JPH02246772A - 電源回路 - Google Patents
電源回路Info
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- JPH02246772A JPH02246772A JP2029727A JP2972790A JPH02246772A JP H02246772 A JPH02246772 A JP H02246772A JP 2029727 A JP2029727 A JP 2029727A JP 2972790 A JP2972790 A JP 2972790A JP H02246772 A JPH02246772 A JP H02246772A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/22—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
- H02M3/24—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/28—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC
- H02M3/325—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/02—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries for charging batteries from AC mains by converters
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J2207/00—Indexing scheme relating to details of circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J2207/20—Charging or discharging characterised by the power electronics converter
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、変成器の一次巻線と制御入力端を有する第１
半導体スイッチの主電流通路との第１直列回路と、前記
の変成器の二次巻線と整流ダイオードとの第２直列回路
とを具え、種々の大きさの入力電圧から負荷に給電する
電源回路であって、前記の第２直列回路は負荷を接続す
るための端子を有し、前記の電源回路は前記の第１半導
体スイッチをスイッチング・オフさせるための制御入力
端が設けられた他の半導体スイッチング手段と、この他
の半導体スイッチング手段の制御入力端に、一次巻線を
流れる電流の目安である第１信号を供給する第１手段と
を具えている当該電源回路に関するものである。
半導体スイッチの主電流通路との第１直列回路と、前記
の変成器の二次巻線と整流ダイオードとの第２直列回路
とを具え、種々の大きさの入力電圧から負荷に給電する
電源回路であって、前記の第２直列回路は負荷を接続す
るための端子を有し、前記の電源回路は前記の第１半導
体スイッチをスイッチング・オフさせるための制御入力
端が設けられた他の半導体スイッチング手段と、この他
の半導体スイッチング手段の制御入力端に、一次巻線を
流れる電流の目安である第１信号を供給する第１手段と
を具えている当該電源回路に関するものである。
このような電源回路は例えば、バッテリを再充電したり
或いは電気装置に給電したりするのに用いることができ
、この電気装置は切換えを行なうことなく種々の値の電
圧源、例えば種々の国の商用電源に接続することができ
る。このような電源回路は特に、この回路がモータに給
電するための或いは再充電可能な電気かみそりの場合に
はバッテリを充電するための電流を生じるようにした電
気かみそりに用いることができる。
或いは電気装置に給電したりするのに用いることができ
、この電気装置は切換えを行なうことなく種々の値の電
圧源、例えば種々の国の商用電源に接続することができ
る。このような電源回路は特に、この回路がモータに給
電するための或いは再充電可能な電気かみそりの場合に
はバッテリを充電するための電流を生じるようにした電
気かみそりに用いることができる。
（従来の技術）
上述した種類の電源回路は欧州特許第００３００２６号
明細書に開示されている。この欧州特許明細書には、入
力電圧が始動抵抗を介して供給された後、第１半導体ス
イッチとして作用する第１トランジスタのベースに小電
流が流れ、この第１トランジスタを部分的に導通させる
ようにした電源回路が記載されている。この第１トラン
ジスタの部分的な導通に応答して小さな一次電流か変成
器の一次巻線を流れる。その結果二次巻線に電圧が発生
し、この電圧により大きな電流を二次巻線と第１トラン
ジスタのベースとの間の正帰還回路を経てこの第１トラ
ンジスタのベースに供給する。これによりこの第１トラ
ンジスタが完全に導通状態に駆動される。その後一次電
流は一般に順方向位相（フォアワードフェーズ）と称さ
れる開時間に対して直線的に増大する。従来の回路では
、第１トランジスタのエミッタラインに抵抗が設けられ
、この抵抗に対し並列に第２トランジスタのベース−エ
ミッタ接合が配置され、この第２トランジスタが他の半
導体スイッチング手段を構成している。更に、この第２
トランジスタのベースは抵抗を経て二次巻線と整流ダイ
オードとの相互接続点に結合されている。電流は二次巻
線からこの抵抗と第１トランジスタのエミッタラインに
設けられた抵抗とを経て流れる。この電流と一次電流と
の和が所定の値になると、第２トランジスタが導通し、
従って第１トランジスタか非導通となる。これにより順
方向位相を終了せしめ、一般に逆方向位相（フライバッ
クフェーズ）と称するものが開始される。変成器に蓄積
されたエネルギーの為に二次電流が逆方内位相中二次巻
