JPH02242056A - 水素吸蔵合金を用いた冷熱発生装置 - Google Patents
水素吸蔵合金を用いた冷熱発生装置Info
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- JPH02242056A JPH02242056A JP6308389A JP6308389A JPH02242056A JP H02242056 A JPH02242056 A JP H02242056A JP 6308389 A JP6308389 A JP 6308389A JP 6308389 A JP6308389 A JP 6308389A JP H02242056 A JPH02242056 A JP H02242056A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B30/00—Energy efficient heating, ventilation or air conditioning [HVAC]
- Y02B30/62—Absorption based systems
Landscapes
- Sorption Type Refrigeration Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、第１の水素吸蔵合金を収容した容器と、この
第１の水素吸蔵合金よりも平衡水素圧力が高い第２の水
素吸蔵合金を収容した容器と、この二容器間を水素移動
可能に接続した移動路を備え、第１の水素吸蔵合金から
水素を放出して第２の水素吸蔵合金に吸収させ（再生過
程）、第２の水素吸蔵合金から第１の水素吸蔵合金に水
素を放出してこのときの吸熱反応により冷熱を得る冷熱
発生装置に関する。
第１の水素吸蔵合金よりも平衡水素圧力が高い第２の水
素吸蔵合金を収容した容器と、この二容器間を水素移動
可能に接続した移動路を備え、第１の水素吸蔵合金から
水素を放出して第２の水素吸蔵合金に吸収させ（再生過
程）、第２の水素吸蔵合金から第１の水素吸蔵合金に水
素を放出してこのときの吸熱反応により冷熱を得る冷熱
発生装置に関する。
（ロ）従来の技術
この種の冷熱発生装置を利用した冷暖房装置の一例が特
公昭６２−１１８８号公報、特公昭６２−１１８９号公
報に開示されている。
公昭６２−１１８８号公報、特公昭６２−１１８９号公
報に開示されている。
これらのシステムは、第２の水素吸蔵合金（以下Ｍ Ｈ
２）から水素を第１の水素吸蔵合金（以下ＭＨ，）に放
出する際に冷熱を得るが、連続的な冷熱を得るために、
次にはＭＨ，からＭＨ２に水素を放出して吸収させる必
要がある。そして、この再生過程では、ＭＨ，を加熱し
て少くともＭ Ｈ２の常温に於ける平衡圧力より高い作
動圧力をＭ Ｈ＋側で必要とした。この点、従来例では
作動圧力として４０ ａｔｅを要している。
２）から水素を第１の水素吸蔵合金（以下ＭＨ，）に放
出する際に冷熱を得るが、連続的な冷熱を得るために、
次にはＭＨ，からＭＨ２に水素を放出して吸収させる必
要がある。そして、この再生過程では、ＭＨ，を加熱し
て少くともＭ Ｈ２の常温に於ける平衡圧力より高い作
動圧力をＭ Ｈ＋側で必要とした。この点、従来例では
作動圧力として４０ ａｔｅを要している。
（ハ） 発明が解決しようとした課題
このように、従来例ではＭＨ２での平衡水素吸収圧力が
常温で２０ ａｔｍ以上であり、また使用合金自体も水
素吸放出特性のビステリシス、プラトー傾斜も大きいた
めに、再生過程でＭＨ，を作動圧力が２０呑ａｔｍ以上
になるよう加熱する必要があり、安全性を確保できる容
器の耐圧設計が難しく、必然的に麗熱損失も増大する。
常温で２０ ａｔｍ以上であり、また使用合金自体も水
素吸放出特性のビステリシス、プラトー傾斜も大きいた
めに、再生過程でＭＨ，を作動圧力が２０呑ａｔｍ以上
になるよう加熱する必要があり、安全性を確保できる容
器の耐圧設計が難しく、必然的に麗熱損失も増大する。
本発明は、安全性を簡便に確保すると共に、顕然損失の
増大を防ぎ、もってシステム効率を向上せんとしたもの
である。
増大を防ぎ、もってシステム効率を向上せんとしたもの
である。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明による解決手段は、ＭＨｚ、ＭＨ２を、再生過程
