JPH0224919B2 - - Google Patents
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Description
全表面またはその表面の一部に電着皮膜を有す
るプラスチツクのような高分子素地から成る部品
は自動車装備用品を含む各種の実利的かつ装飾的
な用途において広く商業的に用いられている。高
分子物質上にかかる金属皮膜を施すための各種の
方法および技術がこれ迄に実用化せられ、または
提案されており、たとえば該プラスチツク表面を
予め活性化処理した後に無電解金属メツキを生成
せしめ、ついでこの部品をさらに電気メツキする
方法などである。ごく最近においては、グラフア
イトのような導電性材料を含有せしめて、表面の
活性化前処理および無電解メツキ工程を省略して
直接該素地の電気メツキを可能ならしめるような
いわゆる“プレータブル”プラスチツクが開発せ
られている。かかる従来公知の方法はコスト高で
あり、工程が複雑でメツキサイクルの効率が悪
く、数回の中間的すすぎ処理における廃水処理の
必要性があるなどの問題点に加えて、かかるメツ
キ済み部品が、塗装済みプラスチツク部品のベー
キングまたは硬化サイクルならびにサービス期間
中に発生するような高温にさらされると膨れが生
起することによつても判るように、表面金属層と
該素地間の接着性の不足に由来する欠点が指摘せ
られてきた。 アメリカン・ソサイテイ・オブ・エレクトロプ
レーテツド・プラスチツク(the American
Society of Electroplated Piastics)編さんの指
針においては、かかるメツキ済みプラスチツク物
品を熱サイクル試験に合格せしめるためのプラス
チツク素地上への銅皮膜の最少メツキ厚さが、サ
ービス環境の厳しさに応じて規定せられている。
このASEP指針によれば、最少限のサービスに対
しても約5ないし約10マイクロメーターの銅メツ
キ厚さであり、重質サービスに対しては約15ない
し約20マイクロメーター迄の銅メツキ厚さが指定
せられている。この銅メツキは導電性装飾用銅皮
膜を供給するために通常一次および二次光沢剤を
含有する公知の酸性銅メツキ浴を用いて行う。そ
の表面上に無電解メツキが施されたプラスチツク
素材を直接かかる酸性銅メツキ工程にかけると、
しばしば接触点において無電解メツキの“焦げ”
および素材に対する銅メツキの接着性の不足が起
きる。かかる“焦げ”を避けるために従来、酸性
銅メツキ工程の初期電圧および電流を実質的に減
少せしめて銅皮膜の著しい肉盛りを生じしめる必
要があり、その結果これがメツキ時間を著しく延
長せしめる結果、実質的な効率の低下をきたして
いた。 また、前記の諸問題を解決するためにワツト
(Watts)ニツケル浴を用いて無電解メツキ済み
のプラスチツク部品上に通常約0.0001インチ
(0.00025cm)以下の厚さの導電性ニツケルメツキ
を施すためにニツケルストライクを行うことが提
案せられている。この提案は、ニツケルストライ
クを行つた部品を引き続く酸性銅メツキ溶液中に
移送する以前に通常2回の水すすぎを必要とし、
その結果すすぎ溶液の廃水を無害ならしめるため
の廃水処理設備が必要になるという欠点があつ
た。加えて、かかるニツケル浴の価格は比較的高
価であり、かつ生成したニツケルメツキまたはス
トライク皮膜はASEPの指針による最少銅皮膜の
要求を満たすのには無縁である。 その他の方法として、従来、無電解メツキ皮膜
のような実質的に非導電性プラスチツク素地に銅
ピロリン酸塩電解液を用いて銅ストライクを行つ
て該部品を通常の酸性銅電解液を用いた引き続く
銅メツキに適合せしめることが提案せられてき
た。不幸にしてかかる銅ピロリン酸塩電解液は均
一なストライク銅を常時生成せしめるための制御
が困難で、かつ浴の価格も比較的高価である。加
えて銅ストライクならびに引き続く装飾用酸性銅
メツキ間に少くとも2回の中間すすぎを必要と
し、このすすぎ溶液の廃水処理のためにさらに経
費がかさむことになる。 従来公知のプラスチツク用メツキ技術にともな
うこれらの問題点ならびに価格上の不利益は、こ
の発明の方法を用いることにより克服でき、この
方法によれば実質的に非導電性の素地に対して密
着性ストライク銅が施され、これがASEPによつ
て指示されたような最少限の銅ガイドラインに貢
献すると共に、かつ該部品はストライク浴から装
飾用酸性銅電解液へ中間的なすすぎ工程なしに直
接移送せしめうるものである。さらにこの発明の
方法は、コンデイシヨニングおよび銅ストライク
浴の経済性、常時均一で密着性の銅皮膜を生成せ
しめるための工程制御の容易さおよびストライク
溶液から引き続く装飾用酸性銅溶液へのいかなる
すくい出しも後者への補給に役立つ結果、さらに
経済性が高まり、化学成分の節約に寄与できる特
徴がある。 この発明による利益と進歩性は、まず実質的に
非導電性素地上への酸性ストライク銅の使用を可
能ならしめて、該素地をして引き続く中間のすす
ぎ工程なしに直接に装飾用酸性銅メツキ浴に移送
して、さらに所望厚さの銅メツキを施すことを可
能ならしめる方法によつて達成せられる。この発
明によれば、メツキ性プラスチツクまたはその表
面に無電解メツキを施したプラスチツクのような
実質的に非導電性素地を、まず銅イオン、酸およ
び浴可溶性のポリエーテル化合物を特定の有効量
において含有する水性の希釈コンデイシヨニング
溶液と、該素地上に銅イオンの置換メツキを効果
的に生成せしめるに十分な時間にわたつて接触せ
しめ、これにより該素地の抵抗性を実質的に減少
せしめる。ついで該状態調節(conditioning)済
みの素材は、素地上に均一で密着性の導電性スト
ライク銅層を生成せしめるのに十分な特定量の銅
イオン、酸および浴可溶性のポリエーテル化合物
を含む水性の酸性電解液を用いて銅ストライクメ
ツキを行う。ストライク銅を施した該素地は、つ
いで中間的なすすぎなしに所望厚さの銅メツキを
施すために通常の装飾用酸性銅メツキ浴に直接移
送するかまたは別法としてすすぎがなされ、かつ
希望するその他の電気メツキ工程に移される。 場合によつて、該酸性銅ストライク浴はストラ
イク銅皮膜に対して必要な特性を付与するための
公知の一次および二次光沢剤を含有する。 この発明による方法のその他の利益と進歩性は
実施例に付随して記載せられた好ましい実施態様
を判読することにより明瞭になろう。 この発明の方法はメツキ可能なプラスチツクお
よびプラスチツク物品のような実質的に非導電性
の素地上に均一な密着性ストライク銅を施すのに
特に好適であり、これらの素材は該素地の表面上
にニツケル、コバルト、ニツケル−鉄およびニツ
ケル−コバルト合金から成る無電解メツキまたは
皮膜を施すための各種の前処理工程により処理せ
られる。従来、無電解メツキを行うための公知の
前処理工程を省いて直接に電気メツキを施すため
