JPH02241109A - 遅延回路 - Google Patents

遅延回路

Info

Publication number
JPH02241109A
JPH02241109A JP2028598A JP2859890A JPH02241109A JP H02241109 A JPH02241109 A JP H02241109A JP 2028598 A JP2028598 A JP 2028598A JP 2859890 A JP2859890 A JP 2859890A JP H02241109 A JPH02241109 A JP H02241109A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
node
voltage
circuit
switching means
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2028598A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2620391B2 (ja
Inventor
Charles K Erdelyi
チヤールズ・ケロリイ・エーデルイー
Mark G Marshall
マーク・ジヨージ・マーシヤール
John William Mathews
ジヨン・ウイリアム・マーシユーズ
Edward Perry Patrick
パトリック・エドワード・ペリイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH02241109A publication Critical patent/JPH02241109A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2620391B2 publication Critical patent/JP2620391B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
    • H03K5/133Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
    • H03K5/131Digitally controlled
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K2005/00013Delay, i.e. output pulse is delayed after input pulse and pulse length of output pulse is dependent on pulse length of input pulse
    • H03K2005/0015Layout of the delay element
    • H03K2005/00195Layout of the delay element using FET's

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 A、産業上の利用分野 本発明は一般に遅延回路、特に受取ったデータによって
遅延時間が変化する遅延回路に関する。
B、従来技術 遅延及びその関連回路は技術的に広く知られている。前
記回路の例を下記に示す。
特開昭60−33732号は遅延時間が電源及び温度の
変動に対し安定している遅延回路を開示している。この
回路は一定の電流源(演算増幅器)からの注入電流を変
化させることにより、該回路の遅延時間を変化させる。
米国特許第3346746号は複数の入力を受取るOR
ゲートによってトリガーされる単安定マルチバイブレー
タを開示している。更に、該マルチバイブレータのパル
ス幅は該マルチバイブレータをトリガーした特定の入力
に応答する可変タイミング・ネットワークによって部分
的に制御される。
米国特許第3753012号はトリガー動作に続いて複
数の正確な時間遅延を与える時間遅延発生装置を開示し
ている。
米国特許第3675133号は複数の可変遅延手段を用
いてパルス・エツジの位置を選択先読みされた量だけ自
主的に変更する装置を開示している。
米国特許第3558924号は対応する時間遅延された
独立の出力信号により複数の入力信号を取得する回路を
開示している。
その他、一般的に遅延回路の分野に関連する参照文献は
米国特許第2964708号、同第3102208号、
同第414.0927号、同第4587441号及び同
第4638188号、並びに特開昭57−99029号
及び同57−131126号である。
遅延回路の設計では、回路の遅延特性ができるだけ正確
であることが重要である。
特に、遅延回路のプロセスの公差、温度差及び電源の変
動−その全てが遅延回路の信頼性即ち精度の要素である
−を考慮する必要がある。
C0発明が解決しようとする問題点 本発明の目−的は受取ったデータによって遅延時間が変
化する遅延回路を提供することである。
本発明のもう1つの目的は極めて正確な遅延回路を提供
することである。
本発明の更にもう1つの目的はプロセスの公差、温度及
び電源の変化によって精度が影響を受けない遅延回路を
提供することである。
D8問題点を解決するための手段 本発明は前記及びその他の目的を下記手段によって達成
する。それらは、入力がノードに結合され、該ノードの
電圧が所定のしきい電圧よりも高いか又はそれに等しい
とき第1の出力信号を生成し、該ノードの電圧が所定の
電圧よりも低いとき第1の出力信号と異なる第2の出力
信号を生成する出力手段、該ノードの電圧を所定の電圧
よりも高く維持し、それによって該出力手段に第1の出
力信号を生成させる手段、及び複数の切替え手段である
。該複数の切替え手段の各々は、該ノードに接続され、
且つ複数の入力信号のうちの異なる1つを受取るように
接続され、該ノードの電圧は該複数の切替え手段のどれ
か1つが対応する入力信号によって感電されると所定の
しきい電圧よりも低い電圧に低下し、それによって出力
手段に第2の出力信号を生成させ、且つ該複数の切替え
手段のうちの少なくとも1つは、該1つの切替え手段が
導電されると、該ノード電圧が所定のしきい電圧よりも
低い電圧に低下するレートが、他の切替え手段のどれか
が導電されたとき該ノード電圧がしきい電圧よりも低い
電圧に低下するレートと異なるように構築される。
E、実施例 第1図は本発明による遅延回路1の包括的なブロック図
を示す、遅延回路1は16ビツトLSSDレジスタ2.
