JPH02241103A - マイクロストリップライン - Google Patents
マイクロストリップラインInfo
- Publication number
- JPH02241103A JPH02241103A JP1063058A JP6305889A JPH02241103A JP H02241103 A JPH02241103 A JP H02241103A JP 1063058 A JP1063058 A JP 1063058A JP 6305889 A JP6305889 A JP 6305889A JP H02241103 A JPH02241103 A JP H02241103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stub
- thickness
- microstrip line
- voltage
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Silicon halide Chemical class 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高周波回路のマイクロストリップラインに
係り、特にその整合回路素子の構造に関するものである
。
係り、特にその整合回路素子の構造に関するものである
。
第３図は従来のマイクロストリップラインの整合回路素
子を示す斜視図である。図において（１）は誘電体基板
、（２）は接地導体基板、（３）はストリ・シブ導体、
（４）はスタブである。
子を示す斜視図である。図において（１）は誘電体基板
、（２）は接地導体基板、（３）はストリ・シブ導体、
（４）はスタブである。
マイクロストリップラインの整合回路素子は、誘電体基
板（１）を接地導体基板（２）とストリップ導体（３）
で挾んだ構造を持ち、整合回路素子としてスタブ（４）
を設ける。
板（１）を接地導体基板（２）とストリップ導体（３）
で挾んだ構造を持ち、整合回路素子としてスタブ（４）
を設ける。
次に動作について説明する。高周波回路において、高周
波電力を有効に伝送するためには、整合回路が必要不可
欠である。そこで第３図のスタブ（４）の長さと位置を
変えて整合を取っている。
波電力を有効に伝送するためには、整合回路が必要不可
欠である。そこで第３図のスタブ（４）の長さと位置を
変えて整合を取っている。
一般に高周波回路では、高周波電力を有効に伝送するた
めの整合回路が必要である。従来のマイクロストリップ
ラインは以上のように構成されているので、スタブの長
さを計算で求めた値にしても、実際に最適な整合を得る
ことは難しい。したがって、スタブの長さを変えた回路
を作り直して再評価を行い、最適な整合が取れるまでこ
の作業を繰り返して行わなければならない。また、周波
数が異なればスタブの長さを変えなければならないなど
の問題点があった。
めの整合回路が必要である。従来のマイクロストリップ
ラインは以上のように構成されているので、スタブの長
さを計算で求めた値にしても、実際に最適な整合を得る
ことは難しい。したがって、スタブの長さを変えた回路
を作り直して再評価を行い、最適な整合が取れるまでこ
の作業を繰り返して行わなければならない。また、周波
数が異なればスタブの長さを変えなければならないなど
の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、スタブの長さを電気的に容易に変え、整合
をとり易いマイクロストリップラインを得ることを目的
とする。
れたもので、スタブの長さを電気的に容易に変え、整合
をとり易いマイクロストリップラインを得ることを目的
とする。
この発明に係るマイクロストリップラインは、ｎ型シリ
コン上の酸化シリコンの上にスタブを形成し、ｎ型シリ
コンの下に接地導体基板を形成しものである。更に、ス
タブと接地導体基板間に可変直流電圧を印加できるよう
にしたものである。
コン上の酸化シリコンの上にスタブを形成し、ｎ型シリ
コンの下に接地導体基板を形成しものである。更に、ス
タブと接地導体基板間に可変直流電圧を印加できるよう
にしたものである。
この発明におけるマイクロストリップラインは、スタブ
と接地導体基板に直流可変電圧が印加できることから、
その間のｎ型シリコンに形成される空乏層の厚さを変え
ることができる。それによりスタブと接地導体基板の間
の誘電体の厚みが可変直流電源で制御できるため、整合
回路の調整が容易になる。
と接地導体基板に直流可変電圧が印加できることから、
その間のｎ型シリコンに形成される空乏層の厚さを変え
ることができる。それによりスタブと接地導体基板の間
の誘電体の厚みが可変直流電源で制御できるため、整合
回路の調整が容易になる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はマイクロストリップラインの構造及び整合回路
を示す斜視図、第２図は第１図に示すマイクロストリッ
プラインのＡ−Ａにおける断面図である。図において（
２）〜（４）は第３図の従来例に示したものと同等であ
るので説明を省略する。（１ａ）ハ酸化シリコン、（１
ｂ）はｎ型シリコン、１５４はコンデンサ、（６）はチ
ョークコイル、（７）は可変直流電圧源、（８）は空乏
層である。スタブ（４）はストリップ導体（３）と直流
遮断のためのコンデンサ（５）で高周波的には接続され
ている。
を示す斜視図、第２図は第１図に示すマイクロストリッ
プラインのＡ−Ａにおける断面図である。図において（