線を流れる。この二次電流がバッテリに対する充電電流
を構成するか或いは関連の装置に対する供給電流を直接
構成する。
明細書に開示されている。この欧州特許明細書には、入
力電圧が始動抵抗を介して供給された後、第１半導体ス
イッチとして作用する第１トランジスタのベースに小電
流が流れ、この第１トランジスタを部分的に導通させる
ようにした電源回路が記載されている。この第１トラン
ジスタの部分的な導通に応答して小さな一次電流か変成
器の一次巻線を流れる。その結果二次巻線に電圧が発生
し、この電圧により大きな電流を二次巻線と第１トラン
ジスタのベースとの間の正帰還回路を経てこの第１トラ
ンジスタのベースに供給する。これによりこの第１トラ
ンジスタが完全に導通状態に駆動される。その後一次電
流は一般に順方向位相（フォアワードフェーズ）と称さ
れる開時間に対して直線的に増大する。従来の回路では
、第１トランジスタのエミッタラインに抵抗が設けられ
、この抵抗に対し並列に第２トランジスタのベース−エ
ミッタ接合が配置され、この第２トランジスタが他の半
導体スイッチング手段を構成している。更に、この第２
トランジスタのベースは抵抗を経て二次巻線と整流ダイ
オードとの相互接続点に結合されている。電流は二次巻
線からこの抵抗と第１トランジスタのエミッタラインに
設けられた抵抗とを経て流れる。この電流と一次電流と
の和が所定の値になると、第２トランジスタが導通し、
従って第１トランジスタか非導通となる。これにより順
方向位相を終了せしめ、一般に逆方向位相（フライバッ
クフェーズ）と称するものが開始される。変成器に蓄積
されたエネルギーの為に二次電流が逆方内位相中二次巻
線を流れる。この二次電流がバッテリに対する充電電流
を構成するか或いは関連の装置に対する供給電流を直接
構成する。
二次電流は第１トランジスタが再びターン・オンされる
まで時間とともに直線的に減少する。
まで時間とともに直線的に減少する。
第２トランジスタのベースは二次巻線および整流ダイオ
ードに結合される為、第２トランジスタは入力電圧が高
くなるにつれて早期の瞬時に導通するようになる。
ードに結合される為、第２トランジスタは入力電圧が高
くなるにつれて早期の瞬時に導通するようになる。
従って、電源回路は一定の入力電圧で平均的に一定な出
力電流を生じる自己発振電源を形成する。
力電流を生じる自己発振電源を形成する。
しかし、上述した結合にもかかわらず、この電源におけ
る出力電流は依然として可成りの程度入力電圧に依存す
る。
る出力電流は依然として可成りの程度入力電圧に依存す
る。
入力電圧が増大すにつれて出力電流の補償を増大させる
ようにした電源回路も欧州特許第０１８８８３９号明細
書から既知である。この欧州特許明細書の第６図に示す
電源回路では、変成器の二次巻線に接続された抵抗を有
するＲＣ回路を用いて信号を前記の他のスイッチング手
段に供給し、この他のスイッチング手段を切換えるよう
にすることにより上述した出力電流の補償の増大を行っ
ている。
ようにした電源回路も欧州特許第０１８８８３９号明細
書から既知である。この欧州特許明細書の第６図に示す
電源回路では、変成器の二次巻線に接続された抵抗を有
するＲＣ回路を用いて信号を前記の他のスイッチング手
段に供給し、この他のスイッチング手段を切換えるよう
にすることにより上述した出力電流の補償の増大を行っ
ている。
入力電圧が増大すると、前記の他の半導体スイッチング
手段かスイッチング・オンされるキャパシタの両端間の
電圧値が迅速に達成されるようになる。
手段かスイッチング・オンされるキャパシタの両端間の
電圧値が迅速に達成されるようになる。
（発明が解決しようとする課題）
このような手段を講じることにより入力電圧が増大する
際の出力電流の増大が可成り制限されるようになるも、
それにもかかわらず従来の電源電圧補償方法では出力電
流が依然として入力電圧に依存している。このような依
存性は欠点となる。
際の出力電流の増大が可成り制限されるようになるも、
それにもかかわらず従来の電源電圧補償方法では出力電
流が依然として入力電圧に依存している。このような依
存性は欠点となる。
その理由は、負荷に損傷を及ぼさないようにするために
は、この負荷を流れる電流、例えばバッテリの充電電流
或いはモータの供給電流が所定の最大値を越えないよう
にする必要がある為である。
は、この負荷を流れる電流、例えばバッテリの充電電流
或いはモータの供給電流が所定の最大値を越えないよう
にする必要がある為である。
従来の電源回路では、ある１つの入力電圧でのみ最大の
許容出力電流が得られ、この入力電圧からずれた他の入
力電圧では出力電圧が低下する。従ってこれら他の入力
電圧では負荷が最適に機能しなくなる。例えば、バッテ
リを充電するのに必要以上の時間を要したり、接続され
たモータがその全パワーを生じなくなる。
許容出力電流が得られ、この入力電圧からずれた他の入
力電圧では出力電圧が低下する。従ってこれら他の入力
電圧では負荷が最適に機能しなくなる。例えば、バッテ
リを充電するのに必要以上の時間を要したり、接続され
たモータがその全パワーを生じなくなる。
本発明の目的は、出力電流が広い範囲の入力電圧に亘っ
てこの入力電圧に殆ど依存しないようにする電源電圧補
償を導入した電源回路を提供せんとするにある。
てこの入力電圧に殆ど依存しないようにする電源電圧補
償を導入した電源回路を提供せんとするにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、変成器の一次巻線と制御入力端を有する第１
半導体スイッチの主電流通路との第１直列回路と、前記
の変成器の二次巻線と整流ダイオードとの第２直列回路
とを具え、種々の大きさの入力電圧から負荷に給電する
電源回路であって、前記の第２直列回路は負荷を接続す
るための端子を有し、前記の電源回路は前記の第１半導
体スイッチをスイッチング・オフさせるための制御入力
端が設けられた他の半導体スイッチング手段と、この他
の半導体スイッチング手段の制御入力端に、一次巻線を
