JPH02250222A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH02250222A JPH02250222A JP8931032A JP3103289A JPH02250222A JP H02250222 A JPH02250222 A JP H02250222A JP 8931032 A JP8931032 A JP 8931032A JP 3103289 A JP3103289 A JP 3103289A JP H02250222 A JPH02250222 A JP H02250222A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔誰東上の第１」用分野〕
本発明は薄膜の形成方法に係り、特に微細パターン形成
に必要な薄膜索子の形成技術に関する。
に必要な薄膜索子の形成技術に関する。
従来、薄膜の形成方法としては、蒸盾法、高脚技スパッ
タ法、イオンビームスバツＩ法、ＣＶＬ）法等が知られ
ているか、目的とする薄膜組成が複合元素から取るｍ甘
には、盗発非、やターゲット或いは盛気源の組成と、＆
膜佼の薄膜の組成とは必すしも同じではな（、組成コン
トロールが大きな課題であった。その点、レーザービー
ム等の果束を一改による熱エネルギー或いは元エネルギ
ーを利用したスパッタ法ではターゲット組成と、成課恢
の薄膜の組成か艮く一玖しており、組成コントロールの
必要はなかった。但し、従来のレーザースパッタ法にお
いては、基板とターゲットの距離カ大キク、レーザーｉ
等のビームは、ターゲットにある角度をもって入射して
米るのが普通であった。
タ法、イオンビームスバツＩ法、ＣＶＬ）法等が知られ
ているか、目的とする薄膜組成が複合元素から取るｍ甘
には、盗発非、やターゲット或いは盛気源の組成と、＆
膜佼の薄膜の組成とは必すしも同じではな（、組成コン
トロールが大きな課題であった。その点、レーザービー
ム等の果束を一改による熱エネルギー或いは元エネルギ
ーを利用したスパッタ法ではターゲット組成と、成課恢
の薄膜の組成か艮く一玖しており、組成コントロールの
必要はなかった。但し、従来のレーザースパッタ法にお
いては、基板とターゲットの距離カ大キク、レーザーｉ
等のビームは、ターゲットにある角度をもって入射して
米るのが普通であった。
なお、これら従来の成Ｍ孜術に関してはジャーナル拳オ
プ・マテリアル・リサーチ（ＪｏμｒｒＬａｌ ｏｊＭ
ａｔｅｒｉａｌＪＩＲｅＪｌｇａｒｃん ） ５ （１
９８８） ８２５ｊｔρ）ら８２９頁に記述されてい
る。
プ・マテリアル・リサーチ（ＪｏμｒｒＬａｌ ｏｊＭ
ａｔｅｒｉａｌＪＩＲｅＪｌｇａｒｃん ） ５ （１
９８８） ８２５ｊｔρ）ら８２９頁に記述されてい
る。
上記従来技術の５ち、レーザースパッタ伝以外では、組
成のコン）０−ルか難しいという問題点かあった。また
、レーザースパッタ法においても、基板とターゲット間
距離が離れているため、ターゲット上のある一点からス
パッタされる粒子は、基板上のあらゆる場所ＫＭ槓する
ことか可能であり、微細パターンの形成には通していな
かった。
成のコン）０−ルか難しいという問題点かあった。また
、レーザースパッタ法においても、基板とターゲット間
距離が離れているため、ターゲット上のある一点からス
パッタされる粒子は、基板上のあらゆる場所ＫＭ槓する
ことか可能であり、微細パターンの形成には通していな
かった。
本発明の目的は組成制御が容易でかつ、微細パターンの
形成に好適な薄膜形成方法を提供することにある。
形成に好適な薄膜形成方法を提供することにある。
上記の目的は、基板としてレーザー光等の′亀−奴に対
し′″ＣＣ透明板を用い、画板の背面から該Ｋｍ阪を照
射することにより達成される。これｒこより、基板とタ
ーゲットの距離は、極めて短くすることかでき、その粕
来、元照射郁位のパターンに対応したパターンで基板上
に成膜することが可能と７よる。
し′″ＣＣ透明板を用い、画板の背面から該Ｋｍ阪を照
射することにより達成される。これｒこより、基板とタ
ーゲットの距離は、極めて短くすることかでき、その粕
来、元照射郁位のパターンに対応したパターンで基板上
に成膜することが可能と７よる。
この時、照射する亀−改とじ又は、レーザー光或はＳＯ
Ｒ元が、パワー密度か尚くスパッタ率も筒いことから望
ましく、その技長蛇すとしては実用上２０ＤｒＬｍ以上
２０μｍ以下が座ましい。また用いる基板材料は、該′
ｔｉＬ蜂技に対して、実責上坊明であることか望ましく
、透過率つまり出射光パワー／入射パワーの比率か６０
％以上のものが拠用上好ましく、これより小さいとｉ＆
にエネルギーか吸収されスパッタ率か洛ちるため好まし
