JPH0225233Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0225233Y2 JPH0225233Y2 JP1980138292U JP13829280U JPH0225233Y2 JP H0225233 Y2 JPH0225233 Y2 JP H0225233Y2 JP 1980138292 U JP1980138292 U JP 1980138292U JP 13829280 U JP13829280 U JP 13829280U JP H0225233 Y2 JPH0225233 Y2 JP H0225233Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ribs
- basket
- side walls
- wafers
- inner surfaces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、半導体ウエハ用バスケツトに関する
もので、さらに詳しくは例えば薄い円盤状に形成
されたシリコン半導体ウエハの表面処理を行うに
際し、これが一定数を内部に収容すべく構成した
特に弗素樹脂で製出するバスケツトに係るもので
ある。
もので、さらに詳しくは例えば薄い円盤状に形成
されたシリコン半導体ウエハの表面処理を行うに
際し、これが一定数を内部に収容すべく構成した
特に弗素樹脂で製出するバスケツトに係るもので
ある。
半導体製造工業では前記シリコンウエハの一定
量をバスケツトの内部に収容した状態で、エツチ
ングから洗浄および乾燥その他の表面処理を自動
機構で行うものであるが、従来のバスケツトはウ
エハの挿入と取出しの開放上部とウエハを支える
両側壁の下部に内方へ対向して底部があり、該側
壁と底部には何れもウエハを挾み込むのに適する
リブを一定間隔に縦設するのが普通であり、該両
側壁の内面リブの間のみに内外に通じる隙間を縦
に穿設して処理液の透過を行うようにしている
が、前記底部はリブ間に隙間を作らないため、半
導体ウエハをバスケツト内に収容して化学処理を
行うとき、処理液の接触、洗浄又はホトレジ除去
の各処理効果を阻害するのは勿論、特に該底部は
バスケツト下部よりの超音波処理の際の障壁とな
ることから、収容したウエハ全体に超音波が当ら
ないで、洗浄効果を悪くするものであつた。
量をバスケツトの内部に収容した状態で、エツチ
ングから洗浄および乾燥その他の表面処理を自動
機構で行うものであるが、従来のバスケツトはウ
エハの挿入と取出しの開放上部とウエハを支える
両側壁の下部に内方へ対向して底部があり、該側
壁と底部には何れもウエハを挾み込むのに適する
リブを一定間隔に縦設するのが普通であり、該両
側壁の内面リブの間のみに内外に通じる隙間を縦
に穿設して処理液の透過を行うようにしている
が、前記底部はリブ間に隙間を作らないため、半
導体ウエハをバスケツト内に収容して化学処理を
行うとき、処理液の接触、洗浄又はホトレジ除去
の各処理効果を阻害するのは勿論、特に該底部は
バスケツト下部よりの超音波処理の際の障壁とな
ることから、収容したウエハ全体に超音波が当ら
ないで、洗浄効果を悪くするものであつた。
そこで本考案の目的は、ウエハを支えるバスケ
ツト底部にも、リブの間に内外に透通可能の窓を
あけ、この部分での処理液の透通性、超音波洗浄
性および液切れの促進による乾燥性を各良好にす
ることにある。
ツト底部にも、リブの間に内外に透通可能の窓を
あけ、この部分での処理液の透通性、超音波洗浄
性および液切れの促進による乾燥性を各良好にす
ることにある。
本考案の構成を図面について説明すると、全体
を弗素樹脂による一体成型で製作したバスケツト
Ａには両側壁１，３と、その各下部に続く底部
５，６があり、該底部５，６は第３図によく見ら
れるとおり、半導体シリコンウエハを支えるのに
適する内方へ対向する後退形とする。該両側壁
１，３の内面には縦方向に一定間隔で並列するリ
ブ２，４を設け、リブ２，４の間に内外に通じる
隙間７，８を穿設する。
を弗素樹脂による一体成型で製作したバスケツト
Ａには両側壁１，３と、その各下部に続く底部
５，６があり、該底部５，６は第３図によく見ら
れるとおり、半導体シリコンウエハを支えるのに
適する内方へ対向する後退形とする。該両側壁
１，３の内面には縦方向に一定間隔で並列するリ
ブ２，４を設け、リブ２，４の間に内外に通じる
隙間７，８を穿設する。
然して前記底部５，６の内面にも前記側壁１，
３の内面リブ２，４に続くリブ９，１０を形成す
ると共に、該リブの間に内外に透通可能の窓１
１，１２をあけた構成を有するもので、図面中の
符号１３は端面の保支枠、１４は他の端面の横支
え棒を示している。
３の内面リブ２，４に続くリブ９，１０を形成す
ると共に、該リブの間に内外に透通可能の窓１
１，１２をあけた構成を有するもので、図面中の
符号１３は端面の保支枠、１４は他の端面の横支
え棒を示している。
本案の構成は以上のように、半導体シリコンウ
エハのバスケツトとして、弗素樹脂の一体成型で
製作するが、従来と異るのは、バスケツト主体Ａ