２）〜（４）は第３図の従来例に示したものと同等であ
るので説明を省略する。（１ａ）ハ酸化シリコン、（１
ｂ）はｎ型シリコン、１５４はコンデンサ、（６）はチ
ョークコイル、（７）は可変直流電圧源、（８）は空乏
層である。スタブ（４）はストリップ導体（３）と直流
遮断のためのコンデンサ（５）で高周波的には接続され
ている。
更に、スタブ（４）には可変直流電圧ｉ （７）がチョ
ークコイル（６）を通じて接続されてる。スタブ（４）
と接地導体基板（２）の間には、酸化シリコン（１ａ）
と、スタブ（４）に電圧を印加すると空乏層（８）の広
がるｎ型シリコン（１ｂ）がある。
ークコイル（６）を通じて接続されてる。スタブ（４）
と接地導体基板（２）の間には、酸化シリコン（１ａ）
と、スタブ（４）に電圧を印加すると空乏層（８）の広
がるｎ型シリコン（１ｂ）がある。
次に動作について説明する。ｎ型シリコン（１ｂ）が、
空乏層（８）の広がっている部分では誘電体として働き
、残りのｎ型シリコン（１ｂ）の部分では導体として働
く。したがって、（スタブ（４）の下の誘電体の厚み）
−（酸化シリコン（１ａ）の厚み）＋（空乏層（８）の
厚み）であるから、スタブ（４）に印加する電圧を変化
させて空乏層（８）の厚さを変えれば、スタブ（４）の
下の誘電体の厚みを変えるこ、とができる。
空乏層（８）の広がっている部分では誘電体として働き
、残りのｎ型シリコン（１ｂ）の部分では導体として働
く。したがって、（スタブ（４）の下の誘電体の厚み）
−（酸化シリコン（１ａ）の厚み）＋（空乏層（８）の
厚み）であるから、スタブ（４）に印加する電圧を変化
させて空乏層（８）の厚さを変えれば、スタブ（４）の
下の誘電体の厚みを変えるこ、とができる。
誘電体の厚みが変われば、実効誘電率が変わる。
その結果、スタブ（４）の電気的長さが変わる。したが
って従来のようにスタブ（４）の物理的長さを変化させ
なくても、可変直流電圧源（７）の電圧で整合をとるた
めの調整ができる。
って従来のようにスタブ（４）の物理的長さを変化させ
なくても、可変直流電圧源（７）の電圧で整合をとるた
めの調整ができる。
なお上記実施例においては、酸化シリコン（１ａ）とｎ
型シリコン（１ｂ）を用いた例を示したが、他の絶縁体
とガリウムひ素などの半導体を用いても、この発明を適
用することができる。この場合にも上述の効果を得られ
る。ただし、Ｐ型半導体を用いる場合には、可変直流電
圧源（７）の極性は逆にしなければならない。
型シリコン（１ｂ）を用いた例を示したが、他の絶縁体
とガリウムひ素などの半導体を用いても、この発明を適
用することができる。この場合にも上述の効果を得られ
る。ただし、Ｐ型半導体を用いる場合には、可変直流電
圧源（７）の極性は逆にしなければならない。
以上のように、この発明によればスタブに印加する電圧
でスタブの下の誘電体の厚みが変えられるので、電圧の
変化でスタブの電気的長さを変えることで整合がとれる
。したがってスタブの物理的長さの調整をする必要がな
くなる効果がある。
でスタブの下の誘電体の厚みが変えられるので、電圧の
変化でスタブの電気的長さを変えることで整合がとれる
。したがってスタブの物理的長さの調整をする必要がな
くなる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるマイクロストリップ
ラインを示す斜視図、第２図は第１図に示すＡ−Ａにお
ける断面図、第３図は従来のマイクロストリップライン
を示す斜視図である。 図において、（１ａ）は酸化シリコン、（１ｂ）はｎ型
シリコン、（２）は接地導体基板、（３）はストリップ
導体、（４）はスタブ、（５）はコンデンサ、（６）は
チョークコイル、（７）は可変直流電圧源、（８）は空
乏層である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
ラインを示す斜視図、第２図は第１図に示すＡ−Ａにお
ける断面図、第３図は従来のマイクロストリップライン
を示す斜視図である。 図において、（１ａ）は酸化シリコン、（１ｂ）はｎ型
シリコン、（２）は接地導体基板、（３）はストリップ
導体、（４）はスタブ、（５）はコンデンサ、（６）は
チョークコイル、（７）は可変直流電圧源、（８）は空
乏層である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 高周波における伝送線路であるマイクロストリップライ
ンをｎ型シリコン上の酸化シリコンの上に形成して、ス
タブと接地導体基板の間に可変直流電圧を印加できるよ
うにしたことを特徴とするマイクロストリップライン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1063058A JPH02241103A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | マイクロストリップライン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1063058A JPH02241103A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | マイクロストリップライン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02241103A true JPH02241103A (ja) | 1990-09-25 |
Family