流れる電流の目安である第１信号を供給する第１手段と
を具えている当該電源回路において、前記の第１半導体
スイッチが閉成されている期間中前記の二次巻線の両端
間の電圧を濾波するよう配置された低域通過フィルタの
出力端における電圧の目安である第２信号を前記の他の
半導体スイッチング手段の制御入力端に供給する第２手
段をも具えているにとを特徴とする。
半導体スイッチの主電流通路との第１直列回路と、前記
の変成器の二次巻線と整流ダイオードとの第２直列回路
とを具え、種々の大きさの入力電圧から負荷に給電する
電源回路であって、前記の第２直列回路は負荷を接続す
るための端子を有し、前記の電源回路は前記の第１半導
体スイッチをスイッチング・オフさせるための制御入力
端が設けられた他の半導体スイッチング手段と、この他
の半導体スイッチング手段の制御入力端に、一次巻線を
流れる電流の目安である第１信号を供給する第１手段と
を具えている当該電源回路において、前記の第１半導体
スイッチが閉成されている期間中前記の二次巻線の両端
間の電圧を濾波するよう配置された低域通過フィルタの
出力端における電圧の目安である第２信号を前記の他の
半導体スイッチング手段の制御入力端に供給する第２手
段をも具えているにとを特徴とする。
本発明は、種々の入力電圧が同じ出力電流を得るために
は、最大の一次電流が非線形曲線に応じて入力電圧に依
存するように前記の他の半導体スイッチング手段を配置
する必要があるという認識を基に成したものである。一
次電流に比例する第１信号を、二次巻線に生じる電圧か
ら非線形的に取出した第２信号と合成することにより関
連の入力電圧範囲内で上述した非線形曲線に近似したも
のを得ることができる。二次電圧を低域通過フィルタに
より濾波することにより得た非線形依存関係は極めて満
足なものとなるということを確がめた。この一次電流一
濾波二次電圧の合成値によって決定された瞬時に順方向
位相を終了させることにより入力電圧に殆と依存しない
平均出力電流を得ることができる。
は、最大の一次電流が非線形曲線に応じて入力電圧に依
存するように前記の他の半導体スイッチング手段を配置
する必要があるという認識を基に成したものである。一
次電流に比例する第１信号を、二次巻線に生じる電圧か
ら非線形的に取出した第２信号と合成することにより関
連の入力電圧範囲内で上述した非線形曲線に近似したも
のを得ることができる。二次電圧を低域通過フィルタに
より濾波することにより得た非線形依存関係は極めて満
足なものとなるということを確がめた。この一次電流一
濾波二次電圧の合成値によって決定された瞬時に順方向
位相を終了させることにより入力電圧に殆と依存しない
平均出力電流を得ることができる。
本発明による電源回路の実施態様では、前記の低域通過
フィルタか第１抵抗と第１キャパシタとを具え、第１抵
抗の第１端が二次巻線の一端・に結合され、第１抵抗の
第２端か第１キャパシタの第ｌ端に且つ前記の他の半導
体スイッチング手段の制御入力端にも結合されているよ
うにする。
フィルタか第１抵抗と第１キャパシタとを具え、第１抵
抗の第１端が二次巻線の一端・に結合され、第１抵抗の
第２端か第１キャパシタの第ｌ端に且つ前記の他の半導
体スイッチング手段の制御入力端にも結合されているよ
うにする。
本発明による電源回路の他の実施態様では、陰極が前記
の第１キャパシタに結合された第１ツェナーダイオード
が前記の他の半導体スイッチング手段の制御入力端と、
前記の第１抵抗および第１キャパシタの相互接続点との
間に配置されているようにする。このようにすることに
より、一次電流一濾波二次電圧の合成値がツェナーダイ
オードと前記の他の半導体スイッチング手段のしきい値
電圧とによって決定される限界値に達する瞬時まで他の
半導体スイッチング手段がスイッチ・オンされない。
の第１キャパシタに結合された第１ツェナーダイオード
が前記の他の半導体スイッチング手段の制御入力端と、
前記の第１抵抗および第１キャパシタの相互接続点との
間に配置されているようにする。このようにすることに
より、一次電流一濾波二次電圧の合成値がツェナーダイ
オードと前記の他の半導体スイッチング手段のしきい値
電圧とによって決定される限界値に達する瞬時まで他の
半導体スイッチング手段がスイッチ・オンされない。
本発明による電源回路の更に他の実施態様では、負荷を
接続するための端子が設けられた二次巻線および整流ダ
イオードの前記の第２直列回路が前記の第１半導体スイ
ッチの主電流通路と直列に配置されているようにする。
接続するための端子が設けられた二次巻線および整流ダ
イオードの前記の第２直列回路が前記の第１半導体スイ
ッチの主電流通路と直列に配置されているようにする。
このような電源回路では、二次巻線と並列に配置された
負荷には逆方向位相中に変成器の二次巻線から給電され
るばかりではなく、順方同位相中供給入力電圧からも直
接給電される。更にこの構造では、第１半導体スイッチ
を構成するトランジスタのベースが逆方向位相中エミッ
タに比べて負となり、このトランジスタが急激にターン
・オフされる。
負荷には逆方向位相中に変成器の二次巻線から給電され
るばかりではなく、順方同位相中供給入力電圧からも直
接給電される。更にこの構造では、第１半導体スイッチ
を構成するトランジスタのベースが逆方向位相中エミッ
タに比べて負となり、このトランジスタが急激にターン
・オフされる。
（実施例）
以下図面につき説明するに、第１図は、種々の強度の入
力電圧から負荷に給電する本発明の電源回路を示す基本
回路図である。この第１図においては、本発明を理解す
る上で本質的でない種々の素子を省略した。この電源回
路は、入力電圧が供給される２つの入力端子ｌ及び２を
有する。この入力電圧は整流された交流電圧或いは直流
電圧のいずれにすることもできる。この入力電圧は第１
入力端子１を介して変成器ＴＲの一次巻線Ｎ１に供給さ
れる。第１半導体スイッチＳ１を構成する第１トランジ
スタＴＩのコレクターエミッタ通路がこの一次巻線Ｎ１
と直列に配置されている。このトランジスタのコレクタ
