JPH02237053A - 半導体チップの実装方法 - Google Patents
半導体チップの実装方法Info
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- JPH02237053A JPH02237053A JP5691889A JP5691889A JPH02237053A JP H02237053 A JPH02237053 A JP H02237053A JP 5691889 A JP5691889 A JP 5691889A JP 5691889 A JP5691889 A JP 5691889A JP H02237053 A JPH02237053 A JP H02237053A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体チップの実装方法に関し、
半導体チップ相互の電磁気的の干渉がなく、且つボンデ
ング作業が容易な、半導体チ・ンプの実装方法を提供す
ることを目的とし、 半導体チップを実装した誘電体基板を、金属ケースに収
容封止するよう構成した半導体装置において、磁性損材
料よりなる上部が開口した箱形の電波吸収体パッケージ
に、該半導体チップをマウントし、該電波吸収体パッケ
ージを該誘電体基板の凹部に埋設した後に、該半導体チ
ップの電極に接続した、金属線又はテープキャリアのリ
ードの端末を、該誘電体基板の表面に形成した対応する
パターンにそれぞれボンデングし、次に該電波吸収体パ
ッケージの上部に、磁性損材料よりなる電波吸収体キャ
ップを冠着する構成とする。
ング作業が容易な、半導体チ・ンプの実装方法を提供す
ることを目的とし、 半導体チップを実装した誘電体基板を、金属ケースに収
容封止するよう構成した半導体装置において、磁性損材
料よりなる上部が開口した箱形の電波吸収体パッケージ
に、該半導体チップをマウントし、該電波吸収体パッケ
ージを該誘電体基板の凹部に埋設した後に、該半導体チ
ップの電極に接続した、金属線又はテープキャリアのリ
ードの端末を、該誘電体基板の表面に形成した対応する
パターンにそれぞれボンデングし、次に該電波吸収体パ
ッケージの上部に、磁性損材料よりなる電波吸収体キャ
ップを冠着する構成とする。
本発明はく半導体チップの実装方法に関する。
近年は、誘電体基板に１個或いは複数の半導体チップを
実装して、所望の回路を構成した半導体装置が広く使用
されているが、回路の高周波化に伴い、信号の漏話防止
、発振阻止等の処置を施すことが要求されている。
実装して、所望の回路を構成した半導体装置が広く使用
されているが、回路の高周波化に伴い、信号の漏話防止
、発振阻止等の処置を施すことが要求されている。
第３図は従来の半導体チップの実装方法を示す断面図で
あって、３は、表面に所望の回路（図示省略）とパター
ン８を膜形成した、例えばセラミックス等よりなる誘電
体基板であって、裏面の全面にメタライズ層（図示省略
）を形成してある。
あって、３は、表面に所望の回路（図示省略）とパター
ン８を膜形成した、例えばセラミックス等よりなる誘電
体基板であって、裏面の全面にメタライズ層（図示省略
）を形成してある。
それぞれの底面を誘電体基板３の表面に密着させて、複
数の半導体チップ５を、誘電体碁板３の表面の所望の位
置に配置し、接着剤２２を用いてマウントしてある。
数の半導体チップ５を、誘電体碁板３の表面の所望の位
置に配置し、接着剤２２を用いてマウントしてある。
そして、半導体チップ５の表面に配列した電極と、誘電
体基板３の表面に配列した対応するパターン８とを、例
えば金等の金属線６をボンデングして接続している． 一方、１は、膨張係数が誘電体基板３の膨張係数に近い
金属，例えば鉄・コバルト・ニッケル合金よりなる、上
部が開口した浅い箱形の金属ケースであって、金属ケー
ス１の側壁には、半導体装置の入出力端子としてのガラ
ス封止端子７を装着してある。
体基板３の表面に配列した対応するパターン８とを、例
えば金等の金属線６をボンデングして接続している． 一方、１は、膨張係数が誘電体基板３の膨張係数に近い
金属，例えば鉄・コバルト・ニッケル合金よりなる、上
部が開口した浅い箱形の金属ケースであって、金属ケー
ス１の側壁には、半導体装置の入出力端子としてのガラ
ス封止端子７を装着してある。
そして、誘電体基板３の裏面を金属ケース１の底坂部材
の内面に、導電性接着剤２１で密着することで、誘電体
基板３を金属ケース１内に収容固着した後に、ガラス封
止端子７と入出力パターンとを半田接着，或いは金リボ
ン接続等して接続している。
の内面に、導電性接着剤２１で密着することで、誘電体
基板３を金属ケース１内に収容固着した後に、ガラス封
止端子７と入出力パターンとを半田接着，或いは金リボ
ン接続等して接続している。
その後、金属ケースと同材料よりなる蓋２を、金属ケー
