JP3460308B2 - 含浸型陰極構体の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、含浸型陰極構体の製造
方法に係り、さらに詳しくは、含浸型陰極構体を構成す
る多孔質基体金属と、この底面および側面を覆うカップ
体との接合構造の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】含浸型陰極構体は、高電流密度で動作し
長寿命であるため、衛星搭載用などの進行波管あるいは
高品位映像システム用ブラウン管、撮像管などに用いら
れる電子銃のカソードとしてよく用いられている。

【０００３】含浸型陰極構体は、たとえば空孔率２０％
の多孔質基体金属に、電子放射物質を含浸させ、その多
孔質基体金属をカップ体に接合し、このカップ体を陰極
スリーブに接合して形成される。陰極スリーブ内には、
電子放射物質が含浸された多孔質基体金属を加熱するヒ
ータが装着される。

【０００４】この含浸型陰極構体を作成する方法とし
て、従来では、次の方法が用いられている。第１の方法
は、抵抗溶接による方法である。この第１の方法では、
図６に示すように、多孔質タングステン（Ｗ）ペレット
で構成される多孔質基体金属２を、タンタル（Ｔａ）製
カップ体４内に入れ、それをＴａ製スリーブ６の上端内
部に嵌合させ、スリーブ６の上端外周を全周かしめなが
ら同時に抵抗溶接し、陰極構体１ａを作成する。なお、
Ｔａ製カップ体４の内部に多孔質基体金属２を収容した
段階で、カップ体４の底で抵抗溶接し、その後、カップ
体４とスリーブとを抵抗溶接する場合もある。

【０００５】第２の方法は、ロウ付けによる方法であ
る。この第２の方法では、図７に示すように、多孔質タ
ングステン（Ｗ）ペレットで構成される多孔質基体金属
２を、タンタル（Ｔａ）製カップ体４内に入れ、これら
の間をＲｕ−Ｍｏ製ロウ材８で真空加熱ロウ付けする
（特開平６−６８７８８号参照）。その後、Ｔａ製カッ
プ体４とＴａ製スリーブ６とを抵抗あるいはレーザー溶
接する。

【０００６】第３の方法は、レーザ溶接による方法であ
る。多孔質Ｗペレットで構成される多孔質基体金属２に
電子放射物質を含浸後、これを、タンタル（Ｔａ）製カ
ップ体４内に入れ、それをＴａ製スリーブ６の上端内部
に嵌合させ、スリーブ６の上端外周をレーザ溶接し、陰
極構体１ａを作成する。なお、Ｔａ製カップ体４の内部
に多孔質基体金属２を収容した段階で、カップ体４の底
でレーザ溶接し、その後、カップ体４とスリーブとをレ
ーザ溶接する場合もある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの従
来の方法では、次に示す課題をそれぞれ有している。ま
ず、前記第１の抵抗溶接方法では、特に多孔質基体金属
２とカップ体４ととの固着強度が弱いため、陰極温度の
経年変動が大きくなる。また、その変動によって、カッ
トオフ電圧が変化する。さらに、抵抗溶接方法では、ス
リーブ６の全周をカシメながら複数点にわたり抵抗溶接
するので、作業時間が大幅にかかる。さらに、抵抗溶接
用電極棒の定期交換が必要であり、製造コストがかか
る。

【０００８】また、第２のロウ材を用いた方法では、Ｒ
ｕ−Ｍｏ製ロウ材の材料費が高く、製造コストが増大す
るなどの課題を有していてる。さらに、第３のレーザ溶
接方法では、レーザの出力調節が難しく、多孔質基体金
属に含浸してある電子放射物質とレーザーが激しく反応
（電子放射物質が気化）して、カップ体に穴があいてし
まう場合がある。そこで、電子放出物質を多孔質基体金
属に含浸前に、多孔質基体金属とカップ体とを溶接する
ことも考えられるが、溶接後に電子放射物質を基体金属
に含浸させる際に、Ｔａ製カップ体が酸化し、カップ体
が脆くなり、その機械的強度が低下してしまう。そこ
で、カップ体をＭｏ製にすることも考えられるが、その
場合には、レーザ溶接部のナゲットが脆くなり、レーザ
溶接が困難である。

