JPH02253599A - 高速原子線源装置 - Google Patents
高速原子線源装置Info
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- JPH02253599A JPH02253599A JP7471489A JP7471489A JPH02253599A JP H02253599 A JPH02253599 A JP H02253599A JP 7471489 A JP7471489 A JP 7471489A JP 7471489 A JP7471489 A JP 7471489A JP H02253599 A JPH02253599 A JP H02253599A
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- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は成膜、エツチング等の材料加工に用いる高速原
子線源装置に関するものである。
子線源装置に関するものである。
(従来の技術)
第3図は、従来例の高速原子線源装置の一部切欠斜視図
である。従来例に用いられていた気体原子の高速原子線
を発生する高速原子線源装置のうち、運動エネルギーが
0.5〜l0KVのアルゴン原子を放射する高速原子線
源装置の一例を示すものである。
である。従来例に用いられていた気体原子の高速原子線
を発生する高速原子線源装置のうち、運動エネルギーが
0.5〜l0KVのアルゴン原子を放射する高速原子線
源装置の一例を示すものである。
図中符号1はそれぞれ陰極を形成する端面1a。
tb(以下単に端面1a、lbという)を有し中央に放
電室Cを具えた円筒形カソード、2は前記カソード1の
放電室Cのほぼ中心部に設けたリング状アノードであり
、これらはグラファイト等の導電性、耐熱性にすぐれた
材料で作製されている。3は前記カソードlとアノード
2との間に高電圧例えば0.5〜l0KVの直流高圧を
印加する高圧電源、4は円筒形カソード1の一端面に穿
設したガス導入孔、5は導入孔4より放電室C内に供給
した不活性のアルゴンガス、6は後述するグロー放電に
より放電室内に形成したプラズマ、7は円筒形カソード
1の他端面に穿設した高速原子線放出孔、8は前記放出
孔7より外部へ放出した高速原子線、9は高速原子線源
装置外部から不活性アルゴンガス5をカソードのガス導
入孔4に導くための導入管でステンレス等よりなる。
電室Cを具えた円筒形カソード、2は前記カソード1の
放電室Cのほぼ中心部に設けたリング状アノードであり
、これらはグラファイト等の導電性、耐熱性にすぐれた
材料で作製されている。3は前記カソードlとアノード
2との間に高電圧例えば0.5〜l0KVの直流高圧を
印加する高圧電源、4は円筒形カソード1の一端面に穿
設したガス導入孔、5は導入孔4より放電室C内に供給
した不活性のアルゴンガス、6は後述するグロー放電に
より放電室内に形成したプラズマ、7は円筒形カソード
1の他端面に穿設した高速原子線放出孔、8は前記放出
孔7より外部へ放出した高速原子線、9は高速原子線源
装置外部から不活性アルゴンガス5をカソードのガス導
入孔4に導くための導入管でステンレス等よりなる。
以上の構成部材のうち、直流高圧電源3以外の部材を真
空容器(図示せず)に収納し、高真空状態に保持する。
空容器(図示せず)に収納し、高真空状態に保持する。
このような高速原子線源装置にガス導入管9からアルゴ
ンガス5を供給して、ガス導入孔4を経て円筒形カソー
ド1の放電室Cの内部へ供給する。
ンガス5を供給して、ガス導入孔4を経て円筒形カソー
ド1の放電室Cの内部へ供給する。
次にカソード1とアノード2との間に直流高圧電源3に
より高電圧を印加すると、カソード1の放電室C内でグ
ロー放電が発生し、プラズマが形成され、ガス導入孔4
から導入された不活性ガス例えばアルゴンガス5はイオ
ン化されて、カソード1及びアノード2間に印加された
静電界により、カソード1の端面1a、lbに向けて加
速され、そのうち前記端面1a側に向けて加速された放
電プラズマ6のイオンはカソード1の端面1aに設けた
高速電子線放出孔7付近で電子と結合することにより高
速中性原子となり前記放出孔7から放出されて、高速原
子線8が得られる。
より高電圧を印加すると、カソード1の放電室C内でグ
ロー放電が発生し、プラズマが形成され、ガス導入孔4
から導入された不活性ガス例えばアルゴンガス5はイオ
ン化されて、カソード1及びアノード2間に印加された
静電界により、カソード1の端面1a、lbに向けて加
速され、そのうち前記端面1a側に向けて加速された放
電プラズマ6のイオンはカソード1の端面1aに設けた
高速電子線放出孔7付近で電子と結合することにより高
速中性原子となり前記放出孔7から放出されて、高速原
