JPH02235241A

JPH02235241A - 光磁気記録装置

Info

Publication number: JPH02235241A
Application number: JP5521789A
Authority: JP
Inventors: Mitsuhiro Hasegawa; 光洋長谷川
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1989-03-09
Filing date: 1989-03-09
Publication date: 1990-09-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は磁化配向を有する磁区の向きＫよって情報を表
わすように、光磁気記銀媒体を光学ヘッドからの光ビー
ムで温度上昇させると共Ｋバイアス磁界発生器による垂
直磁界の印加を行なうようにした光磁気記録装置に関す
る。

（従来の技術）従来、光磁気記録装置において使用されているバイアス
磁界発生器は第５図に示すように構成されている。ここ
ではバイアス磁界発生器５２は光学ヘッド５１がトラッ
キング制御で動作する全情報記録領域５４にわたって、
おおむね均一なバイアス磁界を発生するように、光磁気
記録媒体，ここでは光磁気ディスク５０を挾んで配設さ
れている。そして、上記ノ４イアス磁界発生器５２はそ
のコイルに対してバイアス磁界発生電源５３がら電流が
供給されるようになっておシ、また、光磁気ディスク５
０はスピンドルモータ５５で回転駆動される。

このような構成では、全情報記録領域５４に対応してバ
イアス磁界を発生させなければならないため、バイアス
磁界発生器、同電源の大型化、重量化がさけ難い。また
、全情報記録領域５４にわたって均一なバイアス磁界を
かけることが難しいから、記鎌時、光磁気ディスクＫ対
して形成される記録ピットの大きさ、形状が不均一とな
シ、読取シエラーの発生原因となる。更に、バイアス磁
界発生のための消費電力が大きく、バイアス磁界発生器
５２の温度上昇の影響をうけて、光磁気ディスク５０自
体が温度上昇することで、記録時の記録条件が変化し、
エラーの発生原因となる。

そこで、バイアス磁界の発生領域を光学ヘッドＫよって
、現Ｋ光磁気記録を行っている領域に限クて、光磁気デ
ィスクにバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生界も
提唱された。これは、第６図に示されるようなものであ
って、ここではバイアス磁界発生器６２は光磁気ディス
ク６０を挾んで反対側Ｋ配置された光学ヘッド６１に対
して支持部材６６を介して連結されている。そして、光
学ヘッド６１の情報記録，再生のための光ビーム６７と
バイアス磁界発生器６２によって生じるバイアス磁界の
中心線とが、おおむね一致するように、バイアス磁界発
生器６２と光学ヘッド６１とは相対的に位置決めされて
いる。このため、バイアス磁界発生器６２は光学ヘッド
６１がトラッキング制御によって情報記碌領域６４内で
大きく移動される時にはこれＫ追従して移動することが
できる。

なお、この種の光磁気記録装置では、例えばバイアス磁
界発生器６２と光学ヘッド６ｌとを連結する支持部材６
６の一部領域ＡＫ所要のばね特性を持ったばね材が使用
され、光磁気ディスク６ｏの回転によクて表面に生じる
空気流を利用して、上記バイアス磁界発生器６２を光磁
気ディスク６００表面から僅かな間隙で浮上させるよう
Ｋ構成している。

このような構成Ｋよって、第６図Ｋ示すようなバイアス
磁界発生器では、第５図Ｋ示すような全移動領域にわた
ってバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生器で問題
となる上記バイアス磁界発生器の大型化、重量化、大消
費電力の欠点を除き、また、エラー発生の原因を除くこ
とができる。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、第６図に示すようなバイアス発生器にお
いても、次のような問題が残されている。

すなわち、上記バイアス磁界発生器では、発生バイアス
磁界の均一領域が狭いために、光学ヘッド６１からの光
束６７とバイアス磁界発生器６２の発生バイアス磁界の
中心線とを正確に一致させる必要があるが、このために
は高精密な設計，製作が必要であり、高精密な位置合わ
せが必要で、コスト高となる。

また、上記バイアス発生器はトラッキング制御によって
大きく光学ヘッドが移動制御される時には支持部材６６
を介して追従するが、光ビーム走査の過程で、光学ヘッ
ド６１の移動での光学へッドアクチェエータの振動によ
る光ピーム６７の振れや、バイアス磁界発生器６２の振
動によるバイアス磁界の中心線と光ピーム６７との位置
ずれに対して補正制御が必要となる。と＜Ｋ．光学ヘッ
ド６１Ｋおける精密トラッキング制御アクチェエー夕に
よって光ピーム６７をトラッキング動作する時、このバ
イアス磁界発生器６２の位置づれに対する補正制御を欠
くことができない。

