JPH02251859A - 電子写真用像形成部材およびその製造方法 - Google Patents
電子写真用像形成部材およびその製造方法Info
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- JPH02251859A JPH02251859A JP7299689A JP7299689A JPH02251859A JP H02251859 A JPH02251859 A JP H02251859A JP 7299689 A JP7299689 A JP 7299689A JP 7299689 A JP7299689 A JP 7299689A JP H02251859 A JPH02251859 A JP H02251859A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真用像形成部材およびその製造方法に関
するものである。
するものである。
電子写真用像形成部材等における光電導層を構成する光
電導材料としては高感度、高抵抗であって、視感度にで
きる限り近いスペクトル特性を有すること、また製造時
、使用時において人体に無害であること、紙等の接触に
より磨耗が少ないこと等が要求される。これらの要求を
満たすものとして非晶質水素化けい素（以後、ａ−８ｉ
と称する）がある。
電導材料としては高感度、高抵抗であって、視感度にで
きる限り近いスペクトル特性を有すること、また製造時
、使用時において人体に無害であること、紙等の接触に
より磨耗が少ないこと等が要求される。これらの要求を
満たすものとして非晶質水素化けい素（以後、ａ−８ｉ
と称する）がある。
一般に電子写真プロセスでは、像形成部材はコロナ放電
により表面に電荷が蓄えられ、そこに光を照射すること
により、部材の持つ光電導特性のため発生したキャリア
（電子または正孔）により表面電荷が消滅する。そして
像形成部材はその表面電荷の有無により形成された画像
情報を紙等に写す役割を持っている。そのための像形成
部材には電荷保持能力、光キヤリア発生能力が必要であ
り、部材形成時において電荷注入阻止層、光電導層さら
に耐環境性を持たせるための表面層等の積層を行う。
により表面に電荷が蓄えられ、そこに光を照射すること
により、部材の持つ光電導特性のため発生したキャリア
（電子または正孔）により表面電荷が消滅する。そして
像形成部材はその表面電荷の有無により形成された画像
情報を紙等に写す役割を持っている。そのための像形成
部材には電荷保持能力、光キヤリア発生能力が必要であ
り、部材形成時において電荷注入阻止層、光電導層さら
に耐環境性を持たせるための表面層等の積層を行う。
この中の電荷注入阻止層は、電荷保持状態時においては
導電性支持体から注入されるキャリアの動きを阻止し、
さらに光照射時には光電導体内で発生したキャリアを支
持体に流す特性が要求される。
導電性支持体から注入されるキャリアの動きを阻止し、
さらに光照射時には光電導体内で発生したキャリアを支
持体に流す特性が要求される。
一般に光電導材料としてａ−５ｉを使用する場合、主成
分が同じであること、さらにその作成プロセスを大きく
変更する必要がないことからａ−３ｉＣｘ、ａ−３ｉＮ
ｘが使用されている。
分が同じであること、さらにその作成プロセスを大きく
変更する必要がないことからａ−３ｉＣｘ、ａ−３ｉＮ
ｘが使用されている。
しかしａ −Ｓ ｉ Ｃｘ 、 ａ −Ｓ ｉ Ｎ ｘ
を電荷注入阻止層として使用した場合、非晶質なので結
合構造において未結合手をなくすことはできず、従って
光電導層で発生させたキャリアは支持体に流れずａ−Ｓ
ｉＣｘ、ａ−３ｉＮｘ内に蓄積される。
を電荷注入阻止層として使用した場合、非晶質なので結
合構造において未結合手をなくすことはできず、従って
光電導層で発生させたキャリアは支持体に流れずａ−Ｓ
ｉＣｘ、ａ−３ｉＮｘ内に蓄積される。
この現象は電子写真特性においては残留電位、すなわち
光照射後も残っている電位となってあられれるが、残留
電位が大きい場合、光照射部と未照射部との表面電位の
差が紙に画像情報を形成する樹脂の静電容量まで到らず
、紙上における画像形成を困難にしてしまう。
光照射後も残っている電位となってあられれるが、残留