スｌに装着して金属ケースの開口を塞いでいる。
スｌに装着して金属ケースの開口を塞いでいる。
上述のように、半導体チップ５を含めた誘電体基板３の
表面に形成した高周波回路を、金属ケース１に封止する
ことで、半導体装置外への電磁波の放射を防止するとと
もに、外部から電磁波が侵入して雑音が発生するのを阻
止している。
表面に形成した高周波回路を、金属ケース１に封止する
ことで、半導体装置外への電磁波の放射を防止するとと
もに、外部から電磁波が侵入して雑音が発生するのを阻
止している。
しかしながら従来は、金属ケース内に複数の半導体チッ
プを実装してあるので、半導体チップ相互の電磁気的の
干渉により、信号の漏話、或いは発振が発生する恐れが
あった． また、誘電体基板３の表面と、半導体チップ５の表面に
段差があるので、ポンデング作業が困難であるという問
題点があった。
プを実装してあるので、半導体チップ相互の電磁気的の
干渉により、信号の漏話、或いは発振が発生する恐れが
あった． また、誘電体基板３の表面と、半導体チップ５の表面に
段差があるので、ポンデング作業が困難であるという問
題点があった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、半導
体チップ相互の電磁気的の干渉がなく、且つボンデング
作業が容易な、半導体チップの実装方法を提供すること
を目的としている．〔課題を解決するための手段〕 上記の目的を達成するために本発明は、第１図に例示し
たように、半導体チップ５を実装した誘電体基板３を、
金属ケース１に収容封止した半導体装置において、磁性
損材料よりなる上部が開口した箱形の電波吸収体パッケ
ージ１０に、半導体チップ５をマウントし、電波吸収体
パッケージ１０を誘電体基板３に設けたテープキャリア
２０に埋設固着する。
体チップ相互の電磁気的の干渉がなく、且つボンデング
作業が容易な、半導体チップの実装方法を提供すること
を目的としている．〔課題を解決するための手段〕 上記の目的を達成するために本発明は、第１図に例示し
たように、半導体チップ５を実装した誘電体基板３を、
金属ケース１に収容封止した半導体装置において、磁性
損材料よりなる上部が開口した箱形の電波吸収体パッケ
ージ１０に、半導体チップ５をマウントし、電波吸収体
パッケージ１０を誘電体基板３に設けたテープキャリア
２０に埋設固着する。
その後、半導体チップ５の電極に接続した、金属線６（
第１図参照）．又はテープキャリア２５のリ一ド２７（
第２図参照）の端末を、誘電体基板３の表面に形成した
対応するパターン８にそれぞれボンデングする。
第１図参照）．又はテープキャリア２５のリ一ド２７（
第２図参照）の端末を、誘電体基板３の表面に形成した
対応するパターン８にそれぞれボンデングする。
次に電波吸収体パッケージ１０の上部に、磁性損材料よ
りなる電波吸収体キャップ１５を冠着するものとする。
りなる電波吸収体キャップ１５を冠着するものとする。
上述のように半導体チップ５を、電波吸収体パッケージ
１０内に収容してマウントし、電極とパターンとを接続
後に、電波吸収体パッケージ１０の開口側に、電波吸収
体キャップ１５を冠着している。
１０内に収容してマウントし、電極とパターンとを接続
後に、電波吸収体パッケージ１０の開口側に、電波吸収
体キャップ１５を冠着している。
したがって、半導体チップ５は電磁気的にシールドされ
、隣接した半導体チップ相互間，或いは誘電体基板３に
形成した他の回路との間で、電磁気的に干渉することが
殆どない． また、電波吸収体パッケージ１０を誘電体基板３の凹部
２０に埋設装着するようにしているので、誘電体基板３
の表面と半導体チップ５の表面をほぼ同一平面にするこ
とができる。さらに、半導体チップ５の上方が開口した
状態で、金属線６，或いはテープキャリア２５のリード
２７をパターン８にボンデングしている。
、隣接した半導体チップ相互間，或いは誘電体基板３に
形成した他の回路との間で、電磁気的に干渉することが
殆どない． また、電波吸収体パッケージ１０を誘電体基板３の凹部
２０に埋設装着するようにしているので、誘電体基板３
の表面と半導体チップ５の表面をほぼ同一平面にするこ
とができる。さらに、半導体チップ５の上方が開口した
状態で、金属線６，或いはテープキャリア２５のリード
２７をパターン８にボンデングしている。
したがって、ボンデング作業が容易である。
以下図を参照しながら、本発明を具体的に説明する。な
お、全図をｉ［１して同一符号は同一対象物を示す。
お、全図をｉ［１して同一符号は同一対象物を示す。
第１図は本発明の実施例の図で、（ａ）は断面図，（ｂ
）は要部を分離した形で示す斜視図、第２図は本発明の
他の実施例の断面図である。
）は要部を分離した形で示す斜視図、第２図は本発明の
他の実施例の断面図である。
第１図において、表面に所望の回路（図示省略）とパタ