ID=13218361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1063058A Pending JPH02241103A (ja) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | マイクロストリップライン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02241103A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003065494A1 (fr) * | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dephaseur micro-ondes et amplificateur de puissance |
| JP2009177257A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-08-06 | Sony Corp | インピーダンス可変素子及び電子機器 |
-
1989
- 1989-03-14 JP JP1063058A patent/JPH02241103A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003065494A1 (fr) * | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dephaseur micro-ondes et amplificateur de puissance |
| US6965269B2 (en) | 2002-01-31 | 2005-11-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Microwave phase shifter having an active layer under the phase shifting line and power amplifier using such a phase shifter |
| JP2009177257A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-08-06 | Sony Corp | インピーダンス可変素子及び電子機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3339128A (en) | Insulated offset gate field effect transistor | |
| MY115602A (en) | Mis transistor varactor device and osillator using same | |
| CA2028311A1 (en) | Rf phase shifter | |
| JPS5951141B2 (ja) | 選局装置 | |
| JPH0365016B2 (ja) | ||
| ATE378799T1 (de) | Photolithographisch hergestellter, integrierter kondensator mit selbst-ausgerichteten elektroden und dielektrika | |
| US5543765A (en) | Integrated electronic elements with variable electrical characteristics, especially for microwave frequencies | |
| GB2219704A (en) | Double balanced mixers | |
| JPH02241103A (ja) | マイクロストリップライン | |
| US3612964A (en) | Mis-type variable capacitance semiconductor device | |
| JPH06338712A (ja) | 高周波集積回路 | |
| US3697831A (en) | Series electrical, parallel thermal gunn devices | |
| JPS6199402A (ja) | インピ−ダンス整合器 | |
| JPH02301162A (ja) | 積層型半導体集積回路 | |
| JP2881716B2 (ja) | 発振器 | |
| JPS6032987B2 (ja) | 電界効果トランジスタに関する改良 | |
| JPS5892270A (ja) | ＧａＡｓマイクロ波モノリシツク集積回路装置 | |
| WO2021102940A1 (zh) | 一种集成电路 | |
| JP3750834B2 (ja) | ストリップ線路 | |
| JP3284293B2 (ja) | 酸化物超伝導ジョセフソン接合アレイ素子およびその製造方法 | |
| JPS62150903A (ja) | 高周波混成集積回路装置 | |
| JPH0334560A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3096046B2 (ja) | マイクロ波半導体装置 | |
| JPS5672508A (en) | Microwave transistor circuit device | |
| JPH04188904A (ja) | 共平面アンテナ |