JPH02251910A - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
- Publication number
- JPH02251910A JPH02251910A JP7420889A JP7420889A JPH02251910A JP H02251910 A JPH02251910 A JP H02251910A JP 7420889 A JP7420889 A JP 7420889A JP 7420889 A JP7420889 A JP 7420889A JP H02251910 A JPH02251910 A JP H02251910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wave guide
- optical wave
- optical waveguide
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 27
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 27
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 abstract 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体先導波路の構造に関する。
［従来の技術］
半導体材料を用いて構成する光導波素子は、光源・光検
出素子および電子デバイス等を、同一基板上に形成する
光電子集積回路（ＯＥ Ｉ Ｃ）を実現するに上で、キ
ーデバイスである。また８００ｎｍ近傍のいわゆる短波
長帯の光デバイスは、光ディスクやレーザビームプリン
タのような高密度光情報処理システムなどに広く応用さ
れ数多くの研究もなされている。しかしながら、この波
長帯の集積光学の分野はその進歩は充分なものではない
。この一つの原因は、上記波長帯での光導波路の伝搬損
失が比較的高いことにある。この問題に対し、ヨコガワ
、オグラ等、アプライド・フィジックス−レター（Ｙｏ
ｋｏｇａｗａ、−〇ｇｕｒ ａｅｔ、ａｌ： Ａｐｐ
ｌ、ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、）Ｖｏｌ、５２．Ｎｏ、２．
ｐ１２０．１９８８に記載されている構造のものがあっ
た。第３図にその構造斜視図を示す。ここで３０１はＧ
ａＡＳ基板、３０２はＺｎＳよりなるクラッド層、３゜
３はＺｎ５ｅ−ＺｎＳ超格子より成る導波路層、３０４
はストライプ状のＳｉｏ２クラッド層である。
出素子および電子デバイス等を、同一基板上に形成する
光電子集積回路（ＯＥ Ｉ Ｃ）を実現するに上で、キ
ーデバイスである。また８００ｎｍ近傍のいわゆる短波
長帯の光デバイスは、光ディスクやレーザビームプリン
タのような高密度光情報処理システムなどに広く応用さ
れ数多くの研究もなされている。しかしながら、この波
長帯の集積光学の分野はその進歩は充分なものではない
。この一つの原因は、上記波長帯での光導波路の伝搬損
失が比較的高いことにある。この問題に対し、ヨコガワ
、オグラ等、アプライド・フィジックス−レター（Ｙｏ
ｋｏｇａｗａ、−〇ｇｕｒ ａｅｔ、ａｌ： Ａｐｐ
ｌ、ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、）Ｖｏｌ、５２．Ｎｏ、２．
ｐ１２０．１９８８に記載されている構造のものがあっ
た。第３図にその構造斜視図を示す。ここで３０１はＧ
ａＡＳ基板、３０２はＺｎＳよりなるクラッド層、３゜
３はＺｎ５ｅ−ＺｎＳ超格子より成る導波路層、３０４
はストライプ状のＳｉｏ２クラッド層である。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では、次のような課題を有して
いる。
いる。
１）ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓ基板と、
ＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体であるＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ層と
の間には、大きな格子不整合が存在する。したがって第
３図に示す構造のごと（ＧａＡｓ基根上基或上されたク
ラッド層には格子不整合に起因する転位等が発生するた
め結晶性が低下する。
ＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体であるＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ層と
の間には、大きな格子不整合が存在する。したがって第
３図に示す構造のごと（ＧａＡｓ基根上基或上されたク
ラッド層には格子不整合に起因する転位等が発生するた