に少くともその表面の層状組織中に導電性フイラ
ーを含有せしめた、いわゆる“プレータブル”プ
ラスチツク材料を提供するために著しい努力がな
されてきた。上記の型で市場において入手可能な
典型的なメツキ可能なプラスチツクは商標名
“Caprez−DPP”(Alloy Polymers of
Waldwick社製、New Jersey)である。 この発明において電気メツキさられるポリマー
物質またはプラスチツクは主としてアクリロニト
リル−ブタジエン−スチレン、樹脂でありポリル
アリルエーテル、ポリフエニレンオキサイド、ナ
イロンおよびその類似ポリマーもまた用いられ
る。ABSのようなプラスチツク素地は典型的な
金属部品よりも膨張系数が大きいので、該素地上
へのメツキ皮膜は、ひび割れ、発泡またははく離
を招くことなくプラスチツクの熱膨張に応じて膨
張および収縮するように極めてしなやかでなけれ
ばならない。ある種の光沢性装飾用酸性銅メツキ
工程はニツケルおよびクロムのような比較的脆い
表面メツキに対するバツフアーとして作用し、プ
ラスチツク素地とともに膨張および収縮すること
が可能なしなやかな銅皮膜を生成する。しかしな
がら、かかる光沢性装飾用酸性銅メツキ浴は、よ
り高い電圧を要するので前処理済みのプラスチツ
ク素地上への無電解金属メツキの“焦げ”を生じ
たり、または銅メツキおよびそれに引き続く電気
メツキの素地への密着性の低下をきたし該素地が
温度変化を受ける時に膨れ、はく離またはひび割
れを生ずる。かかる理由のために、実質的な非導
電性プラスチツク素地は無電解メツキの導電性の
消滅または低下を防止するために装飾用酸性銅メ
ツキに先き立つて銅ストライクを施した均一で密
着性の銅皮膜を生起させることが重要である。 ここに記載した“実質的に非導電性素地”なる
用語は、鉄、鋼、アルミニウム等のように導電性
が良好で逆効果なしに装飾用酸性銅メツキを直接
施しうるような金属性素地とは区別される。メツ
キ可能なプラスチツクおよび表面上に無電解メツ
キを施した前処理済みプラスチツク素地は“実質
的に非導電性素地”とみなし、典型的にはリニヤ
ーインチ当り約5ないし約2500オームのシートま
たは表面抵抗を有する。この発明の方法によれ
ば、該状態調節工程は、素地上に浸漬銅被膜を施
してこの素地の固有抵抗を実質的に減少させ、つ
いで酸性銅ストライクメツキを施して密着性で高
導電性の均一なストライク銅を生成させて、通常
の装飾用酸性銅メツキもしくは高濃度溶液メツキ
および初期のメツキ皮膜に逆効果を及ぼさない程
度の比較的高電圧を用いるその他の電気メツキ工
程へ該部品を直接移行せしめることを可能ならし
めるものである。 その表面上に無電解メツキを施すためのプラス
チツクのようなポリマー物質の前処理方法はこの
発明の一部を構成せず、米国特許第3622370号、
同第3961109号および同第3962497号中にその詳細
が記載せられており、これら公知のいづれかの手
法により実施しうる。かかる公知の方法による前
処理工程は該プラスチツク素地から表面フイルム
または汚染物質を必要に応じて除去するための、
1回または数回のすすぎ工程から成り、ついで6
価クロム溶液による水性の酸性エツチング工程に
かけて、望ましい粗面または表面組織を生成させ
て、それによりその素地と金属メツキ間の物理的
接合を強化せしめることから成る。エツチングし
た素材はついで1回または数回すすぎ処理して素
地表面上の残留6価クロムイオンの総てを除去
し、さらに必要に応じて中和工程にかける。つい
でこのエツチング済みの素地はスズ−白金醋体を
含有する水性酸性溶液中で活性化処理を行い、該
素地表面上に活性点を形成せしめ、ついで1回ま
たは数回のすすぎ工程にかけた後で、該素地表面
上に残留する総てのスズ成分または化合物を抽出
するための促進化処理にかける。該促進化処理済
みのプラスチツク部品は、さらにすすいだ後に公
知の方法に従つて無電解メツキ工程にかけ、ニツ
ケル、コバルト、ニツケル−鉄、ニツケル−コバ
ルトのような金属メツキを部品上の全面または特
定部分に施した後、該部品を再びすすぎにかけ、
かくして該部品はこの発明の方法に従つた処理を
適用できる状態になる。 メツキ可能なプラスチツク類もまた、1回また
は数回のクリーニング処理を行つて該表面上のフ
イルムまたは汚染物質を除去し、必要に応じて1
回または数回のすすぎにかけ、かくしてこれらの
プラスチツク類はこの発明の方法に従つて処理す
るための条件がととのえられる。 この発明によれば、該前処理プラスチツク素地
またはメツキ可能なプラスチツクは適宜なすすぎ
処理の後、必須成分としてプラスチツク素地上へ
浸漬銅被膜を析出せしめるに十分な量の銅イオ
ン、酸およびポリエーテル化合物を含む希薄水性
酸性溶液から成るコンデイシヨニング溶液と接触
させて、これにより該表面の固有抵抗を低下させ
て、ひき続くストライク工程における接触点の
“焦げ”を最少限にし、その結果ストライク銅の
改良せられた密着性を達成せしめる。さらに該状
態調節工程はメツキ表面上にシマ模様が形成せら
れるような不都合な状態調節工程がなく、酸性銅
ストライク間に生起する重質不均一な銅析出物の
生成を防止する。該コンデイシヨニング溶液は必
須成分として約0.05ないし約5g/、好ましくは
約0.25ないし約2g/の濃度の銅イオンを含有す
る。この銅イオンは通常、硫酸銅、フツ化ホウ酸
銅、酢酸銅、硝酸銅ならびにそれのアルカリ金
属、マグネシウムおよび酸性アンモニウム塩から
成る浴可溶性塩類の形態において添加せられる。
上記物質中、硫酸銅五水和物は銅イオンの導入に
対して特に好適であり、かつ好ましい成分を構成
する。 該コンデイシヨニング溶液中の酸は硫酸、フツ
化ホウ酸、酢酸、硝酸およびこれらの混合物から
成り特に硫酸が好ましい。酸濃度は約0.5ないし
約40g/であり好ましくは約2ないし約25g/
である。約0.5g/以下の酸濃度では状態調節
(コンデイシヨニング)工程および引き続くスト
ライクおよび電気メツキ工程において非密着性の
浸漬銅被膜を生成する傾向があり、一方、約
40g/以上の濃度では用いた無電解メツキ金属
の種類、コンデイシヨニング溶液の温度および状
態調節工程時間に応じて該無電解メツキに対して
化学的な侵食や逆効果を及ぼす傾向がある。 該プラスチツク素地は浸漬、フラデイング
(floo−ding)、噴霧法などの公知の方法のいづれ
かを用いてコンデイシヨニング溶液と接触せしめ
る。ある場合には空気カクハンが好ましいが通常
はカクハンを要しない。該コンデイシヨニング溶
液は約60〓(15.6℃)ないし約150〓(65.6℃)、
好ましくは70〓(21.1℃)ないし約120〓(48.9
℃)の温度範囲以内に維持せられる。状態調節工
程の時間は最少約15秒ないし、コンデイシヨニン
グ浴温、浴組成物の濃度および無電解メツキの膜
厚および種類に応じて異る該素地表面への逆化学