子線8が得られる。
以上は高速電子線発生の原理であるが、以下更にその詳
細に渉って説明する。
細に渉って説明する。
円筒形カソード1の放電室C内でのアルゴンガス5の流
れは、円筒形カソードlと真空容器との圧力差による差
動排気をうけ、高速原子線放出孔7から外部方向へ向か
う、真空容器内の圧力が例えば10 −10 (To
rr)である場合のアルゴンガス5のff1lにおいて
、アルゴンガス5は、前記放電室Cに平行に移動する層
流に近い挙動を示す。
れは、円筒形カソードlと真空容器との圧力差による差
動排気をうけ、高速原子線放出孔7から外部方向へ向か
う、真空容器内の圧力が例えば10 −10 (To
rr)である場合のアルゴンガス5のff1lにおいて
、アルゴンガス5は、前記放電室Cに平行に移動する層
流に近い挙動を示す。
この状態において、リング状アノード2が正電位となる
ように、直流高圧電源3から直流高電圧を印加すると、
円筒形カソード1の放電室Cとリング状アノード2との
間でグロー放電が生じ、はぼつづみ状のプラズマ6が形
成されて、アルゴンイオンと電子が生成される。
ように、直流高圧電源3から直流高電圧を印加すると、
円筒形カソード1の放電室Cとリング状アノード2との
間でグロー放電が生じ、はぼつづみ状のプラズマ6が形
成されて、アルゴンイオンと電子が生成される。
前記グロー放電において1円筒形カソード1の放電室C
内で生成された電子は、リング状アノード2の中央孔を
通過する際に、減速されながら円筒形カソード1の端面
に向かい、この端面の近傍に達したとき速度を失い、速
度の方向を変えてあらてめてリング状アノード2に向か
って加速される。
内で生成された電子は、リング状アノード2の中央孔を
通過する際に、減速されながら円筒形カソード1の端面
に向かい、この端面の近傍に達したとき速度を失い、速
度の方向を変えてあらてめてリング状アノード2に向か
って加速される。
以上のような電子の挙動によって、発生するプラズマ6
は、リング状アノード2の中央孔と円筒形カソード1の
両端面1a、lbとの中央部付近で形成される。
は、リング状アノード2の中央孔と円筒形カソード1の
両端面1a、lbとの中央部付近で形成される。
また、プラズマ6中で生成されたアルゴンイオンは円筒
形カソード1の放電室Cの壁面に向かって加速され、円
筒形カソード1の一端面1aに穿設した高速原子線放出
孔7付近に達したアルゴンイオンは、その近傍に存在す
る電子と再結合することによって高速のアルゴン中性原
子となり、アルゴン高速原子線8として高速原子線散出
孔7から放出される。
形カソード1の放電室Cの壁面に向かって加速され、円
筒形カソード1の一端面1aに穿設した高速原子線放出
孔7付近に達したアルゴンイオンは、その近傍に存在す
る電子と再結合することによって高速のアルゴン中性原
子となり、アルゴン高速原子線8として高速原子線散出
孔7から放出される。
(発明が解決しようとする課題)
本発明が解決しようとする問題点を第3図に基づいて説
明する。
明する。
前記従来例の高速原子線源装置では、グロー放電により
円筒形カソード1の放電室C内で形成されるプラズマ6
は、円筒形カソード1の両端面の中央部付近に達する。
円筒形カソード1の放電室C内で形成されるプラズマ6
は、円筒形カソード1の両端面の中央部付近に達する。
そのため、円筒形カソード1の一端面1bの中央部に設
けられたガス導入孔4にプラズマが到達して、ガス導入
孔4からプラズマ6が漏洩することがある。
けられたガス導入孔4にプラズマが到達して、ガス導入
孔4からプラズマ6が漏洩することがある。
しかるに、プラズマ6の中心部は非常に高温度のため、
プラズマ6に直接接触するガス導入孔4やこれに連結す
るガス導入管9も高温となり、その結果前記部材4,9
に熱変形をもたらし、円筒形カソード1の放電室C内へ
導入されるガス流量に変化を生じるため、グロー放電状
態が変化するという問題点があった。
プラズマ6に直接接触するガス導入孔4やこれに連結す
るガス導入管9も高温となり、その結果前記部材4,9
に熱変形をもたらし、円筒形カソード1の放電室C内へ
導入されるガス流量に変化を生じるため、グロー放電状
態が変化するという問題点があった。
また、グロー放電の際に円筒形カソード1の放電室C内
に導入するガス粒子の流れは、円筒形カソード1の放電
室C内を一直線上を直進する層流に近い状態であるため
、ガス粒子の実質的な飛程は短くあり、従ってガス粒子
と電子との衝突確率が低くなり、放電室C内へ導入され
たアルゴンガス5のイオン化率が低いという問題点があ
った。
に導入するガス粒子の流れは、円筒形カソード1の放電
室C内を一直線上を直進する層流に近い状態であるため
、ガス粒子の実質的な飛程は短くあり、従ってガス粒子
と電子との衝突確率が低くなり、放電室C内へ導入され
たアルゴンガス5のイオン化率が低いという問題点があ