電位が大きい場合、光照射部と未照射部との表面電位の
差が紙に画像情報を形成する樹脂の静電容量まで到らず
、紙上における画像形成を困難にしてしまう。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、欠陥の少
ない電荷注入阻止層を有する電子写真用像形成部材およ
びその製造方法を堤供することを目的とするものである
。
ない電荷注入阻止層を有する電子写真用像形成部材およ
びその製造方法を堤供することを目的とするものである
。
［課題を解決するための手段〕
上記目的は、電荷注入阻止層を立方晶窒化ホウ素層で形
成し、この立方晶窒化ホウ素層で形成した電荷注入阻止
層と非晶質水素化けい素を主成分とする光電導層との間
に、窒化けい素層の中間層を設けることにより、そして
工程に電荷注入阻止層を立方晶窒化ホウ素層で形成する
工程を設けると共に、この電荷注入阻止層を形成する工
程と光電導層を形成する工程との間に、電荷注入阻止層
と光電導層との間に窒化けい素層の中間層を形成する工
程を設けるとにより、達成される。
成し、この立方晶窒化ホウ素層で形成した電荷注入阻止
層と非晶質水素化けい素を主成分とする光電導層との間
に、窒化けい素層の中間層を設けることにより、そして
工程に電荷注入阻止層を立方晶窒化ホウ素層で形成する
工程を設けると共に、この電荷注入阻止層を形成する工
程と光電導層を形成する工程との間に、電荷注入阻止層
と光電導層との間に窒化けい素層の中間層を形成する工
程を設けるとにより、達成される。
上記手段を設けたので、電荷注入阻止層は立方晶窒化ホ
ウ素層で形成され、かっ光電導層と欠陥の少ない接合が
得られるようになって、ハンドギャプが大きく、欠陥の
少ない電荷注入阻止層が得られるようになり、欠陥の少
ない電荷注入阻止層を有する電子写真用像形成部材およ
びその製造方法を得ることができる。
ウ素層で形成され、かっ光電導層と欠陥の少ない接合が
得られるようになって、ハンドギャプが大きく、欠陥の
少ない電荷注入阻止層が得られるようになり、欠陥の少
ない電荷注入阻止層を有する電子写真用像形成部材およ
びその製造方法を得ることができる。
以下、図示した実施例で基づいて本発明を説明する。第
一図から第三図には本発明の一実施例が示されている。
一図から第三図には本発明の一実施例が示されている。
電子写真用像形成部材は第一図に示されているように、
支持体１上に設けられた電荷注入阻止層２．この電荷注
入阻止Ｍ２の上に設けられた非晶質水素化けい素を主成
分とする光電導層３、この光電導層３の上に設けられた
非晶質水素化けい素を主成分とする表面層４を備えてい
る。このように構成された電子写真用像形成部材本実施
例では電荷注入阻止Ｍ２を立方晶窒化ホウ素層で形成し
、この立方晶窒化ホウ素層で形成した電荷注入阻止層２
と非晶質水素化けい素を主成分とする光電導層３との間
に、窒化けい素層の中間層５を設けた。そして工程に、
電荷注入阻止Ｍ２を立方晶窒化ホウ素層で形成する工程
を設けると共に、この電荷注入阻止層２を形成する工程
と光電導層３形成する工程との間に、電荷注入阻止層２
と光電導層３との間に窒化けい素層の中間層５を形成す
る工程を設けた。このようにすることにより電荷注入阻
止層２は立方晶窒化ホウ素層で形成され、かつ光電導層
３と欠陥の少ない接合が得られるようになって、バンド
ギャップが大きく、欠陥の少ない電荷注入阻止Ｍ２が得
られるようになり、欠陥の少ない電荷注入阻止層２を有
する電子写真用像形成部材およびその製造方法を得るこ
とができる。
支持体１上に設けられた電荷注入阻止層２．この電荷注
入阻止Ｍ２の上に設けられた非晶質水素化けい素を主成
分とする光電導層３、この光電導層３の上に設けられた
非晶質水素化けい素を主成分とする表面層４を備えてい
る。このように構成された電子写真用像形成部材本実施
例では電荷注入阻止Ｍ２を立方晶窒化ホウ素層で形成し
、この立方晶窒化ホウ素層で形成した電荷注入阻止層２
と非晶質水素化けい素を主成分とする光電導層３との間
に、窒化けい素層の中間層５を設けた。そして工程に、
電荷注入阻止Ｍ２を立方晶窒化ホウ素層で形成する工程
を設けると共に、この電荷注入阻止層２を形成する工程
と光電導層３形成する工程との間に、電荷注入阻止層２
と光電導層３との間に窒化けい素層の中間層５を形成す