浸食またはエツチングが生起する以前の時間以内
の範囲である。通常、無電解メツキを施したプラ
スチツク素地に対しては約30秒ないし約2分であ
る。約2分以上の場合には、約2分またはそれ以
下において得られる結果以上の利点がない。メツ
キ可能なプラスチツク部品の状態調節は該プラス
チツクの組成およびプラスチツク中の導電性フイ
ラーの物性に応じて約5分以内の処理時間が適用
せられる。 該コンデイシヨニング溶液中の銅イオンおよび
酸に加えて、それ以外の必須成分はポリエーテル
化合物である。典型的には該ポリエーテル化合物
は約0.01ないし約10g/、好ましくは約0.05な
いし約5g/の量で存在する。適当なポリエー
テル化合物は各種の浴可溶性のポリエーテル、好
ましくは少くとも6個のエーテル性酸素原子を含
み、かつ分子量約150ないし約100万のポリエーテ
ルである。好ましく用いられる各種のポリエーテ
ル類の中でも、平均分子量約600ないし約4000を
有し分子量約300ないし約2500のアルコキシ芳香
族アルコール類から成るポリプロピレンまたはポ
リエチレングリコールおよびこれらの混合物を用
いることにより優れた結果が得られる。 好ましく用いうるポリエーテル化合物を第表
に例示する。
るプラスチツクのような高分子素地から成る部品
は自動車装備用品を含む各種の実利的かつ装飾的
な用途において広く商業的に用いられている。高
分子物質上にかかる金属皮膜を施すための各種の
方法および技術がこれ迄に実用化せられ、または
提案されており、たとえば該プラスチツク表面を
予め活性化処理した後に無電解金属メツキを生成
せしめ、ついでこの部品をさらに電気メツキする
方法などである。ごく最近においては、グラフア
イトのような導電性材料を含有せしめて、表面の
活性化前処理および無電解メツキ工程を省略して
直接該素地の電気メツキを可能ならしめるような
いわゆる“プレータブル”プラスチツクが開発せ
られている。かかる従来公知の方法はコスト高で
あり、工程が複雑でメツキサイクルの効率が悪
く、数回の中間的すすぎ処理における廃水処理の
必要性があるなどの問題点に加えて、かかるメツ
キ済み部品が、塗装済みプラスチツク部品のベー
キングまたは硬化サイクルならびにサービス期間
中に発生するような高温にさらされると膨れが生
起することによつても判るように、表面金属層と
該素地間の接着性の不足に由来する欠点が指摘せ
られてきた。 アメリカン・ソサイテイ・オブ・エレクトロプ
レーテツド・プラスチツク(the American
Society of Electroplated Piastics)編さんの指
針においては、かかるメツキ済みプラスチツク物
品を熱サイクル試験に合格せしめるためのプラス
チツク素地上への銅皮膜の最少メツキ厚さが、サ
ービス環境の厳しさに応じて規定せられている。
このASEP指針によれば、最少限のサービスに対
しても約5ないし約10マイクロメーターの銅メツ
キ厚さであり、重質サービスに対しては約15ない
し約20マイクロメーター迄の銅メツキ厚さが指定
せられている。この銅メツキは導電性装飾用銅皮
膜を供給するために通常一次および二次光沢剤を
含有する公知の酸性銅メツキ浴を用いて行う。そ
の表面上に無電解メツキが施されたプラスチツク
素材を直接かかる酸性銅メツキ工程にかけると、
しばしば接触点において無電解メツキの“焦げ”
および素材に対する銅メツキの接着性の不足が起
きる。かかる“焦げ”を避けるために従来、酸性
銅メツキ工程の初期電圧および電流を実質的に減
少せしめて銅皮膜の著しい肉盛りを生じしめる必
要があり、その結果これがメツキ時間を著しく延
長せしめる結果、実質的な効率の低下をきたして
いた。 また、前記の諸問題を解決するためにワツト
(Watts)ニツケル浴を用いて無電解メツキ済み
のプラスチツク部品上に通常約0.0001インチ
(0.00025cm)以下の厚さの導電性ニツケルメツキ
を施すためにニツケルストライクを行うことが提
案せられている。この提案は、ニツケルストライ
クを行つた部品を引き続く酸性銅メツキ溶液中に
移送する以前に通常2回の水すすぎを必要とし、
その結果すすぎ溶液の廃水を無害ならしめるため
の廃水処理設備が必要になるという欠点があつ
た。加えて、かかるニツケル浴の価格は比較的高
価であり、かつ生成したニツケルメツキまたはス
トライク皮膜はASEPの指針による最少銅皮膜の
要求を満たすのには無縁である。 その他の方法として、従来、無電解メツキ皮膜
のような実質的に非導電性プラスチツク素地に銅
ピロリン酸塩電解液を用いて銅ストライクを行つ
て該部品を通常の酸性銅電解液を用いた引き続く
銅メツキに適合せしめることが提案せられてき
た。不幸にしてかかる銅ピロリン酸塩電解液は均
一なストライク銅を常時生成せしめるための制御
が困難で、かつ浴の価格も比較的高価である。加
えて銅ストライクならびに引き続く装飾用酸性銅
メツキ間に少くとも2回の中間すすぎを必要と
し、このすすぎ溶液の廃水処理のためにさらに経
費がかさむことになる。 従来公知のプラスチツク用メツキ技術にともな
うこれらの問題点ならびに価格上の不利益は、こ
の発明の方法を用いることにより克服でき、この
方法によれば実質的に非導電性の素地に対して密
着性ストライク銅が施され、これがASEPによつ
て指示されたような最少限の銅ガイドラインに貢
献すると共に、かつ該部品はストライク浴から装
飾用酸性銅電解液へ中間的なすすぎ工程なしに直
接移送せしめうるものである。さらにこの発明の
方法は、コンデイシヨニングおよび銅ストライク
浴の経済性、常時均一で密着性の銅皮膜を生成せ
しめるための工程制御の容易さおよびストライク
溶液から引き続く装飾用酸性銅溶液へのいかなる
すくい出しも後者への補給に役立つ結果、さらに
経済性が高まり、化学成分の節約に寄与できる特
徴がある。 この発明による利益と進歩性は、まず実質的に
非導電性素地上への酸性ストライク銅の使用を可
能ならしめて、該素地をして引き続く中間のすす
ぎ工程なしに直接に装飾用酸性銅メツキ浴に移送
して、さらに所望厚さの銅メツキを施すことを可
能ならしめる方法によつて達成せられる。この発
明によれば、メツキ性プラスチツクまたはその表
面に無電解メツキを施したプラスチツクのような
実質的に非導電性素地を、まず銅イオン、酸およ
び浴可溶性のポリエーテル化合物を特定の有効量
において含有する水性の希釈コンデイシヨニング
溶液と、該素地上に銅イオンの置換メツキを効果
的に生成せしめるに十分な時間にわたつて接触せ
しめ、これにより該素地の抵抗性を実質的に減少
せしめる。ついで該状態調節(conditioning)済
みの素材は、素地上に均一で密着性の導電性スト
ライク銅層を生成せしめるのに十分な特定量の銅
イオン、酸および浴可溶性のポリエーテル化合物
を含む水性の酸性電解液を用いて銅ストライクメ