ーエミッタ通路はこのスイッチの主電流通路を構成する
。このトランジスタのエミッタは抵抗Ｒ２より成る第１
手段５を介して第２入力端子２及び入力電圧の負極に結
合される。変成器ＴＲの第２巻線Ｎ２は整流ダイオード
ＤＩと直列に配置され、これらが負荷１０と並列に配置
されている。
力電圧から負荷に給電する本発明の電源回路を示す基本
回路図である。この第１図においては、本発明を理解す
る上で本質的でない種々の素子を省略した。この電源回
路は、入力電圧が供給される２つの入力端子ｌ及び２を
有する。この入力電圧は整流された交流電圧或いは直流
電圧のいずれにすることもできる。この入力電圧は第１
入力端子１を介して変成器ＴＲの一次巻線Ｎ１に供給さ
れる。第１半導体スイッチＳ１を構成する第１トランジ
スタＴＩのコレクターエミッタ通路がこの一次巻線Ｎ１
と直列に配置されている。このトランジスタのコレクタ
ーエミッタ通路はこのスイッチの主電流通路を構成する
。このトランジスタのエミッタは抵抗Ｒ２より成る第１
手段５を介して第２入力端子２及び入力電圧の負極に結
合される。変成器ＴＲの第２巻線Ｎ２は整流ダイオード
ＤＩと直列に配置され、これらが負荷１０と並列に配置
されている。
負荷１０は２つのニッケルカドミウム蓄電池１１及び１
２を以って構成され、この負荷にはスイッチＳ３により
直流モータＭを並列に接続しつる。
２を以って構成され、この負荷にはスイッチＳ３により
直流モータＭを並列に接続しつる。
第１手段５の出力端は第２トランジスタＴ２より成る他
の半導体スイッチング手段Ｓ２の制御入力端に接続され
ている。二次巻線Ｎ２と整流ダイオードＤＩとの相互接
続点は第２手段６を経て、前記の他の半導体スイッチン
グ手段Ｓ２の制御入力端、すなわちトランジスタＴ２の
ベースにも結合されている。
の半導体スイッチング手段Ｓ２の制御入力端に接続され
ている。二次巻線Ｎ２と整流ダイオードＤＩとの相互接
続点は第２手段６を経て、前記の他の半導体スイッチン
グ手段Ｓ２の制御入力端、すなわちトランジスタＴ２の
ベースにも結合されている。
この第２手段６は低域通過フィルタＬを以って構成され
ている為、二次巻線の端子間電圧はこの低域通過フィル
タしによって濾波された後第２トランジスタＴ２のベー
スに供給される。第２トランジスタＴ２のコレクタは第
１トランジスタＴ！のベース、すなわち第１半導体スイ
ッチの制御入力端に接続されている。
ている為、二次巻線の端子間電圧はこの低域通過フィル
タしによって濾波された後第２トランジスタＴ２のベー
スに供給される。第２トランジスタＴ２のコレクタは第
１トランジスタＴ！のベース、すなわち第１半導体スイ
ッチの制御入力端に接続されている。
この電源回路は以下のように動作する。まずスイッチＳ
３か開放し、従ってこの電源回路が蓄電池ｌｌ及び１２
に対する充電電流を供給するものとする。
３か開放し、従ってこの電源回路が蓄電池ｌｌ及び１２
に対する充電電流を供給するものとする。
入力端子１及び２に入力電圧が存在すると、半導体スイ
ッチＳｌが抵抗Ｒ５及びキャパシタＣ２より成る正帰還
回路によって閉成される。その後、一次巻線を流れる電
流が時間とともに直線的に増大する。
ッチＳｌが抵抗Ｒ５及びキャパシタＣ２より成る正帰還
回路によって閉成される。その後、一次巻線を流れる電
流が時間とともに直線的に増大する。
この位相を順方向位相と称する。この順方向位相中、二
次巻線Ｎ２と整流ダイオードＤ１との間の相互接続点は
この二次巻線の他端に対し正の電圧を有する。この電圧
は第２手段６を介して第２半導体スイッチング手段Ｓ２
の制御入力端に印加される。
次巻線Ｎ２と整流ダイオードＤ１との間の相互接続点は
この二次巻線の他端に対し正の電圧を有する。この電圧
は第２手段６を介して第２半導体スイッチング手段Ｓ２
の制御入力端に印加される。
この制御入力端には、一次巻線Ｎ１を流れる電流に比例
し第１手段５により与えられる電圧も印加される。これ
らの２つの電圧の合計が予定のレベルに達すると、第２
トランジスタＴ２のベースに電流が流れ、前記の他の半
導体スイッチング手段Ｓ２が閉じ、これにより第１半導
体スイッチＳｔを開放させる。スイッチＳｌの開放後、
一次（巻線）電流が零に減少し、二次巻線Ｎ２の端子間
電圧の極性方向か反転し、この二次巻線とダイオードＤ
ｉとの相互接続点か負となり、ダイオードＤＩが導通せ
しめられる。従って、順方同位相中変成器ＴＲに蓄積さ
れたエネルギーが一般に逆方向位相と称される間充電電
流の形態でダイオードＤＩを経て蓄電池１１及び１２に
供給される。この電流は零まで時間に対し直線的に減少
し、その後第１半導体スイッチＳｌが再び閉成され、次
の順方向位相が開始される。
し第１手段５により与えられる電圧も印加される。これ
らの２つの電圧の合計が予定のレベルに達すると、第２
トランジスタＴ２のベースに電流が流れ、前記の他の半
導体スイッチング手段Ｓ２が閉じ、これにより第１半導
体スイッチＳｔを開放させる。スイッチＳｌの開放後、
一次（巻線）電流が零に減少し、二次巻線Ｎ２の端子間
電圧の極性方向か反転し、この二次巻線とダイオードＤ
ｉとの相互接続点か負となり、ダイオードＤＩが導通せ
しめられる。従って、順方同位相中変成器ＴＲに蓄積さ
れたエネルギーが一般に逆方向位相と称される間充電電
流の形態でダイオードＤＩを経て蓄電池１１及び１２に
供給される。この電流は零まで時間に対し直線的に減少
し、その後第１半導体スイッチＳｌが再び閉成され、次
の順方向位相が開始される。
第２手段６は低域通過フィルタＬを含んでいる為、二次
巻線の端子間電圧はこれが前記の他の半導体スイッチン
グ手段の制御入力端に供給される前に濾波される。低域
通過フィルタの特性は非直線的である為、前記の他の半
導体スイッチング手段か閉成される前に経過する期間は
、高入力電圧の場合従って二次巻線の端子間電圧の値が
高い場合に比例するよりも一層減少する。従って、順方
向位相は一次電流の低レベル位置で終了し、従って入力
電圧が高い際に出力電流の増大が補償される。
巻線の端子間電圧はこれが前記の他の半導体スイッチン