で作動圧力が２０ａｔｍ以下の合金で構成した冷熱発生
装置である。
で作動圧力が２０ａｔｍ以下の合金で構成した冷熱発生
装置である。
また、Ｍ Ｈ＋またはＭ Ｈ２は、有効水素移動量が０
、６ｗｔ％以上の水素ガスを可逆的に吸放出するための
最少圧力差が自然対数差（有効水素移動量に於ける水素
圧力差）で０．８以下となるようにしている。
、６ｗｔ％以上の水素ガスを可逆的に吸放出するための
最少圧力差が自然対数差（有効水素移動量に於ける水素
圧力差）で０．８以下となるようにしている。
更に、上記Ｍ Ｈ＋が少くともＺｒ、Ｍｎ及びＣｏを含
むＭｇＺｎ２型ラベス相構造の水素吸蔵合金であり、上
歪Ｍ Ｈ２が、希土類（Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ
及びその混合物等）及びＮ１を少くとも含み、且つ第１
遷移金属元素並びにＡ４１ Ｓｎの少くとも一種を選択
的に含むＡＢＳ型六方晶構造の水素吸蔵合金である。
むＭｇＺｎ２型ラベス相構造の水素吸蔵合金であり、上
歪Ｍ Ｈ２が、希土類（Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ
及びその混合物等）及びＮ１を少くとも含み、且つ第１
遷移金属元素並びにＡ４１ Ｓｎの少くとも一種を選択
的に含むＡＢＳ型六方晶構造の水素吸蔵合金である。
発生する冷熱は０℃以下の冷凍熱である。ＭＨ２は、そ
のプラトー上限に於ける平衡水素吸収圧力が、常温で２
０ａｔｉ以下となるようにしたものである。
のプラトー上限に於ける平衡水素吸収圧力が、常温で２
０ａｔｉ以下となるようにしたものである。
Ｍ ＨＩは、少くともＺｒ、Ｍｎ及びＣｏを含むＭｇＺ
ｎ２型ラベス相構造の水素吸蔵合金、あるいは少くとも
希土類（Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ及びその混合物
等）及びＮｉを含み、かつ第１遷移金属元素並びにＡＩ
２．Ｓｎの少くとも一種を含むＡ Ｂ ｓ型穴方晶構造
の水素吸蔵合金、あるいは少くともＣａ、Ｎｉを含み、
かつ第１遷移金属元素並びにＡＩ、Ｓｎ及び希土類の少
くとも一種を含むＡＢＳ型六方晶楕遣の水素吸蔵合金、
あるいは少くともＴｉ、Ｆｅ、Ｎｉを含むＡＢ型立方晶
構造の水素吸蔵合金もしくはこれらの水素吸蔵合金の混
合物である。
ｎ２型ラベス相構造の水素吸蔵合金、あるいは少くとも
希土類（Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ及びその混合物
等）及びＮｉを含み、かつ第１遷移金属元素並びにＡＩ
２．Ｓｎの少くとも一種を含むＡ Ｂ ｓ型穴方晶構造
の水素吸蔵合金、あるいは少くともＣａ、Ｎｉを含み、
かつ第１遷移金属元素並びにＡＩ、Ｓｎ及び希土類の少
くとも一種を含むＡＢＳ型六方晶楕遣の水素吸蔵合金、
あるいは少くともＴｉ、Ｆｅ、Ｎｉを含むＡＢ型立方晶
構造の水素吸蔵合金もしくはこれらの水素吸蔵合金の混
合物である。
Ｍ Ｈｚは、希土類（Ｌａ・、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ
及びその混合物）及びＮ１を少くとも含み、且つ第１遷
移金属元素並びにＡｊ？、Ｓｎの少くとも一種を選択的
に含むＡ Ｂ ｓ型穴方晶構造の水素吸蔵合金、あるい
はＴｉ、Ｃｒ、Ｍｎを少くとも含むＭｇＣｕ２型ラベス
相構造の立方晶構造の水素吸蔵合金もしくはこれらの水
素吸蔵合金の混合物である。また、Ｍ Ｈ２は、このＡ
Ｂ ｓ型穴方晶構造に少くともＣｅを含ませた水素吸
蔵合金である。
及びその混合物）及びＮ１を少くとも含み、且つ第１遷
移金属元素並びにＡｊ？、Ｓｎの少くとも一種を選択的
に含むＡ Ｂ ｓ型穴方晶構造の水素吸蔵合金、あるい
はＴｉ、Ｃｒ、Ｍｎを少くとも含むＭｇＣｕ２型ラベス
相構造の立方晶構造の水素吸蔵合金もしくはこれらの水
素吸蔵合金の混合物である。また、Ｍ Ｈ２は、このＡ
Ｂ ｓ型穴方晶構造に少くともＣｅを含ませた水素吸
蔵合金である。
更に、冷熱発生装置は、ＭＨ，、Ｍ Ｈ２の双方が上記
条件の合金で構成される。
条件の合金で構成される。
（ホ）作用
プラトー上限に於ける平衡水素吸収圧力が常温で２０
ａｔｍ以下のＭ Ｈ２を用いることにより、再生過程で
の作動圧力を２０ａｔ１以下としたことができ、容器耐