った。
本発明は前述の問題点を解決することを目的とするもの
である。
である。
(課題を解決するための手段)
前記目的を達成するために、以下記載する手段を提供す
る。
る。
すなわち、両端面を有する導電性の円筒形カソードと、
前記カソードの一端面に穿設したビーム取り出し用高速
原子線放出孔と、前記カソードの他端面に穿設したガス
導入孔と、このガス導入孔に外部よりガスを供給するガ
ス導入管と、前記カソードの中心部に配設された導電性
のリング状アノードと、前記カソードとアノードとに直
流高電圧を印加丈る直流高圧電源とを具備する構成にお
いて、前記カソードとアノードとガス導入孔と高速原子
線放出孔とをそれぞれの中心軸が同一直線上に位置する
ように配設すると共に前記ガス導入孔とアノードとの間
にし帝へい板を設けたことを特徴とする高速原子線源装
置を提供する。
前記カソードの一端面に穿設したビーム取り出し用高速
原子線放出孔と、前記カソードの他端面に穿設したガス
導入孔と、このガス導入孔に外部よりガスを供給するガ
ス導入管と、前記カソードの中心部に配設された導電性
のリング状アノードと、前記カソードとアノードとに直
流高電圧を印加丈る直流高圧電源とを具備する構成にお
いて、前記カソードとアノードとガス導入孔と高速原子
線放出孔とをそれぞれの中心軸が同一直線上に位置する
ように配設すると共に前記ガス導入孔とアノードとの間
にし帝へい板を設けたことを特徴とする高速原子線源装
置を提供する。
(作 用)
本発明によれば、円筒形カソードのガス導入孔とアノー
ドとの間にし牛へい板を設けることにより、円筒形カソ
ード放電室内に発生するプラズマが従来例のようにガス
導入孔やガス導入管に直接接触しない構成としたから、
ガス導入孔や導入管に熱的変形をもたらさない。
ドとの間にし牛へい板を設けることにより、円筒形カソ
ード放電室内に発生するプラズマが従来例のようにガス
導入孔やガス導入管に直接接触しない構成としたから、
ガス導入孔や導入管に熱的変形をもたらさない。
更に円筒形カソードの放電室でのガス粒子の流れが乱流
となり、電子との衝突確率が高く、放電室へ導入された
ガスのイオン化率を高めるものである。
となり、電子との衝突確率が高く、放電室へ導入された
ガスのイオン化率を高めるものである。
(実施例)
以下添付図面を参照して本発明に係る実施例を説明する
。第1図、第2図はそれぞれ本発明の実施例の斜視図、
縦断面図である。
。第1図、第2図はそれぞれ本発明の実施例の斜視図、
縦断面図である。
内部に放電室Cを設けた円筒形カソードlの中心と前記
カソードの放電室の中央部に設けたリング状アノード2
の中心と前記円筒形カソード1の一端面1aに穿設した
高速原子線放出孔7の中心と円筒形カソードlの他端面
1bに穿設したガス導入孔4との中心とが同一直線上に
位置するように関係部材を配設する。
カソードの放電室の中央部に設けたリング状アノード2
の中心と前記円筒形カソード1の一端面1aに穿設した
高速原子線放出孔7の中心と円筒形カソードlの他端面
1bに穿設したガス導入孔4との中心とが同一直線上に
位置するように関係部材を配設する。
リング状アノード2には、直流高圧電源3から高電圧例
えば0.5〜l0KV程度の高圧の直流正電圧が印加さ
れるようになっており、又円筒形カソード1は電気的に
接地されている。前記リング状アノード2とカソードl
の端面1bに穿設したガス導入孔4との間に円筒形しヤ
へい板lOを設ける。
えば0.5〜l0KV程度の高圧の直流正電圧が印加さ
れるようになっており、又円筒形カソード1は電気的に
接地されている。前記リング状アノード2とカソードl
の端面1bに穿設したガス導入孔4との間に円筒形しヤ
へい板lOを設ける。
前記し帝へい板lOは、アノード2側に設けた面板11
とこの面板をカソードlの端面1b上で支持する脚部1
2を有する。従って面板11とカソードlの端面1bと
の間にすきまを形成する。
とこの面板をカソードlの端面1b上で支持する脚部1
2を有する。従って面板11とカソードlの端面1bと
の間にすきまを形成する。
前記の構成部材のうち、直流高圧電源3以外のものを真
空容器内に収納して高真空状態に保持した後、外部より
ガス導入管9から不活性ガスを供給する。ここでは導入
するガスとして例えばアルゴンガス5を用いる。導入す
るガス流量が真空容器内で、圧力10〜l O(Tor
r)となる状態ではガスの流れは、−船釣に粘性流とな
る。
空容器内に収納して高真空状態に保持した後、外部より
ガス導入管9から不活性ガスを供給する。ここでは導入
するガスとして例えばアルゴンガス5を用いる。導入す
るガス流量が真空容器内で、圧力10〜l O(Tor
r)となる状態ではガスの流れは、−船釣に粘性流とな
る。
供給後、ガス導入孔4から噴出したアルゴンガス5はし
やへい板10の面板11に衝突して、しゃへい板lOの
