JPH02235205A - バイアス磁界発生器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光磁気記録方式において、光磁気記録媒体の記
録層にバイアス磁界を印加するためのノ９イアス磁界発
生装置に関するものである。

（従来の技術） 従来、光磁気記録方式において使用されているバイアス
磁界発生器は第５図に示すように構成されている。ここ
では、バイアス磁界発生器５２は光学へッド５１がトラ
ッキング制御で動作する全情報記録領域５４＆Ｃわたっ
て、おおむね、均一なバイアス磁界を発生するようκ、
光磁気記録媒体、ここでは光磁気ディスク５０を挟んで
配設されている。そして上記バイアス磁界発生器５２は
そのコイルＫ対してバイアス磁界発生電源５３から電流
が供給されるようｋなクており、また、光磁気ディスク
５０はスピンドルモータ５５で回転駆動される。

このような構成では、全情報記録領域５４に対応してバ
イアス磁界を．発生させなければならないため、バイア
ス磁界発生器、同電源の大型化、重量化がさけ難い。ま
た、全情報記録領域５ｔＫわたクて均一なバイアス磁界
をかけることが離しいから、記碌時、光磁気ディスクに
対して形成される記録ピットの大きさ、形状が不均一と
なシ、読取υエラーの発生原因となる。さらに、バイア
ス磁界発生のための消費電力が大きく、バイアス磁界発
生器５２の温度上昇の影響をうけて、光磁気ディスク５
０自体が温度上昇することで、記録時の記録条件が変化
し，エラーの発生原因となる●そこで、バイアス磁界の
発生領域を光学ヘッドＫよって、現に光磁気記録を行ク
ている領域に限って、光磁気ディスクにバイアス磁界を
印加するバイアス磁界発生器も提唱された。これは第６
図に示されるようなものであって、ここではバイアス磁
界発生器６２は光磁気ディスク６ｏを挟んで反対側Ｋ配
置された光学ヘッド６ｌに対して支持部材６６を介して
連結されている。そして、光学ヘッド６１の情報記録、
再生のための光ピーム６７と、バイアス磁界発生器６２
によって生じるバイアス磁界の中心線とが，おおむね一
致するように、ノ々イアス磁界発生器６２と光学ヘッド
６１とは相対的Ｋ位置決めされている。このため、バイ
アス磁界発生器６２は光学ヘッド６１がトラッキング制
御によって情報記録領域６４内で大きく移動される時に
は、これに追従して移動することができる。

なお、この種の光磁気記録方式では、例えば、バイアス
磁界発生器６２と光学ヘッド６１とを連結する支持部材
６６の一部領域ＡＫ所要のばね特性を持ったばね材が使
用され、光磁気ディスク６０の回転によクて表面Ｋ生じ
る空気流を利用して、上記バイアス磁界発生器６２を光
磁気ディスク６００表面から僅かな間隙で浮上させるよ
うＫ構成している。

このような構成によって、第６図に示すようなバイアス
磁界発生器では第５図に示すような全移動領域にわ九っ
てバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生器で問題と
なる上記パイ，アス磁界発生器の大型化、重量化、大消
費電カの欠点を除き、またエラー発生の厘因を除くこと
ができる。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、第６図に示すようなバイアス発生器にお
いても、次のような問題が残されている。

すなわち、上記バイアス磁界発生器では、発生バイアス
磁界の均一領域が狭いためκ、光学ヘッド６１からの光
束６７と、バイアス磁界発生器６２の発生バイアス磁界
の中心線とを正確Ｋ一致させる必要が′あるが、このた
めには高精度な設計、製作が必要であり、高精度な位置
合わせが必要で、コスト高となる。

また、上記バイアス発生器はトラッキング制御によって
大きく光学ヘッドが移動制御される時Ｋは、支持部材６
６を介して追従するが、光ビーム走査の過程で、光学ヘ
ッド６１の移動による光学へッドアクチェエータの振動
による光ピーム６７の振れや、バイアス磁界発生器６２
の振動によるバイアス磁界の中心線と光ビーム６７との
位置ずれＫ対して補正制御が必要となる。とくに、光学
ヘッド６１Ｋおける精密トラッキング制御アクチ為エー
タＫよって光ピーム６７をトラッキング動作する時、こ
のバイアス発生器６２の位置ずれに対する補正制御を欠
くことができない。