くない。また、基板上に微細なパターンを形成するため
には基板とターゲットとの間隔は短い方か虱よしく、１
、ｍｍ以下が艮いが、あスり近つげ潰きΦとスパッタ恢
、基板とターゲットか一体化してしようため好ｌしくな
く、１−以上の間隔が必要である。
Ｒ元が、パワー密度か尚くスパッタ率も筒いことから望
ましく、その技長蛇すとしては実用上２０ＤｒＬｍ以上
２０μｍ以下が座ましい。また用いる基板材料は、該′
ｔｉＬ蜂技に対して、実責上坊明であることか望ましく
、透過率つまり出射光パワー／入射パワーの比率か６０
％以上のものが拠用上好ましく、これより小さいとｉ＆
にエネルギーか吸収されスパッタ率か洛ちるため好まし
くない。また、基板上に微細なパターンを形成するため
には基板とターゲットとの間隔は短い方か虱よしく、１
、ｍｍ以下が艮いが、あスり近つげ潰きΦとスパッタ恢
、基板とターゲットか一体化してしようため好ｌしくな
く、１−以上の間隔が必要である。
ざらに、パターン形成のためのフォトマスクなｉく位置
は、照射光の入射万岡に対して、薄膜を形成しようとす
る基板の削恢どちらに配置しても良い。
は、照射光の入射万岡に対して、薄膜を形成しようとす
る基板の削恢どちらに配置しても良い。
以下、絽１図に従って、そり具体的作用を此明する。
基板（１）の上方から照ＪＲされる蒐畿礫（２）ヲ工、
レーザー光あるいはＳＵＲ党か、そのパワー缶良が大き
いため好ヱしい。この照射光の大部分は、画板を造り抜
け、それに近接して置かれた目的帆凧物ｙ＆ｔｓｉ（タ
ーゲット）に過する。ここで、照射光によるエネルギー
は、照Ｍｂ位に位置する目的組成物質な構成する原子や
イオン等を励起し、ざらにそれらかターゲット表面から
洩び患す（十分な運動エネルギーな与える。こうしＣ飛
び出した原子やイオン等＋４１は近接する基板表面に何
層し、失活する。この除に失なわれるエネルギーはこれ
らの原子やイオン同士の反応や結晶化、或は、缶板＃Ｃ
面との反応に使われる。その粕来、形成される薄膜は、
結晶性か良くなる、また画板との艦漕力も大きくなる。
レーザー光あるいはＳＵＲ党か、そのパワー缶良が大き
いため好ヱしい。この照射光の大部分は、画板を造り抜
け、それに近接して置かれた目的帆凧物ｙ＆ｔｓｉ（タ
ーゲット）に過する。ここで、照射光によるエネルギー
は、照Ｍｂ位に位置する目的組成物質な構成する原子や
イオン等を励起し、ざらにそれらかターゲット表面から
洩び患す（十分な運動エネルギーな与える。こうしＣ飛
び出した原子やイオン等＋４１は近接する基板表面に何
層し、失活する。この除に失なわれるエネルギーはこれ
らの原子やイオン同士の反応や結晶化、或は、缶板＃Ｃ
面との反応に使われる。その粕来、形成される薄膜は、
結晶性か良くなる、また画板との艦漕力も大きくなる。
この時、基板の表面取は表面に亀蜂奴を吸収する材料に
より任意のパターン［５） ’に形成し゛ておけは、こ
れがマスクとなり、任意のパターンを持つ薄膜（６１を
形成できる。
より任意のパターン［５） ’に形成し゛ておけは、こ
れがマスクとなり、任意のパターンを持つ薄膜（６１を
形成できる。
以下に不発明の実施例を図面を用いて説明する。
基板材料として両面を続ｌ仕上げしたＡｔ、Ｏ，単結晶
を用い、ターゲットとしてＢａ２ ＹＣｕ３０？−δの
一缶友な焼結体の表面を平滑に刀ロエしたものを用いた
。
を用い、ターゲットとしてＢａ２ ＹＣｕ３０？−δの
一缶友な焼結体の表面を平滑に刀ロエしたものを用いた
。
これら馨第１図の様に向かい合せ、癩に４ケ所、厚み１
０μｍのスペーサーを入れて：ｊｈ仮とターゲット表面
の距離１に固定した。なお、基板背面には、あらかじめ
１００声巾のライン番アンドｅスペースＱツバターン％
Ｃｒ蒸膚により作成しておいた。この糸を、元尋人窓の
付いた真企チャンバー同に設置し、真空度を１０−”
Ｔｏｒｒ以下とした恢、基板背面からＣ゛０．レーザー
による改貴１０．６１ｉｌＬ の亦外元を１ｏｆ、、
、、の出力でパルスを照射した。（パルス暢： １ｍｇ
以下）その鮎米優られた薄膜は厚さか約０，１μｍであ
り、エレクトロンのプローブ・マイクｃｌ・アナリシス
（ＥＰＭＡ ）によるｍｇ分析でを１膜のパターンはマ
スクパターンのネガを反映していた。不夾施例により、
ターゲットと同一組成の＃腺の微細なパターンの形成を
短時間の光照射により竹なうことかできた。
０μｍのスペーサーを入れて：ｊｈ仮とターゲット表面
の距離１に固定した。なお、基板背面には、あらかじめ
１００声巾のライン番アンドｅスペースＱツバターン％
Ｃｒ蒸膚により作成しておいた。この糸を、元尋人窓の
付いた真企チャンバー同に設置し、真空度を１０−”
Ｔｏｒｒ以下とした恢、基板背面からＣ゛０．レーザー
