JPH0223614A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
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- JPH0223614A JPH0223614A JP17264288A JP17264288A JPH0223614A JP H0223614 A JPH0223614 A JP H0223614A JP 17264288 A JP17264288 A JP 17264288A JP 17264288 A JP17264288 A JP 17264288A JP H0223614 A JPH0223614 A JP H0223614A
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- ferrite core
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- lower electrode
- electrode
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- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 16
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 2
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空チャンバ内に対向して配設された一対
の電極間に高周波電力が印加されるエツチング装置に関
するものである。
の電極間に高周波電力が印加されるエツチング装置に関
するものである。
第４図は例えば特開昭６２−２７７７３０号公報に示さ
れた従来のエツチング装置を示す断面図であり、図にお
いて（１）は湾曲形状をした上部電極、（２）は下部電
極、（３）はエツチングされるウェーハ（４）はガス導
入方向の矢印、（５）は真空排気方向の矢印、（６）は
真空チャンバである。
れた従来のエツチング装置を示す断面図であり、図にお
いて（１）は湾曲形状をした上部電極、（２）は下部電
極、（３）はエツチングされるウェーハ（４）はガス導
入方向の矢印、（５）は真空排気方向の矢印、（６）は
真空チャンバである。
次に、上記構成の動作について説明する。（５）の矢印
方向に真空排気され、（４）の矢印方向からガス導入さ
れた状態で上部電極（１）と下部電極（２）との間に高
周波電力を印加すると、上記電極（１）と下部電極（２
）との間にはプラズマが形成され、正イオンが加速され
てウェーハ（３）に衝突し、ウェーハ（３）はエツチン
グされる。
方向に真空排気され、（４）の矢印方向からガス導入さ
れた状態で上部電極（１）と下部電極（２）との間に高
周波電力を印加すると、上記電極（１）と下部電極（２
）との間にはプラズマが形成され、正イオンが加速され
てウェーハ（３）に衝突し、ウェーハ（３）はエツチン
グされる。
この場合、上部電極（１）は湾曲しているので、形状に
対応した高周波の電界を生じる。湾曲形状を適当に調整
することＫより均一性のよいエツチングが可能となる。
対応した高周波の電界を生じる。湾曲形状を適当に調整
することＫより均一性のよいエツチングが可能となる。
〔発明が解決しようとする課題］
従来のエツチング装置は以上のように構成されているの
で、上部電極（１）の湾曲形状を微妙にＶ＠整しなけれ
ばならず、困難な板金２機械加工が必要となり、また精
度が得がたい、コスト的に高いなどの問題点があった。
で、上部電極（１）の湾曲形状を微妙にＶ＠整しなけれ
ばならず、困難な板金２機械加工が必要となり、また精
度が得がたい、コスト的に高いなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためＫなさ
れたもので、高周波によって形成される電極間の電界分
布を調整できる装置を得ることを目的とする。
れたもので、高周波によって形成される電極間の電界分
布を調整できる装置を得ることを目的とする。
この発明に係るエツチング装置は、一対の電極間にヘエ
ライトコアを設けたものである、また、この発明の別の
発明に係るエツチング装置は、対の電極のいずれか一方
にセラミックス絶縁板を設けたものである。
ライトコアを設けたものである、また、この発明の別の
発明に係るエツチング装置は、対の電極のいずれか一方
にセラミックス絶縁板を設けたものである。
さらＫ、この発明のさらに別の発明に係るエツチング装
置は、一対の電極のいずれか一方にヘエライトコアを設
けたものである。
置は、一対の電極のいずれか一方にヘエライトコアを設
けたものである。
〔作 用〕
この発明、この発明の別の発明およびこの発明のさらに
別の発明においては、電極間の印加に対して高周波電界
分布の調整が行なわれる。
別の発明においては、電極間の印加に対して高周波電界
分布の調整が行なわれる。
以下、この発明を図について説明する、第１図はこの発
明の一実施例を示す断面図であり、第４図と同一または
相当部分は同一符号を付し、その説明は省略する。
明の一実施例を示す断面図であり、第４図と同一または
相当部分は同一符号を付し、その説明は省略する。
（１０）は下部電極（２）に対して平行で平板の上部電
極、（１１）は上部電極（１０）と下部電極（２）との
間に設けられた円板状のフェライトコアである。
極、（１１）は上部電極（１０）と下部電極（２）との
間に設けられた円板状のフェライトコアである。
このエツチング装置においては、上部電極（１０）と下
部電極（２）との間に高周波電力を印加すると、下部電
極（２）に設置したウエーノ・（３）はエツチングされ
るが、この場合、上部、下部電極（１０）、（２”ｌの
間にはフェライトコア（１１）が設置されているので、
フェライトコア（ＩＩ）Ｋは磁束を生じ、上部。
部電極（２）との間に高周波電力を印加すると、下部電
極（２）に設置したウエーノ・（３）はエツチングされ
るが、この場合、上部、下部電極（１０）、（２”ｌの