ーン８を膜形成した、例えばセラミックス等よりなる誘
電体基板３には、裏面の全面にメタライズ層（図示省略
）を形成してある．そして誘電体基板３には、半導体チ
ップ５を配置すべき所望の位置に、半導体チップ５の平
面視形状，及び高さよりもそれぞれ所望に大きい、平面
視形状．深さの角形の凹部２０を設けてある。
ーン８を膜形成した、例えばセラミックス等よりなる誘
電体基板３には、裏面の全面にメタライズ層（図示省略
）を形成してある．そして誘電体基板３には、半導体チ
ップ５を配置すべき所望の位置に、半導体チップ５の平
面視形状，及び高さよりもそれぞれ所望に大きい、平面
視形状．深さの角形の凹部２０を設けてある。
側壁に半導体装置の入出力端子としてのガラス封止端子
７を装着した、上部が開口した浅い箱形の金属ケース１
に誘電体基板３を収容し、誘電体基板３の裏面を導電性
接着剤２１を用いて金属ケース１の底仮部材の内面に固
着してある。
７を装着した、上部が開口した浅い箱形の金属ケース１
に誘電体基板３を収容し、誘電体基板３の裏面を導電性
接着剤２１を用いて金属ケース１の底仮部材の内面に固
着してある。
また、ガラス封止端子７と誘電体基板３の入出力パター
ンとを半田接着，或いは金リボン接続等して接続してい
る。
ンとを半田接着，或いは金リボン接続等して接続してい
る。
１０は、磁性損材料，例えばフエライトよりなる上部が
開口した箱形の電波吸収体パッケージであって、半導体
チップ５がしっくりと挿入されるような凹部を有し、そ
の凹部は、半導体チップ５の底面を接着剤２２で底部材
の内面に密着しマウントした状態で、半導体チップ５の
表面がパッケージ側壁１１の上面よりわずかに突出する
ような深さである。
開口した箱形の電波吸収体パッケージであって、半導体
チップ５がしっくりと挿入されるような凹部を有し、そ
の凹部は、半導体チップ５の底面を接着剤２２で底部材
の内面に密着しマウントした状態で、半導体チップ５の
表面がパッケージ側壁１１の上面よりわずかに突出する
ような深さである。
また、電波吸収体パッケージ１０の外形寸法は、凹部２
０にしっ《りと挿入されるような寸法で、底面を接着剤
２３で凹部２０の底面に密着した状態でパッケージ側壁
１１の上面が、誘電体基板３の表面よりわずかに低い高
さである． 一方、電波吸収体パッケージ１０の上部の４隅には、角
形の間隔柱１２が上方に突出するように設けてある。
０にしっ《りと挿入されるような寸法で、底面を接着剤
２３で凹部２０の底面に密着した状態でパッケージ側壁
１１の上面が、誘電体基板３の表面よりわずかに低い高
さである． 一方、電波吸収体パッケージ１０の上部の４隅には、角
形の間隔柱１２が上方に突出するように設けてある。
１５は、磁性損材料，例えばフエライトよりなる下部が
開口した浅い箱形の電波吸収体キャップ１５である．電
波吸収体キャップ１５の主板部材の内面を、間隔柱１２
の上端面に当接し接着することで、電波吸収体キャップ
１５を電波吸収体パッケージ１０に冠着するようになっ
ている． なお、電波吸収体キャップ１５を電波吸収体バッケージ
１０に冠着した状態で、パッケージ側壁ｌ１の上面と、
電波吸収体キャップ１５の枠部材の下面との間には、金
属ｗＡ６を配線する間隙があるものとする． 上述のように構成した電波吸収体パッケージ１０に、半
導体チ７ブ５をマウントした後に、電波吸収体パッケー
ジ１０を誘電体基板３の凹部２０に嵌入し、接着剤２３
を用いて電波吸収体パッケージ１０を、凹部２０内に固
着する。
開口した浅い箱形の電波吸収体キャップ１５である．電
波吸収体キャップ１５の主板部材の内面を、間隔柱１２
の上端面に当接し接着することで、電波吸収体キャップ
１５を電波吸収体パッケージ１０に冠着するようになっ
ている． なお、電波吸収体キャップ１５を電波吸収体バッケージ
１０に冠着した状態で、パッケージ側壁ｌ１の上面と、
電波吸収体キャップ１５の枠部材の下面との間には、金
属ｗＡ６を配線する間隙があるものとする． 上述のように構成した電波吸収体パッケージ１０に、半
導体チ７ブ５をマウントした後に、電波吸収体パッケー
ジ１０を誘電体基板３の凹部２０に嵌入し、接着剤２３
を用いて電波吸収体パッケージ１０を、凹部２０内に固
着する。
そして、半導体チップ５の電極と、誘電体基板３の表面
に形成した対応するパターン８の端末とを、金属線６を
ボンデングツールを用いて、ワイヤボンデンクして接続
する。
に形成した対応するパターン８の端末とを、金属線６を
ボンデングツールを用いて、ワイヤボンデンクして接続
する。
次に、電波吸収体キャップ１５を電波吸収体パッケージ
１０の４本の間隔柱１２の上部に嵌め込み、接着剤等で
固着して電波吸収体キャップ１５を冠着する． そしてさらに、金属ケース１の開口に、蓋２を取付けて
半導体チップ５を含めた誘電体基板３の全体をシールド