による改貴１０．６１ｉｌＬ の亦外元を１ｏｆ、、
、、の出力でパルスを照射した。（パルス暢： １ｍｇ
以下）その鮎米優られた薄膜は厚さか約０，１μｍであ
り、エレクトロンのプローブ・マイクｃｌ・アナリシス
（ＥＰＭＡ ）によるｍｇ分析でを１膜のパターンはマ
スクパターンのネガを反映していた。不夾施例により、
ターゲットと同一組成の＃腺の微細なパターンの形成を
短時間の光照射により竹なうことかできた。
本＠＋によれは、目的組成のターゲットと同−組成の薄
膜を、′ｌ１ｌＬ破阪の照射という間車な方法で、短時
間に得られる。しかも、その微細パターンの形成も、２
４ｉ仮の表面或は表面に篭出波をさえぎる一ｒ ス／’
ｔ ｆｉｋ ＜ことによって間単に行なうことかできる
。
膜を、′ｌ１ｌＬ破阪の照射という間車な方法で、短時
間に得られる。しかも、その微細パターンの形成も、２
４ｉ仮の表面或は表面に篭出波をさえぎる一ｒ ス／’
ｔ ｆｉｋ ＜ことによって間単に行なうことかできる
。
第１−は本発明の一拠へ例の、基板とターゲットのＩ！
ｒＩＸｌ１図であり、上方からＫｍ改か照射された時に
、との憶にして薄膜か形成されるかを説明する図である
。 １・・・基＆ ２・・・照射されるｔ出
改５・・・目的組成物質（ターゲット） ４・・・ｔａ阪照射によりターゲットから５１１（ｃ敗
したイオン取は原子 ５・・・任意のパターンを有するフォトマスク６・・・
得られた薄膜 第 １ 図 ３目的淀匁吻−６講−臭
ｒＩＸｌ１図であり、上方からＫｍ改か照射された時に
、との憶にして薄膜か形成されるかを説明する図である
。 １・・・基＆ ２・・・照射されるｔ出
改５・・・目的組成物質（ターゲット） ４・・・ｔａ阪照射によりターゲットから５１１（ｃ敗
したイオン取は原子 ５・・・任意のパターンを有するフォトマスク６・・・
得られた薄膜 第 １ 図 ３目的淀匁吻−６講−臭
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、目的組成物質から成るターゲットに電磁波を照射し
、その結果ターゲット表面から飛散する粒子を基板上に
堆積させる薄膜形成方法において、電磁波に対して透明
な物質から成る基板をターゲット表面近傍に設置し、該
基板の裏面から電磁波を照射することにより該基板表面
に目的組成物質から成る薄膜を形成することを特徴とす
る薄膜形成方法。 ２、電磁波として、２００ｎｍ以上２０μｍ以下の波長
を有するレーザー光あるいはＳＯＲ光を用いることを特
徴とする請求項１記載の薄膜形成方法。 ３、基板材料として電磁波に対する透過率が３０％以上
である物質を用いることを特徴とする請求項１あるいは
２記載の薄膜形成方法。 ４、基板表面とターゲット表面との間の距離が１μｍ以
上１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１、２ある
いは３記載の薄膜形成方法。 ５、電磁波の光源と薄膜を形成しようとする基板の裏面
との間に、電磁波に対する透過率が１０％以下である材
料により形成された任意のパターンを置き、基板表面上
に目的組成物質から成る任意の薄膜パターンを形成する
ことを特徴とする請求項４記載の薄膜形成方法。 ６、基板表面に薄膜形成後除去可能な材料により任意の
パターンを形成した後、請求項１、２、３あるいは４記
載の方法により目的組成物質から成る薄膜を形成し、し
かる後にパターン形成材料を除去することを特徴とする
薄膜形成方法。 ７、目的組成物質として、Ｌｎ＿２＿−＿ｘＭ＿ｘＣｕ
Ｏ＿４＿−＿ｙ、ＬｎＭ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿δ（
Ｌｎ：ランタニド元素及びＹ；Ｍ：Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、
０．１≦ｘ≦０．３）、Ｂｉ＿２Ｓｒ＿２Ｃａ＿ｎ＿−
＿１Ｃｕ＿ｎＯ＿ｘ（ｎ＝１、２、３）、Ｔｉ＿２Ｂａ
＿２Ｃａ＿ｎ＿−＿１Ｃｕ＿ｎＯ＿ｘ（ｎ＝２、３）の
銅酸化物系超伝導物質を用いることを特徴とする請求項
