JPH02235239A - 光磁気記録装置 - Google Patents

光磁気記録装置

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JPH02235239A
JPH02235239A JP5521089A JP5521089A JPH02235239A JP H02235239 A JPH02235239 A JP H02235239A JP 5521089 A JP5521089 A JP 5521089A JP 5521089 A JP5521089 A JP 5521089A JP H02235239 A JPH02235239 A JP H02235239A
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JP
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magnetic field
coils
recording
magneto
optical head
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JP5521089A
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English (en)
Inventor
Mitsuhiro Hasegawa
光洋 長谷川
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Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は磁化配向を有する磁区の向きによって情報を表
わすように、光磁気記録媒体を光学ヘッドからの元ビー
ムで温度上昇させると共にバイアス磁界発生器による垂
直磁界の印加を行なうようκした光凪気記録装置に関す
る。
(従来の技術) 従来、光磁気記録装置において使用されているバイアス
磁界発生器は第6図に示すように構成されている。ここ
ではバイアス磁界発生器52は光学ヘッド51がトラッ
キング制御で動作する全情報記碌領域54にわたクて、
おおむね、均一なバイアス磁界を発生するように、元磁
気記録媒体、ここでは光磁気ディスク50を挾んで配設
されている。そして、上記バイアス磁界発生器52はそ
のコイルに対してバイアス磁界発生電源53から電流が
供給されるようになクており、また、光磁気ディスク5
0はスピンドルモータ55で回転駆動される. このような構成では,全情報記憶領域54に対応してバ
イアス磁界を発生させなければならないため、バイアス
磁界発生器、同電源の大型化、重量代がさけ難い。また
、全情報記鎌領域54にわたって均一なバイアス磁界を
かけることが難しいから、記録時、光磁気ディスクに対
して形成される記録ピットの大きさ、形状が不均一とな
り、読取シエラーの発生原因となる。更に、バイアス磁
界発生のための消費電力が大きく、バイアス磁界発生器
52の温度上昇の影響をうけて、元磁気ディスク50自
体が温度上昇することで、記録時の記録条件が変化し、
エラーの発生原因となる。
そこで、バイアス磁界の発生領域を光学ヘッドによって
、現に光磁気記録を行っている領域に限って、元磁気デ
ィスクにバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生器も
提唱された。これは第7図に示されるようなものであっ
て,ここでは、バイアス磁界発生器62は光磁気ディス
ク60を挾んで反対側に配置された光学へッド61に対
して支持部材66を介して連結されている。そして、光
学ヘッド6lの情報記録,再生のための光ピーム67と
、バイアス磁界発生器62Kよって生じるバイアス磁界
の中心線とが、おおむね一致するようK、バイアス磁界
発生器62と光学ヘッド61とは相対的K位置決めされ
ている。このため、バイアス磁界発生器62は光学ヘッ
ド61がトラッキング制御によって情報記録領域64内