4つの”第ルベル゛°の機能ORゲート4.6.8及び
10.1つの゛第2レベル”の機能ORゲート 12並
びにドライブアウト回路13を含む。
16ビツトLSSDレジスタ2は当業者には広く知られ
ている。一般に、レジスタ2は16の2進入力信号を受
取り、それらが該レジスタに含まれたマスタスレーブ・
ネットワークを介して伝播してから、これらの16の2
進信号を同時に出力するように作用する。第1図で、1
6の入力信号PAO1PBO,PCO,PDO,PD2
〜PD5、PO2、PEO−PE2及びPE4〜PE7
はレジスタ2に供給される。 16の入力信号はクロッ
キング信号PDI及びPI)6に応答して該レジスタ(
即ち、該レジスタのマスタスレーブ・ネットワーク)を
通って伝播する。これらの16の信号は次にレジスタ2
から同時に出力される。
じジスタ2は更に直列入力信号PIO1直列出力信号P
20及びシフト・レジスタ・クロックPE3を受取る1
周知のように、これらの信号はレジスタ2が検査されて
いるあいだ使用される。
第1図に示すように、4つの第ルベルの機能ORゲート
4.6.8及び10の各々はレジスタ2から4つの出力
信号を受取る0例えば、ゲート4はレジスタ2から信号
PAO,PBO,PCO及びPDOを受取る。これらの
第ルベルの機能ORゲートの各々はTo、+、5、+1
.0及び+1.5と表示された端子を含む、これらの端
子の各々はレジスタ2からの出力信号から異なる信号を
受取る。第1図で、端子To、+、5、+1.0及び+
1.5はそれぞれ信号PAO。
PBO,PCO及びPDOを受取る。第ルベルのゲート
4.6.8及び10の各々は在来のORゲートのように
作用し、これらのゲートへの入力のどれか1つが1−こ
なると、これらのゲートの出力も1”になる、従って、
これらの機能ORゲー1−はこれらのゲートに対する入
力信号の全てが0″になるときだけ0”出力を生成する
。しかしながら、こわらの機能ORゲートは入力信号の
全てがゲートを介して同じレートで伝播しないという点
で在来のORゲートと異なる。詳細に説明すれば、端子
TOに供給された入力信号はゲートを介してT0n5 
(ナノ秒)で伝播するのに対し、入力端子+、5に供給
された信号はゲートを介してTo + 、5 nsで伝
播する。同様に、端子÷1.0及び+1,5に供給され
た入力信号はそれぞれゲーI−を介してTO+ 1.O
ns及びTO+ 1.5 nsで伝播する。値TOは、
例えば、5 ns、3 ns、等を表わすことがある。
この値は重要ではない。
ゲート4.6.8及び10から、それぞれ、4つの出力
信号を受取る1つの第2レベルの機能ORゲート 12
は、この1つのゲートがT1、+2.0、+4゜0及び
+6.0と奏示された端子を含む点を除き、第ルベルの
機能ORゲートの各々と同じである。
従って、ゲート4からの出力信号はゲート 12を介し
てTl nsで伝播するのに対し、ゲート 10からの
出力はゲート12を介してTl + 6.0 nsで伝
播する。 Tlの値は、例えば5ns又は11 nsと
なることがあるが、これは重要ではない。
ドライブアウト回路13はゲート 12からの出力を受
取り、ドライバとして作用する。
ここで、任意の所与のサイクルでレジスタ2に供給され
たデータ(即ち、16の異なる入力信号)は2つの異な
る形式、即ちDATA (データ)サイクル又はRES
ET (リセット)サイクルのうちの1つをとることが
できることに注目する必要がある。
更に詳細に説明すれば、RESETサイクルでは、レジ
スタ2に供給された信号は全て”0″となる。
(即ち、16の入力信号の全てが0″に等しい)。
DATAサイクルでは、入力信号の1つが1”となり、
残る 15の信号は全て ”0”となる、一般に、2つ
のDATAサイクルを連続させることはできない (即
ち、通常はRESETサイクルが先行し DATAサイ
クルがそれに続かなければならない)、 RESETに
より遅延回路の出力は所与の値にリセットされる。レジ
スタ2に供給されたデータA、B及びCの連続する3つ
のサイクルにおいて、もしサイクルBがDATAサイク
ルであれば、サイクルA及びCはどちらもRES、ET
サイクルである。しかしながら、後で詳しく説明するよ
うに、特別なタイミング及びパターンを条件として、R
ESETサイクルを必要としないことがある。
前述の説明から、レジスタ2の16の入力信号のうちの
どれが1″を含むかにより、異なる時間遅延が生じ、そ