ツキを行う。ストライク銅を施した該素地は、つ
いで中間的なすすぎなしに所望厚さの銅メツキを
施すために通常の装飾用酸性銅メツキ浴に直接移
送するかまたは別法としてすすぎがなされ、かつ
希望するその他の電気メツキ工程に移される。 場合によつて、該酸性銅ストライク浴はストラ
イク銅皮膜に対して必要な特性を付与するための
公知の一次および二次光沢剤を含有する。 この発明による方法のその他の利益と進歩性は
実施例に付随して記載せられた好ましい実施態様
を判読することにより明瞭になろう。 この発明の方法はメツキ可能なプラスチツクお
よびプラスチツク物品のような実質的に非導電性
の素地上に均一な密着性ストライク銅を施すのに
特に好適であり、これらの素材は該素地の表面上
にニツケル、コバルト、ニツケル−鉄およびニツ
ケル−コバルト合金から成る無電解メツキまたは
皮膜を施すための各種の前処理工程により処理せ
られる。従来、無電解メツキを行うための公知の
前処理工程を省いて直接に電気メツキを施すため
に少くともその表面の層状組織中に導電性フイラ
ーを含有せしめた、いわゆる“プレータブル”プ
ラスチツク材料を提供するために著しい努力がな
されてきた。上記の型で市場において入手可能な
典型的なメツキ可能なプラスチツクは商標名
“Caprez−DPP”(Alloy Polymers of
Waldwick社製、New Jersey)である。 この発明において電気メツキさられるポリマー
物質またはプラスチツクは主としてアクリロニト
リル−ブタジエン−スチレン、樹脂でありポリル
アリルエーテル、ポリフエニレンオキサイド、ナ
イロンおよびその類似ポリマーもまた用いられ
る。ABSのようなプラスチツク素地は典型的な
金属部品よりも膨張系数が大きいので、該素地上
へのメツキ皮膜は、ひび割れ、発泡またははく離
を招くことなくプラスチツクの熱膨張に応じて膨
張および収縮するように極めてしなやかでなけれ
ばならない。ある種の光沢性装飾用酸性銅メツキ
工程はニツケルおよびクロムのような比較的脆い
表面メツキに対するバツフアーとして作用し、プ
ラスチツク素地とともに膨張および収縮すること
が可能なしなやかな銅皮膜を生成する。しかしな
がら、かかる光沢性装飾用酸性銅メツキ浴は、よ
り高い電圧を要するので前処理済みのプラスチツ
ク素地上への無電解金属メツキの“焦げ”を生じ
たり、または銅メツキおよびそれに引き続く電気
メツキの素地への密着性の低下をきたし該素地が
温度変化を受ける時に膨れ、はく離またはひび割
れを生ずる。かかる理由のために、実質的な非導
電性プラスチツク素地は無電解メツキの導電性の
消滅または低下を防止するために装飾用酸性銅メ
ツキに先き立つて銅ストライクを施した均一で密
着性の銅皮膜を生起させることが重要である。 ここに記載した“実質的に非導電性素地”なる
用語は、鉄、鋼、アルミニウム等のように導電性
が良好で逆効果なしに装飾用酸性銅メツキを直接
施しうるような金属性素地とは区別される。メツ
キ可能なプラスチツクおよび表面上に無電解メツ
キを施した前処理済みプラスチツク素地は“実質
的に非導電性素地”とみなし、典型的にはリニヤ
ーインチ当り約5ないし約2500オームのシートま
たは表面抵抗を有する。この発明の方法によれ
ば、該状態調節工程は、素地上に浸漬銅被膜を施
してこの素地の固有抵抗を実質的に減少させ、つ
いで酸性銅ストライクメツキを施して密着性で高
導電性の均一なストライク銅を生成させて、通常
の装飾用酸性銅メツキもしくは高濃度溶液メツキ
および初期のメツキ皮膜に逆効果を及ぼさない程
度の比較的高電圧を用いるその他の電気メツキ工
程へ該部品を直接移行せしめることを可能ならし
めるものである。 その表面上に無電解メツキを施すためのプラス
チツクのようなポリマー物質の前処理方法はこの
発明の一部を構成せず、米国特許第3622370号、
同第3961109号および同第3962497号中にその詳細
が記載せられており、これら公知のいづれかの手
法により実施しうる。かかる公知の方法による前
処理工程は該プラスチツク素地から表面フイルム
または汚染物質を必要に応じて除去するための、
1回または数回のすすぎ工程から成り、ついで6
価クロム溶液による水性の酸性エツチング工程に
かけて、望ましい粗面または表面組織を生成させ
て、それによりその素地と金属メツキ間の物理的
接合を強化せしめることから成る。エツチングし
た素材はついで1回または数回すすぎ処理して素
地表面上の残留6価クロムイオンの総てを除去
し、さらに必要に応じて中和工程にかける。つい
でこのエツチング済みの素地はスズ−白金醋体を
含有する水性酸性溶液中で活性化処理を行い、該
素地表面上に活性点を形成せしめ、ついで1回ま
たは数回のすすぎ工程にかけた後で、該素地表面
上に残留する総てのスズ成分または化合物を抽出
するための促進化処理にかける。該促進化処理済
みのプラスチツク部品は、さらにすすいだ後に公
知の方法に従つて無電解メツキ工程にかけ、ニツ
ケル、コバルト、ニツケル−鉄、ニツケル−コバ
ルトのような金属メツキを部品上の全面または特
定部分に施した後、該部品を再びすすぎにかけ、
かくして該部品はこの発明の方法に従つた処理を
適用できる状態になる。 メツキ可能なプラスチツク類もまた、1回また
は数回のクリーニング処理を行つて該表面上のフ
イルムまたは汚染物質を除去し、必要に応じて1
回または数回のすすぎにかけ、かくしてこれらの
プラスチツク類はこの発明の方法に従つて処理す
るための条件がととのえられる。 この発明によれば、該前処理プラスチツク素地
またはメツキ可能なプラスチツクは適宜なすすぎ
処理の後、必須成分としてプラスチツク素地上へ
浸漬銅被膜を析出せしめるに十分な量の銅イオ
ン、酸およびポリエーテル化合物を含む希薄水性
酸性溶液から成るコンデイシヨニング溶液と接触
させて、これにより該表面の固有抵抗を低下させ
て、ひき続くストライク工程における接触点の
“焦げ”を最少限にし、その結果ストライク銅の
改良せられた密着性を達成せしめる。さらに該状
態調節工程はメツキ表面上にシマ模様が形成せら
れるような不都合な状態調節工程がなく、酸性銅
ストライク間に生起する重質不均一な銅析出物の
生成を防止する。該コンデイシヨニング溶液は必
須成分として約0.05ないし約5g/、好ましくは
約0.25ないし約2g/の濃度の銅イオンを含有す
る。この銅イオンは通常、硫酸銅、フツ化ホウ酸
銅、酢酸銅、硝酸銅ならびにそれのアルカリ金
属、マグネシウムおよび酸性アンモニウム塩から
成る浴可溶性塩類の形態において添加せられる。
上記物質中、硫酸銅五水和物は銅イオンの導入に
対して特に好適であり、かつ好ましい成分を構成
する。 該コンデイシヨニング溶液中の酸は硫酸、フツ
化ホウ酸、酢酸、硝酸およびこれらの混合物から
成り特に硫酸が好ましい。酸濃度は約0.5ないし
約40g/であり好ましくは約2ないし約25g/