で大きく移動される時Kはこれに追従して移動すること
ができる. なお、この種の光磁気記録装置では、例えばバイアス殊
界発生器62と光学ヘッド61とを連結する支持部材6
6のーS領域Aに所要のばね特性を持ったばね材が使用
され、光磁気ディスク6oの回転Kよって表面K生じる
空気を利用して、上記バイアス磁界発生器62を光磁気
ディスク.60の表面から僅かな間隙で浮上させるよう
に構成している. このような構成Kよって,亀6図に示すようなバイアス
磁界発生器では、第5図に示すような全移動領域にわた
ってバイアス磁界を印加するノメイアス磁界発生器で問
題となる上記バイアス磁界発生器の大型化,重量化,大
消費亀カの欠点を除き、また、エラー発生の原因を除く
ことができる。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、第7図に示すような/Jイアス発生器に
おいても、次のような問題が残されている。
すなわち、上記バイアス磁界発生器では発生バイアス磁
界の均一領域が狭いために、光学へクド61からの光束
67とバイアス磁界発生器620発生バイアス磁界の中
心琢とを正確に一牧させる必要があるが、このためには
高精密な設計,製作が必要であシ、高精密な位貢合わせ
が必要で、コスト高となる。
また、上記バイアス発生器はトラッキング制御によって
大きく光学ヘッドが移動制御される時には支持部材66
を介して追従するが、光ビーム走査の過程で、元学ヘッ
ド6lの移動での光学へッドアクチェエータの振動Kよ
る光ピーム67の振れや、バイアス磁界発生器62の振
動によるバイアス磁界の中心嶽と光ビーム67との位置
ずれK対して補正制御が必要となる。とくに、光学ヘツ
}”61Kおける精密トラッキング制御アクチ為エータ
Kよクて光ピーム67をトラッキング動作する時、この
バイアス磁界発生器62の位置づれK対する補正制御を
欠くことができない。
そこで、バイアス磁界発生器におけるバイアス磁界の均
一領域を或る程度の大きさにして、位置ずれの許容範囲
を拡大し、実質的に上述の補正制御を行なわないように
することが考えられる。しかしながら、上述のバイアス
磁界発生器丁はコイルを円筒状に巻くために、元磁気デ
ィスクに対する垂直方向の距離が大きくなシ,磁界の集
中が難しくなる。そこで、必要な磁界の均一領域を広げ
るために磁極を大きくすると、イングクタンスの増加に
より、高周波駆動が困難にな)、ま九、バイアス磁界発
生器の大屋化,重量化がさけられない。
(発明の目的) 本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、バイア
ス磁界発生器を、光磁気記録媒体の全記録領域Kわたク
て配設するが、トラッキング制御による光ヘッドの移動
K対応して磁区の反転K必要な強度でバイアス磁界の均
一領域を確保するように制御する光磁気記碌装置を提供
しようとするものである. (課題を解決するための手段) そこで、本発明では,磁化配向を有する磁区の向きによ
って情報を表わすようκ、光磁気記録媒体を光学ヘッド
からの光ビームで温度上昇させると共に、バイアス磁界
発生器κよる垂直磁界の印加を行なうようにし九光磁気
記録装置κおいて、上記バイアス磁界発生器は主,たる
磁界成分が上記記鎌媒体の記録層に対して垂直となるよ
うに配置された磁界発生用コイルを複数個、具備してお
シ、該磁界発生用コイルは上記記録媒体に接近した上下
二つの平面において、上記記録媒体の全記録領域にわた
って光学ヘッドがトラッキング制御される方向に、上平
面と下平面とにそれぞれ配列されるコイルが半ピッチ分
ずれた状態K配列されていると共に、磁区の反転に必喪
な強度の磁界領域が上下面に関して互いに重複配置され
る磁界発生用コイル間で互いに連続するように構成され
ておシ、また、各磁界発生用コイルを光学ヘッドの移動
に対応して附勢する手段を具備している●(作用) このような構成では付勢される磁界発生用コイルは光学
ヘッドの移動に対応するだけであるから、バイアス磁界
発生のための消費電力が小さくてよい。また、このため