の両側壁１，３の下部に連る底部５，６の内面に
も、前記側壁１，３の内面に形成したリブ２，４
に続く同ピツチのリブ９，１０を形成するほか、
該リブ９，１０の間に内外に透通可能な窓１１，
１２をあける構成としたもので、これにより、薄
い円盤状のシリコンウエハを内部に収容したバス
ケツトで、各表面処理を行うに当り、下方から作
用させる超音波の障壁とならず洗浄効果を高め、
また処理液の接触と、液切れを良くし、その作業
能率を向上する等の実用的効果を奏するものであ
る。
エハのバスケツトとして、弗素樹脂の一体成型で
製作するが、従来と異るのは、バスケツト主体Ａ
の両側壁１，３の下部に連る底部５，６の内面に
も、前記側壁１，３の内面に形成したリブ２，４
に続く同ピツチのリブ９，１０を形成するほか、
該リブ９，１０の間に内外に透通可能な窓１１，
１２をあける構成としたもので、これにより、薄
い円盤状のシリコンウエハを内部に収容したバス
ケツトで、各表面処理を行うに当り、下方から作
用させる超音波の障壁とならず洗浄効果を高め、
また処理液の接触と、液切れを良くし、その作業
能率を向上する等の実用的効果を奏するものであ
る。
図面は本考案の実施態様を示し、第１図は全体
斜面図、第２図は側面図、第３図は第２図Ｘ−Ｙ
線断面図である。 符号の説明、１，３……側壁、２，４……側壁
リブ、５，６……底部、７，８……隙間、９，１
０……底部リブ、１１，１２……窓、１３……保
支枠、１４……横支え棒。
斜面図、第２図は側面図、第３図は第２図Ｘ−Ｙ
線断面図である。 符号の説明、１，３……側壁、２，４……側壁
リブ、５，６……底部、７，８……隙間、９，１
０……底部リブ、１１，１２……窓、１３……保
支枠、１４……横支え棒。
Claims (1)
- 弗素樹脂製バスケツトＡの両側壁１，３の下部
に続き、かつ内方へ後退した底部５，６の内面
に、前記側壁のリブ２，４に続いて同ピツチのリ
ブ９，１０を形成すると共に、該底部５，６の各
リブ９，１０の間に内外に透過する窓１１，１２
を、前記両側壁１，３とほぼ平行するように、
夫々バスケツトＡの長手方向に並設してなる半導
体ウエハ用バスケツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980138292U JPH0225233Y2 (ja) | 1980-09-30 | 1980-09-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980138292U JPH0225233Y2 (ja) | 1980-09-30 | 1980-09-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5761831U JPS5761831U (ja) | 1982-04-13 |
| JPH0225233Y2 true JPH0225233Y2 (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=29498336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980138292U Expired JPH0225233Y2 (ja) | 1980-09-30 | 1980-09-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0225233Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5056148A (ja) * | 1973-09-14 | 1975-05-16 | ||
| JPS5410429A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-26 | Anshien Ets Pooru Waasu Sa De | Improvement in valve for opening or closing fluid conduit |
-
1980
- 1980-09-30 JP JP1980138292U patent/JPH0225233Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5056148A (ja) * | 1973-09-14 | 1975-05-16 | ||
| JPS5410429A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-26 | Anshien Ets Pooru Waasu Sa De | Improvement in valve for opening or closing fluid conduit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5761831U (ja) | 1982-04-13 |
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