の後、当該入力信号(”1゛)はドロップアウト回路1
3に供給されることが明らかである0例えば、もしPA
Oが1″に等しく、且つレジスタ2の残りの15の入力
の各々が0”に等しければ、 1″の入力はゲート4及
び12を介して (To) + (TI)の時間でドラ
イブアウト回路13に供給される。これは第1図の回路
による最小の遅延即ち伝播時間を示す、これに対し、も
しPE7が′1″に等しく、且つレジスタ2の残りの1
5の入力信号の各々が0″に等しければ、1″はゲート
10及び12を介して (TO+ 1.5)+ (Tl
 + 6.0)の時間でドライブアウト回路13に供給
される。これは第1図の回路による最大の遅延即ち伝播
時間である。
第ルベルのゲート4.6.8及び10は全て同じである
が1本発明はそのように制限されてはいない、特に、第
ルベルのゲー1−4.6.8及び10のうちの少なくと
も1つは、それらの遅延特性に関して他のゲートと異な
ることがある0例えば、ゲート6.8及び10は第1図
に示すようになっているが、ゲート4はTo、 To 
+ 2.5、To + 1.0及びTo + 2.0の
遅延をそれぞれ生じる4つの端子を持つことがある。従
って、第1図の機能ORゲートの少なくとも1つが遅延
特性に関して他のゲートと異なってもよいだけでなく、
所与のゲートに関連したそれぞれの遅延特性も互いの倍
数でなくてもよい。
第2図は4つの入力信号PAO1PBO,PCO及びp
o。
並びに1つの機能ORゲートを含む特定の実施例を示す
、実際には、この回路に対する入力は任意の数とするこ
とができる。この特定の実施例は4つの異なる入力信号
及び単一の機能ORゲートしかないから、その回路は入
力信号PAO1PBO1PCO及びPDOのどれが1″
になるかにより4つの異なる遅延時間を生成することが
できる。   ′= 12 第2図の遅延回路−第1図の機能ORゲート(4,6,
8,10,12)−は4人力NORゲー1−16、プル
アップ・トランジスタ T25、ロード回路18及びプ
ルダウン・トランジスタ T27、T28、T29、T
30−NOR5を構成するー、パルス整形回路20.2
2.24及び26(ソれぞれ、信号PAO,PBO1P
CO及びPDOのパルス・エツジを鋭くする)並びにセ
ンス増幅器回路14を含む。
第2図に示すように、NORゲート16は電源電圧VD
DとノードNCの間に直列に接続された4つのP形にO
Sトランジスタ T21− T24を含む、トランジス
タ T21〜T24のゲートはそれぞれ信号PAO−P
DOを受取る。 NORゲート 16はノードNCとグ
ランドの間に並列に接続された4つのN形MOSトラン
ジスタ T17〜T20も含む、トランジスタ T17
〜T20のゲートはそれぞれ信号PAO−PDOを受取
る。
プルアップ・トランジスタ T25はそのゲート、ドレ
ーン及びソースがそれぞれノードNC,電源VDD及び
センス・ノードNDに接続される。後で第2図の動作に
関連して説明するように、このプルアップ・トランジス
タ T25はRESET動作の間に回路の出力をリセッ
トすることにより該回路の動作速度を速くする。このプ
ルアップ動作を実行する幾つかの他の手段のうちどれを
用いてもよい。
NORケート 5のロード回路即ちクランプ回路18は
3つのN形MOSトランジスタ T2[3、T31及び
T32を含む、トランジスタ T2Oはそのゲート及び
ドレーンが電源VDDに、そのソースがセンス°ノード
NDに接続される。トランジスタ T26のゲートは電
源VDDに接続されるから、このトランジスタは常に導
電状態にバイアスされる(電源電圧はトランジスタ 7
2Bのしきい電圧よりも高いものと仮定する)、その結
果、トランジスタ T31及びT32も導電状態にバイ
アスされ、それによって、センス・ノードNDの電圧は
、もしトランジスタ T28、T31及びT3Zが同じ
サイズならば、プリセットされた電圧VND = 2/
3 VDDニセットされる。T26、T31及びT32
のサイズを相対的に変えることにより他の電圧にクラン
プすることができる。
センス増幅器回路14はP形トランジスタT33及びN
形トランジスタT34を含む、これらの1−ランジスタ
はCMOSインバータを形成するように接続される。ト
ランジスタ T33及びT34のゲートの各々はセンス
・ノードNDに接続される0回路14の出力P1.0は
トランジスタ T33/T34のソース/トレーンで取
出される1機能NORゲート5は4つのN形MOSトラ