圧等の点で従来から実績のある容器を用いることができ
、耐圧向上のために容器の熱容量（厚み）を大きくする
必要がなくなる。
ａｔｍ以下のＭ Ｈ２を用いることにより、再生過程で
の作動圧力を２０ａｔ１以下としたことができ、容器耐
圧等の点で従来から実績のある容器を用いることができ
、耐圧向上のために容器の熱容量（厚み）を大きくする
必要がなくなる。
また、Ｍ Ｈｔ、Ｍ Ｈｚを最少圧力差が自然対数差で
０．８以下となり、再生過程での加熱温度を低くでき、
可逆性を容易としたので、冷熱の回収効率が上る。
０．８以下となり、再生過程での加熱温度を低くでき、
可逆性を容易としたので、冷熱の回収効率が上る。
（へ） 実施例
第１図は水素吸蔵合金を用いた冷熱発生装置のシステム
構成図、第２図は本発明実施例の作動サイクルを説明す
る圧力−温度線図であり、以下ＭＨ１としてＺ ｒ Ｍ
ｎ ｓ、ｓＣｏｏ、ｖＡ １ ｏ、 １． ＭＨ２と
してＭｍＮ ｉ ３．？Ｃｏｏ、ｅを夫々用いた第１実
施例をシステム構成から説明する。
構成図、第２図は本発明実施例の作動サイクルを説明す
る圧力−温度線図であり、以下ＭＨ１としてＺ ｒ Ｍ
ｎ ｓ、ｓＣｏｏ、ｖＡ １ ｏ、 １． ＭＨ２と
してＭｍＮ ｉ ３．？Ｃｏｏ、ｅを夫々用いた第１実
施例をシステム構成から説明する。
耐圧性の容器１．２は１００メツシユ程度に粉砕された
Ｍ ＨＩを約２０ｋｇ充填し、耐圧性の容器３．４は１
００メツシユ程度に粉砕されたＭｆ（２を約２０ｋｇ充
填し、夫々熱交換器５・・・を内装している。容器１と
４間、容器２と３間は、水素ガスの移動路６．７で接続
されており、この移動路６．７には開閉弁８．９を介挿
している。
Ｍ ＨＩを約２０ｋｇ充填し、耐圧性の容器３．４は１
００メツシユ程度に粉砕されたＭｆ（２を約２０ｋｇ充
填し、夫々熱交換器５・・・を内装している。容器１と
４間、容器２と３間は、水素ガスの移動路６．７で接続
されており、この移動路６．７には開閉弁８．９を介挿
している。
容器１．２の熱交換器５．５は、駆動用の熱源１０と冷
却源１１に対して三方弁１２・・・によって選択的に接
続される。容器３．４の熱交換器５．５は、上記冷却源
１１と冷凍負荷１３に対して三方弁１２・・・によって
選択的に接続される。
却源１１に対して三方弁１２・・・によって選択的に接
続される。容器３．４の熱交換器５．５は、上記冷却源
１１と冷凍負荷１３に対して三方弁１２・・・によって
選択的に接続される。
駆動用の熱源１０は、１００℃〜２００℃程度の得やす
い低質熱源で良く、冷却源１１は、常温（２０’Ｃ）の
冷却水を送るものであり、冷凍負荷１３は冷凍室等であ
る。熱媒、冷媒は、ポンプ等で強制的に循環される。
い低質熱源で良く、冷却源１１は、常温（２０’Ｃ）の
冷却水を送るものであり、冷凍負荷１３は冷凍室等であ
る。熱媒、冷媒は、ポンプ等で強制的に循環される。
このシステムでは、冷熱発生過程と再生過程が同時に実
行される。即ち、容器１と４が冷熱発生過程にあるとき
は、容器２と３が再生過程にあ熱サイクル運転と成る。
行される。即ち、容器１と４が冷熱発生過程にあるとき
は、容器２と３が再生過程にあ熱サイクル運転と成る。
第２図も参照して、まず、冷熱発生過程から説明すると
、ＭＨｌ（ＺｒＭｎｔ、５Ｃｏｏ、１Ａ１ｏ１．）とＭ
Ｈ２（ＭｍＮ ｉ ３；７ｃ Ｏｏ、ｓ）は初期状態で
あり、容器４のＭ Ｈ２は水素を吸収していて常温で約
１０．０ａｔｓ、容器１のＭ Ｈ２は常温で約０．３ａ
ｔｍにある。ここで、容器１のＭＨ，を冷却源１１で冷
却して常温に保持し、開ｍ弁８を開放すると、容器４の
ＭＨ，は水素を放出し、移動路６からＭＨ，側に移動さ
せて吸収させ、自身は放出反応による吸熱作用によって
一３５℃程度の冷熱を発生し、熱交換器５を介して冷凍
負荷１３に与える。このとき、Ｍ Ｈ２の圧力は約０．
４ａｔａとなり、Ｍ Ｈ＋との間に約０． ｌａｔｍの
差圧（ΔＰ）を発生するが、これは水素を移動し続ける
ために必要な圧力である。
、ＭＨｌ（ＺｒＭｎｔ、５Ｃｏｏ、１Ａ１ｏ１．）とＭ
Ｈ２（ＭｍＮ ｉ ３；７ｃ Ｏｏ、ｓ）は初期状態で
あり、容器４のＭ Ｈ２は水素を吸収していて常温で約
１０．０ａｔｓ、容器１のＭ Ｈ２は常温で約０．３ａ
ｔｍにある。ここで、容器１のＭＨ，を冷却源１１で冷
却して常温に保持し、開ｍ弁８を開放すると、容器４の
