JP3403247B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/164—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions comprising semiconductor material with a wider bandgap than the active layer
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＡｓ基板上に形成
され、ＩｎＧａＡｓよりなる歪量子井戸層を活性層と
し、０．９〜１．３μｍの発振波長をもって発振する半
導体レーザ装置の信頼性を向上する改良に関する。特
に、光学損傷の発生を防止する改良に関する。 【０００２】 【従来の技術】ＧａＡｓ基板に形成される半導体レーザ
装置は、光学損傷と呼ばれる突然劣化（瞬時に共振器面
が溶融する突然劣化）から免れることができないことが
一般である。しかし、ＧａＡｓ基板に形成される半導体
レーザ装置において、活性層の禁制帯幅より大きな幅の
禁制帯を有する半導体の単結晶層を、共振器面に形成し
ておくと、光学損傷の発生を抑制するに有効であること
が知られている（特開昭５２−７４２９２号）。 【０００３】そこで、厚さ１００ｎｍ程度のＧａＡｓ層
やＡｌＧａＡｓ層を活性層とするダブルヘテロ構造の半
導体レーザ装置においては、これらの活性層の材料より
禁制帯幅の大きな半導体であるＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａ
ＡｌＰ、ＩｎＧａＰ等の単結晶層を共振器面に形成し
て、光学損傷の発生を抑制していた。ＡｌＧａＡｓやＩ
ｎＧａＡｌＰの良好な単結晶を得るには８００℃程度の
高い成長温度において結晶成長することが望ましいので
あるが、厚さ１００ｎｍ程度のＧａＡｓ層やＡｌＧａＡ
ｓ層を活性層とするダブルヘテロ構造の半導体レーザ装
置の場合は、８００℃程度の高温に曝されても活性層が
破壊されることはないので、特開昭５２−７４２９２号
公報に開示されている光学損傷抑制用の単結晶層を共振
器面に形成することができるからである。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、厚さ１０ｎｍ
程度のＩｎＧａＡｓ層よりなる歪量子井戸層を活性層と
する半導体レーザ装置の場合は、８００℃程度の成長温
度を使用してＡｌＧａＡｓやＩｎＧａＡｌＰの光学損傷
抑制用の単結晶層を共振器面に形成することはできな
い。量子井戸層をなすＩｎＧａＡｓ層の厚さが薄く、し
かも、この量子井戸層には歪が与えられているため、高
温に曝されると、結晶が無秩序化し、量子井戸層とこれ
を挟む層との境界がなくなるからである。 【０００５】また、Ａｌを含む半導体結晶を低温で成長
しようとすると、結晶中に酸素が取り込まれて半導体の
構成元素が酸化され、非発光再結合が増大する。そし
て、レーザ光を吸収して発熱し、発熱によりさらに吸収
が増大すると云う正帰還現象が発生して光学損傷に至る
ので、厚さ１０ｎｍ程度のＩｎＧａＡｓよりなる歪量子
井戸層を活性層とする半導体レーザ装置の場合、量子井
戸層の無秩序化を防止することを目的として、ＡｌＧａ
ＡｓやＩｎＧａＡｌＰの単結晶層を低温をもって共振器
面上に形成することはできない。 【０００６】本発明の目的は、これらの問題を解決し
て、ＧａＡｓ基板上に形成されたＩｎＧａＡｓよりなる
歪量子井戸層を活性層とする半導体レーザ装置におい
て、光学損傷の発生が防止され、信頼性が向上している
半導体レーザ装置を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】上記の目的は、ＩｎＧａ
Ａｓ層よりなる歪量子井戸層が活性層としてＧａＡｓ基
板上に形成され、平行する二つの劈開面よりなる共振器
が形成されてなる半導体レーザ装置において、前記共振
器面にＩｎＧａＰ層よりなる光学損傷抑制層が６００℃
程度以下の成長温度で形成されている半導体レーザ装置
によって達成される。 【０００８】 【作用】本発明は、特開昭５２−７４２９２号公報に開
示されている光学損傷発生防止方法を、ＩｎＧａＡｓ層
よりなる歪量子井戸層を活性層としてＧａＡｓ基板上に
形成される半導体レーザ装置に適用しうるように改良し
たものである。そして、共振器面に形成される半導体単
結晶層の材料には低温で形成しても結晶中に酸素が取り
込まれず光学損傷の発生を誘発することがないＩｎＧａ
Ｐを使用しており、このＩｎＧａＰ層を共振器面に低温
で形成することゝされているので、歪量子井戸が破壊さ
れることはない。その結果、光学損傷の発生が防止さ
れ、信頼性が向上される。 【０００９】 【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