ンジスタ (切替え手段)T27〜T30を含む、これ
らのトランジスタ 727〜T30の各々のドレーンは
センス・ノードNDに接続され、これらのトランジスタ
の各々のソースはグランドに接続される。トランジスタ
 T27〜T30のゲートはそれぞれ回路:20.22
.24及び26の出力に接続される。
パルス整形回路20.22.24及び26の各々は直列
に接続された2つのCMOSインバータを含む。
回路20はP形トランジスタ T1及びT2並びにN形
トランジスタ T3及びT4を含む0回路22はP形ト
ランジスタ T9及びT10、並びにN形トランジスタ
 Tll及びT12を含む1回路24はP形トランジス
タ T5及びT6.並びにN形トランジスタ T7及び
T8を含む0回路26はP形トランジスタ T13及び
T14、並びにN形トランジスタ T15及び71Bを
含む、パルス整形回路20.22.24及び26の各々
は直列に接続された2つのCMOSインバータを含むか
ら、これらの回路の各々の出力はその入力と同じになる
。しかしながら、技術的に周知のように、2つのCMO
Sインバータを互いに直列に設けることにより、これら
の回路の出力はそれらの入力に比しずっと鋭く整形され
たパルス・エツジを得る。
次に第2図の動作をDATAサイクル及びRESETサ
イクルに関連して説明する。
DATAサイクルで、信号PAOは“°1゛に等しく。
残りの入力信号PBO5pco及びPDC)は”o”に
等しいものと仮定する。その結果、NORゲート16の
トランジスタ T21は非導電状態にされ、残りのP形
トランジスタのNOR回路回路2〜T24は導電される
。更に、トランジスタ T17が導電され、トランジス
タ T18〜T20が非導電状態にされる。これ−16
= はノードNCの電圧を0″にし、それによって、プルア
ップ・トランジスタ T25は、そのゲートがノードN
Cに接続されているから、非導電状態にされる。
N形トランジスタ T26のゲートは電源に接続されて
いる。それゆえ、トランジスタ T28はトランジスタ
 T31及び丁32とともに導電され、それに応じて、
ノードNDの電圧が決まる。即ち、3つの導電状態のト
ランジスタ T26、T31及びT32のためノードN
Dの電圧はVNDとなる。センス・ノードNOの電圧は
ドライブアウト回路14のトランジスタ T33及びT
34のしきい電圧よりも高いVNDにクランプされるか
ら1回路14はLOν(低い)レベルの信号をPloと
して出力する。
前述のように、このDATAサイクルでは、PAO=1
且つPBO=PCO=PDO=Oである。入力信号PA
Oのために1″を供給することにより、回路20はトラ
ンジスタ T27のゲートにHIGH(高い)レベルの
信号となる出力を供給し、それによってトランジスタ 
T27を導電させる。しかしながら、PBOlpc。
及びPDOの入力信号の各々は0″に等しいから、N形
トランジスタ 728〜T30の各々は非導電状態であ
る。トランジスタ T27が導電されると、ノードND
からトランジスタ T27を介してグランドに至る新し
い電流が生じ、ノードNDの電圧が”プルダウン“即ち
低下される。ノードNDの電圧がトランジスタT33及
びT34の所定のしきい電圧よりも低い電圧レベルにプ
ルダウンされると、トランジスタ T34は非感電状態
に、トランジスタ T33は導電状態になる。それによ
って出力P]、OはLOWレベル出力から)JIG)l
レベル出力に切替えられる。
前述の特定の実施例では、PAO=1且つPBO=PC
OPDO=Oであるが、もし、例えば、PBO=1且つ
PAO=PCO=PDO=Oであれば、トランジスタ 
T28が導電され、トランジスタ T27、T29及び
T30が非導電状態になる。この例では、トランジスタ
 728を経由するノードNDからトランジスタ T2
8を介してグランドに至る新しい電流経路が生じる。そ
の結果。
ノードNDの電圧は回路14の切替えしきい電圧よりも
低い電圧レベルにプルダウンされ、それによって回路1
4の出力をLOWレベル出力から旧GHレベル出力に切
替える。 PCO=1且っPAO=PBO=PDO=0
.又はPDO=1且っPAO=PBO=PCO=Oの場
合にも同様な結果が生じる。
第1図に関連して説明したように、機能ORゲート5は
どの入力端子が1゛を受取るかにより異なる遅延即ち伝
播時間を与える。第2図で、トランジスタT27〜T3
0はそれぞれ端子To、 +、5、+1.0及び+1.