【０００９】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、多孔質基体金属とカップ体とを強固に接合すること
ができ、カソード温度の経時変化を抑制し、カットオフ
電圧の変化が少なく、しかも材料費が安価であり、製造
コストを低減することができる含浸型陰極構体の製造方
法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る含浸型陰極構体の製造方法は、多孔質
基体金属の底面に、多孔質基体金属の外径の１０〜１０
０％の外径の箔状チップ体をレーザ光で溶着する工程
と、この箔状チップ体が溶着された多孔質基体金属を、
多孔質基体金属の底面および側面を覆うように、カップ
体内に収容し、この箔状チップ体を介して前記カップ体
と多孔質基体金属とを溶接する工程とを有する。

【００１１】前記箔状チップ体を多孔質基体金属の底面
に溶着する前または後に、前記多孔質基体金属に電子放
射物質を含浸させる。前記箔状チップ体の厚さが１０〜
１００μm であることが好ましい。前記多孔質基体金属
の底面に、箔状チップ体を構成するための金属箔を当
て、この金属箔の裏側から、所定範囲部分にレーザ光を
照射し、レーザ光が照射されて形成されたナゲット部分
から、金属箔を分離することにより、前記箔状チップ体
を多孔質基体金属の底面に溶着することが好ましい。

【００１２】前記多孔質基体金属の外径の１０〜１００
％の外径を持つ箔状チップ体を予め形成し、この箔状チ
ップ体を、前記多孔質基体金属の底面に当て、この箔状
チップ体の裏側から、所定範囲部分にレーザ光を照射す
ることにより、前記箔状チップ体を多孔質基体金属の底
面に溶着することもできる。

【００１３】

【作用】本発明では、多孔質基体金属の底面に箔状チッ
プ体を溶着する。この溶着は、たとえばペレット状の多
孔質タングステン焼結体から成る基体金属の底面に、板
厚がたとえば１５〜１００μm のモリブデン（Ｍｏ）製
金属箔を当て、この箔状チップ体の裏側から、たとえば
基体金属の径に対して１０％〜１００％の径（φ０．１
〜１．１５mm）の範囲にレーザ光を照射することにより
行う。このレーザ光の照射により、ナゲットの部分で、
金属箔から容易に分離され、分離された部分が箔状チッ
プ体となり、基体金属の底面に溶着する。金属箔からの
箔状チップ体の分離は、金属箔にレーザ光を照射した
後、基体金属を金属箔から剥すのみでよい。レーザ光照
射によるナゲット部分で、箔状チップ体は、金属箔から
容易に切り取られる。すなわち、レーザ光の照射部分の
径が、箔状チップ体の径に相当する。この径は、レーザ
照射装置の条件、たとえば光ファイバー径、レンズ条
件、フィルター条件、フォーカス条件などに応じて制御
できる。また、小さく絞ったレーザビームを螺旋状にス
キャンさせることなどして、レーザ光の照射範囲の径を
変化させることもできる。

【００１４】切り取られた箔状チップ体は、レーザ光照
射時に溶融され、この箔状チップ体を構成する成分が、
多孔質基体金属の底面空隙部に、基体金属の厚さに対し
て０．１〜１０％の深さ（たとえば０．０１〜２０μm
、好ましくは１０μm 前後）まで入り込んでいる。そ
の結果、この箔状チップ体は、多孔質基体金属に強固に
接合している。

【００１５】なお、本発明では、金属箔にレーザ光を照
射して箔状チップ体を多孔質基体金属の底面に打ち抜き
溶着する方法以外に、予め所定の大きさの箔状チップ体
を準備し、それを多孔質基体金属の底面に当て、この箔
状チップ体の裏側から、所定範囲部分にレーザ光を照射
する方法を採用することもできる。

【００１６】また、多孔質基体金属の底面に溶着する箔
状チップ体は、単一に限定されず、複数でも良い。金属
箔から箔状チップ体を溶着させる場合には、レーザ光の
ショット部分を複数にすることで、複数の箔状チップ体
を基体金属の底面に溶着することができる。ただし、基
体金属の底面に溶着される箔状チップ体は、箔状チップ
体の大きさにもよるが、単一または２個で十分な接合強
度を得ることができる。また、箔状チップ体の形成数
は、少ない方が、工数の増加が少なく好ましい。

【００１７】箔状チップ体を多孔質基体金属の底面に溶
着する前または後に、前記多孔質基体金属に電子放射物
質を含浸させる。箔状チップ体が溶着された基体金属
を、カップ体内に収容し、カップ体の底面から抵抗溶接
あるいはレーザ溶接を行えば、箔状チップ体を介して基
体金属とカップ体とは強固に溶接される。