係る半導体レーザ装置の製造工程と、製造直後と大きな
電流を流して使用した後でのしきい値電流とについて説
明する。 【００１０】図２参照 有機金属気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法と云う。）等を
使用して、ｎ型のＧａＡｓ基板２上に、約２μｍ厚のｎ
型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ層よりなる下部クラッド層３
と、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層の歪量子井戸層よりなる活
性層４と、約２μｍ厚のｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ層よ
りなる上部クラッド層５とｐ型ＧａＡｓ層よりなるコン
タクト層８とを形成する。 【００１１】なお、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層の歪量子井
戸層よりなる活性層４の厚さは約７ｎｍであり、図示し
ていないが、その下面には厚さ約２０ｎｍのＡｌ0.2 Ｇ
ａ0. 8 Ａｓ層と厚さ約２０ｎｍのＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ
層との積層体よりなる光分離層が形成され、また、その
上面にも厚さ約２０ｎｍのＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ層と厚
さ約２０ｎｍのＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層との積層体より
なる光分離層が形成されている。 【００１２】図３参照 劈開しうる面に直交して形成されるストライプに対応し
て、幅約３μｍのレジスト膜９を形成し、レジスト膜９
に覆われていない領域からコンタクト層８と上部クラッ
ド層５の上部をエッチング除去する。 【００１３】つゞいて、ＣＶＤ法等を使用して、上部ク
ラッド層５の上面と側面とコンタクト層８の側面とに厚
さ２００ｎｍのＳｉＯ2 よりなる絶縁層６を形成する。 【００１４】図４参照 ｎ型ＧａＡｓ基板２の厚さを１００〜２００μｍに研磨
した後、ｎ型ＧａＡｓ基板２の下面に、ＡｕＧｅＮｉ／
Ａｕ層よりなる負電極１を形成し、コンタクト層８の上
面と絶縁層６の上とにＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ層よりなる正電
極７を形成する。 【００１５】間隔が６００μｍであり紙面に平行な面に
そって劈開して、共振器を形成する。 【００１６】図１参照 図は図４のＡ−Ａ断面図を基準にして描いてある。再び
ＭＯＣＶＤ法等を使用して、共振器面上に、厚さ１００
ｎｍのＩｎＧａＰ層よりなる光学損傷抑制層１０を形成
する。この成長温度は６００℃程度である。 【００１７】上記の工程をもって製造した直後のしきい
値電流は９．２±０．３ｍＡであり、７０時間にわたり
３００ｍＡ通電してレーザ発振させた後もしきい値電流
は９．４±０．３ｍＡであり、光学損傷は発生せず、ま
た、寿命も満足すべきものであった。 【００１８】比較例 上記と同様な製造方法をもって、以下のような比較例を
各１０個宛製造した。 【００１９】Ａ．比較例１ 光学損傷抑制層の材質は本発明の実施例と同様ＩｎＧａ
Ｐであるが、その成長温度を７５０℃とした。製造直後
のしきい値電流は３８±４ｍＡであり、７０時間にわた
り３００ｍＡ通電してレーザ発振させた後のしきい値電
流は３９±５ｍＡであった。このように、大電流通電に
よってはしきい値電流の上昇はなかったが、製造直後か
らしきい値電流が高く、満足すべきものではなかった。 【００２０】Ｂ．比較例２ 光学損傷抑制層の材質をＡｌＧａＡｓとし、成長温度を
６００℃とした。製造直後のしきい値電流は９．０±
０．４ｍＡであり、７０時間にわたり３００ｍＡ通電し
てレーザ発振させた後のしきい値電流は１８．５±２．
１ｍＡであった。製造直後のしきい値電流は本発明の実
施例の場合と同等であったが、大電流通電によってしき
い値電流が急増し、満足すべきものではなかった。 【００２１】Ｃ．比較例３ 光学損傷抑制層の材質は比較例２と同様ＡｌＧａＡｓで
あるが、その成長温度を７５０℃とした。製造直後のし
きい値電流は４２±４ｍＡであり、７０時間にわたり３
００ｍＡ通電してレーザ発振させた後のしきい値電流は
４２±５ｍＡであった。大電流通電によってはしきい値
電流の上昇はなかったが、製造直後からしきい値電流が
高く、満足すべきものではなかった。 【００２２】Ｄ．比較例４ 光学損傷抑制層の材質をＩｎＧａＡｌＰとし、成長温度
を６００℃とした。製造直後のしきい値電流は１０．３