め結晶性が低下する。
２）したがって、導波光の光導波路からクラッド層にし
みだした部分が損失を受は導波損失が増加する。
みだした部分が損失を受は導波損失が増加する。
３）光導波路層は超格子層として、格子不整合に起因す
るストレスを緩和する構造としているが、前記クラッド
層上への成長であり光導波路としての損失は大である。
るストレスを緩和する構造としているが、前記クラッド
層上への成長であり光導波路としての損失は大である。
４）上部クラッド層はＳｉＯ２を使用しているが、Ｓｉ
Ｏ２の熱膨張係数と、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体及び■
−ｖ族化合物半導体の熱！ｌ’Ｊｌ係数との差は大であ
り、プロセス終了後素子に熱膨張係数差に起因ストレス
が光の伝搬に影響し、伝搬損失の低減には不利である。
Ｏ２の熱膨張係数と、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体及び■
−ｖ族化合物半導体の熱！ｌ’Ｊｌ係数との差は大であ
り、プロセス終了後素子に熱膨張係数差に起因ストレス
が光の伝搬に影響し、伝搬損失の低減には不利である。
５）上側クラッド層はＳｉＯ２のみであり、かつＳｉ○
２ストライプ不以外は露出している。よってストライプ
端での伝搬光の散乱損失が避けられない。
２ストライプ不以外は露出している。よってストライプ
端での伝搬光の散乱損失が避けられない。
そこで本発明はこの様な課題を解決するもので、その目
的は、光導波路層及びそれを挾むクラッド層を基板に格
子整合あるいはほぼ格子整合した材料とし、かつ結晶性
の優れた■−ｖ族化合物半導体とし、その上にＩＩ−Ｖ
Ｔ族化合物半導体を有する構造とすることで、きわめて
伝搬損失の少ない光導波路を提供することにある。
的は、光導波路層及びそれを挾むクラッド層を基板に格
子整合あるいはほぼ格子整合した材料とし、かつ結晶性
の優れた■−ｖ族化合物半導体とし、その上にＩＩ−Ｖ
Ｔ族化合物半導体を有する構造とすることで、きわめて
伝搬損失の少ない光導波路を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の光導波路は、ｔＯ−Ｖ族化合物半導体基板上に
、■−Ｖ族化合物半導体より成る第１のクラッド層、該
第１のクラッド層より屈折率の大なる■−Ｖ族化合物半
導体より成る光導波路層、および該光導波路層より屈折
率が小さく、かつ光導波領域の膜厚が該光導波領域以外
の領域の膜厚より厚いＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体より成
る第２のクラッド層を順次積層して成る構造を特徴とす
る。
、■−Ｖ族化合物半導体より成る第１のクラッド層、該
第１のクラッド層より屈折率の大なる■−Ｖ族化合物半
導体より成る光導波路層、および該光導波路層より屈折
率が小さく、かつ光導波領域の膜厚が該光導波領域以外
の領域の膜厚より厚いＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体より成
る第２のクラッド層を順次積層して成る構造を特徴とす
る。
［実 施 例］
第１図は本発明の実施例に於ける斜視図である。
ここで、１０１はＧａＡｓ基板、 １０２はＡｌ。
Ｇ ａ Ｉ−ｘＡ ｓ第１のクラッド層、１０３はＡＩ
、Ｇａ ｌ−１１Ａ Ｓ光導波路層（ｘ＞ｙ）でありす
べて■−Ｖ族化合物半導体である。また１０４はＩＩ
−Ｖｌ族化合物半導体であるＺｎ５ｅ第２のクラッド層
である。
、Ｇａ ｌ−１１Ａ Ｓ光導波路層（ｘ＞ｙ）でありす
べて■−Ｖ族化合物半導体である。また１０４はＩＩ
−Ｖｌ族化合物半導体であるＺｎ５ｅ第２のクラッド層
である。
第２図は実施例を実現するためのプロセス工程図である
。 最初に”１１１−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡ
ｓ基板２０１上に、同じ＜ｍ−ｖ族化合物半導体である
Ａ ｌ ｘ Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ Ｓ第１のクラッド
層２０２、Ａ ｌ ｙＧ ａ ＋−ｙＡ Ｓ光導波路層
２０３を順次積層する。（第２図（ａ））積層方法には
、液相成長法（ＬＰＥ法）、有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣＶＤ法）、および分子線成長法（ＭＢＥ法）等の手段
の適用が可能である。次いでジメチルジンク（ＤＭＺ
ｎ ）−ジメチルセレン（ＤＭＳｅ）よりなる付加体原
料を用いたＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法等によりＩＩ
−Ｖｌ族化合物半導体半導体であるＺｎ５ｅ第２のクラ
ッド層２０４を成長する。この後光導波路形状に、レジ
ストあるいは誘電体薄膜等を用いてバターニングしエツ
チングマスク２０５とする。（第２図（Ｃ））ここで水
酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液、あるいは王水（Ｈ
ＣＩ： ＨＮＯ３＝３： １）を用いてＺｎ５ｅ第
２のクラッド層２０４を途中までエツチングを施す。（
ここでエツチングした領域でのＺｎ５ｅ層の残り厚をｔ
とする。）以後エツチングマスク２０５を除去して光導
波路が出来上がる。
。 最初に”１１１−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡ
ｓ基板２０１上に、同じ＜ｍ−ｖ族化合物半導体である
Ａ ｌ ｘ Ｇ ａ ＋ −ｘ Ａ Ｓ第１のクラッド
層２０２、Ａ ｌ ｙＧ ａ ＋−ｙＡ Ｓ光導波路層
２０３を順次積層する。（第２図（ａ））積層方法には
、液相成長法（ＬＰＥ法）、有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣＶＤ法）、および分子線成長法（ＭＢＥ法）等の手段
の適用が可能である。次いでジメチルジンク（ＤＭＺ
ｎ ）−ジメチルセレン（ＤＭＳｅ）よりなる付加体原
料を用いたＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法等によりＩＩ
−Ｖｌ族化合物半導体半導体であるＺｎ５ｅ第２のクラ
ッド層２０４を成長する。この後光導波路形状に、レジ
ストあるいは誘電体薄膜等を用いてバターニングしエツ
チングマスク２０５とする。（第２図（Ｃ））ここで水
酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液、あるいは王水（Ｈ
ＣＩ： ＨＮＯ３＝３： １）を用いてＺｎ５ｅ第
２のクラッド層２０４を途中までエツチングを施す。（
ここでエツチングした領域でのＺｎ５ｅ層の残り厚をｔ
とする。）以後エツチングマスク２０５を除去して光導
波路が出来上がる。
本発明の光導波路を構成する材料の中で、ＧａＡｓ基板
とＡ １ ｕ Ｇ ａ Ｉ−ｕ Ａ ８層はＡｌ混晶比
Ｕの全ての値に対し両者はほぼ格子整合している。
とＡ １ ｕ Ｇ ａ Ｉ−ｕ Ａ ８層はＡｌ混晶比
Ｕの全ての値に対し両者はほぼ格子整合している。
またＡｌＧａＡｓとクラッド層のＺｎ５ｅも０゜２％程
度の格子不整合があるが最上層のみの使用であり、光導
波路層への影響はほとんどない。またＺｎ５ｅ層のエネ
ルギーギャップはおよそ２．５ｅＶであり光吸収損失も
小である。従って極めて低損失の先導波路が実現される
。本実施例では、光導波路をＡ １ ｙＧ ａ ＋−ｙ
Ａ ｓとしているのでＡ１混晶比ｙなるエネルギーギャ
ップＥｇ、ｙｉこ相当する波長よりも長い波長の光に対
して光導波路として利用できる。ここでは光導波路とし
てＡＩ ＧａＡｓ層を用いたが、ＧａＡｓ 基板に格子
整合するＩｎＧａＡＳＰ、Ｉ ｎＧａＡＩＰ層とするこ
とで、より短波長の光の伝搬が低損失で実現される。例
えばＧａＡｓ基板に格子整合する ：［ｎ＠、、＠Ｇ
ａｌ−９，４９−ＶＡ ｌ ｖＰ （ＶはＡｌ混晶比）
はｖ＝ｏ、 ５１とすることでエネルギーギヤ・ツブ
Ｅｇ、Ｖｌよおよそ２．５ｅＶとなり、５００ｎｍ帯ま
での短波長の光に対して利用できる。また、ＩｎＧａＡ
ｓＰに対しても６５０ｎｍ程度までの短波長光に利用で
きる。 加えて適切な材料の選択およびＺｎ５ｅ
層の残り厚ｔの制御により接合（こ平行な方向の屈折率
段差の制御が可能であるから、シングルモード伝搬の光
導波路が、再現性良好なデイメンジョンで実現すること
ができる。例えＧＥＬ’、接合に平行な方向の屈折率段
差を５ Ｘ １０ ”’程度とすれば、１次モードのカ
ットオフ幅番よおよそ２μｍとなり、最上部クラツド層
Ｚｎ５ｅ層の幅を２μｍ程度とすることで、シングルモ
ードの光導波路が形成される。
度の格子不整合があるが最上層のみの使用であり、光導
波路層への影響はほとんどない。またＺｎ５ｅ層のエネ
ルギーギャップはおよそ２．５ｅＶであり光吸収損失も
小である。従って極めて低損失の先導波路が実現される
。本実施例では、光導波路をＡ １ ｙＧ ａ ＋−ｙ
Ａ ｓとしているのでＡ１混晶比ｙなるエネルギーギャ
ップＥｇ、ｙｉこ相当する波長よりも長い波長の光に対
して光導波路として利用できる。ここでは光導波路とし
てＡＩ ＧａＡｓ層を用いたが、ＧａＡｓ 基板に格子
整合するＩｎＧａＡＳＰ、Ｉ ｎＧａＡＩＰ層とするこ
とで、より短波長の光の伝搬が低損失で実現される。例
えばＧａＡｓ基板に格子整合する ：［ｎ＠、、＠Ｇ
ａｌ−９，４９−ＶＡ ｌ ｖＰ （ＶはＡｌ混晶比）
はｖ＝ｏ、 ５１とすることでエネルギーギヤ・ツブ
Ｅｇ、Ｖｌよおよそ２．５ｅＶとなり、５００ｎｍ帯ま
での短波長の光に対して利用できる。また、ＩｎＧａＡ
ｓＰに対しても６５０ｎｍ程度までの短波長光に利用で
きる。 加えて適切な材料の選択およびＺｎ５ｅ
層の残り厚ｔの制御により接合（こ平行な方向の屈折率
段差の制御が可能であるから、シングルモード伝搬の光