ＭＨ，は水素を放出し、移動路６からＭＨ，側に移動さ
せて吸収させ、自身は放出反応による吸熱作用によって
一３５℃程度の冷熱を発生し、熱交換器５を介して冷凍
負荷１３に与える。このとき、Ｍ Ｈ２の圧力は約０．
４ａｔａとなり、Ｍ Ｈ＋との間に約０． ｌａｔｍの
差圧（ΔＰ）を発生するが、これは水素を移動し続ける
ために必要な圧力である。
この際、ＭＨ，の平衡水素吸収圧力が低い程、得られる
冷熱の温度は低くなり、冷凍性能を向上する。但し、反
応速度も十分に速くして、ΔＰを抑え、低温の冷熱を確
保する。反応終了後には開閉弁８を閉成する。
冷熱の温度は低くなり、冷凍性能を向上する。但し、反
応速度も十分に速くして、ΔＰを抑え、低温の冷熱を確
保する。反応終了後には開閉弁８を閉成する。
この冷熱発生過程と同時に容器２と３間では再生過程が
実行されている。水素を吸収している容器２の熱交換器
５を熱源１０に接続してＭ Ｈ＋を例えば１５０℃で加
熱し、圧力を約１０．１ａｔｅに上げ、開閉弁９を開放
し、容器３のＭ Ｈ２を冷却源１１で冷却する。即ち、
作動圧力的１０． ｌａｔｍで、水素ガスを移動路７を
介して容器３のＭ Ｈ２に移送し、吸収させる。この結
果、容器３のＭ Ｈ２の圧力は約０．４ａＬｍから約１
０．０ａｔｓに上り、この反応を上記冷熱発生過程と同
様に１０分〜２０分程度行なった後に開閉弁９を閉成し
、終了する。
実行されている。水素を吸収している容器２の熱交換器
５を熱源１０に接続してＭ Ｈ＋を例えば１５０℃で加
熱し、圧力を約１０．１ａｔｅに上げ、開閉弁９を開放
し、容器３のＭ Ｈ２を冷却源１１で冷却する。即ち、
作動圧力的１０． ｌａｔｍで、水素ガスを移動路７を
介して容器３のＭ Ｈ２に移送し、吸収させる。この結
果、容器３のＭ Ｈ２の圧力は約０．４ａＬｍから約１
０．０ａｔｓに上り、この反応を上記冷熱発生過程と同
様に１０分〜２０分程度行なった後に開閉弁９を閉成し
、終了する。
この冷熱発生過程と再生過程を容器１と４、容器２と３
間で繰返すことにより、冷熱サイクル運転が連続する。
間で繰返すことにより、冷熱サイクル運転が連続する。
斯ろ過程にあって、ＭＨｌとＭＨ，のプラトー傾斜やヒ
ステリシスが大きく、実用上必要な有効水素移動ＩＯ，
６ｗｔ％（対合金比）以上の水素ガスを可逆的に吸放出
するための最少圧力差が自然対数差（有効水素移動量に
於ける水素圧力差）で０．８を越えると、Ｍ Ｈ、の加
熱温度を２００℃以上の高温にする必要が生じ、簡易に
熱源が得られない。そこで、本発明では、この値を０．
８以下として、システムの効率を確保している。
ステリシスが大きく、実用上必要な有効水素移動ＩＯ，
６ｗｔ％（対合金比）以上の水素ガスを可逆的に吸放出
するための最少圧力差が自然対数差（有効水素移動量に
於ける水素圧力差）で０．８を越えると、Ｍ Ｈ、の加
熱温度を２００℃以上の高温にする必要が生じ、簡易に
熱源が得られない。そこで、本発明では、この値を０．
８以下として、システムの効率を確保している。
また、ＭＨ２のプラトー上限に於ける平衡水素吸収圧力
を常温で２０ａｔ１以下として、再生過程終了時にも圧
力が２０ ａｔｍを越えないようにし、耐圧上の安全性
を確保している。
を常温で２０ａｔ１以下として、再生過程終了時にも圧
力が２０ ａｔｍを越えないようにし、耐圧上の安全性
を確保している。
このように、安全性を確保でき、耐圧容器での顕然損失
を抑制でき、効率の、高い高性能な冷熱発生装置（シス
テム）を実現できるのであり、二のためには少くともＭ
Ｈ，とＭ Ｈ２の一方が次の条件を満足するものである
。
を抑制でき、効率の、高い高性能な冷熱発生装置（シス
テム）を実現できるのであり、二のためには少くともＭ
Ｈ，とＭ Ｈ２の一方が次の条件を満足するものである
。
即ち、Ｍ ＨＩは、少くともＺｒ、Ｍｎ及びＣ。
を含むＭｇＺｎ２型ラベス相構造の水素吸蔵合金、ある
いは少くとも希土類（Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ及
びその混合物等）及びＮ１を含み、かつ第１遷移金属元
素並びに八ρ、Ｓｎの少くとも一種を含むＡＢ、型六方
晶構造の水素吸蔵合金、あるいは少くともＣａ、Ｎｉを
含み、かつ第１遷移金属元素並びにＡｊ２．Ｓｎ及び希
土類の少くとも一種を含むＡ Ｂ ｓ型六方晶構造の水