【００１８】基体金属とカップ体との接合を抵抗溶接で
行う場合には、箔状チップ体は、比較的小さいことが好
ましい。抵抗溶接を良好に行うためである。ただし、箔
状チップ体が余りに小さいと、溶接強度が低下すること
から好ましくない。このような観点からは、箔状チップ
体の径は、基体金属の径の約１７％程度（約０．２mm）
の径であることが好ましい。

【００１９】基体金属とカップ体との接合をレーザ溶接
で行う場合には、箔状チップ体は、前記抵抗溶接の場合
に比較して比較的大きいことが好ましい。カップ体の底
面で、レーザ光の照射位置と、箔状チップ体の存在位置
との位置合わせを容易にし、レーザ溶接を良好に行うた
めである。このような観点からは、箔状チップ体の径
は、基体金属の径の約７０％程度（約０．８mm）の径で
あることが好ましい。

【００２０】なお、本発明において、基体金属とカップ
体との接合は、レーザ溶接である方が、電極棒の付着の
問題がなく、工程が容易であるため、好ましい。本発明
に係る含浸型陰極構体とその製造方法では、多孔質基体
金属とカップ体との十分な固着強度が得られ、陰極温度
の経年変動が極めて小さくなり、カットオフ電圧の変化
が少なくなる。また従来の抵抗溶接に比べ、タクトは減
少し、ロウ付き方法に比べ、材料費が安くなり、大幅な
コストダウンとなる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明に係る含浸型陰極構体の製造方
法を、図面に示す実施例に基づき、詳細に説明する。ま
ず、陰極線管（ＣＲＴ）およびそれに用いる陰極構体の
全体構成について説明する。

【００２２】図４に示すように、ＣＲＴ２０は、パネル
ガラス２２と、ファンネルガラス２４とを有し、これら
がフリットガラス２６で融着され、内部が高真空に維持
されている。ファンネルガラス２４のネック部２８に、
電子銃３０が内蔵してある。パネルガラス２２の内面に
は、蛍光面３２が形成してあり、その背面にアパーチャ
グリル３４が装着してある。また、ネック部２８の外周
には、偏向ヨーク３６が装着してあり、電子銃３０から
放出・制御・加速・集束された３本の電子ビームは、偏
向ヨーク３６によって偏向されることにより、蛍光面３
２の全面を走査するようになっている。

【００２３】電子銃３０は、たとえば図５に示す陰極構
体（カソード）組立体４０と、グリッド群（図示省略）
とで構成される。本実施例の陰極構体組立体４０は、三
本の含浸型陰極構体４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂを有する。
各陰極構体４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂには、その先端部
に、加熱されることにより熱電子を発生する電子放射物
質を有する多孔質基体金属（ＢＭ）４６が装着してあ
る。各含浸型陰極構体４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂは、スリ
ーブ４５の先端に、後述する方法で基体金属４６が溶接
されることにより製造される。

【００２４】各陰極構体４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂは、絶
縁性ディスク４８に形成された三つの開口部５０内をそ
れぞれ挿通するように配置される。絶縁性ディスク４８
は、たとえばセラミック製ディスクで構成される。セラ
ミックとしては、たとえばフォルステライト、ステアタ
イト、アルミナなどを用いることができる。

【００２５】各陰極構体４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの後端
側外周には、金属細線をＶ字形状に曲折してある一対の
Ｖタブ５２，５４の一端がそれぞれ溶接してある。Ｖタ
ブ５２，５４の他端は、それぞれ絶縁性ディスク４８の
背面に固定してある三対の金属ピン５６，５８に対して
溶接などで接続してある。金属ピン５６，５８は、絶縁
性ディスク４８に対してガラスなどにより融着固定して
ある。三対の金属ピン５６，５８から、それぞれ赤
（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の信号が入力される。

【００２６】絶縁性ディスク４８の背面には、金属ピン
５６，５８以外に、一対のヒータレスト６０，６０を固
定するための４本のヒータレスト固定用金属ピン６２
が、上記金属ピン５６，５８と同様な手段で融着固定し
てある。これら金属ピン６２に対して、ヒータレスト６
０，６０が溶接されることにより、ヒータレスト６０，
６０は、絶縁性ディスク４８に対して固定される。ヒー
タレスト６０，６０には、各陰極構体４４Ｒ，４４Ｇ，
４４Ｂの内部に装着されたヒータ６４（図１参照）の電
源端子がそれぞれ接続される。すなわち、このヒータレ
スト６０，６０に対して、所定の電圧を印加すること
で、各陰極構体４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂの内部に装着さ
れたヒータ６４が加熱される。