5に対応する。詳細に説明すれば、PAO=1且つ残り
の入力の各々が0″のとき1.機能NORゲート5は関
連する遅延To nsを生じる。
同様に、 PBO=1且つ残りの入力の各々が0″のと
き、NORゲート5は関連した遅延(TO+ 、5)を
生じる。これらの遅延即ち伝播時間の相違のため、ノー
ドNDの電圧はトランジスタT27〜T30のうちのど
れが導電されるかによって異なるレートでプルダウン即
ち低下される。その結果、回路14の出力PLOはどの
入力信号が°゛1″を受取るかにより相対的に異なる時
間でLOWレベルからl+IGHレベルに切替えられる
。従って、出力回路14を切替えるためのそれぞれの遅
延時間はどの入力信号を1″に等しくするかによって決
めることができる。
機能NORゲート5の入力端子のそれぞれの遅延時間(
即ち、トランジスタ T27〜T30のそれぞれの遅延
時間)はトランジスタ製作中にトランジスタのそれぞれ
のチャネル幅及び長さを決めることにより設定すること
ができる0例えば、トランジスタ T27はその遅延即
ち伝播時間がTOになるような構造を有するが、トラン
ジスタ T2Oはその遅延時間が(To + 1.5)
になるような構造を有する。
単に2つ以上のプルダウン・トランジスタ (即ち、T
27、T28、T29、T2O)を−度に導電させるこ
とにより、同等の又は異なる遅延を生じさせることがで
きる。
前述のように、RESETサイクルはDATAサイクル
の直前又は直後に生じる。 RESETサイクルは入力
信号の各々を”O″にセットすることによって設定され
る。このサイクルが生じると、各々のブロックのリセッ
ト動作が開始され、トランジスタT27〜T30はどれ
も、それが導電されると必ず、そのゲートに、関連した
パルス整形回路を介して0″が供給されるため、非導電
状態になる。その結果、該ノードの電圧は再びVNDに
プルアップされ、それによって回路14の出力をHIG
HレベルからLOWレベルに切替える。ノードNDのプ
ルアップ動作を速くし、それによって該回路の動作を拡
張させるために、プルアップ・トランジスタT25が設
けられる。特に、プルアップ・トランジスタ T25は
RESET動作の間にノードNDの電圧を迅速にプルア
ップするように作用する。
リセット動作は、リセット・サイクルの外に、十分ニ長
い時間ファーだPAO=PBO=PCO=PDO=0ニ
するだケチ生シルコトがあル、 PAO=PBO=PC
O=PDO=0のとき、NOR回路16のトランジスタ
 T21〜T24の全てが導電され、それによってHI
GHレベルの信号をノードNCに供給する。ノードNC
が旧G)lレベルに高められた結果、プルアップ・トラ
ンジスタ T25は導電され、その結果、それに関連し
た電源からノードNDに電流が供給される。これはノー
ドNDの電圧を所定のしきい電圧よりも高い電圧レベル
に迅速にプルアップする。ノードNDの電圧が回路14
のトランジスタ 733及びT34のしきい値よりも高
いとき、回路14は門0の出力を)IIGHからLOW
レベルに切替える。ここで回路はもう1つのDATAサ
イクルを受取ることが可能になる。
第2図の回路で、出力PIOはできるだけ大きい電圧ス
イング(即ち、)IIG)lレベルの電圧とLf)Wレ
ベルの電圧の間の電圧スイング)を供給され、それによ
って回路の精度を高めることが望ましい。
前記スイングを生じさせるために、ノードNDに十分に
大きい電圧スイングを供給することが必要である。
詳細に説明すれば、第2図のトランジスタ T27〜T
30の1つが導電されると、電源、温度及びプロセスの
公差が回路14の切替えに影響を及ぼさないように回路
14のトランジスタの所定のしきい電圧よりも十分に低
いレベルまでノードNDの電圧がプルダウンされ、それ
によって回路の精度が高められることが望ましい、第2
図に示す実施例で、トランジスタ T27〜T30の1
つが導電され、且つそれによってノードNDの電圧がプ
ルダウンされると、N形トランジスタ T2Oから供給
される電流はI−ランジスタ T2Oにまたがる電圧降
下が増すにつれて大きくなる。即ち、トランジスタ T
2Oはより大きい電流を生じ、電圧をトランジスタ T
27〜T30の1つが導電される前の値に維持するよう