である。約0.5g/以下の酸濃度では状態調節
(コンデイシヨニング)工程および引き続くスト
ライクおよび電気メツキ工程において非密着性の
浸漬銅被膜を生成する傾向があり、一方、約
40g/以上の濃度では用いた無電解メツキ金属
の種類、コンデイシヨニング溶液の温度および状
態調節工程時間に応じて該無電解メツキに対して
化学的な侵食や逆効果を及ぼす傾向がある。 該プラスチツク素地は浸漬、フラデイング
(floo−ding)、噴霧法などの公知の方法のいづれ
かを用いてコンデイシヨニング溶液と接触せしめ
る。ある場合には空気カクハンが好ましいが通常
はカクハンを要しない。該コンデイシヨニング溶
液は約60〓(15.6℃)ないし約150〓(65.6℃)、
好ましくは70〓(21.1℃)ないし約120〓(48.9
℃)の温度範囲以内に維持せられる。状態調節工
程の時間は最少約15秒ないし、コンデイシヨニン
グ浴温、浴組成物の濃度および無電解メツキの膜
厚および種類に応じて異る該素地表面への逆化学
浸食またはエツチングが生起する以前の時間以内
の範囲である。通常、無電解メツキを施したプラ
スチツク素地に対しては約30秒ないし約2分であ
る。約2分以上の場合には、約2分またはそれ以
下において得られる結果以上の利点がない。メツ
キ可能なプラスチツク部品の状態調節は該プラス
チツクの組成およびプラスチツク中の導電性フイ
ラーの物性に応じて約5分以内の処理時間が適用
せられる。 該コンデイシヨニング溶液中の銅イオンおよび
酸に加えて、それ以外の必須成分はポリエーテル
化合物である。典型的には該ポリエーテル化合物
は約0.01ないし約10g/、好ましくは約0.05な
いし約5g/の量で存在する。適当なポリエー
テル化合物は各種の浴可溶性のポリエーテル、好
ましくは少くとも6個のエーテル性酸素原子を含
み、かつ分子量約150ないし約100万のポリエーテ
ルである。好ましく用いられる各種のポリエーテ
ル類の中でも、平均分子量約600ないし約4000を
有し分子量約300ないし約2500のアルコキシ芳香
族アルコール類から成るポリプロピレンまたはポ
リエチレングリコールおよびこれらの混合物を用
いることにより優れた結果が得られる。 好ましく用いうるポリエーテル化合物を第表
に例示する。
【表】
【表】
該コンデイシヨニング溶液中に存在する塩素イ
オンのようなハロゲンイオンは許容せられるが、
中間すすぎ工程なしのすくい出しの結果として、
引く続く銅ストライク溶液中へのハロゲンイオン
の過剰蓄積を避けるために最少限に押さえること
が好ましい。 状態調節工程に引き続いて、該状態調節または
活性化済みのプラスチツク素地は、中間すすぎ工
程なしに直ちに銅ストライクメツキ浴中に移送可
能であり、コンデイシヨニング浴からのすくい出
しは銅ストライク浴の補充に役立つ。このこと
は、この発明のその他の進歩性を構成するもので
あり、同時に中間の水すすぎ工程の幾つかを省略
し、かつ水洗操作に伴う費用およびそれに伴う諸
問題を省きうる。プラスチツクに対するその他の
公知のストライク溶液と異つて、該ストライク銅
溶液は比較的高い均一電着性を有しその結果該部
品の奥まつた所または低電流密度部分においてさ
えもストライク工程中に均一な銅皮膜を生ずる。
該酸性銅電解液はコンデイシヨニング溶液と比較
してより高濃度の水性酸性溶液から成り銅イオ
ン、酸、浴可溶性ポリエーテル化合物ならびにハ
ロゲンイオンを含む。銅イオンはコンデイシヨナ
ー溶液を調製するのに用いたと同じ材料を用いて
導入することができ、同様に酸類は硫酸銅メツキ
浴を調製するのに好ましい一材料をなす硫酸と同
じ型のものである。該電解液中の銅イオン濃度は
約15ないし約45g/の範囲内であり、好ましく
は約25ないし約35g/である。酸濃度は約45な
いし約225g/であり、好ましくは約150ないし
約190g/である。該ポリエーテル化合物は該
コンデイシヨニング溶液中に用いられるいかなる
種類のものでもよく、一般的には濃度約0.01ない
し約10g/、好ましくは約0.05ないし約5g/
である。 さらに、該電解液はクロライドおよびまたはブ
ロマイドアニオンのようなハライドイオンを含有
し、典型的には少くとも20ppm、通常は約0.5g/
を越えることはない量で存在する。 また、この発明の実施にあたつては、ストライ
ク銅メツキの光沢、しなやかさおよびレベリング
をさらに高めるためにポリエーテル化合物に加え
て公知の型の1種または2種の光沢剤を追加的に
用いることが有利であることが判つた。特に好ま
しく有利な補足添加剤はスルホン化またはホスホ
ン化有機硫化物のような有機二価硫黄化合物類、
すなわち少くとも1個のスルホン基またはホスホ
ン基を有する有機硫化物から成る。また、スルホ
ン基またはホスホン基を含むこれらの有機硫化物
はメチル、クロロ、ブロモ、メトキシ、エトキ
シ、カルボキシまたはヒドロキシのような各種の
置換基を分子上、ことに芳香族環ならびに異節環
状硫化物−スルホン酸またはホスホン酸上に含み
うる。これらの有機硫化物は、遊離酸、アルカリ
金属塩、有機アミン塩、その他として用いられう
る。使用可能な特定のスルホネート有機硫化物類
は米国特許第3267010号中の第表および米国特
許第4181582号中の第表に記載のものならびに
これらのホスホン酸誘導体である。その他の好ま
しい有機二価硫黄化合物は少くとも1個のスルホ
ン基またはホスホン基含有のメルカプタン、チオ
カルバメート、チオールカルバメート、チオザン
セートおよびチオカーボネートならびにHO3P−
(CH2)3−S−S(CH2)3−PO3Hである。 有機二価硫黄化合物の中でことに好ましい基は
有機ポリ硫化物である。かかるポリ硫化物は一般
式XR1−(S)oR2SO3HまたはXR1−(S)o
R2PO3Hで示され、ここでR1およびR2は炭素数
約1ないし約6個を含む同一または異種のアルキ
レン基であり、Xは水素、SO3HまたはPO3Hで
あり、nは約2ないし約5の整数である。これら
の有機二価硫黄化合物はその中で少くとも2個の
二価硫黄原子が近接して位置し、かつその中の分
子が1個または2個の末端スルホン酸基またはホ
スホン酸基を有する脂肪族ポリ硫化物である。該
分子のアルキレン部分はメチル、エチル、クロ
ロ、ブロモ、エトキシ、ヒドロキシおよびその他
の基により置換されうる。これらの化合物は遊離
酸、アルカリ金属塩またはアミン塩として添加さ
れうる。使用可能な特定の有機ポリ硫化物は米国
特許第3328273号中の第2欄、第表に表示せら
れたもの、およびこれらのホスホン酸誘導体であ
る。 これらの有機硫化物はこの発明のメツキ浴中に
約0.0005ないし1.0g/の範囲以内の量で存在せ
しめることが好ましい。 ストライク銅メツキは温度約60〓(15.6℃)な
いし120〓(48.9℃)、好ましくは約60〓(15.6
℃)ないし85〓(29.4℃)の電解液を用いて実施