【００２７】次に、各含浸型陰極構体について説明す
る。カラー陰極線管の場合には、一本の電子銃につい
て、陰極構体は、Ｒ，Ｇ，Ｂ用に三本準備される。各陰
極構体は、同一構成なので、以下の説明では、一本の含
浸型陰極構体４４について説明する。

【００２８】図１に示すように、本実施例に係る含浸型
陰極構体４４は、電子放射物質が含浸してある多孔質基
体金属４６を有する。多孔質基体金属４６としては、た
とえば直径１．１５mm、厚さ０．４mm、空孔率約２０％
の多孔質Ｗ基体から成るカソードペレットが用いられ
る。電子放射物質としては、たとえばモル比で４：１：
１のＢａＯ、ＣａＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ から成る電子放射物質
が用いられる。

【００２９】この多孔質基体金属４６は、その表面が露
出するように、しかもその底面および側面を覆うよう
に、カップ体６６に収容してある。多孔質基体金属４６
とカップ体６６とは、多孔質基体金属４６の底部に予め
溶着された高融点金属含有箔状チップ体６８を介して接
合してある。

【００３０】カップ体６６は、たとえばタンタル（Ｔ
ａ）で構成される。箔状チップ体６８は、後述する方法
により作製され、たとえばモリブデン（Ｍｏ）で構成さ
れる。多孔質基体金属４６が収容されたカップ体６６
は、スリーブ４５の上端部に、抵抗溶接あるいはレーザ
溶接してある。カップ体６６の底面側に位置するスリー
ブ４５の内部には、ヒータ６４が装着してある。ヒータ
６４は、たとえば純タングステン線、あるいはタングス
テンに２〜３％のレニウム（Ｒｅ）をドープしたタング
ステン合金線などの電熱線で構成される。

【００３１】次に、本実施例に係る含浸型陰極構体４４
の製造方法について説明する。まず、図２（Ａ）に示す
ように、直径１．１５mm、厚さ０．４mm、空孔率約２０
％の多孔質Ｗ基体からなるカソードペレット（基体金属
４６）に、厚さ４５μm のＭｏ製金属箔６８ａを置き、
基体金属４６の底面の範囲内で、レーザ光を金属箔６８
ａの裏面に、１点あるいは複数点照射する。その時のレ
ーザ照射条件は、たとえば光ファイバ径０．２mm、電圧
４５０ｖ、パルス幅０．５ms、パワー約０．２５Ｊ／
Ｐ、ジャストフォーカス（Just focus）、真上からの照
射である。レーザ照射は、Ｗ、Ｍｏの酸化防止に、Ａｒ
またはＮ₂ などの不活性ガスを吹き付けながら行うこと
が好ましい。

【００３２】このようなレーザ光の照射により、図２
（Ｂ）に示すように、ナゲットの部分で、金属箔６８ａ
から容易に分離され、分離された部分が箔状チップ体６
８となり、基体金属４６の底面に溶着する。金属箔６８
ａからの箔状チップ体６８の分離は、金属箔６８ａにレ
ーザ光を照射した後、基体金属４６を金属箔６８ａから
剥すのみでよい。レーザ光照射によるナゲット部分で、
箔状チップ体６８は、金属箔６８ａから容易に切り取ら
れる。すなわち、図２（Ａ１）に示すように、レーザビ
ーム７０ａの径ｄが、箔状チップ体６８の径（φ０．２
〜０．８mmの大きさ）に相当する。この径は、レーザ照
射装置の条件、たとえば光ファイバー径、レンズ条件、
フィルター条件、フォーカス条件などに応じて制御でき
る。また、図２（Ａ２）で示すように、小さく絞ったレ
ーザビーム７０ｂを螺旋状にスキャンさせることなどし
て、レーザ光の照射範囲の径ｄを変化させることもでき
る。

【００３３】切り取られた箔状チップ体６８は、レーザ
光照射時に溶融され、この箔状チップ体６８を構成する
成分が、多孔質基体金属４６の底面空隙部に、基体金属
４６の厚さｔに対して０．１〜１０％の深さ（たとえば
０．０１〜２０μm 、好ましくは１０μm 前後）まで入
り込んでいる。その結果、この箔状チップ体６８は、多
孔質基体金属４６に強固に接合している。