、バイアス磁界発生器での温度上昇の影響が光磁気記録
媒体に及ばないので、記録時の記録条件が安定であυ,
エラーの発生がさけられる。とくK、トラッキング制御
の方向に関しては上下二面K配列される磁界発生用コイ
ルは半ピッチづれていて、上下九重複しかつ相隣る磁界
発生用コイルはその必要とする垂直磁界慎域が重複する
ので、これが順次付勢される時、垂直磁界の強度が均一
化され、記録条件は更K向上する。そして、バイアス磁
界発生器として小形化,軽量化が実現でき、高速アクセ
スが可能となる.しかも各磁界発生用コイルは光磁気記
録媒体に接近し九二平面上に、例えばグリント手段によ
って構成できるから、大きさの割Kは磁区を反転するの
に充分でかつ光学へッドアクチュエータの振動κよる元
ビームの振れなどの影響を受けない大きさの垂直磁界領
域を確保できる。また、所要のバイアス磁界を得るのに
,比較的小さい電流でよいことになるから、インダクタ
ンスの増加をもたらさず,したがって、高周波スイッチ
ング動作が可能である。また光学ヘッドのトラッキング
制御において、バイアス磁界発生器との位置ずれに対す
る補正制御が不要である。このようにして、高性能,高
信頼性のある光磁気記録装置が提供できる.(実施例) 以下,本発明の実施例を図面を参照して具体的に説明す
る。なお、本実施例において、光磁気記録装置全体は先
述の従来例(第6図参照)と同様なので.%κ発明に係
るバイアス発生器についての構成のみを図解する。第1
図(&)ないし(e)に示すように本発明の実施例では
光磁気記録媒体としての光磁気ディスクにおける全記録
領域にわたって細長く延びる磁性体でロック1上に、光
学ヘッドがトラッキング制御される方向に複数の磁界発
生用コイルとしてのプリントコイA’2k,2b・・・
2eの群および2 f * 2g・・・21を上下二つ
の平面について配列するように、導体・母ターンを構成
してhる。このためK、両平面間Kは絶縁層3が設けら
れている。そして、上記プリントコイル2a,2b・・
・2eの各両端K接続される鴻子1 0 , 1 1:
12,13:・・・18.19が下側平面に、また、上
記1リントコイル21.2g・・・21の各両端に接続
される端子20,21:22,23・・・26,27が
上側千面K設けられている。実際には、このような構成
にする丸めに,先づ一方の鴻子11,13・・・19と
プリントコイル2a,2b・・・2eと中央接続点とを
結ぶ導体ノ譬ターンを上記磁性ブロック1上に形成し、
その上に上記中央接続点を残して絶縁層を形成し、この
絶縁層の上に上記プリントコイA/ 2 m , 2 
b ・2 e s端子10,11:12,13:・・・
18.19を形成するよう圧するとよい。同様に、絶I
Ik.713上においても、一方の端子21.23・・
・27とプリントコイfi,.2f,2g・・・2lと
中央接続点とを結ぶ導体パターンを上記絶縁層3上K形
成し、その上に上記中央接続点を残して絶縁層を形成し
、この絶縁膚の上に上記プリントコイル2f ,2g・
・・2i,lm子20.21:22.23:・・・26
.27を形成するようKするとよい。
ここで、磁性体ブロック1は高周波特性の良好な磁性体
、例えば高周波フエライトを使用するとよく、また、上
記磁性体ブロック1、絶縁層3などはその磁性特性とし
ては、高周匝での損失が少なく、透磁率が大きな材料が
好ましい。また、この実施例において、導体パターンを
構成するプリント導体の形成には蒸WIあるいはス)4
 yタリングの手法が採用されるとよい。また、材料と
しては銅などの高導電率体を用いるとよい。ここではエ
ッチング技術などで、目的の・皆ターンを残す方法も採
用される。
上記プリントコイル2m ,2b・・・2eは磁区の反
転に必袂な強度の磁界領域が相隣るコイル間では互いK
連続しない程度の大きさであるが、別の平面上K配列さ
れる上記プリントコイk2f,2g・・・21が上記プ
リントコイル2m , 2b・・・2●とは半ピッチず
れて配置される関係で、互いに重複配置される磁界発生
用コイル間,例えば2m.2r間,2f , 2b間.
