JPH0224919B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0224919B2 JPH0224919B2 JP56063861A JP6386181A JPH0224919B2 JP H0224919 B2 JPH0224919 B2 JP H0224919B2 JP 56063861 A JP56063861 A JP 56063861A JP 6386181 A JP6386181 A JP 6386181A JP H0224919 B2 JPH0224919 B2 JP H0224919B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- pretreatment method
- acid
- plating
- aqueous solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 93
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 93
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 91
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 49
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 49
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 43
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 39
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- -1 copper fluoroborate Chemical compound 0.000 claims description 25
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical group S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 22
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 18
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 8
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 4
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims description 3
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical group OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 12
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 11
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 6
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 4
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N beta-hydroxynaphthyl Natural products C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229950011260 betanaphthol Drugs 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 229940042400 direct acting antivirals phosphonic acid derivative Drugs 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000008116 organic polysulfides Chemical class 0.000 description 2
- 150000003007 phosphonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 2
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 2
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 2
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910018830 PO3H Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910001430 chromium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N chromium(6+) Chemical compound [Cr+6] JOPOVCBBYLSVDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N phosphonic acid group Chemical group P(O)(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- FHMDYDAXYDRBGZ-UHFFFAOYSA-N platinum tin Chemical compound [Sn].[Pt] FHMDYDAXYDRBGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 150000003558 thiocarbamic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
- C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
全表面またはその表面の一部に電着皮膜を有す
るプラスチツクのような高分子素地から成る部品
は自動車装備用品を含む各種の実利的かつ装飾的
な用途において広く商業的に用いられている。高
分子物質上にかかる金属皮膜を施すための各種の
方法および技術がこれ迄に実用化せられ、または
提案されており、たとえば該プラスチツク表面を
予め活性化処理した後に無電解金属メツキを生成
せしめ、ついでこの部品をさらに電気メツキする
方法などである。ごく最近においては、グラフア
イトのような導電性材料を含有せしめて、表面の
活性化前処理および無電解メツキ工程を省略して
直接該素地の電気メツキを可能ならしめるような
いわゆる“プレータブル”プラスチツクが開発せ
られている。かかる従来公知の方法はコスト高で
あり、工程が複雑でメツキサイクルの効率が悪
く、数回の中間的すすぎ処理における廃水処理の
必要性があるなどの問題点に加えて、かかるメツ
キ済み部品が、塗装済みプラスチツク部品のベー
キングまたは硬化サイクルならびにサービス期間
中に発生するような高温にさらされると膨れが生
起することによつても判るように、表面金属層と
該素地間の接着性の不足に由来する欠点が指摘せ
られてきた。 アメリカン・ソサイテイ・オブ・エレクトロプ
レーテツド・プラスチツク（the American
Society of Electroplated Piastics）編さんの指
針においては、かかるメツキ済みプラスチツク物
品を熱サイクル試験に合格せしめるためのプラス
チツク素地上への銅皮膜の最少メツキ厚さが、サ
ービス環境の厳しさに応じて規定せられている。
このASEP指針によれば、最少限のサービスに対
しても約５ないし約10マイクロメーターの銅メツ
キ厚さであり、重質サービスに対しては約15ない
し約20マイクロメーター迄の銅メツキ厚さが指定
せられている。この銅メツキは導電性装飾用銅皮
膜を供給するために通常一次および二次光沢剤を
含有する公知の酸性銅メツキ浴を用いて行う。そ
の表面上に無電解メツキが施されたプラスチツク
素材を直接かかる酸性銅メツキ工程にかけると、
しばしば接触点において無電解メツキの“焦げ”
および素材に対する銅メツキの接着性の不足が起
きる。かかる“焦げ”を避けるために従来、酸性
銅メツキ工程の初期電圧および電流を実質的に減
少せしめて銅皮膜の著しい肉盛りを生じしめる必
要があり、その結果これがメツキ時間を著しく延
長せしめる結果、実質的な効率の低下をきたして
いた。 また、前記の諸問題を解決するためにワツト
（Watts）ニツケル浴を用いて無電解メツキ済み
のプラスチツク部品上に通常約0.0001インチ
（0.00025cm）以下の厚さの導電性ニツケルメツキ
を施すためにニツケルストライクを行うことが提
案せられている。この提案は、ニツケルストライ
クを行つた部品を引き続く酸性銅メツキ溶液中に
移送する以前に通常２回の水すすぎを必要とし、
その結果すすぎ溶液の廃水を無害ならしめるため
の廃水処理設備が必要になるという欠点があつ
た。加えて、かかるニツケル浴の価格は比較的高
価であり、かつ生成したニツケルメツキまたはス
トライク皮膜はASEPの指針による最少銅皮膜の
要求を満たすのには無縁である。 その他の方法として、従来、無電解メツキ皮膜
のような実質的に非導電性プラスチツク素地に銅
ピロリン酸塩電解液を用いて銅ストライクを行つ
て該部品を通常の酸性銅電解液を用いた引き続く
銅メツキに適合せしめることが提案せられてき
た。不幸にしてかかる銅ピロリン酸塩電解液は均
一なストライク銅を常時生成せしめるための制御
が困難で、かつ浴の価格も比較的高価である。加
えて銅ストライクならびに引き続く装飾用酸性銅
メツキ間に少くとも２回の中間すすぎを必要と
し、このすすぎ溶液の廃水処理のためにさらに経
費がかさむことになる。 従来公知のプラスチツク用メツキ技術にともな
うこれらの問題点ならびに価格上の不利益は、こ
の発明の方法を用いることにより克服でき、この
方法によれば実質的に非導電性の素地に対して密
着性ストライク銅が施され、これがASEPによつ
て指示されたような最少限の銅ガイドラインに貢
献すると共に、かつ該部品はストライク浴から装
飾用酸性銅電解液へ中間的なすすぎ工程なしに直
接移送せしめうるものである。さらにこの発明の
方法は、コンデイシヨニングおよび銅ストライク