【００３４】なお、金属箔６８ａにレーザ光を照射して
箔状チップ体６８を多孔質基体金属４６の底面に打ち抜
き溶着する方法以外に、予め所定の大きさの箔状チップ
体６８を準備し、それを多孔質基体金属４６の底面に当
て、この箔状チップ体６８の裏側から、所定範囲部分に
レーザ光を照射する方法を採用することもできる。

【００３５】また、多孔質基体金属４６の底面に溶着す
る箔状チップ体６８は、単一に限定されず、複数でも良
い。金属箔６８ａから箔状チップ体６８を溶着させる場
合には、レーザ光のショット部分を複数にすることで、
複数の箔状チップ体６８を基体金属４６の底面に溶着す
ることができる。ただし、基体金属４６の底面に溶着さ
れる箔状チップ体６８は、箔状チップ体６８の大きさに
もよるが、単一または２個で十分な接合強度を得ること
ができる。また、箔状チップ体６８の形成数は、少ない
方が、工数の増加が少なく好ましい。

【００３６】次に、カソードペレットから成る多孔質基
体金属４６の空孔に、モル比で４：１：１のＢａＯ、Ｃ
ａＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ から成る電子放射物質を、真空中で１
８００℃、３分間含浸させた後、基体金属４６の周囲に
付着している余分な電子放射物質を除去する目的で、水
で５分間、アセトンで５分間、超音波洗浄を行い、１８
００℃、５分間、真空中で乾燥アニールを行う。

【００３７】このように多孔質基体金属４６にＭｏ製箔
状チップ体６８をレーザー溶着し、基体金属４６に電子
放射物質を含浸させた後、図２（Ｃ）に示すように、基
体金属４６を、厚さ３０μm のＴａ製カップ体６６内に
収容し、カップ体６６の底面から抵抗溶接あるいはレー
ザ溶接を行えば、箔状チップ体６８を介して基体金属４
６とカップ体６６とは強固に溶接される。

【００３８】その後、図２（Ｄ）に示すように、たとえ
ば直径１．２５mm、長さ７．５mm、厚さ２０μm のＴａ
製スリーブ４の上端部に、基体金属付カップ体６６を嵌
合し、スリーブ４５の上端部外周から数点（たとえば６
点）でレーザ照射を行い、スリーブ４５とカップ体６６
と基体金属４６とをレーザ溶接により固着する。その
後、図１に示すように、Ｔａ製スリーブ４５内に加熱ヒ
ータ６４を配設する。

【００３９】このようにして作成された陰極構体４４
は、たとえば図５に示すように（図５では、陰極構体４
４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）、組み合わされ、陰極構体組立
体４０となり、図４に示す電子銃３０の一部となる。上
記の本発明の一実施例に係る方法により得られた含浸型
陰極構体４４と、従来のかしめ抵抗溶接により得られた
含浸型陰極とを、たとえば図４に示すＣＲＴ２０にそれ
ぞれにセットし、陰極温度の経時変化を比較した。結果
を図３に示す。従来例に係る陰極構体では、溶接が不確
かなため、カットオフ電圧が変化し、カップ体から基体
金属への熱伝導が低下するため、図３に示すように、陰
極温度が３，０００時間で約５０°Ｃ程度変動したが、
本実施例のものは、溶接が確実であるため、カットオフ
電圧の変動が少なくなり、図３に示すように、陰極温度
は、ほとんど変動しない。

【００４０】また、本発明の一実施例に係る方法により
得られた含浸型陰極構体を、１，３００℃（カソードの
活性化中の最高温度１，１８０℃より約１００℃高い温
度）で１時間、真空中で加熱後、Ｔａ製カップ体を機械
的に剥す強度試験を行ったところ、Ｔａ製カップ体６６
がちぎれてＭｏ製箔状チップ体６８上に残るか、タング
ステン製基体金属４６が、約１０μm の深さから削り取
れるかのいずれかであった。すなわち、カップ体６６と
基体金属４６とは、十分な固着強度で接合してあること
が確認された。

【００４１】これに対し、従来の抵抗溶接による方法で
得られた含浸型陰極構体で、同様な強度試験を行ったと
ころ、基体金属とカップ体とは容易に分離され、カップ
体の内壁に、タングステン製基体金属のかすが斑に付着
するのみであった。従来のロウ付け方法の場合、陰極温
度の経時変動はほとんどなく、十分な固着強度をもって
いるが、Ｒｕ−Ｍｏロウ材の材料費が高いという欠点が
ある。