±０．５ｍＡであり、７０時間にわたり３００ｍＡ通電
してレーザ発振させた後のしきい値電流は２５±３ｍＡ
であった。製造直後のしきい値電流は本発明の実施例の
場合と大差なかったが、大電流通電によってしきい値電
流が急増し、満足すべきものではなかった。 【００２３】Ｅ．比較例５ 光学損傷抑制層の材質は比較例４と同様ＩｎＧａＡｌＰ
であるが、その成長温度を７５０℃とした。製造直後の
しきい値電流は４５±５ｍＡであり、７０時間にわたり
３００ｍＡ通電してレーザ発振させた後のしきい値電流
は４６±５ｍＡであった。大電流通電によってはしきい
値電流の上昇はなかったが、製造直後からしきい値電流
が高く、満足すべきものではなかった。 【００２４】Ｆ．比較例６ 光学損傷抑制層は設けなかった。製造直後のしきい値電
流は９．０±０．２ｍＡであったが、３００ｍＡ通電し
てレーザ発振させたところ、１〜４８時間で、全量光学
損傷のため破壊し、発振を停止した。 【００２５】以上のとおり、比較例はいずれも満足すべ
きものではなく、本発明の効果が確認された。 【００２６】なお、本発明に係る半導体レーザ装置本体
の層構成は、上記実施例に限定されず、歪量子井戸層の
数は複数でもよく、また、ＭＱＷバッファやＭＱＢ等が
付加されていてもよく、クラッド層の材料はＩｎＧａＰ
でもＡｌＧａＩｎＰでもよい。また、リッジ導波型でな
く埋め込み型でもよく、縦モード制御のためのグレーテ
ィング等を有していてもよい。 【００２７】 【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体レーザ装置は、ＩｎＧａＡｓ層よりなる歪量子井戸層
が活性層としてＧａＡｓ基板上に形成され、平行する二
つの劈開面よりなる共振器が形成されてなる半導体レー
ザ装置において、前記共振器面にＩｎＧａＰ層よりなる
光学損傷抑制層が６００℃程度以下の成長温度で形成さ
れている半導体レーザ装置であり、光学損傷抑制層に
は、低温で形成しても結晶中に酸素が取り込まれず光学
損傷の発生を誘発することがないＩｎＧａＰが使用され
ており、このＩｎＧａＰよりなる光学損傷抑制層が６０
０℃程度以下の低温で形成されているので、歪量子井戸
が破壊されることがなく、光学損傷の発生が防止され、
信頼性が高い。
され、ＩｎＧａＡｓよりなる歪量子井戸層を活性層と
し、０．９〜１．３μｍの発振波長をもって発振する半
導体レーザ装置の信頼性を向上する改良に関する。特
に、光学損傷の発生を防止する改良に関する。 【０００２】 【従来の技術】ＧａＡｓ基板に形成される半導体レーザ
装置は、光学損傷と呼ばれる突然劣化（瞬時に共振器面
が溶融する突然劣化）から免れることができないことが
一般である。しかし、ＧａＡｓ基板に形成される半導体
レーザ装置において、活性層の禁制帯幅より大きな幅の
禁制帯を有する半導体の単結晶層を、共振器面に形成し
ておくと、光学損傷の発生を抑制するに有効であること
が知られている（特開昭５２−７４２９２号）。 【０００３】そこで、厚さ１００ｎｍ程度のＧａＡｓ層
やＡｌＧａＡｓ層を活性層とするダブルヘテロ構造の半
導体レーザ装置においては、これらの活性層の材料より
禁制帯幅の大きな半導体であるＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａ
ＡｌＰ、ＩｎＧａＰ等の単結晶層を共振器面に形成し
て、光学損傷の発生を抑制していた。ＡｌＧａＡｓやＩ
ｎＧａＡｌＰの良好な単結晶を得るには８００℃程度の
高い成長温度において結晶成長することが望ましいので
あるが、厚さ１００ｎｍ程度のＧａＡｓ層やＡｌＧａＡ
ｓ層を活性層とするダブルヘテロ構造の半導体レーザ装
置の場合は、８００℃程度の高温に曝されても活性層が
破壊されることはないので、特開昭５２−７４２９２号
公報に開示されている光学損傷抑制用の単結晶層を共振
器面に形成することができるからである。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、厚さ１０ｎｍ
程度のＩｎＧａＡｓ層よりなる歪量子井戸層を活性層と
する半導体レーザ装置の場合は、８００℃程度の成長温
度を使用してＡｌＧａＡｓやＩｎＧａＡｌＰの光学損傷
抑制用の単結晶層を共振器面に形成することはできな
い。量子井戸層をなすＩｎＧａＡｓ層の厚さが薄く、し
かも、この量子井戸層には歪が与えられているため、高
温に曝されると、結晶が無秩序化し、量子井戸層とこれ
を挟む層との境界がなくなるからである。 【０００５】また、Ａｌを含む半導体結晶を低温で成長
しようとすると、結晶中に酸素が取り込まれて半導体の
構成元素が酸化され、非発光再結合が増大する。そし
て、レーザ光を吸収して発熱し、発熱によりさらに吸収
が増大すると云う正帰還現象が発生して光学損傷に至る
ので、厚さ１０ｎｍ程度のＩｎＧａＡｓよりなる歪量子