浴の経済性、常時均一で密着性の銅皮膜を生成せ
しめるための工程制御の容易さおよびストライク
溶液から引き続く装飾用酸性銅溶液へのいかなる
すくい出しも後者への補給に役立つ結果、さらに
経済性が高まり、化学成分の節約に寄与できる特
徴がある。 この発明による利益と進歩性は、まず実質的に
非導電性素地上への酸性ストライク銅の使用を可
能ならしめて、該素地をして引き続く中間のすす
ぎ工程なしに直接に装飾用酸性銅メツキ浴に移送
して、さらに所望厚さの銅メツキを施すことを可
能ならしめる方法によつて達成せられる。この発
明によれば、メツキ性プラスチツクまたはその表
面に無電解メツキを施したプラスチツクのような
実質的に非導電性素地を、まず銅イオン、酸およ
び浴可溶性のポリエーテル化合物を特定の有効量
において含有する水性の希釈コンデイシヨニング
溶液と、該素地上に銅イオンの置換メツキを効果
的に生成せしめるに十分な時間にわたつて接触せ
しめ、これにより該素地の抵抗性を実質的に減少
せしめる。ついで該状態調節（conditioning）済
みの素材は、素地上に均一で密着性の導電性スト
ライク銅層を生成せしめるのに十分な特定量の銅
イオン、酸および浴可溶性のポリエーテル化合物
を含む水性の酸性電解液を用いて銅ストライクメ
ツキを行う。ストライク銅を施した該素地は、つ
いで中間的なすすぎなしに所望厚さの銅メツキを
施すために通常の装飾用酸性銅メツキ浴に直接移
送するかまたは別法としてすすぎがなされ、かつ
希望するその他の電気メツキ工程に移される。 場合によつて、該酸性銅ストライク浴はストラ
イク銅皮膜に対して必要な特性を付与するための
公知の一次および二次光沢剤を含有する。 この発明による方法のその他の利益と進歩性は
実施例に付随して記載せられた好ましい実施態様
を判読することにより明瞭になろう。 この発明の方法はメツキ可能なプラスチツクお
よびプラスチツク物品のような実質的に非導電性
の素地上に均一な密着性ストライク銅を施すのに
特に好適であり、これらの素材は該素地の表面上
にニツケル、コバルト、ニツケル−鉄およびニツ
ケル−コバルト合金から成る無電解メツキまたは
皮膜を施すための各種の前処理工程により処理せ
られる。従来、無電解メツキを行うための公知の
前処理工程を省いて直接に電気メツキを施すため
に少くともその表面の層状組織中に導電性フイラ
ーを含有せしめた、いわゆる“プレータブル”プ
ラスチツク材料を提供するために著しい努力がな
されてきた。上記の型で市場において入手可能な
典型的なメツキ可能なプラスチツクは商標名
“Caprez−DPP”（Alloy Polymers of
Waldwick社製、New Jersey）である。 この発明において電気メツキさられるポリマー
物質またはプラスチツクは主としてアクリロニト
リル−ブタジエン−スチレン、樹脂でありポリル
アリルエーテル、ポリフエニレンオキサイド、ナ
イロンおよびその類似ポリマーもまた用いられ
る。ABSのようなプラスチツク素地は典型的な
金属部品よりも膨張系数が大きいので、該素地上
へのメツキ皮膜は、ひび割れ、発泡またははく離
を招くことなくプラスチツクの熱膨張に応じて膨
張および収縮するように極めてしなやかでなけれ
ばならない。ある種の光沢性装飾用酸性銅メツキ
工程はニツケルおよびクロムのような比較的脆い
表面メツキに対するバツフアーとして作用し、プ
ラスチツク素地とともに膨張および収縮すること
が可能なしなやかな銅皮膜を生成する。しかしな
がら、かかる光沢性装飾用酸性銅メツキ浴は、よ
り高い電圧を要するので前処理済みのプラスチツ
ク素地上への無電解金属メツキの“焦げ”を生じ
たり、または銅メツキおよびそれに引き続く電気
メツキの素地への密着性の低下をきたし該素地が
温度変化を受ける時に膨れ、はく離またはひび割
れを生ずる。かかる理由のために、実質的な非導
電性プラスチツク素地は無電解メツキの導電性の
消滅または低下を防止するために装飾用酸性銅メ
ツキに先き立つて銅ストライクを施した均一で密
着性の銅皮膜を生起させることが重要である。 ここに記載した“実質的に非導電性素地”なる
用語は、鉄、鋼、アルミニウム等のように導電性
が良好で逆効果なしに装飾用酸性銅メツキを直接
施しうるような金属性素地とは区別される。メツ
キ可能なプラスチツクおよび表面上に無電解メツ
キを施した前処理済みプラスチツク素地は“実質
的に非導電性素地”とみなし、典型的にはリニヤ
ーインチ当り約５ないし約2500オームのシートま
たは表面抵抗を有する。この発明の方法によれ
ば、該状態調節工程は、素地上に浸漬銅被膜を施
してこの素地の固有抵抗を実質的に減少させ、つ
いで酸性銅ストライクメツキを施して密着性で高
導電性の均一なストライク銅を生成させて、通常
の装飾用酸性銅メツキもしくは高濃度溶液メツキ
および初期のメツキ皮膜に逆効果を及ぼさない程
度の比較的高電圧を用いるその他の電気メツキ工
程へ該部品を直接移行せしめることを可能ならし
めるものである。 その表面上に無電解メツキを施すためのプラス
チツクのようなポリマー物質の前処理方法はこの
発明の一部を構成せず、米国特許第3622370号、
同第3961109号および同第3962497号中にその詳細
が記載せられており、これら公知のいづれかの手
法により実施しうる。かかる公知の方法による前
処理工程は該プラスチツク素地から表面フイルム
または汚染物質を必要に応じて除去するための、
１回または数回のすすぎ工程から成り、ついで６
価クロム溶液による水性の酸性エツチング工程に
かけて、望ましい粗面または表面組織を生成させ
て、それによりその素地と金属メツキ間の物理的
接合を強化せしめることから成る。エツチングし
た素材はついで１回または数回すすぎ処理して素
地表面上の残留６価クロムイオンの総てを除去
し、さらに必要に応じて中和工程にかける。つい
でこのエツチング済みの素地はスズ−白金醋体を
含有する水性酸性溶液中で活性化処理を行い、該
素地表面上に活性点を形成せしめ、ついで１回ま
たは数回のすすぎ工程にかけた後で、該素地表面
上に残留する総てのスズ成分または化合物を抽出
するための促進化処理にかける。該促進化処理済
みのプラスチツク部品は、さらにすすいだ後に公
知の方法に従つて無電解メツキ工程にかけ、ニツ
ケル、コバルト、ニツケル−鉄、ニツケル−コバ
ルトのような金属メツキを部品上の全面または特
定部分に施した後、該部品を再びすすぎにかけ、
かくして該部品はこの発明の方法に従つた処理を
適用できる状態になる。 メツキ可能なプラスチツク類もまた、１回また
は数回のクリーニング処理を行つて該表面上のフ
イルムまたは汚染物質を除去し、必要に応じて１
回または数回のすすぎにかけ、かくしてこれらの
プラスチツク類はこの発明の方法に従つて処理す
るための条件がととのえられる。 この発明によれば、該前処理プラスチツク素地
またはメツキ可能なプラスチツクは適宜なすすぎ
処理の後、必須成分としてプラスチツク素地上へ
浸漬銅被膜を析出せしめるに十分な量の銅イオ
ン、酸およびポリエーテル化合物を含む希薄水性
酸性溶液から成るコンデイシヨニング溶液と接触
させて、これにより該表面の固有抵抗を低下させ
て、ひき続くストライク工程における接触点の
“焦げ”を最少限にし、その結果ストライク銅の
改良せられた密着性を達成せしめる。さらに該状
態調節工程はメツキ表面上にシマ模様が形成せら
れるような不都合な状態調節工程がなく、酸性銅
ストライク間に生起する重質不均一な銅析出物の
生成を防止する。該コンデイシヨニング溶液は必
須成分として約0.05ないし約5g／、好ましくは
約0.25ないし約2g／の濃度の銅イオンを含有す
る。この銅イオンは通常、硫酸銅、フツ化ホウ酸
銅、酢酸銅、硝酸銅ならびにそれのアルカリ金
属、マグネシウムおよび酸性アンモニウム塩から
成る浴可溶性塩類の形態において添加せられる。
上記物質中、硫酸銅五水和物は銅イオンの導入に
対して特に好適であり、かつ好ましい成分を構成
する。 該コンデイシヨニング溶液中の酸は硫酸、フツ
化ホウ酸、酢酸、硝酸およびこれらの混合物から
成り特に硫酸が好ましい。酸濃度は約0.5ないし
約40g／であり好ましくは約２ないし約25g／
である。約0.5g／以下の酸濃度では状態調節
（コンデイシヨニング）工程および引き続くスト
ライクおよび電気メツキ工程において非密着性の
浸漬銅被膜を生成する傾向があり、一方、約
40g／以上の濃度では用いた無電解メツキ金属
の種類、コンデイシヨニング溶液の温度および状
態調節工程時間に応じて該無電解メツキに対して
化学的な侵食や逆効果を及ぼす傾向がある。 該プラスチツク素地は浸漬、フラデイング
（floo−ding）、噴霧法などの公知の方法のいづれ
かを用いてコンデイシヨニング溶液と接触せしめ
る。ある場合には空気カクハンが好ましいが通常
はカクハンを要しない。該コンデイシヨニング溶
液は約60〓（15.6℃）ないし約150〓（65.6℃）、
好ましくは70〓（21.1℃）ないし約120〓（48.9
℃）の温度範囲以内に維持せられる。状態調節工
程の時間は最少約15秒ないし、コンデイシヨニン
グ浴温、浴組成物の濃度および無電解メツキの膜
厚および種類に応じて異る該素地表面への逆化学
浸食またはエツチングが生起する以前の時間以内
の範囲である。通常、無電解メツキを施したプラ
スチツク素地に対しては約30秒ないし約２分であ
る。約２分以上の場合には、約２分またはそれ以
下において得られる結果以上の利点がない。メツ
キ可能なプラスチツク部品の状態調節は該プラス
チツクの組成およびプラスチツク中の導電性フイ
ラーの物性に応じて約５分以内の処理時間が適用
せられる。 該コンデイシヨニング溶液中の銅イオンおよび
酸に加えて、それ以外の必須成分はポリエーテル
化合物である。典型的には該ポリエーテル化合物
は約0.01ないし約10g／、好ましくは約0.05な
いし約5g／の量で存在する。適当なポリエー
テル化合物は各種の浴可溶性のポリエーテル、好
ましくは少くとも６個のエーテル性酸素原子を含
み、かつ分子量約150ないし約100万のポリエーテ
ルである。好ましく用いられる各種のポリエーテ
ル類の中でも、平均分子量約600ないし約4000を
有し分子量約300ないし約2500のアルコキシ芳香
族アルコール類から成るポリプロピレンまたはポ
リエチレングリコールおよびこれらの混合物を用
いることにより優れた結果が得られる。 好ましく用いうるポリエーテル化合物を第表
に例示する。
るプラスチツクのような高分子素地から成る部品
は自動車装備用品を含む各種の実利的かつ装飾的
な用途において広く商業的に用いられている。高
分子物質上にかかる金属皮膜を施すための各種の
方法および技術がこれ迄に実用化せられ、または
提案されており、たとえば該プラスチツク表面を
予め活性化処理した後に無電解金属メツキを生成
せしめ、ついでこの部品をさらに電気メツキする