る工程を設けた。このようにすることにより電荷注入阻
止層２は立方晶窒化ホウ素層で形成され、かつ光電導層
３と欠陥の少ない接合が得られるようになって、バンド
ギャップが大きく、欠陥の少ない電荷注入阻止Ｍ２が得
られるようになり、欠陥の少ない電荷注入阻止層２を有
する電子写真用像形成部材およびその製造方法を得るこ
とができる。
すなわち第２図および第３図に示されているように、円
筒形の支持体１．ガス吹き出し口６が設けられた高周波
高電圧電極７を設置し、その間に１箇所だけタングステ
ンワイヤ８を張り、ワイヤ８と支持体１との間に熱遮蔽
板９を設けた。また、これらのまわりの雰囲気を減圧状
態にできるように、ステンレス環の反応炉１０で密閉し
、反応炉１ｏにはタングステンワイヤ用電流導入端子１
１、高周波導入並びにガス導入口１２、真空排気口１３
を設けた。また支持体１は表面が鏡面加工されたＡｌ材
からなり、内部には支持体１を４００℃まで加熱できる
ように加熱ヒータ１４を設置すると共に、円周方向に対
する膜の均一性を得るため回転導入機１５を設けた。ま
た、真空排気口１３のまわりには、加熱時においてガス
ケット等真空シール材の溶解を防止するため水冷パイプ
１６が設けである。
筒形の支持体１．ガス吹き出し口６が設けられた高周波
高電圧電極７を設置し、その間に１箇所だけタングステ
ンワイヤ８を張り、ワイヤ８と支持体１との間に熱遮蔽
板９を設けた。また、これらのまわりの雰囲気を減圧状
態にできるように、ステンレス環の反応炉１０で密閉し
、反応炉１ｏにはタングステンワイヤ用電流導入端子１
１、高周波導入並びにガス導入口１２、真空排気口１３
を設けた。また支持体１は表面が鏡面加工されたＡｌ材
からなり、内部には支持体１を４００℃まで加熱できる
ように加熱ヒータ１４を設置すると共に、円周方向に対
する膜の均一性を得るため回転導入機１５を設けた。ま
た、真空排気口１３のまわりには、加熱時においてガス
ケット等真空シール材の溶解を防止するため水冷パイプ
１６が設けである。
このように構成された電子写真用像形成部材の製造措置
で、支持体１を回転導入機１５により毎分１０回転の速
度で回転させながら高真空排気バルブ１７を開とし、高
真空排気を実施し、反応炉１（ｌをｌＸｌ０−’パスカ
ルとした後、加熱ヒータ１４により支持体１を３５０°
Ｃ加熱した。そして高真空排気バルブ１７を閉じ、ガス
吹き出し口６から水素希釈Ｂ２Ｈ，ガス（体積容量比１
％）とＮ２ガスとをガス分圧Ｎ ２ ： Ｂ ２ Ｈ！
＝３ ： １で導し、反応炉１０内の雰囲気が１００
パスカルとなるように、真空排気バルブ１８を調整した
。そしてタングステンワイヤ８を１６００℃に加熱する
と同時に、高周波高電圧極７に１３゜５６ＭＨｚ、１０
０ワツトの電圧を印加し、その状態を１００分間維持し
、立方晶窒化ホウ素膜（電荷注入阻止層）を形成した。
で、支持体１を回転導入機１５により毎分１０回転の速
度で回転させながら高真空排気バルブ１７を開とし、高
真空排気を実施し、反応炉１（ｌをｌＸｌ０−’パスカ
ルとした後、加熱ヒータ１４により支持体１を３５０°
Ｃ加熱した。そして高真空排気バルブ１７を閉じ、ガス
吹き出し口６から水素希釈Ｂ２Ｈ，ガス（体積容量比１
％）とＮ２ガスとをガス分圧Ｎ ２ ： Ｂ ２ Ｈ！
＝３ ： １で導し、反応炉１０内の雰囲気が１００
パスカルとなるように、真空排気バルブ１８を調整した
。そしてタングステンワイヤ８を１６００℃に加熱する
と同時に、高周波高電圧極７に１３゜５６ＭＨｚ、１０
０ワツトの電圧を印加し、その状態を１００分間維持し
、立方晶窒化ホウ素膜（電荷注入阻止層）を形成した。
形成後タングステンワイヤ８の加熱を停止し、流入ガス
を５ｉＨ４（水素希釈、希釈率６０％）ＮＺ、Ｂ、Ｈ，
（水素希釈、希釈率１５００ｐｐｍ）に切り換え、ガス
分圧ＳｉＨ。
を５ｉＨ４（水素希釈、希釈率６０％）ＮＺ、Ｂ、Ｈ，
（水素希釈、希釈率１５００ｐｐｍ）に切り換え、ガス
分圧ＳｉＨ。
：Ｂ２）（、：Ｎ、＝１５：０．０５：５、反応室内圧
力４００パスカルとなるように調整した。そしてこの状
態を６０分間維持することにより窒化けい素層（中間Ｍ
）を形成した。形成後、Ｎ２ガス導入をやめ、ガス分圧
Ｓ ｉＨ，： Ｂ２Ｈ，＝２５００＝１、反応室内圧力
８０パスカル、高周波電力８ｏＯワツトに調整し、さら