素吸蔵合金、あるいは少くともＴｉ、Ｆｅ、Ｎｉを含む
ＡＢ型立方品構造の水素吸蔵合金もしくはこれらの水素
吸蔵合金の混合物である。
いは少くとも希土類（Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ及
びその混合物等）及びＮ１を含み、かつ第１遷移金属元
素並びに八ρ、Ｓｎの少くとも一種を含むＡＢ、型六方
晶構造の水素吸蔵合金、あるいは少くともＣａ、Ｎｉを
含み、かつ第１遷移金属元素並びにＡｊ２．Ｓｎ及び希
土類の少くとも一種を含むＡ Ｂ ｓ型六方晶構造の水
素吸蔵合金、あるいは少くともＴｉ、Ｆｅ、Ｎｉを含む
ＡＢ型立方品構造の水素吸蔵合金もしくはこれらの水素
吸蔵合金の混合物である。
ＭＨ２は、希土類（Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ及び
その混合物）及びＮｉを少くとも含み、且つ第１遷移金
属元素並びにＡＱ、Ｓｎの少くとも一種を選択的に含む
Ａ Ｂ ｓ型六方晶構造の水素吸蔵合金、あるいはＴｉ
、Ｃｒ、Ｍｎを少くとも含むＭｇＣｕ、型ラベス相構造
の立方晶構造の水素吸蔵合金もしくはこれらの水素吸蔵
合金の混合物である。また、Ｍ Ｈ２は、このＡＢＳ型
六方晶構造に少くともＣｅを含ませた水素吸蔵合金であ
る。
その混合物）及びＮｉを少くとも含み、且つ第１遷移金
属元素並びにＡＱ、Ｓｎの少くとも一種を選択的に含む
Ａ Ｂ ｓ型六方晶構造の水素吸蔵合金、あるいはＴｉ
、Ｃｒ、Ｍｎを少くとも含むＭｇＣｕ、型ラベス相構造
の立方晶構造の水素吸蔵合金もしくはこれらの水素吸蔵
合金の混合物である。また、Ｍ Ｈ２は、このＡＢＳ型
六方晶構造に少くともＣｅを含ませた水素吸蔵合金であ
る。
Ｍ Ｈ１とＭ Ｈ２を組合せてシステム化し、試験した
結果を従来例の結果と共に次表で示す。
結果を従来例の結果と共に次表で示す。
（ト）発明の効果
本発明に依れば、容器等の耐圧設計が容易となり、安全
性を向上できると共に、顕然損失を抑制でき、システム
全体の効率が高い高性能な冷熱発生装置を提供できるも
のである。
性を向上できると共に、顕然損失を抑制でき、システム
全体の効率が高い高性能な冷熱発生装置を提供できるも
のである。
第１図は水素吸蔵合金を用いた冷熱発生装置のシステム
構成図、第２図は本発明装置の作動サイクルを説明する
圧力−温度線図である。 １〜４・・・容器、６，７・・・移動路、１０・・・熱
源、１１・・・冷却源、１３・・・冷凍負荷。
構成図、第２図は本発明装置の作動サイクルを説明する
圧力−温度線図である。 １〜４・・・容器、６，７・・・移動路、１０・・・熱
源、１１・・・冷却源、１３・・・冷凍負荷。
Claims (3)
- （１）第１の水素吸蔵合金を収容した容器と、この第１
の水素吸蔵合金よりも平衡水素圧力が高い第２の水素吸
蔵合金を収容した容器と、この二容器間を水素移動可能
に接続した移動路を備え、第１の水素吸蔵合金から水素
を放出して第２の水素吸蔵合金に吸収させ（再生過程）
、第２の水素吸蔵合金から第１の水素吸蔵合金に水素を
放出してこのときの吸熱反応により冷熱を得る冷熱発生
装置に於いて、上記第１、第２の水素吸蔵合金は上記再
生過程で作動圧力が２０ａｔｍ以下の合金であることを
特徴とした水素吸蔵合金を用いた冷熱発生装置。 - （２）上記第１の水素吸蔵合金または第２の水素吸蔵合
金は、有効水素移動量が０．６ｗｔ％以上の水素ガスを
可逆的に吸放出するための最少圧力差が自然対数差（有
効水素移動量に於ける水素圧力差）で０．８以下である
ことを特徴とした請求項（１）記載の水素吸蔵合金を用
いた冷熱発生装置。 - （３）上記第１の水素吸蔵合金が、少くともＺｒ、Ｍｎ
及びＣｏを含むＭｇＺｎ＿２型ラベス相構造の水素吸蔵
合金であり、上記第２の水素吸蔵合金が、希土類（Ｌａ
、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｍ及びその混合物等）及びＮｉ
を少くとも含み、且つ第１遷移金属元素並びにＡｌ、Ｓ
ｎの少くとも一種を選択的に含むＡＢ＿５型六方晶構造
の水素吸蔵合金であることを特徴とした請求項（１）記
載の水素吸蔵合金を用いた冷熱発生装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6308389A JPH02242056A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | 水素吸蔵合金を用いた冷熱発生装置 |