面板11とカソードlの端面1bとのすきまに沿って流
れて、放電室C内を高速原子線放出孔7に向って移動す
る。
やへい板10の面板11に衝突して、しゃへい板lOの
面板11とカソードlの端面1bとのすきまに沿って流
れて、放電室C内を高速原子線放出孔7に向って移動す
る。
し帝へい板lOの存在により、アルゴンガス5はルやへ
い板10の直前で拡散されるから、カソード1の放電室
C内を移動中、しゃへい板10と高速原子線放出孔7と
の間では、不規則に混合しながら移動しいわゆる乱流状
態となる。
い板10の直前で拡散されるから、カソード1の放電室
C内を移動中、しゃへい板10と高速原子線放出孔7と
の間では、不規則に混合しながら移動しいわゆる乱流状
態となる。
前記の状態において、直流高圧電源3からリング状アノ
ード2に直流正電圧を印加すると、円筒形カソードlの
放電室C内に存在するわずかな電子が、円筒形カソード
lの放電室C内に形成された静電場によって加速され、
リング状アノード2の中央孔を通過して、高速原子線放
出孔7を穿設した円筒形カソード1の端面1aとしやへ
い板lOとの間で高周波振動を起こす。
ード2に直流正電圧を印加すると、円筒形カソードlの
放電室C内に存在するわずかな電子が、円筒形カソード
lの放電室C内に形成された静電場によって加速され、
リング状アノード2の中央孔を通過して、高速原子線放
出孔7を穿設した円筒形カソード1の端面1aとしやへ
い板lOとの間で高周波振動を起こす。
電子はこのような挙動を行う間に、円筒形カソードlの
放電室C内に導入されたアルゴンガス5と衝突を繰り返
し、アルゴンガス5を電離させて、アルゴンイオンと電
子とを生成し、いわゆるグロー放電を惹起する。この過
程によって生成された電子は再び前述のようにアルゴン
ガス5の電離に作用し、この過程を繰り返すことにより
グロー放電は安定的に維持される。
放電室C内に導入されたアルゴンガス5と衝突を繰り返
し、アルゴンガス5を電離させて、アルゴンイオンと電
子とを生成し、いわゆるグロー放電を惹起する。この過
程によって生成された電子は再び前述のようにアルゴン
ガス5の電離に作用し、この過程を繰り返すことにより
グロー放電は安定的に維持される。
前記グロー放電により円筒形カソード1の放電室C内に
プラズマ6が形成されるが、このプラズマ6は、リング
状アノード2の中央孔と円筒形カソード1の高速原子線
放出孔7を穿設した一端面1aとしやへい板lOとの間
で形成されている。
プラズマ6が形成されるが、このプラズマ6は、リング
状アノード2の中央孔と円筒形カソード1の高速原子線
放出孔7を穿設した一端面1aとしやへい板lOとの間
で形成されている。
前記プラズマ6中で生成されたアルゴンイオンは、円筒
形カソードlの放電室C内に形成された静電場によりカ
ソード1の端面1a、lbに向けて加速され、その間カ
ソード1の端面に穿設した高速原子線放出孔7付近で電
子との再結合によりアルゴンの高速原子線8となり、高
速原子線放出孔7から外部へ放出される。
形カソードlの放電室C内に形成された静電場によりカ
ソード1の端面1a、lbに向けて加速され、その間カ
ソード1の端面に穿設した高速原子線放出孔7付近で電
子との再結合によりアルゴンの高速原子線8となり、高
速原子線放出孔7から外部へ放出される。
(発明の効果)
本発明においては、ガス導入孔4とアノード2との間に
じゃへい板10を配設したことにより、ガス導入孔4や
ガス導入管9に、円筒形カソードlの放電室C内に形成
されるプラズマ6が直接接触しないので、ガス導入孔4
やガス導入管9のプラズマ6による熱変形を減少させて
、円筒形カソードlの放電室C内に導入されるガス流量
の変動を抑えることができ、グロー放電開始当初設定し
たビームエネルギーやビーム量を、長時間にわたって維
持することができる。
じゃへい板10を配設したことにより、ガス導入孔4や
ガス導入管9に、円筒形カソードlの放電室C内に形成
されるプラズマ6が直接接触しないので、ガス導入孔4
やガス導入管9のプラズマ6による熱変形を減少させて
、円筒形カソードlの放電室C内に導入されるガス流量
の変動を抑えることができ、グロー放電開始当初設定し
たビームエネルギーやビーム量を、長時間にわたって維
持することができる。
また、ガス導入孔4に近接してしやへい板lOを設ける
ことにより、円筒形カソードlの放電室C内に導入され
たガスの流れを容易に乱流にすることができるので、ガ
ス粒子の実効的な飛程を増し、高周波振動している電子
との衝突確率が増加し、導入ガスのイオン化効率を向上
することができる。
ことにより、円筒形カソードlの放電室C内に導入され
たガスの流れを容易に乱流にすることができるので、ガ
ス粒子の実効的な飛程を増し、高周波振動している電子
との衝突確率が増加し、導入ガスのイオン化効率を向上
することができる。