に２４０分間状態を維持し光電導層を形成した。
力４００パスカルとなるように調整した。そしてこの状
態を６０分間維持することにより窒化けい素層（中間Ｍ
）を形成した。形成後、Ｎ２ガス導入をやめ、ガス分圧
Ｓ ｉＨ，： Ｂ２Ｈ，＝２５００＝１、反応室内圧力
８０パスカル、高周波電力８ｏＯワツトに調整し、さら
に２４０分間状態を維持し光電導層を形成した。
このようにして作成された膜の電子写真特性は、電荷注
入阻止層にａ −Ｓ ｉ Ｎ ｘを用いたものに対し帯
電電位で１．５倍、暗中電荷保持能力（コロナ帯電オフ
後５秒後の値）で１．２倍、光照射後残留電位が１／３
の結果が得られ、この部材を用いてレーザビームスプリ
ンタにより印刷したところ、コントラストがはっきりし
た画像が得られた。
入阻止層にａ −Ｓ ｉ Ｎ ｘを用いたものに対し帯
電電位で１．５倍、暗中電荷保持能力（コロナ帯電オフ
後５秒後の値）で１．２倍、光照射後残留電位が１／３
の結果が得られ、この部材を用いてレーザビームスプリ
ンタにより印刷したところ、コントラストがはっきりし
た画像が得られた。
また、上記プロセス後、更に連続してガス分圧ＳｉＨ４
：Ｂ２ＨＧ：Ｎ２＝１０００：１：１００００、反応室
内圧力１３０パスカル、高周波電力６ｏＯワツトで１０
分間、表面層の積層を行った所、電子写真特性には変化
がないが、耐湿性にすぐれた像形成部材が得られた。
：Ｂ２ＨＧ：Ｎ２＝１０００：１：１００００、反応室
内圧力１３０パスカル、高周波電力６ｏＯワツトで１０
分間、表面層の積層を行った所、電子写真特性には変化
がないが、耐湿性にすぐれた像形成部材が得られた。
このように本実施例によれば、立方晶窒化ホウ素層を電
荷注入阻止層として使用することにより、従来よりバン
ドギャップの大きい、かつ欠陥の少ない電荷注入阻止層
を得ることができる。さらに、立方晶窒化ホウ素Ｊ１！
ｙ膜とａ−３ｉｌとの接合では窒化けい素膜を用いるこ
とで、欠陥の少ない接合が得られる。その結果、電子写
真プロセスにおける光キャリアの欠陥による捕獲が少な
い、すなわち残留電位の小さな部材を得ることができる
なお、支持体が円筒形である必要はなく、平行平板型電
極にタングステンワイヤ、熱遮蔽板を付加した構成にお
いても目的は達し得る。
荷注入阻止層として使用することにより、従来よりバン
ドギャップの大きい、かつ欠陥の少ない電荷注入阻止層
を得ることができる。さらに、立方晶窒化ホウ素Ｊ１！
ｙ膜とａ−３ｉｌとの接合では窒化けい素膜を用いるこ
とで、欠陥の少ない接合が得られる。その結果、電子写
真プロセスにおける光キャリアの欠陥による捕獲が少な
い、すなわち残留電位の小さな部材を得ることができる
なお、支持体が円筒形である必要はなく、平行平板型電
極にタングステンワイヤ、熱遮蔽板を付加した構成にお
いても目的は達し得る。
また、熱分解を行なう際タングステンワイヤである必要
はなく、１５００〜２０００℃の高熱を２時間以上連続
して発することができる材料であればよい。
はなく、１５００〜２０００℃の高熱を２時間以上連続
して発することができる材料であればよい。
また、使用するタングステンワイヤは高周波電極と支持
体との間に１本である必要はなく、タングステンワイヤ
と共に設けられた熱遮蔽板によりガスの流れが妨げられ
ない程度に、複数本使用してもよい。
体との間に１本である必要はなく、タングステンワイヤ
と共に設けられた熱遮蔽板によりガスの流れが妨げられ
ない程度に、複数本使用してもよい。
上述のように本発明は欠陥の少ない電荷注入阻止層を有
する電子写真用像形成部材が得られるようになって、欠
陥の少ない電荷注入阻止層を有する電子写真用像形成部
材およびその製造方法を得ることができる。
する電子写真用像形成部材が得られるようになって、欠
陥の少ない電荷注入阻止層を有する電子写真用像形成部
材およびその製造方法を得ることができる。
第１図は本発明の電子写真用像形成部材の一実施例の像
形成部材の構成を示す説明図、第２＠は同じく一実施例
の製造に使用する装置の縦断側面図、第３図は第２図の
上部断面図である。 １は支持体、２は電荷注入阻止層（立方晶窒化ホウ素Ｍ
）、３は光電導層（非晶質水素化けい素を主成分とする
）、４は表面層（非晶質水素けい素を主成分とする）、
５は中間ｍ（窒化けい素）ｆｔ口 ＬＰｒＩ本 （ン倚シ主入Ｔ乱ｈ／？ （玄オ品家イこ計、ｆＪｊ）