井戸層を活性層とする半導体レーザ装置の場合、量子井
戸層の無秩序化を防止することを目的として、ＡｌＧａ
ＡｓやＩｎＧａＡｌＰの単結晶層を低温をもって共振器
面上に形成することはできない。 【０００６】本発明の目的は、これらの問題を解決し
て、ＧａＡｓ基板上に形成されたＩｎＧａＡｓよりなる
歪量子井戸層を活性層とする半導体レーザ装置におい
て、光学損傷の発生が防止され、信頼性が向上している
半導体レーザ装置を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】上記の目的は、ＩｎＧａ
Ａｓ層よりなる歪量子井戸層が活性層としてＧａＡｓ基
板上に形成され、平行する二つの劈開面よりなる共振器
が形成されてなる半導体レーザ装置において、前記共振
器面にＩｎＧａＰ層よりなる光学損傷抑制層が６００℃
程度以下の成長温度で形成されている半導体レーザ装置
によって達成される。 【０００８】 【作用】本発明は、特開昭５２−７４２９２号公報に開
示されている光学損傷発生防止方法を、ＩｎＧａＡｓ層
よりなる歪量子井戸層を活性層としてＧａＡｓ基板上に
形成される半導体レーザ装置に適用しうるように改良し
たものである。そして、共振器面に形成される半導体単
結晶層の材料には低温で形成しても結晶中に酸素が取り
込まれず光学損傷の発生を誘発することがないＩｎＧａ
Ｐを使用しており、このＩｎＧａＰ層を共振器面に低温
で形成することゝされているので、歪量子井戸が破壊さ
れることはない。その結果、光学損傷の発生が防止さ
れ、信頼性が向上される。 【０００９】 【実施例】以下、図面を参照して、本発明の一実施例に
係る半導体レーザ装置の製造工程と、製造直後と大きな
電流を流して使用した後でのしきい値電流とについて説
明する。 【００１０】図２参照 有機金属気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法と云う。）等を
使用して、ｎ型のＧａＡｓ基板２上に、約２μｍ厚のｎ
型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ層よりなる下部クラッド層３
と、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層の歪量子井戸層よりなる活
性層４と、約２μｍ厚のｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ層よ
りなる上部クラッド層５とｐ型ＧａＡｓ層よりなるコン
タクト層８とを形成する。 【００１１】なお、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層の歪量子井
戸層よりなる活性層４の厚さは約７ｎｍであり、図示し
ていないが、その下面には厚さ約２０ｎｍのＡｌ0.2 Ｇ
ａ0. 8 Ａｓ層と厚さ約２０ｎｍのＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ
層との積層体よりなる光分離層が形成され、また、その
上面にも厚さ約２０ｎｍのＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ａｓ層と厚
さ約２０ｎｍのＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層との積層体より
なる光分離層が形成されている。 【００１２】図３参照 劈開しうる面に直交して形成されるストライプに対応し
て、幅約３μｍのレジスト膜９を形成し、レジスト膜９
に覆われていない領域からコンタクト層８と上部クラッ
ド層５の上部をエッチング除去する。 【００１３】つゞいて、ＣＶＤ法等を使用して、上部ク
ラッド層５の上面と側面とコンタクト層８の側面とに厚
さ２００ｎｍのＳｉＯ2 よりなる絶縁層６を形成する。 【００１４】図４参照 ｎ型ＧａＡｓ基板２の厚さを１００〜２００μｍに研磨
した後、ｎ型ＧａＡｓ基板２の下面に、ＡｕＧｅＮｉ／
Ａｕ層よりなる負電極１を形成し、コンタクト層８の上
面と絶縁層６の上とにＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ層よりなる正電
極７を形成する。 【００１５】間隔が６００μｍであり紙面に平行な面に
そって劈開して、共振器を形成する。 【００１６】図１参照 図は図４のＡ−Ａ断面図を基準にして描いてある。再び
ＭＯＣＶＤ法等を使用して、共振器面上に、厚さ１００
ｎｍのＩｎＧａＰ層よりなる光学損傷抑制層１０を形成
する。この成長温度は６００℃程度である。 【００１７】上記の工程をもって製造した直後のしきい
値電流は９．２±０．３ｍＡであり、７０時間にわたり
３００ｍＡ通電してレーザ発振させた後もしきい値電流
は９．４±０．３ｍＡであり、光学損傷は発生せず、ま
