JPH02238601A

JPH02238601A - 厚膜抵抗体

Info

Publication number: JPH02238601A
Application number: JP1059403A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Matsumura; 松村　和男
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-03-10
Filing date: 1989-03-10
Publication date: 1990-09-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、カラーブラウン管などに用いられる厚膜抵抗
体に関する。

（従来の技術）たとえばカラーブラウン管のような陰極線管における電
子銃においては、一般に、カソードから放出された熱電
子を加速し、集束させるための約２　５　ｋ　Ｖ　ナい
し３０ｋＶの陽極高電圧以外に、たとえばフォーカス電
圧として約５ｋＶないし８ｋＶの中電圧が必要とされて
いる。また、最近のカラーブラウン管においては、電子
ビームの集束用に複数の陽極（グリッド）を設け、これ
らに最適な高電圧を印加することによって、電子ビーム
の集束度を高めブラウン管の輝度を向上させることが試
みられている。

しかし、陽極高電圧以外に中高電圧を別途管外から供給
することや、陽極高７６圧として異なった複数の高電圧
を管外から供給することは、主として電圧供給部の耐圧
性が問題となり、また電圧倶給部の構造が複雑になるな
どの問題がある。

そこで、陰極線管内に抵抗体を配置し、これによって所
望とする複数の異なる陽極高電圧や、さらに陽極高電圧
を分圧して所望の中高電圧を得ることが提案されている
。このような抵抗体を陰極線管内に配置する場合、通常
電子銃はブラウン管のネック部の僅かなスペースに配置
されるため、必要とする電圧に応して厚膜抵抗体の所定
の位置に電極を設け、抵抗体の長さ比に応じた電圧を取
出すようにした厚膜抵抗体が使用されている。

第５図は、このような電子銃に使用される分圧用抵抗体
の一例を示す図である。同図において１はセラミックス
焼結体からなる絶縁性基板であり、この絶縁性基板１上
に、たとえばＩ？ｕ０２を主体とする厚膜抵抗材層２が
折返しパターンなどの所望のパターン状に形成されてい
る。厚膜抵抗材層２の両端部および所定の中間位置には
、厚膜抵抗材層２にそれぞれ電気的に接続された低抵抗
材からなる電極取出部３が形成されており、各電極取出
部３にリード４かそれそれ接続されている。

リード４は、第６図に示すように、絶縁性基板１の電極
取出部２位置に設けられた貫通孔１ａとリード４端部に
設けられた取付け孔４ａとを重ね合せてリベット状取付
け具５などを挿通し、その上下から抑圧することによっ
て、絶縁性基板１に固着されているとともに、電極取出
部３に電気的に接続されている。

（発明が解決しようとする課題）ところで、上述した従来の分圧用厚膜抵抗体においては
、リード４の取付けをリベット状取付け具５などによっ
て機械的に行っているため、リード４とリベット状取付
け具５間やり一ド４と電極取出部３間に空間か生じやす
いという問題があった。このように空間が生じると、こ
の空間かコンデンサの役割をはたし、放電現象か生じて
しまい、特性低下を招いてしまう。

そこで、リベット状取付け具５による取付け時に充分に
かしめるなとの対策を施しているか、かしめる際にセラ
ミックス焼結体からなる絶縁性基板１にクラックや割れ
なとの不良が発生しやすく、製造歩留が低いという問題
かあった。また、かしめ方式では充分に空間の発生を防
止するまでには至っていない。

本発明は、このような従来技術の課題に対処するために
なされたもので、リード取付け部における空間の発生を
防止し、信頼性の高い厚膜抵抗体を提供することを目的
としている。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）すなわち本発明は、セラミックス焼結体からなる絶縁性
基板と、この絶縁性基板上に所望のパターン状に形成さ
れた厚膜抵抗材層と、この厚膜抵抗材層の所定の位置に
電気的に接続された複数のり一ドとを有する厚膜抵抗体
において、前記リドが、前記絶縁性基板上または厚膜抵
抗祠層上こ化学的接合法によって直接接合されているこ
とを特徴としている。

本発明の厚膜抵抗体におけるリ−ドは、上述したように
化学的接合法によって絶縁性基板上あるいは厚膜抵抗材
層上に直接接合されており、適用される化学的接合法は
、使用するリードの材質や接合位置によって異なるが、
たとえば活性金属法やダイレクトボンディングカッパ法
（ＤＢＣ法）などである。また、リード材質としては、
銅やステンレス、あるいはアンバー合金、インバー合金
などの低熱膨脹合金などが使用される。

そして、たとえばリード祠質として銅を用い、このリー
ドを絶縁性基板に接合する際には、ＤＢＣ法によって直
接接合することができ、他の素祠を使用する際には活性
金属法によって絶縁性基板に直接接合することができ。

また、厚膜抵抗材層上にリードを接合する際には、たと
えば活性金属法が用いられる。

（作　用）本発明の厚膜抵抗体において、外部への電圧供給部とな
るリードは絶縁性基板上に直接活性金属法やＤＢＣ法に
よって、あるいは厚膜抵抗ｔａ層上に直接活性金属法な
どによって接合されている。