する． 第２図において、２５は、中央部に角形のチップ用ホー
ルを有する枠形の、例えばポリイミド系樹脂よりなる樹
脂テープ２６と、樹脂テープ２６のそれぞれの辺に所望
に配設されたリード２７とよりなるテープキャリアであ
る。
１０の４本の間隔柱１２の上部に嵌め込み、接着剤等で
固着して電波吸収体キャップ１５を冠着する． そしてさらに、金属ケース１の開口に、蓋２を取付けて
半導体チップ５を含めた誘電体基板３の全体をシールド
する． 第２図において、２５は、中央部に角形のチップ用ホー
ルを有する枠形の、例えばポリイミド系樹脂よりなる樹
脂テープ２６と、樹脂テープ２６のそれぞれの辺に所望
に配設されたリード２７とよりなるテープキャリアであ
る。
銅箔よりなる細長い短冊形のり一ド２７は、枠形の樹脂
テープ２６のそれぞれの各辺に直交する如くに並列し、
その先端がチップ用ホール内に突出することにより、半
導体チップ５の対応する電極にボンデングするように構
成してある。またさらに、リード２７の他方の端部を樹
脂テープ２６の枠外に突出させて、誘電体基板３のパタ
ーン８にボンデングするように構成してある。
テープ２６のそれぞれの各辺に直交する如くに並列し、
その先端がチップ用ホール内に突出することにより、半
導体チップ５の対応する電極にボンデングするように構
成してある。またさらに、リード２７の他方の端部を樹
脂テープ２６の枠外に突出させて、誘電体基板３のパタ
ーン８にボンデングするように構成してある。
テープキャリア２５のチップ用ホール内に半導体チップ
５を挿入し、リード２７を対応する電極にボンデングす
ることで、半導体チップ５をフェースアップにテープキ
ャリア２５に搭載し、電波吸収体パッケージ１０に、半
導体チップ５をマウントした後に、電波吸収体パッケー
ジ１０を誘電体基板３の凹部２０に嵌入し、接着剤２３
を用いて電波吸収体パッケージ１０を、凹部２０内に固
着する。
５を挿入し、リード２７を対応する電極にボンデングす
ることで、半導体チップ５をフェースアップにテープキ
ャリア２５に搭載し、電波吸収体パッケージ１０に、半
導体チップ５をマウントした後に、電波吸収体パッケー
ジ１０を誘電体基板３の凹部２０に嵌入し、接着剤２３
を用いて電波吸収体パッケージ１０を、凹部２０内に固
着する。
そして、テープキャリア２５のそれぞれのり一ド２７の
端部を、誘電体基板３の表面に形成した対応するパター
ン８の端末に重畳させ、ボンデングツールを用いて、リ
ード２７とパターン８とを接続する。
端部を、誘電体基板３の表面に形成した対応するパター
ン８の端末に重畳させ、ボンデングツールを用いて、リ
ード２７とパターン８とを接続する。
次に、電波吸収体キャップ１５を電波吸収体パッケージ
１０の４本の間隔柱１２の上部に嵌め込み、接着剤等で
固着して電波吸収体キャップ１５を冠着する． また、金属ケース１の開口に、蓋２を取付けて半導体チ
ップ５を含めた誘電体基板３の全体をシールドする。
１０の４本の間隔柱１２の上部に嵌め込み、接着剤等で
固着して電波吸収体キャップ１５を冠着する． また、金属ケース１の開口に、蓋２を取付けて半導体チ
ップ５を含めた誘電体基板３の全体をシールドする。
上述のような半導体チップの実装方法であるので、誘電
体基板３の表面と半導体チップ５の表面をほぼ同一平面
にすることができる。さらに、半導体チップ５の上方が
開口した状態で、金属線６，或いはテープキャリア２５
のリ一ド２７をパターン８にボンデングしている。即ち
、ボンデング作業が極めて容易である。
体基板３の表面と半導体チップ５の表面をほぼ同一平面
にすることができる。さらに、半導体チップ５の上方が
開口した状態で、金属線６，或いはテープキャリア２５
のリ一ド２７をパターン８にボンデングしている。即ち
、ボンデング作業が極めて容易である。
またそれぞれの半導体チップ５は電磁気的にシールドさ
れ、隣接した半導体ヂップ相互間．或いは誘電体基板３
に形成した他の回路との間で、電磁気的に干渉すること
が殆どない。
れ、隣接した半導体ヂップ相互間．或いは誘電体基板３
に形成した他の回路との間で、電磁気的に干渉すること
が殆どない。
以上説明したように本発明は、誘電体基板３に凹部を設
け、こ−の凹部内に電波吸収体で所望にパッケージした
半導体チップを埋め込むように実装するという、半導体
チップの実装方法であって、半導体チップ相互の電磁気
的の干渉がなくて、信号の漏話、発振現象がなく、さら
に半導体装置外へ電磁波が放射されることもなく、且つ
ボンデング作業が容易である等、実用上で優れた効果が
ある．
け、こ−の凹部内に電波吸収体で所望にパッケージした
半導体チップを埋め込むように実装するという、半導体
チップの実装方法であって、半導体チップ相互の電磁気
的の干渉がなくて、信号の漏話、発振現象がなく、さら
に半導体装置外へ電磁波が放射されることもなく、且つ
ボンデング作業が容易である等、実用上で優れた効果が