た、寿命も満足すべきものであった。 【００１８】比較例 上記と同様な製造方法をもって、以下のような比較例を
各１０個宛製造した。 【００１９】Ａ．比較例１ 光学損傷抑制層の材質は本発明の実施例と同様ＩｎＧａ
Ｐであるが、その成長温度を７５０℃とした。製造直後
のしきい値電流は３８±４ｍＡであり、７０時間にわた
り３００ｍＡ通電してレーザ発振させた後のしきい値電
流は３９±５ｍＡであった。このように、大電流通電に
よってはしきい値電流の上昇はなかったが、製造直後か
らしきい値電流が高く、満足すべきものではなかった。 【００２０】Ｂ．比較例２ 光学損傷抑制層の材質をＡｌＧａＡｓとし、成長温度を
６００℃とした。製造直後のしきい値電流は９．０±
０．４ｍＡであり、７０時間にわたり３００ｍＡ通電し
てレーザ発振させた後のしきい値電流は１８．５±２．
１ｍＡであった。製造直後のしきい値電流は本発明の実
施例の場合と同等であったが、大電流通電によってしき
い値電流が急増し、満足すべきものではなかった。 【００２１】Ｃ．比較例３ 光学損傷抑制層の材質は比較例２と同様ＡｌＧａＡｓで
あるが、その成長温度を７５０℃とした。製造直後のし
きい値電流は４２±４ｍＡであり、７０時間にわたり３
００ｍＡ通電してレーザ発振させた後のしきい値電流は
４２±５ｍＡであった。大電流通電によってはしきい値
電流の上昇はなかったが、製造直後からしきい値電流が
高く、満足すべきものではなかった。 【００２２】Ｄ．比較例４ 光学損傷抑制層の材質をＩｎＧａＡｌＰとし、成長温度
を６００℃とした。製造直後のしきい値電流は１０．３
±０．５ｍＡであり、７０時間にわたり３００ｍＡ通電
してレーザ発振させた後のしきい値電流は２５±３ｍＡ
であった。製造直後のしきい値電流は本発明の実施例の
場合と大差なかったが、大電流通電によってしきい値電
流が急増し、満足すべきものではなかった。 【００２３】Ｅ．比較例５ 光学損傷抑制層の材質は比較例４と同様ＩｎＧａＡｌＰ
であるが、その成長温度を７５０℃とした。製造直後の
しきい値電流は４５±５ｍＡであり、７０時間にわたり
３００ｍＡ通電してレーザ発振させた後のしきい値電流
は４６±５ｍＡであった。大電流通電によってはしきい
値電流の上昇はなかったが、製造直後からしきい値電流
が高く、満足すべきものではなかった。 【００２４】Ｆ．比較例６ 光学損傷抑制層は設けなかった。製造直後のしきい値電
流は９．０±０．２ｍＡであったが、３００ｍＡ通電し
てレーザ発振させたところ、１〜４８時間で、全量光学
損傷のため破壊し、発振を停止した。 【００２５】以上のとおり、比較例はいずれも満足すべ
きものではなく、本発明の効果が確認された。 【００２６】なお、本発明に係る半導体レーザ装置本体
の層構成は、上記実施例に限定されず、歪量子井戸層の
数は複数でもよく、また、ＭＱＷバッファやＭＱＢ等が
付加されていてもよく、クラッド層の材料はＩｎＧａＰ
でもＡｌＧａＩｎＰでもよい。また、リッジ導波型でな
く埋め込み型でもよく、縦モード制御のためのグレーテ
ィング等を有していてもよい。 【００２７】 【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体レーザ装置は、ＩｎＧａＡｓ層よりなる歪量子井戸層
が活性層としてＧａＡｓ基板上に形成され、平行する二
つの劈開面よりなる共振器が形成されてなる半導体レー
ザ装置において、前記共振器面にＩｎＧａＰ層よりなる
光学損傷抑制層が６００℃程度以下の成長温度で形成さ
れている半導体レーザ装置であり、光学損傷抑制層に
は、低温で形成しても結晶中に酸素が取り込まれず光学
損傷の発生を誘発することがないＩｎＧａＰが使用され
ており、このＩｎＧａＰよりなる光学損傷抑制層が６０
０℃程度以下の低温で形成されているので、歪量子井戸
が破壊されることがなく、光学損傷の発生が防止され、
信頼性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置のス
トライプに平行する方向の断面図である。 【図２】本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の製
造工程図である。 【図３】本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の製
造工程図である。 【図４】本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の製
造工程図である。 【符号の説明】 １ 負電極（ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ層） ２ ｎ型ＧａＡｓ基板 ３ 下部クラッド層（ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ層） ４ 活性層（Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層の歪量子井戸