たとえば絶縁性基板上にリードを接合する場合、リード
は絶縁性基板に対して上述したような接合法によって密
着して固定され、またリード上に直接厚膜法によって抵
抗材層を形成することによって、電気的に接続されると
ともに密着するため、各接合界面における空間などの発
生が防止され、安定した特性が得られる。また接合にあ
たって、接合部に機械的な力を加える必要がないため、
セラミックス製絶縁性基板の不良発生も抑制される。

また、厚膜抵抗材層上に直接リードを接合する場合、リ
ードの固定と電気的接続とか同時に行われ、上記構造と
同様に接合界面における空間などの発生か防止されると
ともに、セラミックス製絶縁性基板の不良発生も抑制さ
れる。

（実施例）以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は、本発明の一実施例の厚膜抵抗体を示す図であ
り、Ａβ２０３焼結体、ＡＪ２Ｎ焼結体、ＳｊＣ焼結体
などからなる絶縁性セラミックス基板１１上には、たと
えばＲｕ０２を主体とする厚膜抵抗材層１２が折返しパ
ターン状に形成されている。

この厚膜抵抗祠層１２の抵抗値は、使用用途によって適
宜設定されるものであるが、たとえばカラブラウン管用
電子銃の分圧用抵抗体として使用する場合、５００ＭΩ
〜５０００ＭΩ程度の高抵抗値を示すものが好適してい
る。

厚膜抵抗材層１２の両端部位置１２ａ、１２ｂおよび所
定の中間位置１２ｃ，］．２ｄにおける絶縁性セラミッ
クス基板１１上には、各リード１３が化学的接合法によ
って直接接合されており、これら各リード１３の接合部
近傍を覆うように厚膜抵抗材層１２が形成され、リード
１３と厚膜抵抗材層１２との電気的接続が行われている
。

リード１３の絶縁性セラミックス基板１１に対する接合
は、リード材質としてステンレス、アンバー合金、イン
バー合金などを用いる場合、第２図に示すように、活性
金属を含むたとえばＴｉ−ＡｇＣｕ，　Ｔｉ−Ｎｉ　，
　Ｔｉ−Ｃｕ　，　Ｔｉ−Ｎｉ−Ａｇなどのろう材１４
によって行われる。リード１３材質としてアンバー合金
やインバー合金などの低熱膨脹合金を用いることによっ
て、セラミックス基板１１側への残留応力が緩和され、
接合部の信頼性がさらに向上する。

また、リード材質として銅を用いる場合、第３図に示す
ように、リード１３はＤＢＣ法によって直接絶縁性セラ
ミックス基板１１上に接合される。

なお、カラーブラウン管用電子銃の分圧用抵抗体などに
本発明の厚膜抵抗体を使用する際に、銅のような蒸気圧
の大きい素材をリードとして用いる場合には、クロムの
ような非磁性で蒸気圧が低い材料の被膜を表面に形成し
た後に使用に供することが好ましい。

そして、厚膜抵抗材層１２および絶縁性セラミックス基
板１１表面に図示を省略したガラスなどの絶縁被膜か形
成されて厚膜抵抗体が構成される。

この実施例の厚膜抵抗体においては、厚膜抵抗祠層コ−
２の一方の端部位置１２ａから中間位置１２ｃ、］．　
２　ｄおよび他方の端部位置１２ｂまでのそれそれの距
離によって供給電圧値が決定される。

上記構成の厚膜抵抗体は、たとえば以下のようにして作
製される。

まず、リード１３とセラミックス基板１１との接合を活
性金属法によって行う場合には、まずセラミックス基板
１１上の所定の位置に、接合界面にＴｉ−Ｃｕ−Ａｇろ
うなどのろう月１４を介在させつつリード１３をカーボ
ン治具なとによってセッティングする。次いで、使用し
たろう月１４に応じた条件で、たとえばＴＩＣｕ−Ａｇ
ろうであれば真空中または不活性雰囲気中で７００゜Ｃ
〜９００゜Ｃ程度の温度で加熱し、リード１３とセラミ
ックス基板１１とを接合する。

次に、Ｒｕ０２を主体とするような抵抗体ペーストを、
各リード１３の接合位置上を覆い、かつ所望のパターン
となるように塗布し、たとえば大気中、８００°Ｃ〜１
０００℃の条件で焼成して、厚膜抵抗材層１２を形成す
るとともに、リード１３と厚膜抵抗材層１２との電気的
接続を行う。

この後、厚膜抵抗材層１２か形成されたセラミックス基
板コ−１表面にガラスペーストを塗布し、大気中、４０
０６Ｃ〜７　Ｑ　Ｏ　’Ｃ程度の条件で焼成して絶縁被
膜を形成し、この実施例の厚膜抵抗体が得られる。