１、２、３、４、５、若しくは６記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8931032A JPH02250222A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8931032A JPH02250222A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250222A true JPH02250222A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=12320169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8931032A Pending JPH02250222A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250222A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992003376A1 (en) * | 1990-08-21 | 1992-03-05 | International Superconductivity Technology Center | Method for manufacturing high temperature superconductive oxide thin film |
| JPH06188192A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-07-08 | Deutsche Forsch & Vers Luft Raumfahrt Ev | 構造化層を付着させるための方法及び装置 |
| JPH06188191A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-07-08 | Deutsche Forsch & Vers Luft Raumfahrt Ev | 半導体素子の機能的構造の製造プロセスおよび製造装置 |
| US9583694B2 (en) | 2013-09-12 | 2017-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Pattern formation method, manufacturing method of peizoelectric film and manufacturing method of piezoelectric element |
-
1989
- 1989-02-13 JP JP8931032A patent/JPH02250222A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992003376A1 (en) * | 1990-08-21 | 1992-03-05 | International Superconductivity Technology Center | Method for manufacturing high temperature superconductive oxide thin film |
| JPH04104903A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-07 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 酸化物高温超電導薄膜の製造方法 |
| US5281575A (en) * | 1990-08-21 | 1994-01-25 | International Superconductivity Technology Center | Laser ablation method for forming oxide superconducting films |
| JPH06188192A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-07-08 | Deutsche Forsch & Vers Luft Raumfahrt Ev | 構造化層を付着させるための方法及び装置 |
| JPH06188191A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-07-08 | Deutsche Forsch & Vers Luft Raumfahrt Ev | 半導体素子の機能的構造の製造プロセスおよび製造装置 |
| US9583694B2 (en) | 2013-09-12 | 2017-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Pattern formation method, manufacturing method of peizoelectric film and manufacturing method of piezoelectric element |
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