なお、第６図に示されるバイアス磁界発生器ではコイル
を円筒状に巻くために、所要の磁界を発生させるのに相
当な巻数が必要であシ、このため、光磁気ディスクに対
する垂直方向の距離が大き〈なシ、磁界の集中が難しく
なる。そこで、必要な磁界の均一領域を広げるために磁
極を大きくすると、インダクタンスの増加等により高周
波駆動が困難になる。

（発明の目的） 本発明は上記事情Ｋもとづいてなされたもので、光学ヘ
ッドが精密トラッキング制御される範囲ではバイアス磁
界の均一領域を確保して置いて、光学ヘッドとの相対位
置補正を必要としないように構成したバイアス磁界発生
器を提供しようとするものである。

（課題を解決するための手段） このため、本発明では磁化配向を有する磁区の向きによ
って情報を表わすように、光磁気記碌媒体に光学ヘッド
からの光ビームで温度上昇させると共ｋバイアス磁界の
印加を行なうようにした光磁気記録方式において、主た
る磁界成分が上記記録媒体の記録層に対して垂直となる
ように配置された磁界発生用コイルはその最内径の領域
内に、光学ヘッドの精密ト２ツキ／グＫよる光ビームの
可動範囲を含み、上記領域内に光ビームの照射位置を保
持するようＫしている。

なお、上記磁界発生用コイルは、必要で充分な所要の均
一なバイアス磁界の大きさを確保するために、光磁気記
録媒体と平行な面において渦巻状に形成される巻線構造
にするとよい。

（作用〕 このような構成では、光学ヘッドの粗い移動制御につい
ては、ノ４イアス磁界発生器か追従されており、また光
学ヘッドの精密なトラッキング制御の時忙は、上記バイ
アス磁界発生器のコイルの最内径の領域内で光学ヘッド
からの光ビームが移動するだけであるから、光学ヘッド
Ｋ対するバイアス磁界発生器の位置ずれ補正が不要であ
シ、構成上および操作上において有利となる． とくに、磁界発生用コイルを渦巻状とすることで、イン
ダクタンスの増加をともなわずＫ必要で充分な所要の均
一なバイアス磁界の大きさを確保できる。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して具体的に説明す
る。なお、本実施例において、光磁気記録装置全体は先
述の従来例（第６図参照）と同様な構成なので、特に発
明に係るバイアス磁界発生器についての構成のみを図解
する。第１図（Ａ）および（ｂ）　Ｖｒ−示すように、
本発明の第１実施例では、磁性体ブロック１上Ｋ導体パ
ターンＫよって端子４を形成し、その内端に上方に連な
る接続点６を構成するように上記接続点６および端子４
の外端を残して絶縁層７をその上に積層し、上記磁性体
グロック１上の中央部を覆う。また、上記絶縁層７上Ｋ
渦巻状の導体パターンＫよってグリントコ・イル３を形
成し、そのコイル内端を上記接続点６Ｋ接続すると共Ｋ
，その外端を、上記絶縁層７０縁から磁性体ブロックＩ
Ｋかけて設けた端子５に接続する。そして要すれば、上
記プリントコイル３の部分を覆うように、上記絶縁層７
の上に絶縁層２を積層する。

ここで、磁性体ブロック１は高周波特性の良好な磁性体
、例えば高周波フエライトを使用するとよく、その磁気
特性としては高周波での損失が少なく、透磁率が大きな
材料が好ましい。また、この実施例において、端子４を
構成するグリント導体ノ９ターン８、プリントコイル３
などを構成するグリント導体を構成するには、蒸着ある
いはス／４ツタリングの手法が採用されるとよい。また
、材料としては銅などの高導電率体を用いるとよい。