層） ５ 上部クラッド層（ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ層） ６ 絶縁層（ＳｉＯ2 ） ７ 正電極（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層） ８ コンタクト層（ｐ型ＧａＡｓ層） ９ レジスト膜 １０ ＩｎＧａＰ層よりなる光学損傷抑制層
トライプに平行する方向の断面図である。 【図２】本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の製
造工程図である。 【図３】本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の製
造工程図である。 【図４】本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の製
造工程図である。 【符号の説明】 １ 負電極（ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ層） ２ ｎ型ＧａＡｓ基板 ３ 下部クラッド層（ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ層） ４ 活性層（Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ層の歪量子井戸
層） ５ 上部クラッド層（ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ層） ６ 絶縁層（ＳｉＯ2 ） ７ 正電極（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層） ８ コンタクト層（ｐ型ＧａＡｓ層） ９ レジスト膜 １０ ＩｎＧａＰ層よりなる光学損傷抑制層
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(56)参考文献 特開 平３−171791（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−267776（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−20964（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−109688（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−282197（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 ＩｎＧａＡｓ層よりなる歪量子井戸層が
活性層としてＧａＡｓ基板上に形成され、平行する二つ
の劈開面よりなる共振器が形成されてなる半導体レーザ
装置において、前記共振器面にＩｎＧａＰ層よりなる光
学損傷抑制層が６００℃程度以下の成長温度で形成され
ていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16120694A JP3403247B2 (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16120694A JP3403247B2 (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832167A JPH0832167A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3403247B2 true JP3403247B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=15730620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16120694A Expired - Fee Related JP3403247B2 (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3403247B2 (ja) |
-
1994
- 1994-07-13 JP JP16120694A patent/JP3403247B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0832167A (ja) | 1996-02-02 |
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