| US07/490,999 US5174367A (en) | 1989-03-13 | 1990-03-09 | Thermal utilization system using hydrogen absorbing alloys |
| EP90302631A EP0388132B1 (en) | 1989-03-13 | 1990-03-13 | Thermal utilization system using hydrogen absorbing alloys |
| DE90302631T DE69004718T2 (de) | 1989-03-13 | 1990-03-13 | Thermisches Nutzbarmachungssystem, bei dem Wasserstoff absorbierende Legierungen verwendet werden. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6308389A JPH02242056A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | 水素吸蔵合金を用いた冷熱発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02242056A true JPH02242056A (ja) | 1990-09-26 |
Family
ID=13219085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6308389A Pending JPH02242056A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-14 | 水素吸蔵合金を用いた冷熱発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02242056A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5409676A (en) * | 1992-12-28 | 1995-04-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Heat transfer system utilizing hydrogen absorbing metals |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS601500A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属水素化物用加熱装置 |
| JPS621188A (ja) * | 1985-03-14 | 1987-01-07 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
| JPS6298196A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 金属水素化物を利用した熱輸送システム |
-
1989
- 1989-03-14 JP JP6308389A patent/JPH02242056A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS601500A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属水素化物用加熱装置 |
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| US5409676A (en) * | 1992-12-28 | 1995-04-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Heat transfer system utilizing hydrogen absorbing metals |
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