発明による方法で窓層を形成したも
のについての光出力−電流特性を実験事実に基づいて示
したものである。図中の−はＣＯＤレベルを表しており
、ある条件下では、。
造からなる半導体レーザについて、（ａ）窓層のないも
の、（ｂ）従来の方法による窓層を有するもの、（Ｃ）
第１図に示したこの発明による方法で窓層を形成したも
のについての光出力−電流特性を実験事実に基づいて示
したものである。図中の−はＣＯＤレベルを表しており
、ある条件下では、。
（ａ）では約３０ｍＷ、（ｂ）では約６０ｎｎＷ、（ｃ
）では９０ｆｆｌＷ以上であった。
）では９０ｆｆｌＷ以上であった。
以上説明したように、この発明は、分子線エピタキシー
法により、Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体し・−
ザの共振器端面に化合物半導体からなる薄膜を新たに窓
層として結晶成長する場合、窓層の成長前に超高真空の
分子線エピタキシー装置内で窓層を成長する半導体レー
ザを高温に加熱し、半導体レーザを成す化合物半導体結
晶を構成する■族元素とともに、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓ
ｎ。
法により、Ｉ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体し・−
ザの共振器端面に化合物半導体からなる薄膜を新たに窓
層として結晶成長する場合、窓層の成長前に超高真空の
分子線エピタキシー装置内で窓層を成長する半導体レー
ザを高温に加熱し、半導体レーザを成す化合物半導体結
晶を構成する■族元素とともに、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓ
ｎ。
Ｂｅ元素のうちのいずれか、もしくは複数の元素を半導
体レーザの窓層を成長する面にあらかじめ照射し、その
後に窓層を成長するので、成長面を効率的に清浄し、界
面順位の少ない窓層を形成するうえで極めて効果がある
。
体レーザの窓層を成長する面にあらかじめ照射し、その
後に窓層を成長するので、成長面を効率的に清浄し、界
面順位の少ない窓層を形成するうえで極めて効果がある
。
第１図はこの発明による窓層形成方法の一実施例を説明
する図であり、第２図はそれによる窓層付近のバンド図
を表す図、第３図は窓構造以外は同一の構造からなる半
導体レーザについて、（ａ）窓層のないもの、（ｂ）従
来方法による窓層を有するもの、（Ｃ）この発明による
窓層を有するものの各々の光出力−電流特性を示す図、
第４図は従来技術による窓構造の半導体レーザの一例の
端面近傍を示す断面図、第５図はその状態のバンド図を
表す図である。 図におイテ、１はｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２はｐＡ
ｌ ｏ、 ｓＧ ａ ｇ、 ５Ａ ｓ第１クラッド層、
３はｐＡ ｅ ６．５Ｇ ａ ６． ｇ５Ａ Ｓ活性層
、４はｎ−Ａｌ１ｏ、ｓＧａｇ、５Ａｓ第２クラッド層
、５はｎ −Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層、６はＡ ｌ
ｇ、、Ｇ ａ （、、、Ａ ｓ窓層、７酸化異物、１
ｏは価電子帯、１１は伝導帯、１２は界面準位、１３は
表面準位、１４はフェルミ・レベル、２０はＡｌ−０，
２１はＢ ｅ −０，２２は余剰のＢｅ元素である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第 図 第 図 （ａ） 電流 第 図 （ｂ） （Ｃ） 電志 １１胤
する図であり、第２図はそれによる窓層付近のバンド図
を表す図、第３図は窓構造以外は同一の構造からなる半
導体レーザについて、（ａ）窓層のないもの、（ｂ）従
来方法による窓層を有するもの、（Ｃ）この発明による
窓層を有するものの各々の光出力−電流特性を示す図、
第４図は従来技術による窓構造の半導体レーザの一例の
端面近傍を示す断面図、第５図はその状態のバンド図を
表す図である。 図におイテ、１はｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２はｐＡ
ｌ ｏ、 ｓＧ ａ ｇ、 ５Ａ ｓ第１クラッド層、
３はｐＡ ｅ ６．５Ｇ ａ ６． ｇ５Ａ Ｓ活性層
、４はｎ−Ａｌ１ｏ、ｓＧａｇ、５Ａｓ第２クラッド層
、５はｎ −Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層、６はＡ ｌ
ｇ、、Ｇ ａ （、、、Ａ ｓ窓層、７酸化異物、１
ｏは価電子帯、１１は伝導帯、１２は界面準位、１３は
表面準位、１４はフェルミ・レベル、２０はＡｌ−０，
２１はＢ ｅ −０，２２は余剰のＢｅ元素である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第 図 第 図 （ａ） 電流 第 図 （ｂ） （Ｃ） 電志 １１胤
Claims (1)
- 分子線エピタキシー法により、III−Ｖ族化合物半導体
からなる半導体レーザの共振器端面に、化合物半導体か
らなる薄膜を新たに窓層として結晶成長する場合、前記
窓層の成長前に超高真空の分子線エピタキシー装置内で
前記窓層を成長する前記半導体レーザを高温に加熱し、
前記半導体レーザを成す化合物半導体結晶を構成するＶ
族元素とともに、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｂｅ元素の
うちのいずれか、もしくは複数の元素を前記半導体レー
ザの窓層を成長する面にあらかじめ照射し、その後に前
記窓層を成長することを特徴とする化合物半導体の結晶
成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7571889A JPH0831661B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 化合物半導体の結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7571889A JPH0831661B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 化合物半導体の結晶成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02253685A true JPH02253685A (ja) | 1990-10-12 |
| JPH0831661B2 JPH0831661B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=13584316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7571889A Expired - Lifetime JPH0831661B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 化合物半導体の結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831661B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004538652A (ja) * | 2001-08-09 | 2004-12-24 | コムラーセ アクティエボラーグ | 無汚染レーザーミラーおよびそれらの不動態化を得る方法 |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7571889A patent/JPH0831661B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004538652A (ja) * | 2001-08-09 | 2004-12-24 | コムラーセ アクティエボラーグ | 無汚染レーザーミラーおよびそれらの不動態化を得る方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831661B2 (ja) | 1996-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1437809B1 (en) | Compound semiconductor laser | |
| EP0477013B1 (en) | Method of producing a semiconductor laser | |
| JPH06232099A (ja) | 半導体装置の製造方法，半導体装置の製造装置，半導体レーザの製造方法，量子細線構造の製造方法，及び結晶成長方法 | |
| EP0469900B1 (en) | A method for the production of a semiconductor laser device | |
| EP0549278B1 (en) | A method for fabricating an AlGaInP semiconductor light emitting device | |
| JP2914430B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3234799B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP2000082863A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH02253685A (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法 | |
| JPH0983071A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2669142B2 (ja) | ウィンドウ構造半導体レーザの製造方法 | |
| JP2865160B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2736173B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH0690061A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH10209562A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH09275239A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3196831B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3403247B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2895915B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2672405B2 (ja) | スーパールミネッセントダイオードの作製方法 | |
| JPH04345079A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPH0637390A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH0856047A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0645689A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH03234076A (ja) | 半導体レーザの窓層の形成方法 |