【００４２】しかし、本実施例の方法では、材料費は安
くて済む。また、従来のかしめ抵抗溶接の場合、スリー
ブ組立までのタクトが１．３分かかっていたが、本実施
例の方法では、その半分以下のタクトになる。このよう
に本実施例の方法では、従来方法に比べ、かなりのコス
トダウンになる。

【００４３】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変するこ
とができる。たとえば、上記実施例では、電子放射物質
の含浸前に、多孔質基体金属の底面に箔状チップ体を溶
着させたが、本発明では、含浸後に、Ｍｏ製箔状チップ
体６８を多孔質基体金属４６にレーザ溶接着しても良
い。

【００４４】また、本発明では、非接触方式で溶接する
ためのエネルギー線としては、レーザ以外のエネルギー
線を用いることも可能である。さらに、箔状チップ体６
８を構成する材質は、Ｍｏに限らず、カップ体６６およ
び基体金属４６の融点よりも低く、陰極の定格温度より
高い融点をもつＭｏ−Ｒｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ等の高融
点金属またはこれらを含有する合金でも良い。

【００４５】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
含浸型陰極構体の製造方法によれば、多孔質基体金属と
カップ体との十分な固着強度が得られ、陰極温度の経年
変動が極めて小さくなり、カットオフ電圧の変化が少な
くなる。また、従来の抵抗溶接に比べ、タクトは減少
し、ロウ付き方法に比べ、材料費が安くなり、大幅なコ
ストダウンとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の一実施例に係るカソード基体の
概略断面図である。

【図２】図２（Ａ）〜（Ｄ）は図１に示すカソード基体
の製造過程を示す概略断面図、図２（Ａ１）および（Ａ
２）はレーザビームの照射範囲を示す図である。

【図３】図３は本発明の実施例に係る陰極構体における
陰極温度の経時変化を示すグラフである。

【図４】図４はＣＲＴの説明図である。

【図５】図５（Ａ），（Ｂ）は陰極構体組立体の半断面
側面図および底面図である。

【図６】図６は従来例に係る陰極構体の概略断面図であ
る。

【図７】図７はその他の従来例に係る陰極構体の概略断
面図である。

【符号の説明】

４４… 陰極構体 ４５… スリーブ ４６… 多孔質カソード基体 ６６… カップ体 ６８… 箔状チップ体 ６８ａ… 金属箔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 児玉 健 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−235123（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−264019（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−155139（ＪＰ，Ａ) 実開 昭51−145846（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 9/04 H01J 1/28 H01J 29/04

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 多孔質基体金属の底面に、多孔質基体金
   属の外径の１０〜１００％の外径の箔状チップ体をレー
   ザ光で溶着する工程と、 この箔状チップ体が溶着された多孔質基体金属を、多孔
   質基体金属の底面および側面を覆うように、カップ体内
   に収容し、この箔状チップ体を介して前記カップ体と多
   孔質基体金属とを溶接する工程とを有する含浸型陰極構
   体の製造方法。
2. 【請求項２】 前記箔状チップ体の厚さが１０〜１００
   μm である請求項１に記載の含浸型陰極構体の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記箔状チップ体を多孔質基体金属の底
   面に溶着する前または後に、前記多孔質基体金属に電子
   放射物質を含浸させる請求項１または２に記載の含浸型
   陰極構体の製造方法。
4. 【請求項４】 前記多孔質基体金属の底面に、箔状チッ
   プ体を構成するための金属箔を当て、この金属箔の裏側
   から、所定範囲部分にレーザ光を照射し、レーザ光が照
   射されて形成されたナゲット部分から、金属箔を分離す
   ることにより、前記箔状チップ体を多孔質基体金属の底
   面に溶着する請求項１〜３のいずれかに記載の含浸型陰
   極構体の製造方法。
5. 【請求項５】 前記多孔質基体金属の外径の１０〜１０
   ０％の外径を持つ箔状チップ体を予め形成し、この箔状
   チップ体を、前記多孔質基体金属の底面に当て、この箔
   状チップ体の裏側から、所定範囲部分にレーザ光を照射
   することにより、前記箔状チップ体を多孔質基体金属の
   底面に溶着する請求項１〜３のいずれかに記載の含浸型
   陰極構体の製造方法。