そこで、バイアス磁界発生器におけるバイアス磁界の均
一領域を或る程度の大きさにして、位置ずれの許容範囲
を拡大し、実質的に上述の補正制御を行なわないように
することが考えられる。しかしながら、上述のバイアス
磁界発生器ではコイルを円筒状に巻くために、光磁気デ
ィスクに対する垂直方向の距離が大きくな夛、磁界の集
中が難しくなる。そこで、必要な磁界の均一領域を広げ
るためＫ磁極を大きくすると、インダクタンスの増加に
よシ、高周波駆動が困難になシ、また、バイアス磁界発
生器の大型化、重量化がさけられない。

（発明の目的）本発明は上記事情Ｋもとづいてなされたもので、バイア
ス磁界発生器を、光志気記録媒体の全記録領域にわたっ
て配設するが、トラッキング制御による光学ヘッドの移
動に対応して磁区の反転に必要な強度でバイアス磁界の
均一領域を確保するようＫ制御する光磁気記碌装置を提
供しようとするものである。

（１！題を解決するための手段）そこで、本発明では磁化配向を有する磁区の向きによっ
て、情報を表わすように、光磁気記録媒体を光学ヘッド
からの光ビームで温度上昇させると共に、バイアス磁界
発生器による垂直磁界の印加を行なうようにした光磁気
記録装置Ｋおいて、上記バイアス磁界発生器は主たる磁
界成分が上記記録媒体の記録層に対して垂直となるよう
に配置された磁界発生用コイルを複数個、具備しておシ
、該磁界発生用コイルは上記記録媒体に接近した平面Ｋ
おいて、上記記録媒体の全記録領域にわたって光学ヘッ
ドがトラッキング制御される方向に配列されていると共
に、所要広さで磁区の反転に必要な強度の磁界領域を具
備しており、またその磁界領域では当該磁界発生用コイ
ルを附勢し、また相隣る磁界発生用コイル間では両磁界
発生用コイルを附勢して必要強度の磁界領域を構成する
ように、各磁界発生用コイルを光学ヘッドの移動に対応
して附勢する手段を具備している。

（作用）このような構成では、附勢される磁界発生用コイルは、
磁区反転に必要な磁界領域を光学ヘッドの移動に対応し
て確保するためＫ，１つあるいは２つだけでよいから、
バイアス磁界発生のための消費電力が小さくてよい。こ
の場合、相隣る磁界発生用コイルの共働で、各コイル間
に必要な磁界領域を確保するためＫ、各コイルについて
は比較的狭い磁界領域でもよいため、コイル配列に際し
て、その形状、大きさの設計に無理がない。

また、以上のことから、バイアス磁界発生器での温度上
昇の影響が光磁気記録媒体に及ばないので、記録時の記
録条件が安定であり、エラーの発生がさけられる。しか
も、各磁界発生用コイルは光磁気記録媒体に接近した平
面上に、例えば、プリントの手段によって構成できるか
ら、大きさの割にはａ区を反転するのＫ充分でかつ光学
へッドアクチェエータの振動Ｋよる光ビームの振れなど
の影響を受けない大きさの垂直磁界領域を確保できる。

このため、バイアス磁界発生器としても、小形化、軽量
化が実現され、例えば浮上式に支持することができ、記
録時の記録条件が安定できる。

また、所要のバイアス磁界を得るのに、比較的小さい電
流でよいことになるから、インダクタンスの増加をもた
らさず、したがって、高周波スイッチ動作が可能である
。また、光学ヘッドのトラッキング制御において、バイ
アス磁界発生器との位置づれに対する補正制御が不要で
ある。このようにして、高性能，高信頼性のある光磁気
記録装置が提供できる。

（実施例）以下，本発明の実施例を図面を参照して具体的Ｋ説明す
る。なお、本実施例において、光磁気記録装置全体は先
述の実施例（第５図参照）と同様なので、特に発明に係
るバイアス発生器についての構成のみを図解する。第１
図（ａ）および（ｂ）に示すように、本発明の実施例で
は光磁気記録媒体としての光礎気ディスクにおける全記
録領域にわたつて細長く延びる磁性体ブロック１上Ｋ、
光学ヘッドがトラッキング制御される方向に複数の磁界
発生用コイルとしてのプリントコイル２ｍ，２ｂ・・・
を配列するように導体パターンを構成している。