にする。トランジスタ T2Oからのこの電流の増加は
ノードNDの電圧のプルダウンを阻止するように作用す
る。ノードNDの電圧は回路14のトランジスタの所定
のしきい電圧よりも低い電圧レベルにプルダウンされる
が、トランジスタ T2Oの動作はノードNDのプルダ
ウン電圧と所定のしきい電圧の間の安全マージンを減少
させる傾向がある。その結果、回路内の電源、温度及び
プロセスの変動はセンス増幅器回路14の動作に影響を
及ぼすかも知れない、即ち、もしノードNDの電圧が回
路14の切替えしきい値よりもほんの僅かに低い電圧に
プルダウンされるならば、例えば、回路内のプロセス変
動はノードNDの電圧が切替えしきい値よりも低い電圧
に低下するのを妨げ、それによって回路14に誤り信号
を出力させることがある。
これを念頭に置いて、第3図のクランプ即ちロード回路
18Aが開発された。この回路はP形MOSトランジス
タ 726並びにN形トランジスタ T27、Ta2.
T33及びT2Oを含む、P形トランジスタ T2Oは
そのゲートがグランドに、そのソースが電源VDDに、
そのドレーンがトランジスタ T27のソースに接続さ
れる。トランジスタ T2Oはそのゲートが電源VDD
に、そのソースがグランドに接続される。
トランジスタ TZ6及びT4(lは電流を制限するよ
うに作用する。トランジスタ T2O及びT2Oの構造
はこれらのトランジスタにまたがる電圧降下がトランジ
スタ T27. Ta2及びT33にまたがる電圧降下
の所定の分数になるように選択することができ、それに
よって回路設計者に柔軟性を与える。これは、例えば、
第2図の回路14のような切替え装置をロードするため
にクランプ回路が用いられるとき、ロード特性の最適化
を可能にする。トランジスタ T33、Ta2及びT2
7は全て、クランプ回路の特定の使用方法により、もし
P形MOS装置が選択されればゲート極性を反転させる
だけで、P形MO3装置、N形MOS装置又はそれらの
組合せとすることができる。
第4図は第3図のクランプ即ちロード回路18Aを含む
遅延回路のもう1つの実施例を示す、他の全ての点で、
第4図の回路は第2図の回路と同じである。第4図で、
第3図のトランジスタ T2Oは不要である。更に、第
3図のトランジスタ T27は第4図ではP形MO3装
置として実現される。
第4図で、ロード回路18Aはゲー1−がグランドに接
続されたP形トランジスタ T2O、ダイオードとして
実現されたP形トランジスタ T27、及び第2図のN
形トランジスタ Ta2並びに732を含む。
P形トランジスタ T2Oを設けることにより、N形ト
ランジスタ T27〜T30の1つが導電される結果、
ノードNDの電圧が低下すると、ノードNDに供給され
る電流は第2図の実施例のように増加せず、それによっ
てノードNDのプルダウンを容易にする。即ち、第2図
の実施例と異なり、トランジスタ T2Oの電流はノー
ドNDがプルダウンされるとき増加しない、その結果、
ノードNDの電圧が回路14のトランジスタの所定のし
きい電圧よりも低い電圧にプルダウンされる(即ち、ト
ランジスタ T27〜T30の1つが導電されるとプル
ダウンされる)と、ノードNDのプルダウン電圧は切替
えしきい値よりもかなり低く、それによって回路内のど
んな温度、電源又はプロセス変動に対してもより大きい
公差即ち安全係数を与える1回路は前記変動による影響
を受けないから、より正確な遅延時間を設定することが
できる。
F0発明の効果 前述のように、本発明は受取ったデータにより正確に時
間遅延が変わる遅延回路を提供する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の包括的なブロック図を示す。 第2図は本発明の実施例の概要図を示す。 第3図は本発明で用いることができるロード回路の1つ
の実施例の概要図である。 第4図は第3図のロード回路を含む本発明の遅延回路の
もう1つの実施例の概要図である。 1・・・・遅延回路、 2・・・・16ビツl−LSS
D レジスタ、 4.6.8.10.12・・・・機能
ORゲート、13・・・・ドライブアウト回路、14・
・・・センス増幅器回路、16・・・・4人力NORゲ
ート、18.18A・・・・ロード回路、20.22.