2 b e Z g間・・・では磁区の反転に必要な強
度の磁界領域は互いに光学ヘッドのトラッキング制御の
方向について連続する形となる。また、その磁界領域の
大きさは光学ヘッドの精密トラッキングアクテエエータ
による元ビームの可動範囲、振動ずれの範囲をカバーす
るものであるように設定される。例えば,上記トラッキ
ングアクチ為エータの移動範囲および光学ヘッドとバイ
アス磁界発生器の位置合わせ娯差を含めた範囲が±30
0μmでめれは、少なくとも±300μmの範囲に所要
垂直磁界が得られる大きさとするのである。
また、X方向K配置するコイルの数は,1つのコ1ルが
カバーする磁界領域に対し、上下二平面κおいて重複す
る長さを考慮して光磁気ディスクの半径方向に対する記
録範囲の長さに必要な数とする。例えば1つのコイルの
大きさが直径1閣、重複する長さが0.1瓢であれば,
記録領域の半径方向の範囲が20m+〜40mであると
して、第1の平面(下平面)に12個、第2の平面(上
平面)に11個のコイルを配置すればよい。
このように構成されたバイアス磁界発生器による発生バ
イアス磁界の分布は第2図のようになる。
ここでは、横軸に光磁気ディスクの中心からの距離をま
た、縦軸Kその点における元磁気ディスクの記録層に印
加される垂直磁界成分の大キサを示している。そして、
曲II!iIAa,Ab・・・は谷プリントコイル21
 .2b・・・による磁界の分布を示すものであり, 
Hbは記録に必要なバイアス磁界の最小値を示している
。この実施例におけるプリントコイル2 m s 2 
b ”・2 aの群および2f,2g・ 21の群の各
々の発生磁界は相隣るコイルKついて重複される位置(
実線同志、点線同志)がHbのレベルよ夛下K位置され
るが、両群の組合わせにおいては、Hbのレベルより上
の位置に磁界を上げることができる。このため、磁区反
転に必要な磁界領域は、実際上、連続した形となり、ま
た、強度が均一化される。
光学ヘッドが移動するκ従って、対応するプリントコイ
ル2 a m 2 f * 2 b j2 g * 2
 c −・・を各別K付勢するための制御手段が第3図
に図解されている。ここでは各グリントコイル2m,2
b・・・210両端κスイッチSal,Sa2:Sbl
 ,8b2:−・− Si1 ,812が直列接続して
あり、駆動用トランジスタQ,,Q2の接続点およびQ
,,Q4の接続点の間に接続されている。このトランジ
スタQ,,Q2およOQ,eQ4は電源vccに対して
、それぞれ直列接続されており、各ペースに対しては制
御電圧V, ,V2,V,およびv4が印加できるよう
になっている。ここで、トランジスタQ1およびQ4は
+2方向に磁界を発生もせる時にオンされ,トランジス
タQ2およびQ,はオフされる。またトランジスタQ2
およびQ,は−2方向に殊界を発生させる時にオンされ
、トランジスタQ,およびQ4はオフされる。
そして、上記プリントコイル2a ,2b・・・は上記
スイッチ8&1,S&2:・・・が第4図に示すような
タイミングで選択的にオン状態になる時,光学ヘッドの
移動位置く対応して付勢されることKなる。本実施例で
は半径20〜40箇の範囲を9個のコイルで所定のバイ
アス磁界の分布にするため,1つのコイルは約2.3/
anの範囲をカバーすれはよい。
なお、光学ヘッドの位置は光磁気ディスクの半径方向に
取付けられた位置センサからの信号よシ求めてもよいが
、アクセスの際のトラック信号から演算して求めてもよ
い。
なお、上記実施例では第1の平面におけるプリントコイ
ル2&.2b・・・2eについては,端子11,13・
・・19のための導体プリントの上に,また第2の平面
におけるプリントコイル2f,2g・・・2lについて
は端子21.23・・・27のための導体グリントの上
K、それぞれ絶縁層を設けて、その絶縁層の上にプリン
トコイル2m,2b・・・26および2f ,2g・・
・21などの導体プリントを施しているが、端子11.