グ手段の制御入力端に供給される前に濾波される。低域
通過フィルタの特性は非直線的である為、前記の他の半
導体スイッチング手段か閉成される前に経過する期間は
、高入力電圧の場合従って二次巻線の端子間電圧の値が
高い場合に比例するよりも一層減少する。従って、順方
向位相は一次電流の低レベル位置で終了し、従って入力
電圧が高い際に出力電流の増大が補償される。
スイッチＳ３が閉じられると、この電源回路は直流モー
タＭ用の直流を直接生せしめる。この状態では、追加の
抵抗（図示せず）を抵抗Ｒ２と並列に配置し、一次巻線
を流れる電流の値が大きい際に前記の他の半導体スイッ
チング手段Ｓ２が閉成され、第１半導体スイッチＳｔが
開放されるようにしつる。
タＭ用の直流を直接生せしめる。この状態では、追加の
抵抗（図示せず）を抵抗Ｒ２と並列に配置し、一次巻線
を流れる電流の値が大きい際に前記の他の半導体スイッ
チング手段Ｓ２が閉成され、第１半導体スイッチＳｔが
開放されるようにしつる。
この状態ではこの電源回路が大きな出力電流を生じる。
他のすべての点では、この電源回路の動作は前述した状
態と同じである。
態と同じである。
第２図は、本発明による回路の第１具体例を示す。第２
手段６に含まれる低域通過フィルタは抵抗Ｒ１とキャパ
シタＣＩとの直列回路を以って構成する。キャパシタＣ
量側とは反対側の抵抗Ｒ１の端子は変成器ＴＲの二次巻
線Ｎ２の端部に接続する。この低域通過フィルタの出力
端、すなわち抵抗Ｒ１とキャパシタＣ１との相互接続点
は前記の他の半導体スイッチング手段Ｓ２を構成するト
ランジスタＴ２のベースに結合する。このトランジスタ
Ｔ２のベースは、このベースに一次電流の大きさの目安
である信号を供給するための第１手段５の接続点にも結
合する。従って、第２トランジスタＴ２のベースにおけ
る電圧は、第１手段５の出力端における電圧と二次巻線
の両端間の濾波電圧との和である。
手段６に含まれる低域通過フィルタは抵抗Ｒ１とキャパ
シタＣＩとの直列回路を以って構成する。キャパシタＣ
量側とは反対側の抵抗Ｒ１の端子は変成器ＴＲの二次巻
線Ｎ２の端部に接続する。この低域通過フィルタの出力
端、すなわち抵抗Ｒ１とキャパシタＣ１との相互接続点
は前記の他の半導体スイッチング手段Ｓ２を構成するト
ランジスタＴ２のベースに結合する。このトランジスタ
Ｔ２のベースは、このベースに一次電流の大きさの目安
である信号を供給するための第１手段５の接続点にも結
合する。従って、第２トランジスタＴ２のベースにおけ
る電圧は、第１手段５の出力端における電圧と二次巻線
の両端間の濾波電圧との和である。
第２図に示す回路では、第１手段５を一次巻線Ｎ１及び
第１半導体スイッチＳ１と直列に配置した抵抗Ｒ２を以
って構成する。この抵抗Ｒ２にはスイッチＳ４により第
３抵抗Ｒ３を配置しつる。このスイッチＳ４はモータを
スイッチ・オンさせるスイッチｓ３ど同時に閉じ、第１
手段５の抵抗値を同時に減少させる。
第１半導体スイッチＳ１と直列に配置した抵抗Ｒ２を以
って構成する。この抵抗Ｒ２にはスイッチＳ４により第
３抵抗Ｒ３を配置しつる。このスイッチＳ４はモータを
スイッチ・オンさせるスイッチｓ３ど同時に閉じ、第１
手段５の抵抗値を同時に減少させる。
更に、第２図に示す回路は始動抵抗Ｒ４と、抵抗Ｒ５及
びキャパシタＣ２を有し順方向位相を開始する正帰還回
路とを具えている。電源回路の端子１及び２間に入力電
圧を投入すると、わずかな電流が抵抗Ｒ４を経て第１ト
ランジスタＴｌのベースに流れる。これによりこの第１
トランジスタをわずかに導通させ、わずかな電流が一次
巻線Ｎ１を流れ始めるようにする。これにより二次巻線
Ｎ２の両端間に電圧を生ぜしめ、これに応答して電流が
抵抗Ｒ５及びキャパシタＣ２より成る正帰還回路を経て
トランジスタＴ１のベースに再び流れる。これによりト
ランジスタＴｌを急激により一層多く導通させ、順方向
位相を開始させる。他のすべての点に関しては第２図の
回路の動作は第１図につき説明した基本回路の動作モー
ドと同じであり、繰返し説明しない。
びキャパシタＣ２を有し順方向位相を開始する正帰還回
路とを具えている。電源回路の端子１及び２間に入力電
圧を投入すると、わずかな電流が抵抗Ｒ４を経て第１ト
ランジスタＴｌのベースに流れる。これによりこの第１
トランジスタをわずかに導通させ、わずかな電流が一次
巻線Ｎ１を流れ始めるようにする。これにより二次巻線
Ｎ２の両端間に電圧を生ぜしめ、これに応答して電流が
抵抗Ｒ５及びキャパシタＣ２より成る正帰還回路を経て
トランジスタＴ１のベースに再び流れる。これによりト
ランジスタＴｌを急激により一層多く導通させ、順方向
位相を開始させる。他のすべての点に関しては第２図の
回路の動作は第１図につき説明した基本回路の動作モー
ドと同じであり、繰返し説明しない。
トランジスタＴ２のベースに一次電流の目安である信号
と濾波された二次電圧の目安である信号とを供給する第
１手段５及び第２手段６はトランジスタＴ２に直接接続
することができるも、第２図に示すようにこれら第１及
び第２手段とベースとの間にツェナーダイオードＺｌを
設けることもできる。
と濾波された二次電圧の目安である信号とを供給する第
１手段５及び第２手段６はトランジスタＴ２に直接接続
することができるも、第２図に示すようにこれら第１及
び第２手段とベースとの間にツェナーダイオードＺｌを
設けることもできる。
ツェナーダイオードを設けることにより、第１及び第２
手段５及び６の出力端における電圧の合計がトランジス
タの制御電圧を越えるようにすることができる。
手段５及び６の出力端における電圧の合計がトランジス
タの制御電圧を越えるようにすることができる。
第３図は本発明の電源回路の第２の具体例を示す。この
第３図では第１及び２図の素子と同一の素子に第１及び
２図と同一の符号を付した。第１及び２図と相違し、二
次巻線Ｎ２及びこれと並列の負荷ＩＯが変成器ＴＲの一
次巻線Ｎ１と直列に配置されている。本例の場合、負荷
には逆方向位相中に二次巻線から給電されるばかりでは
な（順方向位相中も供給電圧から直接給電されるという