また、リード１３として銅部材を使用する場合には、ま
ずリード１３にセラミックス基板１１との接合部位を除
いてクロムメッキなどを施す。次いで、このリード１３
の接合部位をセラミックス基板１１上の所定の位置に、
カーボン治具などによってセッティングする。次いで、
使用した銅部材やセラミックス部材に応じた雰囲気中で
、たとえば酸素を含有する銅であれば不活性雰囲気中で
、また無酸素銅であれば酸素含有雰囲気中で１０６５℃
〜１０８３℃の温度条件で加熱し、リード１３とセラミ
ックス基板１１とを接合し、この後上記製造方法と同様
に厚膜抵抗材層１２および絶縁被膜の形成を行う。

このようにして得られる厚膜抵抗体は、リード１３とセ
ラミックス基板１１間が活性金属含有ろう祠１４あるい
は銅の直接接合によって密着しており、接合界面にコン
デンサーを形成するような空間を生じる恐れがない。ま
た、リード１３と厚膜抵抗祠層１２間においても同様で
ある。またその製造過程において、機械的な力が接合部
に加わることもないため、セラミックス基板の不良発生
も防止され、製造歩留が向上する。

また、上記構成の接合部は、４００゜Ｃ以上の高温下に
おいても安定した特性を示し、またヒートサイクルに対
する耐久性にも優れているため、上記実施例の厚膜抵抗
体をカラーブラウン管用電子銃の分圧用抵抗体として用
いた場合、この電子銃の動作温度に対して安定した特性
を示し、カラーブラウン管の輝度向上などに大きな効果
を示す。

次に、本発明の他の実施例について説明する。

第４図は、本発明の他の実施例の厚膜抵抗体の要部を示
す断面図である。この実施例の厚膜抵抗体は、上述した
実施例と同様な素材からなる絶縁性セラミックス基板２
１に、まず厚膜抵抗材層２２が所望のパターン状に形成
されており、この厚膜抵抗材層２２上の両端部位置およ
び所定の中間位置に、上述した実施例における活性金属
法と同様な活性金属を含むろう材２３によってリード２
４が密着固定されるとともに、電気的に接続されている
。

この実施例の厚膜抵抗体は、たとえば以下のようにして
作製される。

まず、セラミックス基板１１上にＲｕ０２を主体とする
ような抵抗体ペーストを所望のパターンとなるように塗
布し、たとえば大気中、８００°Ｃ〜１０００℃の条件
で焼成して、厚膜抵抗材層２２を形成する。

次に、厚膜抵抗材層２２の所定の位置に、接合界面にＴ
ｔ−Ｃｕ−Ａｇろうなどのろう材２３を介在させつつリ
ード２４をカーボン治具などによってセッティングする
。次いで、使用したろう祠２３に応じた条件で加熱し、
リード２４を厚膜抵抗材層２２に接合するとともに、電
気的に接続する。

この後、厚膜抵抗材層２２が形成されたセラミックス基
板２１表面にガラスペーストを塗布し、焼成して絶縁被
膜を形成し、この実施例の厚膜抵抗体が得られる。

この実施例の厚膜抵抗体においても、前述した実施例と
同様に、厚膜抵抗祠層２２とリード２４間が活性金属含
有ろう材２３よって密着しており、接合界面にコンデン
サーを形成するような空間を生じる恐れがなく、安定し
た動作特性を示す。またその製造過程において、機械的
な力を接合部に加わることもないため、セラミックス基
板の不良発生も防止される。

［発明の効果コ以上説明したように本発明の厚膜抵抗体は、リドと絶縁
性基板あるいは厚膜抵抗材層との間が化学的接合法によ
って密着して接合されているため、接合界面にコンデン
サーを形成するような空間が発生せず、よって安定した
特性を示し、たとえばカラーブラウン管に用いられる分
圧用抵抗体として信頼性の高いものを提供することがで
きる。

また、その製造過程における不良発生率も低下するため
、製造歩留の向上が期待できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の厚膜抵抗体を示す平面図、
第２図は第１図の要部を示す断面図、第３図は第２図の
変形例を示す断面図、第４図は本発明の他の実施例の厚
膜抵抗体の要部を示す断面図、第５図は従来の厚膜抵抗
体を示す斜視図、第６図は第５図の要部を示す断面図で
ある。１１、２１・・・・・・セラミックス基板、１２、２２
・・・・・・厚膜抵抗材層、１３、２４・・・・・・リ
ード、１４、２３・・・・・・活性金属を含むろう材。出願人　　　　　　株式会社　東芝

Claims

【特許請求の範囲】

（１）セラミックス焼結体からなる絶縁性基板と、この
絶縁性基板上に所望のパターン状に形成された厚膜抵抗
材層と、この厚膜抵抗材層の所定の位置に電気的に接続
された複数のリードとを有する厚膜抵抗体において、前記リードが、前記絶縁性基板上または厚膜抵抗材層上
に化学的接合法によって直接接合されていることを特徴
とする厚膜抵抗体。
（２）前記リードは、活性金属法またはダイレクトボン
ディングカッパ法によって前記絶縁性基板上の所定の位
置に接合され、このリードの接合部上に厚膜抵抗材層が
形成されていることを特徴とする請求項１記載の厚膜抵
抗体。
（３）前記リードは、活性金属法によって前記厚膜抵抗
材層上の所定の位置に接合されていることを特徴とする
請求項１記載の厚膜抵抗体。