24.26・・・・パルス整形回路。 出願人  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人  弁理士  山  本  仁  朗(外1名) J

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の入力信号を受取る遅延回路であって、ノー
    ドに結合され、該ノードの電圧が所定のしきい電圧より
    も高いか又はそれに等しいとき第1の出力を生成し、該
    ノードの電圧が所定の電圧よりも低いとき、第1の出力
    とは異なる第2の出力を生成する出力手段、 該ノードの電圧を所定の電圧よりも高く維持し、それに
    よって前記出力手段に第1の出力を生成させる手段、及
    び 各々が複数の入力信号の異なる1つを受取る複数の切替
    え手段であって、該切替え手段の各々はそれに関連した
    所定のレベルの入力信号を受取ると導電され、該ノード
    の電圧を所定の電圧よりも低い電圧に低下させ、それに
    よって出力手段に第2の出力を生成させる複数の切替え
    手段を含み、該複数の切替え手段のうちの少なくとも1
    つは少なくとも1つの切替え手段が導電されたときの該
    ノードの電圧を低下させるレートが他の切替え手段のど
    れかが導電されたときの該ノードの電圧を低下させるレ
    ートと異なるように構築されることを特徴とする遅延回
    路。
  2. (2)ノードにクランプ電圧を供給するための電流制限
    クランプ回路であって、 P形MOSトランジスタ、及び 前記P形MOSトランジスタのドレーンとグランドの間
    に直列に接続された複数のN形MOSトランジスタを含
    み、 前記P形MOSトランジスタはそのソースが電源にその
    ゲートがグランドに接続され、且つ前記複数のN形MO
    Sトランジスタの1つはそのゲート及びドレーンが前記
    P形MOSトランジスタのドレーンに、且つそのソース
    が該ノードに接続されることを特徴とするクランプ回路
  3. (3)ノードにクランプ電圧を供給するための電流制限
    クランプ回路であって、 第1及び第2のP形MOSトランジスタ、及び該ノード
    及びグランドの間に直列に接続されたN形MOSトラン
    ジスタを含み、 前記第1のP形MOSトランジスタはそのソースが電源
    に、そのゲートがグランドに接続され、且つそのドレー
    ンが前記第2のP形MOSトランジスタのソースに接続
    され、前記第2のP形MOSトランジスタはそのゲート
    及びドレーンが該ノードに接続される ことを特徴とするクランプ回路。
JP2028598A 1989-02-13 1990-02-09 遅延回路 Expired - Lifetime JP2620391B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/309,530 US5059837A (en) 1989-02-13 1989-02-13 Data dependent variable time delay circuit
US309530 1999-05-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02241109A true JPH02241109A (ja) 1990-09-25
JP2620391B2 JP2620391B2 (ja) 1997-06-11

Family

ID=23198601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2028598A Expired - Lifetime JP2620391B2 (ja) 1989-02-13 1990-02-09 遅延回路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5059837A (ja)
EP (1) EP0382938B1 (ja)
JP (1) JP2620391B2 (ja)
DE (1) DE68913951T2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0563525A (ja) * 1991-08-29 1993-03-12 Nec Corp パルス幅可変回路
JP3247128B2 (ja) * 1991-10-09 2002-01-15 富士通株式会社 可変遅延回路
JPH08125509A (ja) * 1994-10-25 1996-05-17 Mitsubishi Electric Corp 可変遅延回路、リング発振器、及びフリップフロップ回路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63193606A (ja) * 1987-02-04 1988-08-10 Nec Corp パルス調整回路
JPS63226110A (ja) * 1987-03-16 1988-09-20 Fujitsu Ltd ヒステリシスインバ−タ回路

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2964708A (en) * 1955-11-17 1960-12-13 Digital Control Systems Inc Time interval generating circuits
US3102208A (en) * 1960-02-17 1963-08-27 Honeywell Regulator Co Race-preventing flip-flop switches by trailing edge of clock pulse applied through charged series capacitor
US3346746A (en) * 1965-10-20 1967-10-10 Bell Telephone Labor Inc Monostable multivibrator circuit having variable timing interval
US3558924A (en) * 1967-10-23 1971-01-26 Gen Precision Systems Inc Master timing circuit for providing different time delays to different systems
US3675133A (en) * 1971-06-21 1972-07-04 Ibm Apparatus and method independently varying the widths of a plurality of pulses
US3753012A (en) * 1972-02-17 1973-08-14 Motorola Inc Circuit for providing precise time delay