ここではエッチング技術などで目的の・９ターンを残す
方法も採用される゛。

上記プリントコイル３の最内径ｄはその略々中央の円領
域Ｋついて、Ｘ方向に関し、確保されている。そして、
この領域内Ｋは、光学ヘッドの精密トラッキング制御の
ためアクデエエータが働いて光ビームが移動する範囲が
完全に含まれる。換言すれば、光学ヘッドの光軸と上記
バイアス磁界発生器の磁界発生中心との位置合わせ誤差
（設定調整誤差）を合計した大きさＫほぼ一致させるの
である。例えは、高精度トラッキングアクチェエータ（
図示せず）によって移動する光ビームの可動範囲をＸ方
向に関して±１５０μｍとし、位置合わせ誤差を±５０
μｍとすれば、上記プリントコイル３の最内径ｄはほぼ
４００μｍで足りる。

なお、第１図のように構成されたバイアス磁界発生器Ｋ
端子５から端子４へと電流を流せば＋２方向へ磁界が発
生し、逆Ｋ流せば−２方向へ磁界が発生する。これによ
って、光学ヘッドから照射される光ピームＫよる温度上
昇領域で、情報Ｋもとづいた磁区の方向が設定されるこ
とになる。

上記バイアス磁界発生器による発生バイアス磁界の分布
は第２図のようＫなる。ここでは横軸にプリントコイル
の中心からの距離を、また、縦軸に、その点における光
磁気記録媒体としての光磁気ｆ４スクの記録層に印加さ
れる垂直礁界成分の大きさを示している．そして、曲線
Ａは、本発明Ｋ係る構成のバイアス磁界発生器によるＸ
方向の分布を示しており、直ｌ／ａＤは記録に必要な・
ぐイアス磁界の最小値を示している。これは、Ｘ方向、
換言すれば光学ヘッドが精密トラッΦング制御される時
の方向Ｋついて、光学ヘッドとバイアス磁界発生器との
位置合わせ調整誤差、トラッキングアクチ為エータによ
る光ビームの可動範囲を含めた距離（例えば±２００μ
ｍ）の範囲での磁界が２０００●以上でなければならな
いことを意味している。また、トラッキングアクチェエ
ータの移動方向と直交する方向については、光学ヘッド
の光ビームとバイアス磁気発生器との中心線のｙ方向Ｋ
おける位置合わせ調整誤差と、振動、経時変化を含めた
位置ずれをカバーできる範囲でよい。

また、ここで曲ｌＩＢは磁界発生を行なうグリントコイ
ル３の最内径ｄを、本発明で意図しているバイアス磁界
発生器での最内径よりも小さい値に設定した場合を示し
ている．換言すれば高精度トラッキングアクチェエータ
Ｋよる光ビームの可動範囲および位置合わせ調整誤差を
含めた範囲より、グリントコイル３の最内径の領域が小
さい場合ではコイル中心Ｋおける磁界強度は非常Ｋ大き
いが、必要な磁界の大きさがほぼ±１８０＃ｌと狭〈な
クてしまうことを示している。逆に最内径ｄが大き過ぎ
ると、曲線Ｃのようになり、磁界の均一な領域は広くな
るが、磁界強度が不充分となる。

このようＫ，本発明によるバイアス磁界発生器の構成Ｋ
依れば、精密トラッキングアクチェエータκよる光ビー
ムの移動方向に対して充分広い領域で均一な磁界の発生
が実現できるから、磁界の不均一性による記録ピットの
変動が少なく、エラーの発生頻度が著しく低下できる。