また、上記磁性体ブロック１の両端Ｋは各プリントコイ
ル２１，２ｂ・・・の各両端に接続されている端子２０
，２１　：２２，２３：・・・３０．３１が設けられて
いる。このような構成にするために、先づ一方の端子２
１　，　２３　，・・・３１とプリントコイル２ｍ　，
２ｂ・・・の中央接続点とを結ぶ導体パターンを上記磁
性ブロック１上に形成し、その上に、上記中央接続点を
残して絶縁層を形成し、この絶縁層の上に上記プリント
コイル２ｍ，２ｂ・・・、端子２０，２１：２２，２３
：・・・３０．３１を形成するようにするとよい。

ここで、磁性体ブロック１は高周波特性の良好な磁性体
、例えば高周波フエライトを使用するとよく、その磁気
特性としては、高周波での損失が少なく、透磁率が大き
な材料が好ましい。また、この実施例において、導体ノ
４ターンを構成するグリント導体の形成には、蒸着ある
いはスパッタリングの手法が採用されるとよい。また、
・材料としては銅などの高導電率体を用いるとよい。こ
こでは、エッチング技術などで、目的のノ４ターンを残
る方法も採用される。

上記プリントコイル２ｍ，２ｂ・・・は磁区の反転に必
要な強度の磁界領域が相隣るコイル間では互いに連続し
ない程度の大きさであるが、相誇るプリントコイル２ｍ
　，２ｂ・・・の両者が同時附勢される時、各コイル対
応の磁界領域間で、磁区の反転に必要な強度領域が構成
でき、光学ヘッドのトラッキング制御の方向について上
記磁界領域が連続するようＫ制御される。また、その磁
界領域の大きさは、光学ヘッドの精密トラッキングアク
チュエータによる光ビームの可動範囲、振動ずれの範囲
をカバーするものであるように設定される。例えば、上
記トラッキングアクチェエータの移動範囲および光学ヘ
ッドとバイアス磁界発生器の位置合わせ誤差を含めた範
囲が±３００μｍであれば、少なくとも±３００μｍの
範囲に所要垂直磁界が得られる大きさとするのである。

このように構成されたバイアス磁界発生器による発生ノ
９イアス磁界の分布は第２図のようになる。

ここでは横軸に光磁気ディスクの中心からの距離を、ま
た、縦軸にその点における光磁気ディスクの記録層に印
加される垂直磁界成分の大きさを示している。そして、
曲＃ＪＡａ　，　Ａｂ・・・は各プリントコイル２ｍ　
．２ｂ・・・による殊界の分布を示すものであシ、また
、Ｈｂは記録に必要なバイアス磁界の最小値を示してい
る。この実施例におけるプリントコイル２ｍ，２ｂ・・
・の各々の発生磁界は、相隣るコイルについて重複され
る位置がＨｂのレベルより下に位置されるが、後述の付
勢手段によって、この領域Ｋ光学ヘッドが移動する時、
相隣るプリントコイル、例えば２ａと２ｂとを同時付勢
することで、ａ　−１−　ｂの磁界によクて、ＨｂのＶ
ベルよシ上の位置に磁界を上げることができる。この丸
め、磁区反転に必要な磁界領域は、夾際上、連続し次形
となシ、また、強度が均一化される。

光学ヘッドが移動するに従って、対応するブリントコイ
ル２ａ，２ｂ・・・を各別に、あるいは相隣るものを同
時に付勢するための制御手段が第３図に図解されている
。ここでは、各プリントコイル２　ｍ　，　２　ｂ　＝
の両端にスイッチＳａｌ　，Ｓａ２：Ｓｂ１　＠Ｓｂ２
：・・・が直列接続してあシ、駆動用トランジスタＱ１
Ｑ２の接続点およびＱ，＃Ｑ４の接続点の間に接続され
ている。このトランジスタＱ１ｔＱ２およびＱ５ｓＱ４
は電源ｖ０。に対して、それぞれ直列接続されておυ、
各ベースに対しては制御電圧Ｖ，，Ｖ２，Ｖ３およびｖ
４が印加できるようになっている。ここで、トランジス
タＱ１およびＱ４は＋２方向に磁界を発生させる時にオ
ンされ、トランジスタＱ　およびＱ，はオ７される。

また、トランジスタＱ　およびＱ，・は−２方向に磁界
を発生させる時κオンされ、トランジスタＱ１およびＱ
４はオフさ．れる。

そして、上記グリントコイル２　ｍ　，　２　ｂ　ｍは
上記スイッチ３ｍ１．８ａ２：・・・が第４図に示すよ
うなタイミングで選択的にオン状態になる．時．光学・
・＼ツドの移動位置Ｋ対応して付勢されることになる。