利点が得られる。更にこの構造では、トランジスタＴ１
のスイッチング動作に好影響が及ぼされる。その理由は
、トランジスタＴＩのエミッタにおける電圧が蓄電池１
０及び１１の端子間電圧まで高められる為である。逆方
向位相中に第２トランジスタＴ２が導通ずると、第１ト
ランジスタＴＩのベースが低電圧点に接続され、従って
エミッタに比べて負となる。従って、逆方向位相中箱１
トランジスタＴＩが急激にスイッチ・オフされる。
第３図では第１及び２図の素子と同一の素子に第１及び
２図と同一の符号を付した。第１及び２図と相違し、二
次巻線Ｎ２及びこれと並列の負荷ＩＯが変成器ＴＲの一
次巻線Ｎ１と直列に配置されている。本例の場合、負荷
には逆方向位相中に二次巻線から給電されるばかりでは
な（順方向位相中も供給電圧から直接給電されるという
利点が得られる。更にこの構造では、トランジスタＴ１
のスイッチング動作に好影響が及ぼされる。その理由は
、トランジスタＴＩのエミッタにおける電圧が蓄電池１
０及び１１の端子間電圧まで高められる為である。逆方
向位相中に第２トランジスタＴ２が導通ずると、第１ト
ランジスタＴＩのベースが低電圧点に接続され、従って
エミッタに比べて負となる。従って、逆方向位相中箱１
トランジスタＴＩが急激にスイッチ・オフされる。
第３図に示す回路は整流ブリッジ８及び平滑フィルタ９
により整流された交流電圧から給電される。整流された
電圧は第１端子１を介して変成器ＴＨの一次巻線Ｎｌの
第１端に印加される。一次巻線にはダイオードＤ２及び
ツェナーダイオードＺ３より成る回路が並列に接続され
、一次電流のスイッチ・オフに際するピーク電圧を阻止
するようになっている。順方向位相は始動抵抗Ｒ４と抵
抗Ｒ５及びＲ６及びキャパシタＣ２より成る正帰還回路
とにより第２図の回路と同様に達成される。第３図の回
路の他の動作もまた第２図につき説明した動作モードと
同じであり、従ってその詳細な説明は省略する。
により整流された交流電圧から給電される。整流された
電圧は第１端子１を介して変成器ＴＨの一次巻線Ｎｌの
第１端に印加される。一次巻線にはダイオードＤ２及び
ツェナーダイオードＺ３より成る回路が並列に接続され
、一次電流のスイッチ・オフに際するピーク電圧を阻止
するようになっている。順方向位相は始動抵抗Ｒ４と抵
抗Ｒ５及びＲ６及びキャパシタＣ２より成る正帰還回路
とにより第２図の回路と同様に達成される。第３図の回
路の他の動作もまた第２図につき説明した動作モードと
同じであり、従ってその詳細な説明は省略する。
しかしこの第３図の回路には第２図に示す具体例と相違
して、ツェナーダイオードＺ２が設けられ、その陽極が
一次巻線側とは反対側のトランジスタＴ１の主電流通路
の端部に結合されている。陰極はトランジスタＴＩのベ
ース側とは反対側の正帰還回路の抵抗Ｒ６の端子に接続
されている。このツェナーダイオードＺ２を用いると、
正帰還回路を経てトランジスタＴＩのベースに流れる電
流か制限され、トランジスタＴＩがそれほど飽和状態に
駆動されないようになる。これにより、トランジスタＴ
２が導通した後のトランジスタＴ１のターン・オフを過
剰に遅延させず、従って他の半導体スイッチング手段Ｓ
２が閉じた後に一次電流が依然として更に増大するのを
阻止する。
して、ツェナーダイオードＺ２が設けられ、その陽極が
一次巻線側とは反対側のトランジスタＴ１の主電流通路
の端部に結合されている。陰極はトランジスタＴＩのベ
ース側とは反対側の正帰還回路の抵抗Ｒ６の端子に接続
されている。このツェナーダイオードＺ２を用いると、
正帰還回路を経てトランジスタＴＩのベースに流れる電
流か制限され、トランジスタＴＩがそれほど飽和状態に
駆動されないようになる。これにより、トランジスタＴ
２が導通した後のトランジスタＴ１のターン・オフを過
剰に遅延させず、従って他の半導体スイッチング手段Ｓ
２が閉じた後に一次電流が依然として更に増大するのを
阻止する。
第４図は本発明による電源回路の他の具体例を示す回路
図である。本例の場合の電源回路も、変成器ＴＲの一次
巻線Ｎｌと、第１半導体スイッチＳｔを構成する第１ト
ランジスタＴＩの主電流通路と、他の半導体スイッチン
グ手段Ｓ２を形成する第２トランジスタＴ２のベースに
、一次巻線を流れる電流の大きさの目安となる信号を供
給する第１手段５との直列回路を有する。負荷１０は第
３図に示す回路と同様に一次巻線Ｎｌと直列に配置され
ている。しかし、この負荷は第３図に示す具体例と相違
して、一次巻線側とは反対側の第１手段５の側に位置し
ている。またこの負荷１０は前述した具体例と同様に変
成器ＴＲの二次巻線Ｎ２と整流ダイオードＤ１とより成
る直列回路と並列に配置されている。第１手段５は抵抗
Ｒ２及びこの抵抗に並列にスイッチングしつる抵抗Ｒ３
より成る。キャパシタＣＩ及び抵抗Ｒ１の直列回路より
成る低域通過フィルタの一端は二次巻線Ｎ２と整流ダイ
オードＤＩとの間の相互接続点に結合されている。この
低域通過フィルタの他端は抵抗Ｒ２と蓄電池１１及び１
２とを経て電源回路の入力端子２に結合されている。こ
の低域通過フィルタの出力端はＰＮＰ ）ランジスタＴ
３のエミッタより成る比較器Ｃ９の非反転入力端に結合
されている。
図である。本例の場合の電源回路も、変成器ＴＲの一次
巻線Ｎｌと、第１半導体スイッチＳｔを構成する第１ト
ランジスタＴＩの主電流通路と、他の半導体スイッチン
グ手段Ｓ２を形成する第２トランジスタＴ２のベースに
、一次巻線を流れる電流の大きさの目安となる信号を供
給する第１手段５との直列回路を有する。負荷１０は第
３図に示す回路と同様に一次巻線Ｎｌと直列に配置され
ている。しかし、この負荷は第３図に示す具体例と相違
して、一次巻線側とは反対側の第１手段５の側に位置し
ている。またこの負荷１０は前述した具体例と同様に変
成器ＴＲの二次巻線Ｎ２と整流ダイオードＤ１とより成
る直列回路と並列に配置されている。第１手段５は抵抗
Ｒ２及びこの抵抗に並列にスイッチングしつる抵抗Ｒ３
より成る。キャパシタＣＩ及び抵抗Ｒ１の直列回路より