記録を行っていない領域Ｋ大きな磁界を印加しないから
記録情報に変化を与えることがなく、長期にわたって情
報の信頼性を確保できる。

更Ｋ，バイアス磁界発生のためのコイルについても最適
設計が可能でおり、高効率が得られ、システムの低電力
化、低発熱などが可能となる。また、パイアス磁界発生
器は、現に記録されている限られた領域のみｋ対応して
いるから、全体として小型化が達成され、例えば磁気ヘ
ッドを浮上式Ｋ支持することも可能である。また、コイ
ルを渦巻形とすることで、コイルと光磁気ディスクとの
間隔を少なくでき、インダクタンスの増加なしκ広い範
囲での均一磁界が得られるので、より高周波スイッチン
グ特性の優れたバイアス磁界発生器を実現できる。その
結果、より高速な転送レートで光磁気記録、再生が達成
できるのみならず、より均一な記録ピットを形成でき、
高密度大容量でも低エラーレートで記録が実現できる。

第３図Ｋは本発明の別の実施例が示されている。

なおここでの上部のプリントコイル３ｌの構成が平面的
Ｋ示されている。ここで符号３２は磁性体ブロック、３
３．３４は端子、３５は端子３３に連なる導体／ヤター
ンからの接続点でおる。

第４図（ａ）ないし（ｅ）は本発明の更に別の実施例を
示している。ここでは、上部のグリントコイル４３が第
１図κ示す実施例と同様であるが、グリント導体・９タ
ー／８の代りに、上記グリントコイル４３とは中心から
外へ向けて逆方向の渦巻で下部グリントコイル４８が構
成されている。このため、第１図の実施例におけるコイ
ル巻数の２倍のコイル巻数を確保できるから、同じコイ
ル駆動電流で２倍の磁界を発生させることが可能である
。

これは何等かの事由で、バイアス磁界発生器と光磁気デ
ィスクとの距離を近づけることができない場合、あるい
はより大きなバイアス磁界が必要な時に有効である。

なお、渦巻の形状は第３図のような矩形などの変形が可
能であることは勿論である。

（発明の効果） 本発明は以上詳述したようになシ，磁界発生用コイルが
、その最内径領域内に光学ヘッドの精密トツッキ／グＫ
よる光ビームの可動範囲を含み、上記領域内に光ビーム
の照射位置を保持するようにしたから、この範囲での光
学ヘッドとバイアス磁界発生器との相対位置合わせの制
御が不要となシ、構造上および制御上、有利となる。そ
の結果、低コスト化でき、記録時の工２一発生が低減さ
れる。また、記録Ｋ際して余分な範囲への磁界の印加が
なされないので、記録情報を変化させるおそれがなく、
情報の長期信頼性が確保できる。またバイアス磁界発生
器が小形化される結果、磁気ヘッドを浮上式に保持でき
るなど技術応用範囲が拡大でき、また、光学ヘッドのシ
ークなどの高速移動性の確保、振動の軽減などから安定
で高信頼性が得られる。

また、磁界発生用コイルを渦巻状Ｋすることで、光磁気
記録媒体へ接近させることが可能となり、必要かつ充分
な磁界の広さを確保し、しかもインダクタンスの増加を
ともなわないので、高周波スイッチ動作が可能となるな
どの効果も期待できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）および伽）は本発明の一実施例を示す上面
図および断面図、第２図は本発明に係るバイアス磁界発
生器についての磁界分布図、第３図は本発明の別の実施
例の上面図、第４図（ａ）　，　（ｂ）および（ｃ）は
更に別の実施例の上面図、一部取除いた上面図および断
面図、第５図および第６図はそれぞれ従来のバイアス磁
界発生器の構成を示す磁気記鎌装置の模式図である。 １・・・磁性体ブロック、２・・・絶縁層，３・・・グ
リントコイル、４．５・・・端子、６・・・接続点、７
・・・絶縁層、８・・・グリント導電パターン。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 磁化配向を有する磁区の向きによって情報を表わすよう
   に、光磁気記録媒体に光学ヘッドからの光ビームで温度
   上昇させると共にバイアス磁界の印加を行なうようにし
   た光磁気記録方式において、主たる磁界成分が上記記録
   媒体の記録層に対して垂直となるように配置された磁界
   発生用コイルはその最内径の領域内に、光学ヘッドの精
   密トラッキングによる光ビームの可動範囲を含み、上記
   領域内に光ビームの照射位置を保持するようにしたこと
   を特徴とするバイアス磁界発生器。