する。約85〓(29.4℃)以上では浴の均一電着性
が著しく損われるので好ましくない。銅ストライ
クは電流密度約6ASF(0.6A/Dm2)ないし約
20ASF(2.1A/Dm2)において実施する。該スト
ライクは電解液を空気かくはんなどで緩やかにか
くはんしながら行うことが好ましい。通常、スト
ライク銅のメツキ厚さは約0.0001インチ
(0.00025cm)以下である。 該銅ストライク工程に引き続いてプラスチツク
物品は通常の装飾用酸性銅メツキまたは適当なそ
の他の金属メツキ工程に移送せられる。通常、装
飾用酸性銅メツキはその全銅メツキが前記したよ
うなASEPの指針に従つてなされるように行われ
る。典型的には、光沢性装飾用酸性銅メツキ浴は
硫酸銅五水和物約140ないし約250g/、硫酸40
ないし約40g/、クロライドイオンのようなハ
ライドイオン約30ないし約150ppmならびに公知
の型であつて通常用いられる濃度の一次および二
次光沢剤を含有する。 通常、装飾用酸性銅メツキ済みの物品はついで
ニツケルメツキされ、さらに仕上げの装飾用クロ
ムメツキが施される。この発明の方法をさらに説
明するためにつぎに実施例を述べる。これらの実
施例は単に説明の目的のためのものであり、ここ
に記載しかつ特許請求の範囲に述べたこの発明の
範囲をなんら制約するものではない。 実施例 1 表面上に無電解ニツケルメツキを施すために
ABS樹脂から成る部品を前処理した。硫酸銅五
水和物2g/、硫酸7.5g/および分子量約4000
のポリエチレンオキサイド0.1g/を含有する水
性コンデイシヨニング溶液を調製した。該溶液の
温度は75〓(23.9℃)であつた。 該部品を約30秒該コンデイシヨニング溶液に浸
漬し、ついで中間すすぎなしに直接水性の酸性ス
トライク銅浴中へ移した。該ストライク溶液は硫
酸銅五水和物75g/、硫酸170g/、平均分子
量1000のポリエチレンオキサイド2g/および
クロライドイオン約60ppmを含有した。状態調節
済みのこのプラスチツク素地は温度80〓(26.7
℃)、電流密度約10ASF(1.08A/Dm2)において
銅メツキ厚さ0.0001インチ(0.00025cm)が得ら
れるに十分な時間にわたつて該ストライクメツキ
液中で銅メツキした。 該メツキ済み素地は均一で輝やいた半光沢の密
着性ストライク銅メツキを有することが観察せら
れた。 実施例 2 無電解ニツケルメツキを施したABS樹脂から
成る部品を100〓(37.8℃)において1分間希釈
した水性の酸性コンデイシヨニング溶液中で状態
調節(コンデイシヨニング)した。該コンデイシ
ヨニング溶液は硫酸銅五水和物1g/、酸性硫
酸ナトリウム4g/およびエトキシβナフトー
ル(エチレンオキサイド10モル)50ppmを含有し
た。状態調節済みの部品は、すすぎなしに硫酸銅
五水和物70g/、硫酸165g/、硫酸ソーダ
90g/、クロライドイオン60ppmおよびエトキ
シβナフトール(エチレンオキサイド10モル)
1g/を含有する水性の酸性ストライク銅溶液
中へ直接移送した。該溶液を用いて75〓(23.9
℃)で電流密度15ASF(1.61A/Dm2)において
0.0001インチ(0.00025cm)の銅メツキ厚さが得
られるまでストライク銅メツキを施した。該スト
ライク銅メツキは均一で艶があり半光沢の外観を
呈した。 実施例 3 無電解ニツケルメツキを施したABS樹脂から
成るプラスチツク部品を、硫酸銅五水和物7g/
、硫酸5g/および平均分子量1.000のポリエ
チレンオキサイド0.5g/を含有するコンデイシ
ヨニング溶液中で処理した。該状態調節工程は液
温70〓(21.1℃)において15秒間行つた。状態調
節済みの部品は中間すすぎ処理なしに水性の酸性
ストライク銅溶液中へ直接移送した。該ストライ
ク銅浴の電解液は硫酸銅五水和物90g/、硫酸
40g/、酸性ポリ硫酸ナトリウム45g/、硫
酸カリ90g/、エチレンオキサイド(分子量
4000)2g/およびクロライドイオン60ppmか
ら成る。85〓(29.4℃)、電流密度10ASF
(1.08A/Dm2)において銅メツキ厚さ0.0001イン
チ(0.00025cm)が得られるまで該電解液を用い
てストライク銅メツキを施した。 該ストライク銅メツキは均一で艶のある半光沢
性外観を呈した。 実施例1ないし3により施したストライク銅メ
ツキ済みのプラスチツク部品は、ついで公知の装
飾用酸性銅メツキ中でさらに銅メツキせられ、つ
いでニツケルメツキを施し、最後にクロムメツキ
を施こした。該復合メツキ部品を熱サイクル試験
にかけ180〓(82.2℃)において1時間加熱した
後、室温で1時間半、−30〓(−34.4℃)で1時
間、さらに室温で1時間半放置し、該熱サイクル
を再び繰返した。かかる熱サイクル試験によつて
も金属メツキの密着性の低下は見られずプラスチ
ツク素地の全表面にわたつて良好な密着性を示し
ていた。 実施例 4 ABS樹脂から成る2個の全く同じプラスチツ
ク製パネルをその表面に無電解ニツケルメツキを
施すために前処理した。 このうちの1個のパネルを実施例1の水性コン
デイシヨニング溶液中に30秒間浸漬することによ
り処理した。ついで、双方のパネルを実施例1に
記載した水性の酸性ストライク銅メツキ浴中に置
き80〓(26.7℃)、電流密度10ASF(1.08A/Dm2)
において2分間該ストライク溶液中で銅メツキし
た。 該ストライク液からパネルを引き上げたところ
コンデイシヨニング溶液であらかじめ処理せられ
たパネルは均一で艶があり、半光沢の密着性スト
ライク銅メツキにより完全被覆せられていること
が判つた。コンデイシヨニング溶液により処理せ
られなかつた他のパネルは無電解ニツケルメツキ
が随所に観察された。 ここに開示したこの発明は上記したような利益
ならびに進歩性を達成せしめるために十分に考慮
せられたものではあるが、この発明の精神に反す
ることなく種々に変更することができるものであ
ることはいうまでもない。
オンのようなハロゲンイオンは許容せられるが、
中間すすぎ工程なしのすくい出しの結果として、
引く続く銅ストライク溶液中へのハロゲンイオン
の過剰蓄積を避けるために最少限に押さえること
が好ましい。 状態調節工程に引き続いて、該状態調節または
活性化済みのプラスチツク素地は、中間すすぎ工
程なしに直ちに銅ストライクメツキ浴中に移送可
能であり、コンデイシヨニング浴からのすくい出
しは銅ストライク浴の補充に役立つ。このこと
は、この発明のその他の進歩性を構成するもので
あり、同時に中間の水すすぎ工程の幾つかを省略
し、かつ水洗操作に伴う費用およびそれに伴う諸
問題を省きうる。プラスチツクに対するその他の
公知のストライク溶液と異つて、該ストライク銅
溶液は比較的高い均一電着性を有しその結果該部
品の奥まつた所または低電流密度部分においてさ
えもストライク工程中に均一な銅皮膜を生ずる。