方法などである。ごく最近においては、グラフア
イトのような導電性材料を含有せしめて、表面の
活性化前処理および無電解メツキ工程を省略して
直接該素地の電気メツキを可能ならしめるような
いわゆる“プレータブル”プラスチツクが開発せ
られている。かかる従来公知の方法はコスト高で
あり、工程が複雑でメツキサイクルの効率が悪
く、数回の中間的すすぎ処理における廃水処理の
必要性があるなどの問題点に加えて、かかるメツ
キ済み部品が、塗装済みプラスチツク部品のベー
キングまたは硬化サイクルならびにサービス期間
中に発生するような高温にさらされると膨れが生
起することによつても判るように、表面金属層と
該素地間の接着性の不足に由来する欠点が指摘せ
られてきた。 アメリカン・ソサイテイ・オブ・エレクトロプ
レーテツド・プラスチツク（the American
Society of Electroplated Piastics）編さんの指
針においては、かかるメツキ済みプラスチツク物
品を熱サイクル試験に合格せしめるためのプラス
チツク素地上への銅皮膜の最少メツキ厚さが、サ
ービス環境の厳しさに応じて規定せられている。
このASEP指針によれば、最少限のサービスに対
しても約５ないし約10マイクロメーターの銅メツ
キ厚さであり、重質サービスに対しては約15ない
し約20マイクロメーター迄の銅メツキ厚さが指定
せられている。この銅メツキは導電性装飾用銅皮
膜を供給するために通常一次および二次光沢剤を
含有する公知の酸性銅メツキ浴を用いて行う。そ
の表面上に無電解メツキが施されたプラスチツク
素材を直接かかる酸性銅メツキ工程にかけると、
しばしば接触点において無電解メツキの“焦げ”
および素材に対する銅メツキの接着性の不足が起
きる。かかる“焦げ”を避けるために従来、酸性
銅メツキ工程の初期電圧および電流を実質的に減
少せしめて銅皮膜の著しい肉盛りを生じしめる必
要があり、その結果これがメツキ時間を著しく延
長せしめる結果、実質的な効率の低下をきたして
いた。 また、前記の諸問題を解決するためにワツト
（Watts）ニツケル浴を用いて無電解メツキ済み
のプラスチツク部品上に通常約0.0001インチ
（0.00025cm）以下の厚さの導電性ニツケルメツキ
を施すためにニツケルストライクを行うことが提
案せられている。この提案は、ニツケルストライ
クを行つた部品を引き続く酸性銅メツキ溶液中に
移送する以前に通常２回の水すすぎを必要とし、
その結果すすぎ溶液の廃水を無害ならしめるため
の廃水処理設備が必要になるという欠点があつ
た。加えて、かかるニツケル浴の価格は比較的高
価であり、かつ生成したニツケルメツキまたはス
トライク皮膜はASEPの指針による最少銅皮膜の
要求を満たすのには無縁である。 その他の方法として、従来、無電解メツキ皮膜
のような実質的に非導電性プラスチツク素地に銅
ピロリン酸塩電解液を用いて銅ストライクを行つ
て該部品を通常の酸性銅電解液を用いた引き続く
銅メツキに適合せしめることが提案せられてき
た。不幸にしてかかる銅ピロリン酸塩電解液は均
一なストライク銅を常時生成せしめるための制御
が困難で、かつ浴の価格も比較的高価である。加
えて銅ストライクならびに引き続く装飾用酸性銅
メツキ間に少くとも２回の中間すすぎを必要と
し、このすすぎ溶液の廃水処理のためにさらに経
費がかさむことになる。 従来公知のプラスチツク用メツキ技術にともな
うこれらの問題点ならびに価格上の不利益は、こ
の発明の方法を用いることにより克服でき、この
方法によれば実質的に非導電性の素地に対して密
着性ストライク銅が施され、これがASEPによつ
て指示されたような最少限の銅ガイドラインに貢
献すると共に、かつ該部品はストライク浴から装
飾用酸性銅電解液へ中間的なすすぎ工程なしに直
接移送せしめうるものである。さらにこの発明の
方法は、コンデイシヨニングおよび銅ストライク
浴の経済性、常時均一で密着性の銅皮膜を生成せ
しめるための工程制御の容易さおよびストライク
溶液から引き続く装飾用酸性銅溶液へのいかなる
すくい出しも後者への補給に役立つ結果、さらに
経済性が高まり、化学成分の節約に寄与できる特
徴がある。 この発明による利益と進歩性は、まず実質的に
非導電性素地上への酸性ストライク銅の使用を可
能ならしめて、該素地をして引き続く中間のすす
ぎ工程なしに直接に装飾用酸性銅メツキ浴に移送
して、さらに所望厚さの銅メツキを施すことを可
能ならしめる方法によつて達成せられる。この発
明によれば、メツキ性プラスチツクまたはその表
面に無電解メツキを施したプラスチツクのような
実質的に非導電性素地を、まず銅イオン、酸およ
び浴可溶性のポリエーテル化合物を特定の有効量
において含有する水性の希釈コンデイシヨニング
溶液と、該素地上に銅イオンの置換メツキを効果
的に生成せしめるに十分な時間にわたつて接触せ
しめ、これにより該素地の抵抗性を実質的に減少
せしめる。ついで該状態調節（conditioning）済
みの素材は、素地上に均一で密着性の導電性スト
ライク銅層を生成せしめるのに十分な特定量の銅
イオン、酸および浴可溶性のポリエーテル化合物
を含む水性の酸性電解液を用いて銅ストライクメ
ツキを行う。ストライク銅を施した該素地は、つ
いで中間的なすすぎなしに所望厚さの銅メツキを
施すために通常の装飾用酸性銅メツキ浴に直接移
送するかまたは別法としてすすぎがなされ、かつ
希望するその他の電気メツキ工程に移される。 場合によつて、該酸性銅ストライク浴はストラ
イク銅皮膜に対して必要な特性を付与するための
公知の一次および二次光沢剤を含有する。 この発明による方法のその他の利益と進歩性は
実施例に付随して記載せられた好ましい実施態様
を判読することにより明瞭になろう。 この発明の方法はメツキ可能なプラスチツクお
よびプラスチツク物品のような実質的に非導電性
の素地上に均一な密着性ストライク銅を施すのに
特に好適であり、これらの素材は該素地の表面上
にニツケル、コバルト、ニツケル−鉄およびニツ
ケル−コバルト合金から成る無電解メツキまたは
皮膜を施すための各種の前処理工程により処理せ
られる。従来、無電解メツキを行うための公知の
前処理工程を省いて直接に電気メツキを施すため
に少くともその表面の層状組織中に導電性フイラ
ーを含有せしめた、いわゆる“プレータブル”プ
ラスチツク材料を提供するために著しい努力がな
されてきた。上記の型で市場において入手可能な
典型的なメツキ可能なプラスチツクは商標名
“Caprez−DPP”（Alloy Polymers of
Waldwick社製、New Jersey）である。 この発明において電気メツキさられるポリマー
物質またはプラスチツクは主としてアクリロニト
リル−ブタジエン−スチレン、樹脂でありポリル
アリルエーテル、ポリフエニレンオキサイド、ナ
イロンおよびその類似ポリマーもまた用いられ
る。ABSのようなプラスチツク素地は典型的な
金属部品よりも膨張系数が大きいので、該素地上
へのメツキ皮膜は、ひび割れ、発泡またははく離
を招くことなくプラスチツクの熱膨張に応じて膨
張および収縮するように極めてしなやかでなけれ
ばならない。ある種の光沢性装飾用酸性銅メツキ
工程はニツケルおよびクロムのような比較的脆い
表面メツキに対するバツフアーとして作用し、プ
ラスチツク素地とともに膨張および収縮すること
が可能なしなやかな銅皮膜を生成する。しかしな
がら、かかる光沢性装飾用酸性銅メツキ浴は、よ
り高い電圧を要するので前処理済みのプラスチツ
ク素地上への無電解金属メツキの“焦げ”を生じ
たり、または銅メツキおよびそれに引き続く電気
メツキの素地への密着性の低下をきたし該素地が
温度変化を受ける時に膨れ、はく離またはひび割
れを生ずる。かかる理由のために、実質的な非導
電性プラスチツク素地は無電解メツキの導電性の
消滅または低下を防止するために装飾用酸性銅メ
ツキに先き立つて銅ストライクを施した均一で密
着性の銅皮膜を生起させることが重要である。 ここに記載した“実質的に非導電性素地”なる
用語は、鉄、鋼、アルミニウム等のように導電性
が良好で逆効果なしに装飾用酸性銅メツキを直接
施しうるような金属性素地とは区別される。メツ
キ可能なプラスチツクおよび表面上に無電解メツ
キを施した前処理済みプラスチツク素地は“実質
的に非導電性素地”とみなし、典型的にはリニヤ
ーインチ当り約５ないし約2500オームのシートま
たは表面抵抗を有する。この発明の方法によれ
ば、該状態調節工程は、素地上に浸漬銅被膜を施
してこの素地の固有抵抗を実質的に減少させ、つ
いで酸性銅ストライクメツキを施して密着性で高
導電性の均一なストライク銅を生成させて、通常
の装飾用酸性銅メツキもしくは高濃度溶液メツキ
および初期のメツキ皮膜に逆効果を及ぼさない程
度の比較的高電圧を用いるその他の電気メツキ工
程へ該部品を直接移行せしめることを可能ならし
めるものである。 その表面上に無電解メツキを施すためのプラス
チツクのようなポリマー物質の前処理方法はこの
発明の一部を構成せず、米国特許第3622370号、
同第3961109号および同第3962497号中にその詳細
が記載せられており、これら公知のいづれかの手
法により実施しうる。かかる公知の方法による前
処理工程は該プラスチツク素地から表面フイルム
または汚染物質を必要に応じて除去するための、
１回または数回のすすぎ工程から成り、ついで６
価クロム溶液による水性の酸性エツチング工程に
かけて、望ましい粗面または表面組織を生成させ
て、それによりその素地と金属メツキ間の物理的
接合を強化せしめることから成る。エツチングし
た素材はついで１回または数回すすぎ処理して素
地表面上の残留６価クロムイオンの総てを除去
し、さらに必要に応じて中和工程にかける。つい
でこのエツチング済みの素地はスズ−白金醋体を
含有する水性酸性溶液中で活性化処理を行い、該
素地表面上に活性点を形成せしめ、ついで１回ま
たは数回のすすぎ工程にかけた後で、該素地表面
上に残留する総てのスズ成分または化合物を抽出
するための促進化処理にかける。該促進化処理済
みのプラスチツク部品は、さらにすすいだ後に公
知の方法に従つて無電解メツキ工程にかけ、ニツ
ケル、コバルト、ニツケル−鉄、ニツケル−コバ
ルトのような金属メツキを部品上の全面または特
定部分に施した後、該部品を再びすすぎにかけ、
かくして該部品はこの発明の方法に従つた処理を
適用できる状態になる。 メツキ可能なプラスチツク類もまた、１回また
は数回のクリーニング処理を行つて該表面上のフ
イルムまたは汚染物質を除去し、必要に応じて１
回または数回のすすぎにかけ、かくしてこれらの
プラスチツク類はこの発明の方法に従つて処理す
るための条件がととのえられる。 この発明によれば、該前処理プラスチツク素地
またはメツキ可能なプラスチツクは適宜なすすぎ
処理の後、必須成分としてプラスチツク素地上へ