Ｌ帯辱冴（久−５４−Ｂ・Ｈ１創 ”’Ａ Ｃ”５ｔＮｘ、Ｂ、、令） 玄関Δｋ （ｔｌ乙ｔ７・１ネメタ〕 特許出願人の名称 日立工機株式会社 オフの ′ぐ ′（１ ”／？””Ａ ］ 才３図
形成部材の構成を示す説明図、第２＠は同じく一実施例
の製造に使用する装置の縦断側面図、第３図は第２図の
上部断面図である。 １は支持体、２は電荷注入阻止層（立方晶窒化ホウ素Ｍ
）、３は光電導層（非晶質水素化けい素を主成分とする
）、４は表面層（非晶質水素けい素を主成分とする）、
５は中間ｍ（窒化けい素）ｆｔ口 ＬＰｒＩ本 （ン倚シ主入Ｔ乱ｈ／？ （玄オ品家イこ計、ｆＪｊ）
Ｌ帯辱冴（久−５４−Ｂ・Ｈ１創 ”’Ａ Ｃ”５ｔＮｘ、Ｂ、、令） 玄関Δｋ （ｔｌ乙ｔ７・１ネメタ〕 特許出願人の名称 日立工機株式会社 オフの ′ぐ ′（１ ”／？””Ａ ］ 才３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、支持体上に設けられた電荷注入阻止層、この電荷注
入阻止層の上に設けられた非晶質水素化けい素を主成分
とする光電導層、この光電導層の上に設けられた非晶質
水素化けい素を主成分とする表面層を備えた電子写真用
像形成部材において、前記電荷注入阻止層を立方晶窒化
ホウ素層で形成し、この立方晶窒化ホウ素層で形成した
電荷注入阻止層と前記非晶質水素化けい素を主成分とす
る光電導層との間に、窒化けい素層の中間層を設けたこ
とを特徴とする電子写真用像形成部材。 ２、支持体上に設けられた電荷注入阻止層、この電荷注
入阻止層の上に設けられた非晶質水素化けい素を主成分
とする光電導層、この光電導層の上に設けられた非晶質
水素化けい素を主成分とする表面層を備え、前記光電導
層、表面層は夫々の層を形成する工程を持って製作され
る電子写真用像形成部材の製造方法において、前記工程
に、前記電荷注入阻止層を立方晶窒化ホウ素層で形成す
る工程を設けると共に、この電荷注入阻止層を形成する
工程と前記光電導層を形成する工程との間に、前記電荷
注入阻止層と光電導層との間に窒化けい素層の中間層を
形成する工程を設けたことを特徴とする電子写真用像形
成部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299689A JPH02251859A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 電子写真用像形成部材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7299689A JPH02251859A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 電子写真用像形成部材およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02251859A true JPH02251859A (ja) | 1990-10-09 |
Family
ID=13505539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7299689A Pending JPH02251859A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 電子写真用像形成部材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02251859A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008216546A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP7299689A patent/JPH02251859A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008216546A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ |
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