第1図は本発明に係る高速原子線源装置の一実施例の一
部切欠斜視図。 第2図は第1図の縦断面図。 第3図は従来例の高速原子線源装置の一部切欠斜視図。 C・・・放電室、l・・・円筒形カソード、2・・・リ
ング状アノード、3・・・直流高圧電源、4・・・ガス
導入孔、5・・・アルゴンガス、6・・・プラズマ、7
・・・高速原子線放出孔、8・・・高速原子線、9・・
・ガス導入管、10・・・し壺へい板、11・・・しゃ
へい板面板、12・・・し壱へい板脚部。 第 1 図 3・・・1紀1島圧看;唐、 第2図 出 願 人 コパル電子株式会社代理人 弁理士
小 林 榮10・・・し々へ、1ネ呆 11・・ル々Δ・・滌i抜 12・・・L々八・・方灰り午キア
部切欠斜視図。 第2図は第1図の縦断面図。 第3図は従来例の高速原子線源装置の一部切欠斜視図。 C・・・放電室、l・・・円筒形カソード、2・・・リ
ング状アノード、3・・・直流高圧電源、4・・・ガス
導入孔、5・・・アルゴンガス、6・・・プラズマ、7
・・・高速原子線放出孔、8・・・高速原子線、9・・
・ガス導入管、10・・・し壺へい板、11・・・しゃ
へい板面板、12・・・し壱へい板脚部。 第 1 図 3・・・1紀1島圧看;唐、 第2図 出 願 人 コパル電子株式会社代理人 弁理士
小 林 榮10・・・し々へ、1ネ呆 11・・ル々Δ・・滌i抜 12・・・L々八・・方灰り午キア
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電性材料よりなり内部に放電室を有する円筒形カ
ソードと、前記カソードの一端面に穿設したビーム取り
出し用高速原子線放出孔と、前記カソードの他端面に穿
設したガス導入孔と、前記ガス導入孔に外部よりガスを
供給する導入管と、前記カソードの放電室内に設置され
たリング状アノードと、前記カソードとアノードとに直
流高電圧を印加する直流高圧電源とを具備する構成にお
いて、前記カソードとアノードとガス導入孔と高速原子
線放出孔とをそれぞれの中心軸が同一直線上にあるよう
に配設すると共に前記ガス導入孔とアノードとの間にし
やへい板を設けたことを特徴とする高速原子線源装置。 2、前記しゃへい板はアノード側に配設した面板と前記
面板をカソードの端面で支持する脚部とを具えた請求項
1記載の高速原子線源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7471489A JPH02253599A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 高速原子線源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7471489A JPH02253599A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 高速原子線源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02253599A true JPH02253599A (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=13555168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7471489A Pending JPH02253599A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 高速原子線源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02253599A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5432342A (en) * | 1993-04-20 | 1995-07-11 | Ebara Corporation | Method of and apparatus for generating low-energy neutral particle beam |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7471489A patent/JPH02253599A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5432342A (en) * | 1993-04-20 | 1995-07-11 | Ebara Corporation | Method of and apparatus for generating low-energy neutral particle beam |
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