浸漬銅被膜を析出せしめるに十分な量の銅イオ
ン、酸およびポリエーテル化合物を含む希薄水性
酸性溶液から成るコンデイシヨニング溶液と接触
させて、これにより該表面の固有抵抗を低下させ
て、ひき続くストライク工程における接触点の
“焦げ”を最少限にし、その結果ストライク銅の
改良せられた密着性を達成せしめる。さらに該状
態調節工程はメツキ表面上にシマ模様が形成せら
れるような不都合な状態調節工程がなく、酸性銅
ストライク間に生起する重質不均一な銅析出物の
生成を防止する。該コンデイシヨニング溶液は必
須成分として約0.05ないし約5g／、好ましくは
約0.25ないし約2g／の濃度の銅イオンを含有す
る。この銅イオンは通常、硫酸銅、フツ化ホウ酸
銅、酢酸銅、硝酸銅ならびにそれのアルカリ金
属、マグネシウムおよび酸性アンモニウム塩から
成る浴可溶性塩類の形態において添加せられる。
上記物質中、硫酸銅五水和物は銅イオンの導入に
対して特に好適であり、かつ好ましい成分を構成
する。 該コンデイシヨニング溶液中の酸は硫酸、フツ
化ホウ酸、酢酸、硝酸およびこれらの混合物から
成り特に硫酸が好ましい。酸濃度は約0.5ないし
約40g／であり好ましくは約２ないし約25g／
である。約0.5g／以下の酸濃度では状態調節
（コンデイシヨニング）工程および引き続くスト
ライクおよび電気メツキ工程において非密着性の
浸漬銅被膜を生成する傾向があり、一方、約
40g／以上の濃度では用いた無電解メツキ金属
の種類、コンデイシヨニング溶液の温度および状
態調節工程時間に応じて該無電解メツキに対して
化学的な侵食や逆効果を及ぼす傾向がある。 該プラスチツク素地は浸漬、フラデイング
（floo−ding）、噴霧法などの公知の方法のいづれ
かを用いてコンデイシヨニング溶液と接触せしめ
る。ある場合には空気カクハンが好ましいが通常
はカクハンを要しない。該コンデイシヨニング溶
液は約60〓（15.6℃）ないし約150〓（65.6℃）、
好ましくは70〓（21.1℃）ないし約120〓（48.9
℃）の温度範囲以内に維持せられる。状態調節工
程の時間は最少約15秒ないし、コンデイシヨニン
グ浴温、浴組成物の濃度および無電解メツキの膜
厚および種類に応じて異る該素地表面への逆化学
浸食またはエツチングが生起する以前の時間以内
の範囲である。通常、無電解メツキを施したプラ
スチツク素地に対しては約30秒ないし約２分であ
る。約２分以上の場合には、約２分またはそれ以
下において得られる結果以上の利点がない。メツ
キ可能なプラスチツク部品の状態調節は該プラス
チツクの組成およびプラスチツク中の導電性フイ
ラーの物性に応じて約５分以内の処理時間が適用
せられる。 該コンデイシヨニング溶液中の銅イオンおよび
酸に加えて、それ以外の必須成分はポリエーテル
化合物である。典型的には該ポリエーテル化合物
は約0.01ないし約10g／、好ましくは約0.05な
いし約5g／の量で存在する。適当なポリエー
テル化合物は各種の浴可溶性のポリエーテル、好
ましくは少くとも６個のエーテル性酸素原子を含
み、かつ分子量約150ないし約100万のポリエーテ
ルである。好ましく用いられる各種のポリエーテ
ル類の中でも、平均分子量約600ないし約4000を
有し分子量約300ないし約2500のアルコキシ芳香
族アルコール類から成るポリプロピレンまたはポ
リエチレングリコールおよびこれらの混合物を用
いることにより優れた結果が得られる。 好ましく用いうるポリエーテル化合物を第表
に例示する。
【表】
【表】
該コンデイシヨニング溶液中に存在する塩素イ
オンのようなハロゲンイオンは許容せられるが、
中間すすぎ工程なしのすくい出しの結果として、
引く続く銅ストライク溶液中へのハロゲンイオン
の過剰蓄積を避けるために最少限に押さえること
が好ましい。 状態調節工程に引き続いて、該状態調節または
活性化済みのプラスチツク素地は、中間すすぎ工
程なしに直ちに銅ストライクメツキ浴中に移送可
能であり、コンデイシヨニング浴からのすくい出
しは銅ストライク浴の補充に役立つ。このこと
は、この発明のその他の進歩性を構成するもので
あり、同時に中間の水すすぎ工程の幾つかを省略
し、かつ水洗操作に伴う費用およびそれに伴う諸
問題を省きうる。プラスチツクに対するその他の
公知のストライク溶液と異つて、該ストライク銅
溶液は比較的高い均一電着性を有しその結果該部
品の奥まつた所または低電流密度部分においてさ
えもストライク工程中に均一な銅皮膜を生ずる。
該酸性銅電解液はコンデイシヨニング溶液と比較
してより高濃度の水性酸性溶液から成り銅イオ
ン、酸、浴可溶性ポリエーテル化合物ならびにハ
ロゲンイオンを含む。銅イオンはコンデイシヨナ
ー溶液を調製するのに用いたと同じ材料を用いて
導入することができ、同様に酸類は硫酸銅メツキ
浴を調製するのに好ましい一材料をなす硫酸と同
じ型のものである。該電解液中の銅イオン濃度は
約15ないし約45g／の範囲内であり、好ましく
は約25ないし約35g／である。酸濃度は約45な
いし約225g／であり、好ましくは約150ないし
約190g／である。該ポリエーテル化合物は該
コンデイシヨニング溶液中に用いられるいかなる
種類のものでもよく、一般的には濃度約0.01ない
し約10g／、好ましくは約0.05ないし約5g／
である。 さらに、該電解液はクロライドおよびまたはブ
ロマイドアニオンのようなハライドイオンを含有
し、典型的には少くとも20ppm、通常は約0.5g／
を越えることはない量で存在する。 また、この発明の実施にあたつては、ストライ
ク銅メツキの光沢、しなやかさおよびレベリング
をさらに高めるためにポリエーテル化合物に加え
て公知の型の１種または２種の光沢剤を追加的に
用いることが有利であることが判つた。特に好ま
しく有利な補足添加剤はスルホン化またはホスホ
ン化有機硫化物のような有機二価硫黄化合物類、
すなわち少くとも１個のスルホン基またはホスホ
ン基を有する有機硫化物から成る。また、スルホ
ン基またはホスホン基を含むこれらの有機硫化物
はメチル、クロロ、ブロモ、メトキシ、エトキ
シ、カルボキシまたはヒドロキシのような各種の
置換基を分子上、ことに芳香族環ならびに異節環
状硫化物−スルホン酸またはホスホン酸上に含み
うる。これらの有機硫化物は、遊離酸、アルカリ
金属塩、有機アミン塩、その他として用いられう
る。使用可能な特定のスルホネート有機硫化物類
は米国特許第3267010号中の第表および米国特
許第4181582号中の第表に記載のものならびに
これらのホスホン酸誘導体である。その他の好ま
しい有機二価硫黄化合物は少くとも１個のスルホ
ン基またはホスホン基含有のメルカプタン、チオ
カルバメート、チオールカルバメート、チオザン
セートおよびチオカーボネートならびにHO3P−
（CH2）3−Ｓ−Ｓ（CH2）3−PO3Hである。 有機二価硫黄化合物の中でことに好ましい基は
有機ポリ硫化物である。かかるポリ硫化物は一般
式XR1−（Ｓ）oR2SO3HまたはXR1−（Ｓ）o
R2PO3Hで示され、ここでR1およびR2は炭素数
約１ないし約６個を含む同一または異種のアルキ
レン基であり、Ｘは水素、SO3HまたはPO3Hで
あり、ｎは約２ないし約５の整数である。これら
の有機二価硫黄化合物はその中で少くとも２個の
二価硫黄原子が近接して位置し、かつその中の分
子が１個または２個の末端スルホン酸基またはホ
スホン酸基を有する脂肪族ポリ硫化物である。該
分子のアルキレン部分はメチル、エチル、クロ
ロ、ブロモ、エトキシ、ヒドロキシおよびその他
の基により置換されうる。これらの化合物は遊離
酸、アルカリ金属塩またはアミン塩として添加さ
れうる。使用可能な特定の有機ポリ硫化物は米国
特許第3328273号中の第２欄、第表に表示せら
れたもの、およびこれらのホスホン酸誘導体であ
る。 これらの有機硫化物はこの発明のメツキ浴中に
約0.0005ないし1.0g／の範囲以内の量で存在せ
しめることが好ましい。 ストライク銅メツキは温度約60〓（15.6℃）な
いし120〓（48.9℃）、好ましくは約60〓（15.6
℃）ないし85〓（29.4℃）の電解液を用いて実施
する。約85〓（29.4℃）以上では浴の均一電着性
が著しく損われるので好ましくない。銅ストライ
クは電流密度約6ASF（0.6A／Ｄm2）ないし約
20ASF（2.1A／Ｄm2）において実施する。該スト
ライクは電解液を空気かくはんなどで緩やかにか
くはんしながら行うことが好ましい。通常、スト
ライク銅のメツキ厚さは約0.0001インチ
（0.00025cm）以下である。 該銅ストライク工程に引き続いてプラスチツク
物品は通常の装飾用酸性銅メツキまたは適当なそ
の他の金属メツキ工程に移送せられる。通常、装
飾用酸性銅メツキはその全銅メツキが前記したよ
うなASEPの指針に従つてなされるように行われ
る。典型的には、光沢性装飾用酸性銅メツキ浴は
硫酸銅五水和物約140ないし約250g／、硫酸40
ないし約40g／、クロライドイオンのようなハ
ライドイオン約30ないし約150ppmならびに公知
の型であつて通常用いられる濃度の一次および二
次光沢剤を含有する。 通常、装飾用酸性銅メツキ済みの物品はついで
ニツケルメツキされ、さらに仕上げの装飾用クロ
ムメツキが施される。この発明の方法をさらに説
明するためにつぎに実施例を述べる。これらの実
施例は単に説明の目的のためのものであり、ここ
に記載しかつ特許請求の範囲に述べたこの発明の
範囲をなんら制約するものではない。 実施例 １ 表面上に無電解ニツケルメツキを施すために
ABS樹脂から成る部品を前処理した。硫酸銅五
水和物2g／、硫酸7.5g／および分子量約4000
のポリエチレンオキサイド0.1g／を含有する水
性コンデイシヨニング溶液を調製した。該溶液の
温度は75〓（23.9℃）であつた。 該部品を約30秒該コンデイシヨニング溶液に浸
漬し、ついで中間すすぎなしに直接水性の酸性ス
トライク銅浴中へ移した。該ストライク溶液は硫
酸銅五水和物75g／、硫酸170g／、平均分子
量1000のポリエチレンオキサイド2g／および
クロライドイオン約60ppmを含有した。状態調節
済みのこのプラスチツク素地は温度80〓（26.7
℃）、電流密度約10ASF（1.08A／Ｄm2）において
銅メツキ厚さ0.0001インチ（0.00025cm）が得ら
れるに十分な時間にわたつて該ストライクメツキ
液中で銅メツキした。 該メツキ済み素地は均一で輝やいた半光沢の密
着性ストライク銅メツキを有することが観察せら
れた。 実施例 ２ 無電解ニツケルメツキを施したABS樹脂から
成る部品を100〓（37.8℃）において１分間希釈
した水性の酸性コンデイシヨニング溶液中で状態
調節（コンデイシヨニング）した。該コンデイシ
ヨニング溶液は硫酸銅五水和物1g／、酸性硫
酸ナトリウム4g／およびエトキシβナフトー
ル（エチレンオキサイド10モル）50ppmを含有し