導波路が、再現性良好なデイメンジョンで実現すること
ができる。例えＧＥＬ’、接合に平行な方向の屈折率段
差を５ Ｘ １０ ”’程度とすれば、１次モードのカ
ットオフ幅番よおよそ２μｍとなり、最上部クラツド層
Ｚｎ５ｅ層の幅を２μｍ程度とすることで、シングルモ
ードの光導波路が形成される。
また主たる光伝搬層である光導波路層２０３表面にはエ
ツチング端がなくかつＺｎ５ｅ層２０４が全面覆ってい
るので光導波路端での散乱損失はほとんどなく伝搬損失
の低減に有効である。以上の説明では、ＩＩ −Ｖｌ族
化合物半導体半導体として２ｎＳｅを例にとったが、他
のＩＩ −ＶＴ族化合物半導体半導体の利用も同様に可
能である。特にＧａＡｓ基板に格子整合可能な７． ｎ
Ｓ ｘＳ ｅ Ｉ−ｘは低損失光導波路実現に有効であ
る。
ツチング端がなくかつＺｎ５ｅ層２０４が全面覆ってい
るので光導波路端での散乱損失はほとんどなく伝搬損失
の低減に有効である。以上の説明では、ＩＩ −Ｖｌ族
化合物半導体半導体として２ｎＳｅを例にとったが、他
のＩＩ −ＶＴ族化合物半導体半導体の利用も同様に可
能である。特にＧａＡｓ基板に格子整合可能な７． ｎ
Ｓ ｘＳ ｅ Ｉ−ｘは低損失光導波路実現に有効であ
る。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、以下のような多大な
効果が得られる。
効果が得られる。
１）基板、クラッド層、光導波層をＩＩＩ −Ｖ族化合
物半導体半導体としたことで、高品質のＧａＡｓ基板の
使用が可能であり、また基板に格子整合した、あるいは
極めて格子定数の近い材料を積層することで、結晶性に
すぐれた極めて伝搬損失の小さな光導波路が実現される
。
物半導体半導体としたことで、高品質のＧａＡｓ基板の
使用が可能であり、また基板に格子整合した、あるいは
極めて格子定数の近い材料を積層することで、結晶性に
すぐれた極めて伝搬損失の小さな光導波路が実現される
。
２）適切な材料の選択により５００ｎｍ帯を越える短波
長光の導波が可能である。
長光の導波が可能である。
３）よって高密度光情報処理装置で望まれている短波長
ＬＤ用先光導波路して利用できる。
ＬＤ用先光導波路して利用できる。
４）光導波■族層上に全面にわたりＩＩ −ＶＩ族化合
物半導体クラッド層を積層しているので導波路端での散
乱損失が極めて小さくなり伝搬損失が低減される。
物半導体クラッド層を積層しているので導波路端での散
乱損失が極めて小さくなり伝搬損失が低減される。
５）全ての層の成長がＭＯＣＶＤ法で可能であることか
ら均一で、かつ高信頼性の光導波路の作成が可能である
。
ら均一で、かつ高信頼性の光導波路の作成が可能である
。
６）最上層のＺｎ５ｅ層等■−■族化合物半導体はエネ
ルギーギャップが大きく、かつ低屈折率材料である。従
って導波光に対して光吸収損失がなく、光閉じ込めにも
有効であり、低損失、高効率光導波路が実現される。
ルギーギャップが大きく、かつ低屈折率材料である。従
って導波光に対して光吸収損失がなく、光閉じ込めにも
有効であり、低損失、高効率光導波路が実現される。
７）ＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体層の残り厚ｔの制御によ
り接合に平行方向の屈折率断差の制御ができ容易にシン
グルモード伝搬光導波路が実現される。
り接合に平行方向の屈折率断差の制御ができ容易にシン
グルモード伝搬光導波路が実現される。
８）最上層のＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体レーザ層のパタ
ーニングのみにより種々の形状の光導波路（例えば曲が
り光り導波路）が実現できる。
ーニングのみにより種々の形状の光導波路（例えば曲が
り光り導波路）が実現できる。
第１図は、本発明の１実施例を示す斜視図。
第２図（ａ）〜（ｄ）は、本発明を実施するプロセス工
程図。 第３図は、従来例を示す斜視図。 １０１．２０１，３０１ Ｇ ａ Ａ ｓ基板１０２．
２０２ Ａ １ ｘＧ ａ ＋−ｘＡ ｓ第１のク
ラッド層１０３．２０３ Ａ １ ｙＧ ａ ＋−
ｙＡ Ｓ光導波路層１０４．２０４ Ｚ ｎ Ｓ
ｅ第３のクラッド層２０５ エツチングマスク ３０２ Ｚ ｎ Ｓ ｅクラッド層３０３
Ｚ ｎ Ｓ ｅ −Ｚ ｎ Ｓ超格子光導波路３
０４ ＳｉＯ２クラッド層代理人弁理士 鈴
木喜；部（他１名） （久） Ｃｂ） Ｃｃ／ン Ｑ）
程図。 第３図は、従来例を示す斜視図。 １０１．２０１，３０１ Ｇ ａ Ａ ｓ基板１０２．
２０２ Ａ １ ｘＧ ａ ＋−ｘＡ ｓ第１のク
ラッド層１０３．２０３ Ａ １ ｙＧ ａ ＋−
ｙＡ Ｓ光導波路層１０４．２０４ Ｚ ｎ Ｓ
ｅ第３のクラッド層２０５ エツチングマスク ３０２ Ｚ ｎ Ｓ ｅクラッド層３０３
Ｚ ｎ Ｓ ｅ −Ｚ ｎ Ｓ超格子光導波路３
０４ ＳｉＯ２クラッド層代理人弁理士 鈴
木喜；部（他１名） （久） Ｃｂ） Ｃｃ／ン Ｑ）
Claims (1)