該酸性銅電解液はコンデイシヨニング溶液と比較
してより高濃度の水性酸性溶液から成り銅イオ
ン、酸、浴可溶性ポリエーテル化合物ならびにハ
ロゲンイオンを含む。銅イオンはコンデイシヨナ
ー溶液を調製するのに用いたと同じ材料を用いて
導入することができ、同様に酸類は硫酸銅メツキ
浴を調製するのに好ましい一材料をなす硫酸と同
じ型のものである。該電解液中の銅イオン濃度は
約15ないし約45g/の範囲内であり、好ましく
は約25ないし約35g/である。酸濃度は約45な
いし約225g/であり、好ましくは約150ないし
約190g/である。該ポリエーテル化合物は該
コンデイシヨニング溶液中に用いられるいかなる
種類のものでもよく、一般的には濃度約0.01ない
し約10g/、好ましくは約0.05ないし約5g/
である。 さらに、該電解液はクロライドおよびまたはブ
ロマイドアニオンのようなハライドイオンを含有
し、典型的には少くとも20ppm、通常は約0.5g/
を越えることはない量で存在する。 また、この発明の実施にあたつては、ストライ
ク銅メツキの光沢、しなやかさおよびレベリング
をさらに高めるためにポリエーテル化合物に加え
て公知の型の1種または2種の光沢剤を追加的に
用いることが有利であることが判つた。特に好ま
しく有利な補足添加剤はスルホン化またはホスホ
ン化有機硫化物のような有機二価硫黄化合物類、
すなわち少くとも1個のスルホン基またはホスホ
ン基を有する有機硫化物から成る。また、スルホ
ン基またはホスホン基を含むこれらの有機硫化物
はメチル、クロロ、ブロモ、メトキシ、エトキ
シ、カルボキシまたはヒドロキシのような各種の
置換基を分子上、ことに芳香族環ならびに異節環
状硫化物−スルホン酸またはホスホン酸上に含み
うる。これらの有機硫化物は、遊離酸、アルカリ
金属塩、有機アミン塩、その他として用いられう
る。使用可能な特定のスルホネート有機硫化物類
は米国特許第3267010号中の第表および米国特
許第4181582号中の第表に記載のものならびに
これらのホスホン酸誘導体である。その他の好ま
しい有機二価硫黄化合物は少くとも1個のスルホ
ン基またはホスホン基含有のメルカプタン、チオ
カルバメート、チオールカルバメート、チオザン
セートおよびチオカーボネートならびにHO3P−
(CH2)3−S−S(CH2)3−PO3Hである。 有機二価硫黄化合物の中でことに好ましい基は
有機ポリ硫化物である。かかるポリ硫化物は一般
式XR1−(S)oR2SO3HまたはXR1−(S)o
R2PO3Hで示され、ここでR1およびR2は炭素数
約1ないし約6個を含む同一または異種のアルキ
レン基であり、Xは水素、SO3HまたはPO3Hで
あり、nは約2ないし約5の整数である。これら
の有機二価硫黄化合物はその中で少くとも2個の
二価硫黄原子が近接して位置し、かつその中の分
子が1個または2個の末端スルホン酸基またはホ
スホン酸基を有する脂肪族ポリ硫化物である。該
分子のアルキレン部分はメチル、エチル、クロ
ロ、ブロモ、エトキシ、ヒドロキシおよびその他
の基により置換されうる。これらの化合物は遊離
酸、アルカリ金属塩またはアミン塩として添加さ
れうる。使用可能な特定の有機ポリ硫化物は米国
特許第3328273号中の第2欄、第表に表示せら
れたもの、およびこれらのホスホン酸誘導体であ
る。 これらの有機硫化物はこの発明のメツキ浴中に
約0.0005ないし1.0g/の範囲以内の量で存在せ
しめることが好ましい。 ストライク銅メツキは温度約60〓(15.6℃)な
いし120〓(48.9℃)、好ましくは約60〓(15.6
℃)ないし85〓(29.4℃)の電解液を用いて実施
する。約85〓(29.4℃)以上では浴の均一電着性
が著しく損われるので好ましくない。銅ストライ
クは電流密度約6ASF(0.6A/Dm2)ないし約
20ASF(2.1A/Dm2)において実施する。該スト
ライクは電解液を空気かくはんなどで緩やかにか
くはんしながら行うことが好ましい。通常、スト
ライク銅のメツキ厚さは約0.0001インチ
(0.00025cm)以下である。 該銅ストライク工程に引き続いてプラスチツク
物品は通常の装飾用酸性銅メツキまたは適当なそ
の他の金属メツキ工程に移送せられる。通常、装
飾用酸性銅メツキはその全銅メツキが前記したよ
うなASEPの指針に従つてなされるように行われ
る。典型的には、光沢性装飾用酸性銅メツキ浴は
硫酸銅五水和物約140ないし約250g/、硫酸40
ないし約40g/、クロライドイオンのようなハ
ライドイオン約30ないし約150ppmならびに公知
の型であつて通常用いられる濃度の一次および二
次光沢剤を含有する。 通常、装飾用酸性銅メツキ済みの物品はついで
ニツケルメツキされ、さらに仕上げの装飾用クロ
ムメツキが施される。この発明の方法をさらに説
明するためにつぎに実施例を述べる。これらの実
施例は単に説明の目的のためのものであり、ここ
に記載しかつ特許請求の範囲に述べたこの発明の
範囲をなんら制約するものではない。 実施例 1 表面上に無電解ニツケルメツキを施すために
ABS樹脂から成る部品を前処理した。硫酸銅五
水和物2g/、硫酸7.5g/および分子量約4000
のポリエチレンオキサイド0.1g/を含有する水
性コンデイシヨニング溶液を調製した。該溶液の
温度は75〓(23.9℃)であつた。 該部品を約30秒該コンデイシヨニング溶液に浸
漬し、ついで中間すすぎなしに直接水性の酸性ス
トライク銅浴中へ移した。該ストライク溶液は硫
酸銅五水和物75g/、硫酸170g/、平均分子
量1000のポリエチレンオキサイド2g/および
クロライドイオン約60ppmを含有した。状態調節
済みのこのプラスチツク素地は温度80〓(26.7
℃)、電流密度約10ASF(1.08A/Dm2)において
銅メツキ厚さ0.0001インチ(0.00025cm)が得ら
れるに十分な時間にわたつて該ストライクメツキ
液中で銅メツキした。 該メツキ済み素地は均一で輝やいた半光沢の密
着性ストライク銅メツキを有することが観察せら
れた。 実施例 2 無電解ニツケルメツキを施したABS樹脂から
成る部品を100〓(37.8℃)において1分間希釈
した水性の酸性コンデイシヨニング溶液中で状態
調節(コンデイシヨニング)した。該コンデイシ
ヨニング溶液は硫酸銅五水和物1g/、酸性硫
酸ナトリウム4g/およびエトキシβナフトー
ル(エチレンオキサイド10モル)50ppmを含有し
た。状態調節済みの部品は、すすぎなしに硫酸銅
五水和物70g/、硫酸165g/、硫酸ソーダ
90g/、クロライドイオン60ppmおよびエトキ
シβナフトール(エチレンオキサイド10モル)
1g/を含有する水性の酸性ストライク銅溶液
中へ直接移送した。該溶液を用いて75〓(23.9
℃)で電流密度15ASF(1.61A/Dm2)において
0.0001インチ(0.00025cm)の銅メツキ厚さが得