た。状態調節済みの部品は、すすぎなしに硫酸銅
五水和物70g／、硫酸165g／、硫酸ソーダ
90g／、クロライドイオン60ppmおよびエトキ
シβナフトール（エチレンオキサイド10モル）
1g／を含有する水性の酸性ストライク銅溶液
中へ直接移送した。該溶液を用いて75〓（23.9
℃）で電流密度15ASF（1.61A／Ｄm2）において
0.0001インチ（0.00025cm）の銅メツキ厚さが得
られるまでストライク銅メツキを施した。該スト
ライク銅メツキは均一で艶があり半光沢の外観を
呈した。 実施例 ３ 無電解ニツケルメツキを施したABS樹脂から
成るプラスチツク部品を、硫酸銅五水和物7g／
、硫酸5g／および平均分子量1.000のポリエ
チレンオキサイド0.5g／を含有するコンデイシ
ヨニング溶液中で処理した。該状態調節工程は液
温70〓（21.1℃）において15秒間行つた。状態調
節済みの部品は中間すすぎ処理なしに水性の酸性
ストライク銅溶液中へ直接移送した。該ストライ
ク銅浴の電解液は硫酸銅五水和物90g／、硫酸
40g／、酸性ポリ硫酸ナトリウム45g／、硫
酸カリ90g／、エチレンオキサイド（分子量
4000）2g／およびクロライドイオン60ppmか
ら成る。85〓（29.4℃）、電流密度10ASF
（1.08A／Ｄm2）において銅メツキ厚さ0.0001イン
チ（0.00025cm）が得られるまで該電解液を用い
てストライク銅メツキを施した。 該ストライク銅メツキは均一で艶のある半光沢
性外観を呈した。 実施例１ないし３により施したストライク銅メ
ツキ済みのプラスチツク部品は、ついで公知の装
飾用酸性銅メツキ中でさらに銅メツキせられ、つ
いでニツケルメツキを施し、最後にクロムメツキ
を施こした。該復合メツキ部品を熱サイクル試験
にかけ180〓（82.2℃）において１時間加熱した
後、室温で１時間半、−30〓（−34.4℃）で１時
間、さらに室温で１時間半放置し、該熱サイクル
を再び繰返した。かかる熱サイクル試験によつて
も金属メツキの密着性の低下は見られずプラスチ
ツク素地の全表面にわたつて良好な密着性を示し
ていた。 実施例 ４ ABS樹脂から成る２個の全く同じプラスチツ
ク製パネルをその表面に無電解ニツケルメツキを
施すために前処理した。 このうちの１個のパネルを実施例１の水性コン
デイシヨニング溶液中に30秒間浸漬することによ
り処理した。ついで、双方のパネルを実施例１に
記載した水性の酸性ストライク銅メツキ浴中に置
き80〓（26.7℃）、電流密度10ASF（1.08A／Ｄm2）
において２分間該ストライク溶液中で銅メツキし
た。 該ストライク液からパネルを引き上げたところ
コンデイシヨニング溶液であらかじめ処理せられ
たパネルは均一で艶があり、半光沢の密着性スト
ライク銅メツキにより完全被覆せられていること
が判つた。コンデイシヨニング溶液により処理せ
られなかつた他のパネルは無電解ニツケルメツキ
が随所に観察された。 ここに開示したこの発明は上記したような利益
ならびに進歩性を達成せしめるために十分に考慮
せられたものではあるが、この発明の精神に反す
ることなく種々に変更することができるものであ
ることはいうまでもない。
オンのようなハロゲンイオンは許容せられるが、
中間すすぎ工程なしのすくい出しの結果として、
引く続く銅ストライク溶液中へのハロゲンイオン
の過剰蓄積を避けるために最少限に押さえること
が好ましい。 状態調節工程に引き続いて、該状態調節または
活性化済みのプラスチツク素地は、中間すすぎ工
程なしに直ちに銅ストライクメツキ浴中に移送可
能であり、コンデイシヨニング浴からのすくい出
しは銅ストライク浴の補充に役立つ。このこと
は、この発明のその他の進歩性を構成するもので
あり、同時に中間の水すすぎ工程の幾つかを省略
し、かつ水洗操作に伴う費用およびそれに伴う諸
問題を省きうる。プラスチツクに対するその他の
公知のストライク溶液と異つて、該ストライク銅
溶液は比較的高い均一電着性を有しその結果該部
品の奥まつた所または低電流密度部分においてさ
えもストライク工程中に均一な銅皮膜を生ずる。
該酸性銅電解液はコンデイシヨニング溶液と比較
してより高濃度の水性酸性溶液から成り銅イオ
ン、酸、浴可溶性ポリエーテル化合物ならびにハ
ロゲンイオンを含む。銅イオンはコンデイシヨナ
ー溶液を調製するのに用いたと同じ材料を用いて
導入することができ、同様に酸類は硫酸銅メツキ
浴を調製するのに好ましい一材料をなす硫酸と同
じ型のものである。該電解液中の銅イオン濃度は
約15ないし約45g／の範囲内であり、好ましく
は約25ないし約35g／である。酸濃度は約45な
いし約225g／であり、好ましくは約150ないし
約190g／である。該ポリエーテル化合物は該
コンデイシヨニング溶液中に用いられるいかなる
種類のものでもよく、一般的には濃度約0.01ない
し約10g／、好ましくは約0.05ないし約5g／
である。 さらに、該電解液はクロライドおよびまたはブ
ロマイドアニオンのようなハライドイオンを含有
し、典型的には少くとも20ppm、通常は約0.5g／
を越えることはない量で存在する。 また、この発明の実施にあたつては、ストライ
ク銅メツキの光沢、しなやかさおよびレベリング
をさらに高めるためにポリエーテル化合物に加え
て公知の型の１種または２種の光沢剤を追加的に
用いることが有利であることが判つた。特に好ま
しく有利な補足添加剤はスルホン化またはホスホ
ン化有機硫化物のような有機二価硫黄化合物類、
すなわち少くとも１個のスルホン基またはホスホ
ン基を有する有機硫化物から成る。また、スルホ
ン基またはホスホン基を含むこれらの有機硫化物
はメチル、クロロ、ブロモ、メトキシ、エトキ
シ、カルボキシまたはヒドロキシのような各種の
置換基を分子上、ことに芳香族環ならびに異節環
状硫化物−スルホン酸またはホスホン酸上に含み
うる。これらの有機硫化物は、遊離酸、アルカリ
金属塩、有機アミン塩、その他として用いられう
る。使用可能な特定のスルホネート有機硫化物類
は米国特許第3267010号中の第表および米国特
許第4181582号中の第表に記載のものならびに
これらのホスホン酸誘導体である。その他の好ま
しい有機二価硫黄化合物は少くとも１個のスルホ
ン基またはホスホン基含有のメルカプタン、チオ
カルバメート、チオールカルバメート、チオザン
セートおよびチオカーボネートならびにHO3P−
（CH2）3−Ｓ−Ｓ（CH2）3−PO3Hである。 有機二価硫黄化合物の中でことに好ましい基は
有機ポリ硫化物である。かかるポリ硫化物は一般
式XR1−（Ｓ）oR2SO3HまたはXR1−（Ｓ）o
R2PO3Hで示され、ここでR1およびR2は炭素数
約１ないし約６個を含む同一または異種のアルキ
レン基であり、Ｘは水素、SO3HまたはPO3Hで
あり、ｎは約２ないし約５の整数である。これら
の有機二価硫黄化合物はその中で少くとも２個の
二価硫黄原子が近接して位置し、かつその中の分
子が１個または２個の末端スルホン酸基またはホ
スホン酸基を有する脂肪族ポリ硫化物である。該
分子のアルキレン部分はメチル、エチル、クロ
ロ、ブロモ、エトキシ、ヒドロキシおよびその他
の基により置換されうる。これらの化合物は遊離
酸、アルカリ金属塩またはアミン塩として添加さ
れうる。使用可能な特定の有機ポリ硫化物は米国
特許第3328273号中の第２欄、第表に表示せら
れたもの、およびこれらのホスホン酸誘導体であ
る。 これらの有機硫化物はこの発明のメツキ浴中に
約0.0005ないし1.0g／の範囲以内の量で存在せ
しめることが好ましい。 ストライク銅メツキは温度約60〓（15.6℃）な
いし120〓（48.9℃）、好ましくは約60〓（15.6
℃）ないし85〓（29.4℃）の電解液を用いて実施
する。約85〓（29.4℃）以上では浴の均一電着性
が著しく損われるので好ましくない。銅ストライ
クは電流密度約6ASF（0.6A／Ｄm2）ないし約
20ASF（2.1A／Ｄm2）において実施する。該スト
ライクは電解液を空気かくはんなどで緩やかにか
くはんしながら行うことが好ましい。通常、スト
ライク銅のメツキ厚さは約0.0001インチ
（0.00025cm）以下である。 該銅ストライク工程に引き続いてプラスチツク
物品は通常の装飾用酸性銅メツキまたは適当なそ
の他の金属メツキ工程に移送せられる。通常、装
飾用酸性銅メツキはその全銅メツキが前記したよ
うなASEPの指針に従つてなされるように行われ
る。典型的には、光沢性装飾用酸性銅メツキ浴は
硫酸銅五水和物約140ないし約250g／、硫酸40
ないし約40g／、クロライドイオンのようなハ
ライドイオン約30ないし約150ppmならびに公知
の型であつて通常用いられる濃度の一次および二
次光沢剤を含有する。 通常、装飾用酸性銅メツキ済みの物品はついで
ニツケルメツキされ、さらに仕上げの装飾用クロ
ムメツキが施される。この発明の方法をさらに説
明するためにつぎに実施例を述べる。これらの実
施例は単に説明の目的のためのものであり、ここ
に記載しかつ特許請求の範囲に述べたこの発明の
範囲をなんら制約するものではない。 実施例 １ 表面上に無電解ニツケルメツキを施すために
ABS樹脂から成る部品を前処理した。硫酸銅五
水和物2g／、硫酸7.5g／および分子量約4000
のポリエチレンオキサイド0.1g／を含有する水
性コンデイシヨニング溶液を調製した。該溶液の
温度は75〓（23.9℃）であつた。 該部品を約30秒該コンデイシヨニング溶液に浸
漬し、ついで中間すすぎなしに直接水性の酸性ス
トライク銅浴中へ移した。該ストライク溶液は硫
酸銅五水和物75g／、硫酸170g／、平均分子
量1000のポリエチレンオキサイド2g／および
クロライドイオン約60ppmを含有した。状態調節
済みのこのプラスチツク素地は温度80〓（26.7
℃）、電流密度約10ASF（1.08A／Ｄm2）において
銅メツキ厚さ0.0001インチ（0.00025cm）が得ら
れるに十分な時間にわたつて該ストライクメツキ
液中で銅メツキした。 該メツキ済み素地は均一で輝やいた半光沢の密
着性ストライク銅メツキを有することが観察せら
れた。 実施例 ２ 無電解ニツケルメツキを施したABS樹脂から
成る部品を100〓（37.8℃）において１分間希釈
した水性の酸性コンデイシヨニング溶液中で状態
調節（コンデイシヨニング）した。該コンデイシ
ヨニング溶液は硫酸銅五水和物1g／、酸性硫
酸ナトリウム4g／およびエトキシβナフトー
ル（エチレンオキサイド10モル）50ppmを含有し
た。状態調節済みの部品は、すすぎなしに硫酸銅
五水和物70g／、硫酸165g／、硫酸ソーダ
90g／、クロライドイオン60ppmおよびエトキ
シβナフトール（エチレンオキサイド10モル）
1g／を含有する水性の酸性ストライク銅溶液
中へ直接移送した。該溶液を用いて75〓（23.9