US4140927A (en) * 1977-04-04 1979-02-20 Teletype Corporation Non-overlapping clock generator
JPS5685934A (en) * 1979-12-14 1981-07-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Control signal generating circuit
DE3072118D1 (en) * 1979-12-26 1988-09-22 Toshiba Kk A driver circuit for charge coupled device
JPS5772429A (en) * 1980-10-22 1982-05-06 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit device
JPS5799029A (en) * 1980-12-12 1982-06-19 Citizen Watch Co Ltd Input device for electronic watch
JPS57131126A (en) * 1981-02-05 1982-08-13 Sanyo Electric Co Ltd Operation time setting device
US4423339A (en) * 1981-02-23 1983-12-27 Motorola, Inc. Majority logic gate
IT1210945B (it) * 1982-10-22 1989-09-29 Ates Componenti Elettron Circuito di interfaccia per generatori di segnali di sincronismo a due fasi nonsovrapposte.
JPS6033732A (ja) * 1983-08-04 1985-02-21 Nec Corp 遅延回路
JPS6152022A (ja) * 1984-08-22 1986-03-14 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US4638188A (en) * 1984-08-27 1987-01-20 Cray Research, Inc. Phase modulated pulse logic for gallium arsenide
US4641046A (en) * 1985-06-17 1987-02-03 Signetics Corporation NOR gate with logical low output clamp
US5111085A (en) * 1987-04-29 1992-05-05 Ncr Corporation Digitally controlled delay circuit
US4896059A (en) * 1988-07-26 1990-01-23 Microelectronics Center Of North Carolina Circuit to perform variable threshold logic

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63193606A (ja) * 1987-02-04 1988-08-10 Nec Corp パルス調整回路
JPS63226110A (ja) * 1987-03-16 1988-09-20 Fujitsu Ltd ヒステリシスインバ−タ回路

Also Published As

Publication number Publication date
EP0382938A1 (en) 1990-08-22
JP2620391B2 (ja) 1997-06-11
DE68913951D1 (de) 1994-04-21
DE68913951T2 (de) 1994-09-22
US5059837A (en) 1991-10-22
EP0382938B1 (en) 1994-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0134220B1 (en) Write strobe generator for clock synchronized memory
KR100301546B1 (ko) 펄스발생회로
EP0647028B1 (en) Latch controlled output driver
EP0502732B1 (en) Pulse generator
US4939384A (en) Flip-flop circuit
US6255875B1 (en) High-speed clock-enabled latch circuit
US10630295B2 (en) Device and method for detecting signal state transition
US5182468A (en) Current limiting clamp circuit
JP3111936B2 (ja) 同期回路
EP0458766A1 (en) Spike filtering circuit for logic signals
US5043605A (en) CMOS to ECL output buffer
JPH07115355A (ja) 零検出回路におけるオフセット減少方法及び回路
US6011410A (en) Method of charging a dynamic node
US4808855A (en) Distributed precharge wire-or bus
US20060226885A1 (en) Apparatus and method for generating pulses
US5072131A (en) Circuit for detecting address signal transition
JPH02241109A (ja) 遅延回路
US6008686A (en) Power consumption control circuit for CMOS circuit
US20010043105A1 (en) Clock buffer circuit having short propagation delay
KR100598094B1 (ko) 데이타 전송 시스템
US6239622B1 (en) Self-timed domino circuit
US5561634A (en) Input buffer of semiconductor memory device
JPH07202131A (ja) 半導体集積回路
JP2635360B2 (ja) 半導体集積回路
JPS59214305A (ja) 相補mos型発振回路