間にはフェライトコア（１１）が設置されているので、
フェライトコア（ＩＩ）Ｋは磁束を生じ、上部。
下部電極（１０）、（２）間の電界分布を変化させるこ
とが可能である。そして、その電界分布はフェライトコ
ア（１１）の材質、形状、設置位置により変化し、微妙
な電界分布の調整を行うことができる。
とが可能である。そして、その電界分布はフェライトコ
ア（１１）の材質、形状、設置位置により変化し、微妙
な電界分布の調整を行うことができる。
第２図はこの発明の別の発明の一実施例を示す断面図で
あり、図において、（１２）は上部電極（１０）に設け
られたセラミックス絶縁板、（１３）は上部電極給電部
である。
あり、図において、（１２）は上部電極（１０）に設け
られたセラミックス絶縁板、（１３）は上部電極給電部
である。
このエツチング装ｆｌにおいては、上部電極（１０）と
上部電極給電部（１３）との間に、中央部が薄く、周縁
部が肉厚の円形をしたセラミックス絶縁板（１２）を設
げたので、高周波電流はこのセラミックス絶縁板（１２
）の厚さの変化に対応する容量変化に応じて変化する。
上部電極給電部（１３）との間に、中央部が薄く、周縁
部が肉厚の円形をしたセラミックス絶縁板（１２）を設
げたので、高周波電流はこのセラミックス絶縁板（１２
）の厚さの変化に対応する容量変化に応じて変化する。
なお、セラミックス絶縁板（１２）を下部電極（２）Ｋ
設けてもよい。
設けてもよい。
第３図はこの発明のさらに別の発明の一実施例を示す断
面図であり、図において、（１４）は上部電極（１０）
に設置されたリング状をしたフェライトコア（１４）が
設置されているので、この部分で（１０）の高周波電界
の分布を調整することが可能となる。また、上部、下部
電極（１０）、 （２’１間の電界分布はフェライトコ
アの材質、形状、設置位置を変えることにより、微妙な
調整を行うことが可能である。
面図であり、図において、（１４）は上部電極（１０）
に設置されたリング状をしたフェライトコア（１４）が
設置されているので、この部分で（１０）の高周波電界
の分布を調整することが可能となる。また、上部、下部
電極（１０）、 （２’１間の電界分布はフェライトコ
アの材質、形状、設置位置を変えることにより、微妙な
調整を行うことが可能である。
なお、上記実施例では上部電極（１０）にフェライトコ
ア（１４）を設けたものを示したが、下部電極（２）側
へフェライトコアを設けてもよい。
ア（１４）を設けたものを示したが、下部電極（２）側
へフェライトコアを設けてもよい。
以上説明したように、この発明、この発明の別の発明お
よびこの発明のさらに別の発明のエツチング装置は、電
極間の印加に対して高周波電界分布の調整が行なわれ、
均一性のよいエツチングが得られるという効果がある。
よびこの発明のさらに別の発明のエツチング装置は、電
極間の印加に対して高周波電界分布の調整が行なわれ、
均一性のよいエツチングが得られるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はこ
の発明の他の発明の一実施例を示す断面図、第３図はこ
の発明のさらに他の発明の一実施例を示す断面図、第４
図は従来のエツチング装置の一例を示す断面図である。 （２）・・下部電極、（６）・・真空チャンバ、（１０
）・・上部電極、（１１）φ・フェライトコア、（１２
）・・セラ ミ ックス絶縁板、 （１４）・・フェライ ト コア。 なお、 図中、 同一符号は同一または相当部分を 示す。
の発明の他の発明の一実施例を示す断面図、第３図はこ
の発明のさらに他の発明の一実施例を示す断面図、第４
図は従来のエツチング装置の一例を示す断面図である。 （２）・・下部電極、（６）・・真空チャンバ、（１０
）・・上部電極、（１１）φ・フェライトコア、（１２
）・・セラ ミ ックス絶縁板、 （１４）・・フェライ ト コア。 なお、 図中、 同一符号は同一または相当部分を 示す。
Claims (3)
- （１）真空チャンバ内に対して配設された一対の電極間
にヘエライトコアを設けたことを特徴とするエッチング
装置。 - （２）真空チャンバ内に対向して配設された一対の電極
のいずれか一方に高周波電界分布の調整を行なうセラミ
ックス絶縁板を設けたことを特徴とするエッチング装置
。 - （３）真空チャンバ内に対向して配設された一対の電極
のいずれか一方に高周波電界分布の調整を行なうヘエラ
イトコアを設けたことを特徴とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17264288A JPH0223614A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17264288A JPH0223614A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0223614A true JPH0223614A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15945666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17264288A Pending JPH0223614A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0223614A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011138908A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP17264288A patent/JPH0223614A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011138908A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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