℃）で電流密度15ASF（1.61A／Ｄm2）において
0.0001インチ（0.00025cm）の銅メツキ厚さが得
られるまでストライク銅メツキを施した。該スト
ライク銅メツキは均一で艶があり半光沢の外観を
呈した。 実施例 ３ 無電解ニツケルメツキを施したABS樹脂から
成るプラスチツク部品を、硫酸銅五水和物7g／
、硫酸5g／および平均分子量1.000のポリエ
チレンオキサイド0.5g／を含有するコンデイシ
ヨニング溶液中で処理した。該状態調節工程は液
温70〓（21.1℃）において15秒間行つた。状態調
節済みの部品は中間すすぎ処理なしに水性の酸性
ストライク銅溶液中へ直接移送した。該ストライ
ク銅浴の電解液は硫酸銅五水和物90g／、硫酸
40g／、酸性ポリ硫酸ナトリウム45g／、硫
酸カリ90g／、エチレンオキサイド（分子量
4000）2g／およびクロライドイオン60ppmか
ら成る。85〓（29.4℃）、電流密度10ASF
（1.08A／Ｄm2）において銅メツキ厚さ0.0001イン
チ（0.00025cm）が得られるまで該電解液を用い
てストライク銅メツキを施した。 該ストライク銅メツキは均一で艶のある半光沢
性外観を呈した。 実施例１ないし３により施したストライク銅メ
ツキ済みのプラスチツク部品は、ついで公知の装
飾用酸性銅メツキ中でさらに銅メツキせられ、つ
いでニツケルメツキを施し、最後にクロムメツキ
を施こした。該復合メツキ部品を熱サイクル試験
にかけ180〓（82.2℃）において１時間加熱した
後、室温で１時間半、−30〓（−34.4℃）で１時
間、さらに室温で１時間半放置し、該熱サイクル
を再び繰返した。かかる熱サイクル試験によつて
も金属メツキの密着性の低下は見られずプラスチ
ツク素地の全表面にわたつて良好な密着性を示し
ていた。 実施例 ４ ABS樹脂から成る２個の全く同じプラスチツ
ク製パネルをその表面に無電解ニツケルメツキを
施すために前処理した。 このうちの１個のパネルを実施例１の水性コン
デイシヨニング溶液中に30秒間浸漬することによ
り処理した。ついで、双方のパネルを実施例１に
記載した水性の酸性ストライク銅メツキ浴中に置
き80〓（26.7℃）、電流密度10ASF（1.08A／Ｄm2）
において２分間該ストライク溶液中で銅メツキし
た。 該ストライク液からパネルを引き上げたところ
コンデイシヨニング溶液であらかじめ処理せられ
たパネルは均一で艶があり、半光沢の密着性スト
ライク銅メツキにより完全被覆せられていること
が判つた。コンデイシヨニング溶液により処理せ
られなかつた他のパネルは無電解ニツケルメツキ
が随所に観察された。 ここに開示したこの発明は上記したような利益
ならびに進歩性を達成せしめるために十分に考慮
せられたものではあるが、この発明の精神に反す
ることなく種々に変更することができるものであ
ることはいうまでもない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面の層状組織中に導電性フイラーを含有し
て成るプレータブル・プラスチツクか、またはそ
の表面に無電解金属メツキを施したプラスチツク
のいずれかから成る実質的に非導電性のポリマー
素材の電気メツキ用前処理方法であつて該方法
が、銅イオン、酸および浴可溶性のポリエーテル
化合物の一定有効量を含有する希薄コンデシヨニ
ング水溶液と該素地とを十分な時間接触させて該
素地上に浸漬銅被膜を形成させる状態調節工程
と、次いで銅イオン、酸および浴可溶性のポリエ
ーテル化合物の一定有効量を含有する酸性メツキ
水溶液を用いて該素地上に均一で密着性の導電性
銅ストライクメツキを形成させる工程とから成る
前処理方法。 ２ 該コンデイシヨニング水溶液が、0.05〜5g／
の銅イオン、0.5〜40g／の酸および0.01〜
10g／のポリエーテル化合物を含有して成る特
許請求の範囲第１項記載の前処理方法。 ３ 該コンデイシヨニング水溶液が、0.25〜2g／
の銅イオン、２〜25g／の酸および0.05〜
5g／のポリエーテル化合物を含有して成る特
許請求の範囲第１項記載の前処理方法。 ４ 該コンデイシヨニング水溶液の液温を16〜66
℃に制御して成る特許請求の範囲第１項記載の前
処理方法。 ５ 該コンデイシヨニング水溶液の液温を22〜49
℃に制御して成る特許請求の範囲第１項記載の前
処理方法。 ６ 素地とコンデイシヨニング水溶液との接触時
間を５分以内とする特許請求の範囲第１項記載の
前処理方法。 ７ 素地とコンデイシヨニング水溶液との接触時
間を15秒ないし無電解金属メツキが逆化学侵食を
受ける以前迄の期間とする特許請求の範囲第１項
記載の前処理方法。 ８ 素地とコンデイシヨニング水溶液との接触時
間を30秒ないし２分とする特許請求の範囲第１項
記載の前処理方法。 ９ 状態調節済み素地上への銅のメツキ工程を、
状態調節工程に引き続いて中間のすすぎ工程なし
に実施して成る特許請求の範囲第１項記載の前処
理方法。 １０ 該酸性メツキ水溶液が、15〜45g／の銅
イオン、45〜225g／の酸および0.01〜10g／
のポリエーテル化合物を含有して成る特許請求の
範囲第１項記載の前処理方法。 １１ 該酸性メツキ水溶液が、25〜35g／の銅
イオン、150〜190g／の酸および0.05〜5g／
のポリエーテル化合物を含有して成る特許請求の
範囲第１項記載の前処理方法。 １２ 該酸性メツキ水溶液の液温を16〜49℃に制
御して成る特許請求の範囲第１項記載の前処理方
法。 １３ 銅ストライクメツキ工程を、0.6〜2.2A／
Ｄm2の平均電流密度で行なう特許請求の範囲第１
項記載の前処理方法。 １４ 銅ストライクメツキ工程を、0.00025cm以
下の銅ストライクメツキ膜が生成するような時間
に亙つて行なう特許請求の範囲第１項記載の前処
理方法。 １５ 該コンデイシヨニング水溶液および該酸性
メツキ水溶液中の銅イオンを、硫酸銅、フツ化ホ
ウ素酸銅、酢酸銅、硝酸銅、これらのアルカリ金
塩および酸性アンモニウム塩、ならびにこれらの
混合物から成る群から選択される浴可溶性塩の形
態で導入して成る特許請求の範囲第１項載の前処
理方法。 １６ 該コンデイシヨニング水溶液および該酸性
メツキ水溶液中の酸を、硫酸、フツ化ホウ素酸、
酢酸、硝酸およびこれらの混合物から成る群から
選択して成る特許請求の範囲第１項載の前処離方
法。 １７ 該コンデイシヨニング水溶液が、0.05〜
5g／の銅イオンン濃度を供給できる量の硫酸
銅、0.5〜40g／の硫酸、平均分子量約4000の浴
可溶性ポリエチレンオキサイド化合物0.01〜
10g／を含有して成る特許請求の範囲第１項載
の前処離方法。 １８ 該酸性メツキ液が、15〜45g／の銅イオ
ン濃度を供給しうる量の硫酸銅、0.5〜40g／の
硫酸、0.01〜10g／のポリエーテル化合物およ
び0.5g／以下のハライドイオンを含有して成る
特許請求の範囲第１項載の前処離方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/145,534 US4374709A (en) | 1980-05-01 | 1980-05-01 | Process for plating polymeric substrates |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56169793A JPS56169793A (en) | 1981-12-26 |
| JPH0224919B2 true JPH0224919B2 (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=22513544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6386181A Granted JPS56169793A (en) | 1980-05-01 | 1981-04-27 | Plating of polymer material |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4374709A (ja) |
| JP (1) | JPS56169793A (ja) |
| AU (1) | AU526075B2 (ja) |
| BR (1) | BR8102678A (ja) |
| CA (1) | CA1192858A (ja) |
| DE (1) | DE3116743A1 (ja) |
| ES (1) | ES501765A0 (ja) |
| FR (1) | FR2481718A1 (ja) |
| GB (1) | GB2075063B (ja) |
| IT (1) | IT1142499B (ja) |
| MX (1) | MX163920B (ja) |
| NL (1) | NL8102169A (ja) |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3240643A1 (de) * | 1982-11-04 | 1984-05-30 | LPW-Chemie GmbH, 4040 Neuss | Erzeugung von leiterbahnbeschichtungen und leitenden lochwandbeschichtungen auf bzw. in leiterplatten |
| DE3482273D1 (de) * | 1983-06-24 | 1990-06-21 | American Cyanamid Co | Vorrichtung und verfahren zum kontinuierlichen plattieren von fasern. |
| JPS60258494A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-20 | Nippon Sanmou Senshoku Kk | 導電性高分子材料 |
| US4673469A (en) * | 1984-06-08 | 1987-06-16 | Mcgean-Rohco, Inc. | Method of plating plastics |
| US5004525A (en) * | 1988-08-23 | 1991-04-02 | Shipley Company Inc. | Copper electroplating composition |
| US5849171A (en) * | 1990-10-13 | 1998-12-15 | Atotech Deutschland Gmbh | Acid bath for copper plating and process with the use of this combination |