ある．
第１図は本発明の実施例の図で、
（ａ）は断面図，
ら）は要部を分離した形で示す斜視図、第２図は本発明
の他の実施例の断面図、第３図は従来例の断面図である
。 図において、 １は金属ケース、 ２は蓋、 ３は誘電体基板、 ５は半導体チップ、 ６は金属線、 ７はガラス封止端子、 ８はパターン、 １０は電波吸収体パッケージ、 １１はパッケージ側壁、 １２は間隔柱、 １５は電波吸収体キャップ、 ２０は凹部、 ２１は導電性接着剤、 ２５はテープキャリア、 ２６は樹脂テープ、 ２７はリードをそれぞれ示す。 区
の他の実施例の断面図、第３図は従来例の断面図である
。 図において、 １は金属ケース、 ２は蓋、 ３は誘電体基板、 ５は半導体チップ、 ６は金属線、 ７はガラス封止端子、 ８はパターン、 １０は電波吸収体パッケージ、 １１はパッケージ側壁、 １２は間隔柱、 １５は電波吸収体キャップ、 ２０は凹部、 ２１は導電性接着剤、 ２５はテープキャリア、 ２６は樹脂テープ、 ２７はリードをそれぞれ示す。 区
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体チップ（５）を実装した誘電体基板（３）を、
金属ケース（１）に収容封止するよう構成した半導体装
置において、 磁性損材料よりなる上部が開口した箱形の電波吸収体パ
ッケージ（１０）に、該半導体チップ（５）をマウント
し、該電波吸収体パッケージ（１０）を該誘電体基板（
３）の凹部（２０）に埋設した後に、該半導体チップ（
５）の電極に接続した、金属線（６）又はテープキャリ
アのリード（２７）の端末を、該誘電体基板（３）の表
面に形成した対応するパターン（８）にそれぞれボンデ
ングし、 次に該電波吸収体パッケージ（１０）の上部に、磁性損
材料よりなる電波吸収体キャップ（１５）を冠着するこ
とを特徴とする半導体チップの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5691889A JP2600366B2 (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 半導体チップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5691889A JP2600366B2 (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 半導体チップの実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02237053A true JPH02237053A (ja) | 1990-09-19 |
| JP2600366B2 JP2600366B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=13040864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5691889A Expired - Fee Related JP2600366B2 (ja) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 半導体チップの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2600366B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7696610B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-04-13 | Maxwell Technologies, Inc. | Apparatus for shielding integrated circuit devices |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP5691889A patent/JP2600366B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7696610B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-04-13 | Maxwell Technologies, Inc. | Apparatus for shielding integrated circuit devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2600366B2 (ja) | 1997-04-16 |
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