本実施例では、半径２０〜４０一の範囲を６個のグリン
トコイルで所定のバイアス磁界の分布にする丸め、相隣
るプリントコイルの同時付勢範囲を約ｌ■とすると、１
つのコイルは約２．５一の範囲を重直磁界領域として確
保すればよい。なお、光学ヘッドの位置は光磁気ディス
クの半径方向に取付けられた位置センナからの信号よシ
求めてもよいが、アクセスの際のトラック信号から演算
して求めてもよい。

なお、上記実施例では、端子２１，２３・・・３１のた
めの導体プリントの上に絶縁層を設けて、絶縁層の上に
プリントコイル２ｍ　，２ｂ・・・などの導体プリント
を施したが、端子２１．２３・・・３ｌのための導体グ
リントを形成する磁性体ブロック１の上に、巻き方向が
中心から外に向けて逆になる別のグリントコイルを形成
して、このプリントコイルの中心を接続点を介して絶縁
層上のプリントコイルに接続し、各プリントコイルの外
備の端をも対の端子２０，２１：２２，２３：・・・に
接続するようにしてもよい。この場合には、コイル長が
実質的Ｋ２倍Ｋなるので、集中磁界の強度も倍加される
。これは何等かの事由で、バイアス磁界発生器と光磁気
ディスクとの距離を近づけることができない場合、ある
いは大きなバイアス磁界が必要な時に有効である。

なお、上記実施例において、絶縁層上のプリントコイル
を保護する目的で非磁性の保護膜を形成してもよい。

（発明の効果）本発明は以上詳述したようになシ、バイアス磁界発生の
ための消費電力が小さくてよく、・クイアス磁界発生器
側から光磁気記録媒体側への温度の影響がなくて、記碌
条件が安定しており、エラー発生がさけられる。しかも
、各磁界発生用コイルは、大きさの割には充分な垂直磁
界領域の広さを確保しており、また、相隣る磁界発生用
コイルが共働して、必要な垂直磁界強度を確保するので
、バイアス磁界発生器として小形化、軽量化が実現でき
、高速アクセスが可能となシ、また、磁界発生用コイル
の形状、相対間隔など、設計上における制約が解消でき
る。また、所要のバイアス磁界を得るのに、比較的小さ
い電流でよいからインダクタンスの増加をもたらさず、
高周波スイッチング動作が可能である。また、光学ヘッ
ドのトラッキング制御において、光学ヘッドとバイアス
発生器との位置ずれＫ対する補正制御が不要で、構造上
、制御上、有利となる。また、平面上に磁界発生用コイ
ルを設けるために、薄膜プリント技術を採用して大量生
産が可能となるなどの利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（１）および（ｂ）は本発明の一実施例を示す側
面図および上面図，第２図は本発明に係るバイアス磁界
発生器Ｋついての磁界分布図、第３図は磁界発生用コイ
ルの制御回路図、第４図は上記コイルの附勢状況を示す
タイムチャート、第５図および第６図はそれぞれ従来の
バイアス磁界発生器の構成を示す磁気記碌装置の模式図
である。１・・・磁性体ブロック、２ｍ，２ｂ・・・プリントコ
イル、２０．２１：〜３０，３１・・・端子，￥Ｅ離第図第図第図Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

　磁化配向を有する磁区の向きによって情報を表わすよ
うに、光磁気記録媒体を光学ヘッドからの光ビームで温
度上昇させると共に、バイアス磁界発生器による垂直磁
界の印加を行なうようにした光磁気記録装置において、
上記バイアス磁界発生器は主たる磁界成分が上記記録媒
体の記録層に対して垂直となるように配置された磁界発
生用コイルを複数個、具備しており、該磁界発生用コイ
ルは上記記録媒体に接近した平面において、上記記録媒
体の全記録領域にわたって光学ヘッドがトラッキング制
御される方向に配列されていると共に、所要広さで磁区
の反転に必要な強度の磁界領域を具備しており、また、
その磁界領域では当該磁界発生用コイルを附勢し、また
、相隣る磁界発生用コイル間では複数の磁界発生用コイ
ルを附勢して必要強度の磁界領域を構成するように、各
磁界発生用コイルを光学ヘッドの移動に対応して附勢す
る手段を具備していることを特徴とする光磁気記録装置
。