| DE4032864A1 (de) * | 1990-10-13 | 1992-04-16 | Schering Ag | Saures bad zur galvanischen abscheidung von kupferueberzuegen und verfahren unter verwendung dieser kombination |
| US5328589A (en) * | 1992-12-23 | 1994-07-12 | Enthone-Omi, Inc. | Functional fluid additives for acid copper electroplating baths |
| US5336370A (en) * | 1993-12-09 | 1994-08-09 | Chipalkatti Makarand H | Pre-treatment for plating technique |
| EP0795802A1 (en) * | 1996-03-15 | 1997-09-17 | Agfa-Gevaert N.V. | A printhead structure made from an electroless plated plastic substrate |
| US6203582B1 (en) * | 1996-07-15 | 2001-03-20 | Semitool, Inc. | Modular semiconductor workpiece processing tool |
| US6454926B1 (en) * | 1997-09-30 | 2002-09-24 | Semitool Inc. | Semiconductor plating system workpiece support having workpiece-engaging electrode with submerged conductive current transfer areas |
| US6936153B1 (en) | 1997-09-30 | 2005-08-30 | Semitool, Inc. | Semiconductor plating system workpiece support having workpiece-engaging electrode with pre-conditioned contact face |
| US6258241B1 (en) | 1997-12-10 | 2001-07-10 | Lucent Technologies, Inc. | Process for electroplating metals |
| US20040045832A1 (en) * | 1999-10-14 | 2004-03-11 | Nicholas Martyak | Electrolytic copper plating solutions |
| EP1111096A3 (en) * | 1999-12-15 | 2004-02-11 | Shipley Company LLC | Seed layer repair method |
| US6468672B1 (en) | 2000-06-29 | 2002-10-22 | Lacks Enterprises, Inc. | Decorative chrome electroplate on plastics |
| GB0020414D0 (en) * | 2000-08-18 | 2000-10-04 | Avecia Ltd | Dispersions containing polyether dispersants |
| US20040000488A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-01 | Applied Materials, Inc. | CU ECP planarization by insertion of polymer treatment step between gap fill and bulk fill steps |
| US8465469B2 (en) * | 2002-09-12 | 2013-06-18 | Medtronic Vascular, Inc. | Reinforced catheter and methods of making |
| US20040211657A1 (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Ingelbrecht Hugo Gerard Eduard | Method of purifying 2,6-xylenol and method of producing poly(arylene ether) therefrom |
| US9399618B2 (en) * | 2003-05-12 | 2016-07-26 | Arkema Inc. | High purity electrolytic sulfonic acid solutions |
| US20050230262A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Semitool, Inc. | Electrochemical methods for the formation of protective features on metallized features |
| US20060086620A1 (en) * | 2004-10-21 | 2006-04-27 | Chase Lee A | Textured decorative plating on plastic components |
| TW200632147A (ja) | 2004-11-12 | 2006-09-16 | ||
| US7354354B2 (en) * | 2004-12-17 | 2008-04-08 | Integran Technologies Inc. | Article comprising a fine-grained metallic material and a polymeric material |
| JP2007023361A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 芳香族ポリカーボネート系樹脂成形品のメッキ方法およびメッキ成形品 |
| US20070158199A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | Haight Scott M | Method to modulate the surface roughness of a plated deposit and create fine-grained flat bumps |
| US20070178697A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-02 | Enthone Inc. | Copper electrodeposition in microelectronics |
| JP2009041097A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 銅めっき方法 |
| US20090056994A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Kuhr Werner G | Methods of Treating a Surface to Promote Metal Plating and Devices Formed |
| CN101842856B (zh) * | 2007-08-31 | 2013-10-09 | 埃托特克德国有限公司 | 处理表面以促进感兴趣的分子结合的方法、由其形成的涂层和器件 |
| US7905994B2 (en) * | 2007-10-03 | 2011-03-15 | Moses Lake Industries, Inc. | Substrate holder and electroplating system |
| US20090188553A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Emat Technology, Llc | Methods of fabricating solar-cell structures and resulting solar-cell structures |
| US8262894B2 (en) | 2009-04-30 | 2012-09-11 | Moses Lake Industries, Inc. | High speed copper plating bath |
| KR101730983B1 (ko) | 2010-07-06 | 2017-04-27 | 나믹스 코포레이션 | 인쇄회로기판에서 사용하기 위한 유기 기판에의 접착을 향상시키는 구리 표면의 처리 방법 |
| JP2011068995A (ja) * | 2010-11-15 | 2011-04-07 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 芳香族ポリカーボネート系樹脂成形品のメッキ方法およびメッキ成形品 |
| US8747643B2 (en) * | 2011-08-22 | 2014-06-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Plating bath and method |
| CN103009708A (zh) * | 2011-09-21 | 2013-04-03 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 镀膜件及其制造方法 |
| US9243339B2 (en) | 2012-05-25 | 2016-01-26 | Trevor Pearson | Additives for producing copper electrodeposits having low oxygen content |
| ITUD20130108A1 (it) | 2013-08-13 | 2015-02-14 | New Technology Consultants N T C | Dispositivo di controllo del funzionamento di uno scambiatore di calore, scambiatore di calore comprendente detto dispositivo e relativo procedimento di controllo |