- III−Ｖ族化合物半導体基板上に、III−Ｖ族化合物半導
体より成る第１のクラッド層、該第１のクラッド層より
屈折率の大なるIII−Ｖ族化合物半導体より成る光導波
路層、および該光導波路層より屈折率が小さく、かつ光
導波領域の膜厚が該光導波領域以外の領域の膜厚より厚
いII−VI族化合物半導体より成る第２のクラッド層を順
次積層して成る構造を有することを特徴とする光導波路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7420889A JPH02251910A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7420889A JPH02251910A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02251910A true JPH02251910A (ja) | 1990-10-09 |
Family
ID=13540544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7420889A Pending JPH02251910A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02251910A (ja) |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7420889A patent/JPH02251910A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5659640A (en) | Integrated waveguide having an internal optical grating | |
| US4932032A (en) | Tapered semiconductor waveguides | |
| EP0496301A1 (en) | Optical waveguide formed of compound semiconductor materials and process of its fabrication | |
| US4944838A (en) | Method of making tapered semiconductor waveguides | |
| CN104242052A (zh) | 环形腔器件及其制作方法 | |
| JPH02251910A (ja) | 光導波路 | |
| EP0525779A2 (en) | Method of manufacturing optical semiconductor element | |
| JPH06196797A (ja) | 光変調器集積化光源素子およびその製造方法 | |
| EP0411816B1 (en) | Tapered semiconductor waveguides and method of making same | |
| JPS63200586A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03225985A (ja) | 屈折率導波型半導体レーザ装置 | |
| JPS6114787A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH02251909A (ja) | 光導波路 | |
| JPS6394230A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07221390A (ja) | 半導体光集積素子及びその製造方法 | |
| JP3314796B2 (ja) | 光導波路一体型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH08167578A (ja) | 化合物半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH0281006A (ja) | 光導波路 | |
| Jia et al. | Monolithic integration of 1.3 μm asymmetric lasers grown on silicon and silicon waveguides with tapered coupling | |
| JPH02221941A (ja) | チェレンコフ放射型２次高調波発生デバイス | |
| JP2727262B2 (ja) | 光波長変換素子 | |
| JPH03209891A (ja) | 非線形光学素子 | |
| JPH10186168A (ja) | 回折格子カプラーの製造方法 | |
| JPH0636460B2 (ja) | 半導体光集積回路の製造方法 | |
| JPH04369269A (ja) | 光集積回路の製造方法 |