られるまでストライク銅メツキを施した。該スト
ライク銅メツキは均一で艶があり半光沢の外観を
呈した。 実施例 3 無電解ニツケルメツキを施したABS樹脂から
成るプラスチツク部品を、硫酸銅五水和物7g/
、硫酸5g/および平均分子量1.000のポリエ
チレンオキサイド0.5g/を含有するコンデイシ
ヨニング溶液中で処理した。該状態調節工程は液
温70〓(21.1℃)において15秒間行つた。状態調
節済みの部品は中間すすぎ処理なしに水性の酸性
ストライク銅溶液中へ直接移送した。該ストライ
ク銅浴の電解液は硫酸銅五水和物90g/、硫酸
40g/、酸性ポリ硫酸ナトリウム45g/、硫
酸カリ90g/、エチレンオキサイド(分子量
4000)2g/およびクロライドイオン60ppmか
ら成る。85〓(29.4℃)、電流密度10ASF
(1.08A/Dm2)において銅メツキ厚さ0.0001イン
チ(0.00025cm)が得られるまで該電解液を用い
てストライク銅メツキを施した。 該ストライク銅メツキは均一で艶のある半光沢
性外観を呈した。 実施例1ないし3により施したストライク銅メ
ツキ済みのプラスチツク部品は、ついで公知の装
飾用酸性銅メツキ中でさらに銅メツキせられ、つ
いでニツケルメツキを施し、最後にクロムメツキ
を施こした。該復合メツキ部品を熱サイクル試験
にかけ180〓(82.2℃)において1時間加熱した
後、室温で1時間半、−30〓(−34.4℃)で1時
間、さらに室温で1時間半放置し、該熱サイクル
を再び繰返した。かかる熱サイクル試験によつて
も金属メツキの密着性の低下は見られずプラスチ
ツク素地の全表面にわたつて良好な密着性を示し
ていた。 実施例 4 ABS樹脂から成る2個の全く同じプラスチツ
ク製パネルをその表面に無電解ニツケルメツキを
施すために前処理した。 このうちの1個のパネルを実施例1の水性コン
デイシヨニング溶液中に30秒間浸漬することによ
り処理した。ついで、双方のパネルを実施例1に
記載した水性の酸性ストライク銅メツキ浴中に置
き80〓(26.7℃)、電流密度10ASF(1.08A/Dm2)
において2分間該ストライク溶液中で銅メツキし
た。 該ストライク液からパネルを引き上げたところ
コンデイシヨニング溶液であらかじめ処理せられ
たパネルは均一で艶があり、半光沢の密着性スト
ライク銅メツキにより完全被覆せられていること
が判つた。コンデイシヨニング溶液により処理せ
られなかつた他のパネルは無電解ニツケルメツキ
が随所に観察された。 ここに開示したこの発明は上記したような利益
ならびに進歩性を達成せしめるために十分に考慮
せられたものではあるが、この発明の精神に反す
ることなく種々に変更することができるものであ
ることはいうまでもない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 表面の層状組織中に導電性フイラーを含有し
て成るプレータブル・プラスチツクか、またはそ
の表面に無電解金属メツキを施したプラスチツク
のいずれかから成る実質的に非導電性のポリマー
素材の電気メツキ用前処理方法であつて該方法
が、銅イオン、酸および浴可溶性のポリエーテル
化合物の一定有効量を含有する希薄コンデシヨニ
ング水溶液と該素地とを十分な時間接触させて該
素地上に浸漬銅被膜を形成させる状態調節工程
と、次いで銅イオン、酸および浴可溶性のポリエ
ーテル化合物の一定有効量を含有する酸性メツキ
水溶液を用いて該素地上に均一で密着性の導電性
銅ストライクメツキを形成させる工程とから成る
前処理方法。 2 該コンデイシヨニング水溶液が、0.05〜5g/
の銅イオン、0.5〜40g/の酸および0.01〜
10g/のポリエーテル化合物を含有して成る特
許請求の範囲第1項記載の前処理方法。 3 該コンデイシヨニング水溶液が、0.25〜2g/
の銅イオン、2〜25g/の酸および0.05〜
5g/のポリエーテル化合物を含有して成る特
許請求の範囲第1項記載の前処理方法。 4 該コンデイシヨニング水溶液の液温を16〜66
℃に制御して成る特許請求の範囲第1項記載の前
処理方法。 5 該コンデイシヨニング水溶液の液温を22〜49
℃に制御して成る特許請求の範囲第1項記載の前
処理方法。 6 素地とコンデイシヨニング水溶液との接触時
間を5分以内とする特許請求の範囲第1項記載の
前処理方法。 7 素地とコンデイシヨニング水溶液との接触時
間を15秒ないし無電解金属メツキが逆化学侵食を
受ける以前迄の期間とする特許請求の範囲第1項
記載の前処理方法。 8 素地とコンデイシヨニング水溶液との接触時
間を30秒ないし2分とする特許請求の範囲第1項
記載の前処理方法。 9 状態調節済み素地上への銅のメツキ工程を、
状態調節工程に引き続いて中間のすすぎ工程なし
に実施して成る特許請求の範囲第1項記載の前処
理方法。 10 該酸性メツキ水溶液が、15〜45g/の銅
イオン、45〜225g/の酸および0.01〜10g/
のポリエーテル化合物を含有して成る特許請求の
範囲第1項記載の前処理方法。 11 該酸性メツキ水溶液が、25〜35g/の銅
イオン、150〜190g/の酸および0.05〜5g/
のポリエーテル化合物を含有して成る特許請求の
範囲第1項記載の前処理方法。 12 該酸性メツキ水溶液の液温を16〜49℃に制
御して成る特許請求の範囲第1項記載の前処理方
法。 13 銅ストライクメツキ工程を、0.6〜2.2A/
Dm2の平均電流密度で行なう特許請求の範囲第1
項記載の前処理方法。 14 銅ストライクメツキ工程を、0.00025cm以
下の銅ストライクメツキ膜が生成するような時間
に亙つて行なう特許請求の範囲第1項記載の前処
理方法。 15 該コンデイシヨニング水溶液および該酸性
メツキ水溶液中の銅イオンを、硫酸銅、フツ化ホ
ウ素酸銅、酢酸銅、硝酸銅、これらのアルカリ金
塩および酸性アンモニウム塩、ならびにこれらの
混合物から成る群から選択される浴可溶性塩の形
態で導入して成る特許請求の範囲第1項載の前処
理方法。 16 該コンデイシヨニング水溶液および該酸性
メツキ水溶液中の酸を、硫酸、フツ化ホウ素酸、
酢酸、硝酸およびこれらの混合物から成る群から
選択して成る特許請求の範囲第1項載の前処離方
法。 17 該コンデイシヨニング水溶液が、0.05〜
5g/の銅イオンン濃度を供給できる量の硫酸
銅、0.5〜40g/の硫酸、平均分子量約4000の浴
可溶性ポリエチレンオキサイド化合物0.01〜
10g/を含有して成る特許請求の範囲第1項載
の前処離方法。 18 該酸性メツキ液が、15〜45g/の銅イオ
ン濃度を供給しうる量の硫酸銅、0.5〜40g/の
硫酸、0.01〜10g/のポリエーテル化合物およ
び0.5g/以下のハライドイオンを含有して成る
特許請求の範囲第1項載の前処離方法。
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