成る低域通過フィルタの一端は二次巻線Ｎ２と整流ダイ
オードＤＩとの間の相互接続点に結合されている。この
低域通過フィルタの他端は抵抗Ｒ２と蓄電池１１及び１
２とを経て電源回路の入力端子２に結合されている。こ
の低域通過フィルタの出力端はＰＮＰ ）ランジスタＴ
３のエミッタより成る比較器Ｃ９の非反転入力端に結合
されている。
第１トランジスタＴｌ側とは反対側の抵抗Ｒ２の端部は
比較器Ｃ，の反転入力端、すなわちＰＮＰ ）ランジス
タＴ３のベースに結合されている。
比較器Ｃ，の反転入力端、すなわちＰＮＰ ）ランジス
タＴ３のベースに結合されている。
この回路は以下のように動作する。まずスイッチＳ３及
びＳ４が開放しているものとする。抵抗Ｒ２とＰＮＰト
ランジスタＴ３のベース及び負荷ｌＯとの相互接続点を
この回路中に生じる電圧に対する基準点とする。
びＳ４が開放しているものとする。抵抗Ｒ２とＰＮＰト
ランジスタＴ３のベース及び負荷ｌＯとの相互接続点を
この回路中に生じる電圧に対する基準点とする。
第１トランジスタＴＩが導通した後、強さが増大する一
次電流が変成器ＴＲの一次巻線Ｎｌ、第１トランジスタ
ＴＩの主電流通路、抵抗Ｒ２及び負荷１０を流れ始める
。この電流に応じて、前記の基準点側とは反対側の二次
巻線Ｎ２の端部に正電圧が生じる。
次電流が変成器ＴＲの一次巻線Ｎｌ、第１トランジスタ
ＴＩの主電流通路、抵抗Ｒ２及び負荷１０を流れ始める
。この電流に応じて、前記の基準点側とは反対側の二次
巻線Ｎ２の端部に正電圧が生じる。
この電圧は抵抗Ｒ１及びキャパシタＣＩより成る低域通
過フィルタにより濾波された後ＰＮＰ トランジスタＴ
３のエミッタに供給される。順方向位相中一次電流に比
例して大きさが増大する電圧か抵抗Ｒ２の両端間に生じ
る。この電圧はキャパシタＣＩを経てトランジスタＴ３
のベース−エミッタ接合に濾波状態で供給される。従っ
て、順方向位相中、ＰＮＰ トランジスタＴ３のベース
−エミッタ電圧は一次電流に比例する第１成分と二次巻
線の両端間の電圧から低域通過フィルタを経て取出され
る第２成分との重畳により増大する。ＰＮＰ ）ランジ
スタＴ３のベース−エミッタ電圧が所定の値になると、
このトランジスタは導通し、電流がＰＮＰ ）ランジス
タのコレクタ、すなわち比較器Ｃ，の出力端から他の半
導体スイッチング手段を構成する第２トランジスタＴ２
のベースに流れる。前述した回路におけるのと同様にこ
のトランジスタＴ２か導通ずることにより第１トランジ
スタＴＩを非導通として順方向位相を終了させる。
過フィルタにより濾波された後ＰＮＰ トランジスタＴ
３のエミッタに供給される。順方向位相中一次電流に比
例して大きさが増大する電圧か抵抗Ｒ２の両端間に生じ
る。この電圧はキャパシタＣＩを経てトランジスタＴ３
のベース−エミッタ接合に濾波状態で供給される。従っ
て、順方向位相中、ＰＮＰ トランジスタＴ３のベース
−エミッタ電圧は一次電流に比例する第１成分と二次巻
線の両端間の電圧から低域通過フィルタを経て取出され
る第２成分との重畳により増大する。ＰＮＰ ）ランジ
スタＴ３のベース−エミッタ電圧が所定の値になると、
このトランジスタは導通し、電流がＰＮＰ ）ランジス
タのコレクタ、すなわち比較器Ｃ，の出力端から他の半
導体スイッチング手段を構成する第２トランジスタＴ２
のベースに流れる。前述した回路におけるのと同様にこ
のトランジスタＴ２か導通ずることにより第１トランジ
スタＴＩを非導通として順方向位相を終了させる。
第４図の回路は更に順方向位相を開始せしめる始動抵抗
Ｒ４及び正帰還回路を有する。この正帰還回路は例えば
変成器の二次巻線Ｎ２をトランジスタＴ１のベースに接
続するキャパシタＣ２及び抵抗Ｒ５の直列回路を以って
構成する。抵抗Ｒ５及びキャパシタＣ２の位置は互いに
交換しつる。或いは正帰還回路を二次巻線側とは反対側
の抵抗Ｒ１の端部に接続することもできる。始動抵抗及
び正帰還回路の動作モードは第２図の回路における同一
素子の動作モードと同じであり、従ってその説明を繰返
さない。
Ｒ４及び正帰還回路を有する。この正帰還回路は例えば
変成器の二次巻線Ｎ２をトランジスタＴ１のベースに接
続するキャパシタＣ２及び抵抗Ｒ５の直列回路を以って
構成する。抵抗Ｒ５及びキャパシタＣ２の位置は互いに
交換しつる。或いは正帰還回路を二次巻線側とは反対側
の抵抗Ｒ１の端部に接続することもできる。始動抵抗及
び正帰還回路の動作モードは第２図の回路における同一
素子の動作モードと同じであり、従ってその説明を繰返
さない。
低域通過フィルタの特性を最適範囲に適合させるために
、このフィルタに他の受動素子、例えばキャパシタＣＩ
と並列に配置した抵抗Ｒ７を設けることができる。この
抵抗Ｒ７を第４図に破線で示しである。
、このフィルタに他の受動素子、例えばキャパシタＣＩ
と並列に配置した抵抗Ｒ７を設けることができる。この
抵抗Ｒ７を第４図に破線で示しである。
また第２トランジスタＴ２のスイッチング動作を改善す
るために、このトランジスタのベース及びエミッタ間に
抵抗Ｒ８を設けることができる。この抵抗Ｒ８も第４図
に破線で示しである。
るために、このトランジスタのベース及びエミッタ間に
抵抗Ｒ８を設けることができる。この抵抗Ｒ８も第４図
に破線で示しである。
第５図は順方向位相の終了点における電圧成分の大きさ
Ｖ（ボルト）を入力電圧Ｖ、、（ボルト）の関数として
示す。■、で示す曲線は変成器の二次巻線の両端間の濾
波電圧の依存状態を表わす。曲線■２は順方向位相の終
了時における抵抗Ｒ２の両端間の電圧降下の値を入力電
圧の関数として示す。
Ｖ（ボルト）を入力電圧Ｖ、、（ボルト）の関数として
示す。■、で示す曲線は変成器の二次巻線の両端間の濾
波電圧の依存状態を表わす。曲線■２は順方向位相の終
了時における抵抗Ｒ２の両端間の電圧降下の値を入力電
圧の関数として示す。
これら２つの電圧ｖ１及び■２の和はこの第５図のグラ
フで０．６ボルト、すなわち、第２トランジスタＴ２が
導通ずるベース−エミッタ電圧となる。
フで０．６ボルト、すなわち、第２トランジスタＴ２が