13・・・19およひ21 .23・・・27のための
導体プリントを形成する磁性体ブロック1および絶縁層
3の上K,巻き方向が中心から外に向けて逆Kなる別の
プリントコイルをそれぞれ形成して,これらプリントコ
イルの中心を接続点を介して上述のプリントコイル2 
& , 2 b =− 2 eおよび2fj2g−21
に接続し、各プリントコイルの外側の電を各対の端子1
0.11:12,13:・・・および20.21:22
.23:・・・に接続するようにしてもよい。この場合
にはコイル長が実質的に2倍になるので,集中磁界の強
度も倍加される。これは何等かの軸で、バイアス磁界発
生器と光磁気ディスクとの距離を近づけることができな
い場合、あるいは大きなバイアス磁界が必要な時KV効
である。
なお,光学ヘッドにおける対物レンズがアーム先端K設
けられていて、トラッキング制御時、上記アームの回動
中心から対物レンズまでの半径で円弧状に走食される場
合,バイアス磁界発生器の構造は弟5図(a) . t
b)および(e)のように構成される.この場合磁界発
生用コイルは円弧の万向K沿クて配列される。
なお,上記実施例Kおいて、最上部絶縁層上のプリント
コイル2 f * 2 g・・・2lを保護する目的で
非磁性の保護膜を形成してもよい。
(発明の効果) 本発明は以上詳述したようになシ.バイアス磁界発生の
ための消費電カが小さくてよく、バイアス磁界発生器側
から光磁気記録媒体側への温度の影響がなくて、記録条
件が安定してお9、エラー発生がさけられる。とくK、
トラッキング制御の方向に関しては、上下二面に配列さ
れて匹る磁界発生用コイルは半ピッチづれてぃて、上下
に重複しかつ相隣る磁界発生用コイルはその必要とする
垂直磁界領域が重複するので、これが顆次付勢される時
垂直磁界の強度が均一化され、記録条件は更に向上する
。しかも、各殊界発生用コイルは大きさの割には充分な
垂直磁界領域の広さを確保しておシ、バイアス磁界発生
器として小形化.軽量化が実現でき,高速アクセスが可
能となり,tた,磁界発生用コイルの星状、相対間隔な
ど、設計上における制約が解消できる。また、所要のパ
イプス磁界を得るのく,比較的小さい電流でよいから、
インダクタンスの増加をもたらさず、高周波スイッチン
グ動作が可能である。また、光学ヘッドのトラッキング
制御において、光学ヘッドとバイアス磁界発生器との位
置ずれに対する補正制御が不要で、構造上、制御上、有
利となる。また、平面上κ磁界発生用コイルを設けるた
めに、薄膜プリント技術を採用して大量生産が可能とな
るなどの利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) , (b)および(c)は本発明の一実
施例を示す側面図、上面図および一部取除いた状態の上
面図,第2図は本発明に係るバイアス磁界発生器につい
ての磁界分布図、第3図は磁界発生用コイルの制御回路
図、第4図は上記コイルの付勢状況を示すタイムチャー
ト、第5図(a) , (b)および(.)は本発明の
他の実施例を示す側面図、上面図および一部取除いた状
態の上面図、亀6図および第7図はそれぞれ従来のバイ
アス磁界発生器の構成を示す磁気記録装置の模式図であ
る。 1・・・磁性体ブロック、2 a a 2 b〜・・・
プリントコイル、3・・・絶縁層、10,il:12.
13:〜・・・端子、20,21:22.23:〜・・
・端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  磁化配向を有する磁区の向きによって情報を表わすよ
    うに、光磁気記録媒体を光学ヘッドからの光ビームで温
    度上昇させると共に、バイアス磁界発生器による垂直磁
    界の印加を行なうようにした光磁気記録装置において、
    上記バイアス磁界発生器は主たる磁界成分が上記記録媒
    体の記録層に対して垂直となるように配置された磁界発
    生用コイルを複数個、具備しており、該磁界発生用コイ
    ルは、上記記録媒体に接近した上下二つの平面において
    、上記記録媒体の全記録領域にわたって光学ヘッドがト
    ラッキング制御される方向に、上平面と下平面とにそれ
    ぞれ配列されるコイルが互いにとなり合う各コイルの中
    心が一致しないように配列されていると共に、磁区の反
    転に必要な強度の磁界領域が上下面に関して互いに重複
    配置される磁界発生用コイル間で互いに連続するように
    構成されており、また、各磁界発生用コイルを光学ヘッ
    ドの移動に対応して附勢する手段を具備していることを
    特徴とする光磁気記録装置。
JP5521089A 1989-03-09 1989-03-09 光磁気記録装置 Pending JPH02235239A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5521089A JPH02235239A (ja) 1989-03-09 1989-03-09 光磁気記録装置
US07/895,249 US5293360A (en) 1989-03-09 1992-06-08 Magnetic field generating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5521089A JPH02235239A (ja) 1989-03-09 1989-03-09 光磁気記録装置

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ID=12992278

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