| US9809891B2 (en) | 2014-06-30 | 2017-11-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Plating method |
| US10988852B2 (en) | 2015-10-27 | 2021-04-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of electroplating copper into a via on a substrate from an acid copper electroplating bath |
| JP7064115B2 (ja) | 2016-08-15 | 2022-05-10 | アトテック ドイチュラント ゲー・エム・ベー・ハー ウント コー． カー・ゲー | 電解銅めっきのための酸性水性組成物 |
| US10986738B2 (en) * | 2018-05-08 | 2021-04-20 | Macdermid Enthone Inc. | Carbon-based direct plating process |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB493485A (en) * | 1937-01-13 | 1938-10-10 | Langbein Pfanhauser Werke Ag | Process for the electrolytic production of metal coatings on objects with a non-conducting surface |
| US3099608A (en) * | 1959-12-30 | 1963-07-30 | Ibm | Method of electroplating on a dielectric base |
| US3328273A (en) * | 1966-08-15 | 1967-06-27 | Udylite Corp | Electro-deposition of copper from acidic baths |
| US3682788A (en) * | 1970-07-28 | 1972-08-08 | M & T Chemicals Inc | Copper electroplating |
| US3751289A (en) * | 1971-08-20 | 1973-08-07 | M & T Chemicals Inc | Method of preparing surfaces for electroplating |
| US3954570A (en) * | 1974-11-11 | 1976-05-04 | Amp Incorporated | Sensitized polyimides and circuit elements thereof |
-
1980
- 1980-05-01 US US06/145,534 patent/US4374709A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-03-27 CA CA000373992A patent/CA1192858A/en not_active Expired
- 1981-04-22 FR FR8108047A patent/FR2481718A1/fr active Granted
- 1981-04-27 JP JP6386181A patent/JPS56169793A/ja active Granted
- 1981-04-28 DE DE19813116743 patent/DE3116743A1/de not_active Ceased
- 1981-04-29 ES ES501765A patent/ES501765A0/es active Granted
- 1981-04-29 IT IT48365/81A patent/IT1142499B/it active
- 1981-04-30 AU AU70018/81A patent/AU526075B2/en not_active Expired
- 1981-04-30 BR BR8102678A patent/BR8102678A/pt unknown
- 1981-04-30 MX MX187101A patent/MX163920B/es unknown
- 1981-04-30 GB GB8113313A patent/GB2075063B/en not_active Expired
- 1981-05-01 NL NL8102169A patent/NL8102169A/nl not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2481718A1 (fr) | 1981-11-06 |
| ES8205021A1 (es) | 1982-05-16 |
| GB2075063A (en) | 1981-11-11 |
| NL8102169A (nl) | 1981-12-01 |
| IT1142499B (it) | 1986-10-08 |
| FR2481718B1 (ja) | 1985-05-03 |
| AU526075B2 (en) | 1982-12-16 |
| AU7001881A (en) | 1981-11-05 |
| CA1192858A (en) | 1985-09-03 |
| ES501765A0 (es) | 1982-05-16 |
| IT8148365A0 (it) | 1981-04-29 |
| US4374709A (en) | 1983-02-22 |
| MX163920B (es) | 1992-06-30 |
| GB2075063B (en) | 1983-04-07 |
| JPS56169793A (en) | 1981-12-26 |
| BR8102678A (pt) | 1982-01-26 |
| DE3116743A1 (de) | 1982-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0224919B2 (ja) | ||
| US3664933A (en) | Process for acid copper plating of zinc | |
| US2965551A (en) | Metal plating process | |
| US3915811A (en) | Method and composition for electroplating aluminum alloys | |
| US2454610A (en) | Method for metalization on nonconductors | |
| BR112013027921B1 (pt) | Banho de galvanização e método eletrodeposição de uma camada de cromo escuro em uma peça de trabalho | |
| JPH08209379A (ja) | アルカリ亜鉛および亜鉛合金電気めっき浴およびプロセス | |
| GB2252334A (en) | Zincating using a bath containing a polymer based on a nitrogen heterocycle | |
| BR112017002502B1 (pt) | Método de revestimento de um suporte para eletrogalvanização, suporte para eletrogalvanização revestido com plastisol, método de metalização de substratos não condutores e suporte para eletrogalvanização usado para sustentar substratos não condutores durante um processo de galvanização | |
| KR940003368B1 (ko) | 폴리아세탈 수지 성형품의 표면처리방법 | |
| US3832291A (en) | Method of preparing surfaces for electroplating | |
| US3751289A (en) | Method of preparing surfaces for electroplating | |
| US4411965A (en) | Process for high speed nickel and gold electroplate system and article having improved corrosion resistance | |
| US3554880A (en) | Process for electroplating polyoxymethylene resins | |
| GB2101162A (en) | Composition and process for electro-depositing composite nickel layers | |
| US20040074775A1 (en) | Pulse reverse electrolysis of acidic copper electroplating solutions | |
| US3684666A (en) | Copper electroplating in a citric acid bath | |
| JP4586020B2 (ja) | 銅被膜を電解で析出するための酸性水溶液と方法に加えて上記水溶液の使用 | |
| JP2006052431A (ja) | 錫−亜鉛合金電気めっき方法 | |
| US3681211A (en) | Electroplating a black nickel-zinc alloy deposit | |
| JP2965569B2 (ja) | プラスチック基材のエツチング前処理 | |
| US3841979A (en) | Method of preparing surfaces for electroplating | |
| US3689380A (en) | Process for acid copper plating of steel | |
| JP2833477B2 (ja) | 色調の明るいりん酸亜鉛処理めっき金属板とその製造方法 | |
| JP2647833B2 (ja) | 有機高分子複合電気亜鉛合金めつき浴 |