導通ずるベース−エミッタ電圧となる。
第６図は、本発明による電源回路の入力電圧−出力電流
特性を示す。この第６図から直接分がるように、７５ボ
ルトの比較的低い値の入力電圧ですでに出力電流強度が
約１１００ｍＡに達し、出力電流強度は少なくとも４０
０ボルトの入力電圧までほんのわずかしか変化しない。
特性を示す。この第６図から直接分がるように、７５ボ
ルトの比較的低い値の入力電圧ですでに出力電流強度が
約１１００ｍＡに達し、出力電流強度は少なくとも４０
０ボルトの入力電圧までほんのわずかしか変化しない。
第１図は、本発明による電源回路の基本回路を示す回路
図、 第２図は、本発明による電源回路の第１具体例を示す回
路図、 第３図は、負荷を第１半導体スイッチの主電流通路と直
列に配置した本発明による電源回路の第２具体例を示す
回路図、 第４図は、本発明による電源回路の他の具体例を示す回
路図、 第５図は、他の半導体スイッチング手段の制御入力端に
おける２つの電圧成分に対する入力電圧の依存特性を示
す線図、 第６図は、本発明による電源回路の入力電圧−出力電流
特性を示す線図である。 ｌ・・・第１入力端子 ２・・・第２入力端子 ５・・・第１手段 ６・・・第２手段 ８・・・整流ブリッジ ９・・・平滑フィルタ ＩＯ・・・負荷 １１゜ １２・・・ニッケルカドミウム蓄電池
図、 第２図は、本発明による電源回路の第１具体例を示す回
路図、 第３図は、負荷を第１半導体スイッチの主電流通路と直
列に配置した本発明による電源回路の第２具体例を示す
回路図、 第４図は、本発明による電源回路の他の具体例を示す回
路図、 第５図は、他の半導体スイッチング手段の制御入力端に
おける２つの電圧成分に対する入力電圧の依存特性を示
す線図、 第６図は、本発明による電源回路の入力電圧−出力電流
特性を示す線図である。 ｌ・・・第１入力端子 ２・・・第２入力端子 ５・・・第１手段 ６・・・第２手段 ８・・・整流ブリッジ ９・・・平滑フィルタ ＩＯ・・・負荷 １１゜ １２・・・ニッケルカドミウム蓄電池
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、変成器（ＴＲ）の一次巻線（Ｎ１）と制御入力端を
有する第１半導体スイッチ（Ｓ１、Ｔ１）の主電流通路
との第１直列回路と、 前記の変成器の二次巻線と整流ダイオード（Ｄ１）との
第２直列回路と を具え、種々の大きさの入力電圧から負荷（１０）に給
電する電源回路であって、前記の第２直列回路は負荷（
１０）を接続するための端子（３、４）を有し、前記の
電源回路は前記の第１半導体スイッチをスイッチング・
オフさせるための制御入力端が設けられた他の半導体ス
イッチング手段（Ｓ２、Ｔ２）と、 この他の半導体スイッチング手段の制御入力端に、一次
巻線を流れる電流の目安である第１信号を供給する第１
手段（５）と を具えている当該電源回路において、 前記の第１半導体スイッチが閉成されている期間中前記
の二次巻線の両端間の電圧を濾波するよう配置された低
域通過フィルタ（Ｌ）の出力端における電圧の目安であ
る第２信号を前記の他の半導体スイッチング手段（Ｓ２
、Ｔ２）の制御入力端に供給する第２手段（６）をも具
えていることを特徴とする電源回路。 ２、請求項１に記載の電源回路において、前記の低域通
過フィルタ（Ｌ）が第１抵抗（Ｒ１）と第１キャパシタ
（Ｃ１）とを具え、第１抵抗（Ｒ１）の第１端が二次巻
線（Ｎ２）の一端に結合され、第１抵抗（Ｒ１）の第２
端が第１キャパシタ（Ｃ１）の第１端に且つ前記の他の
半導体スイッチング手段（Ｓ２、Ｔ２）の制御入力端に
も結合されていることを特徴とする電源回路。 ３、請求項２に記載の電源回路において、陰極が前記の
第１キャパシタに結合された第１ツェナーダイオード（
Ｚ１）が前記の他の半導体スイッチング手段（Ｓ２、Ｔ
２）の制御入力端と、前記の第１抵抗（Ｒ１）および第
１キャパシタ（Ｃ１）の相互接続点との間に配置されて
いることを特徴とする電源回路。 ４、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電源回路にお
いて、負荷（１０）を接続するための端子（３、４）が
設けられた二次巻線（Ｎ２）および整流ダイオード（Ｄ
１）の前記の第２直列回路が前記の第１半導体スイッチ
（Ｓ１、Ｔ１）の主電流通路と直列に配置されているこ
とを特徴とする電源回路。 ５、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電源回路を具
えていることを特徴とする電気かみそり。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8900358 | 1989-02-14 | ||
| NL8900358 | 1989-02-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02246772A true JPH02246772A (ja) | 1990-10-02 |
Family
ID=19854129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2029727A Pending JPH02246772A (ja) | 1989-02-14 | 1990-02-13 | 電源回路 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4969077A (ja) |
| EP (1) | EP0383381A1 (ja) |
| JP (1) | JPH02246772A (ja) |
| KR (1) | KR900013699A (ja) |
| CN (1) | CN1021096C (ja) |
| BR (1) | BR9000621A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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