JPH02229721A - 気相エピタキシイ法により層を製造するための有機砒素化合物及びフエニルアルシンの製法 - Google Patents
気相エピタキシイ法により層を製造するための有機砒素化合物及びフエニルアルシンの製法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/66—Arsenic compounds
- C07F9/70—Organo-arsenic compounds
- C07F9/74—Aromatic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、殊に半導体の製造の際に気相エビクキシイに
より層を製造するための、有機砒素化合物に関する。
より層を製造するための、有機砒素化合物に関する。
半導体及び関連素子の仕上げの際に三価金属例えばガリ
ウム、インジウム又はアルミニウムの特定の燐化物又は
砒化物からの制御された沈殿を得ることが望ましくかつ
必要である。
ウム、インジウム又はアルミニウムの特定の燐化物又は
砒化物からの制御された沈殿を得ることが望ましくかつ
必要である。
早期の気相エピタキシィ( Gasenep i ta
x i e )では、アルシン即ち水素化砒累As H
5の使用下にI/V 半導体を得ていたが、これには、
特別な問題が付随していた。
x i e )では、アルシン即ち水素化砒累As H
5の使用下にI/V 半導体を得ていたが、これには、
特別な問題が付随していた。
殊に、この方法は、水素化砒素の有毒性に基づき、大ぎ
な危険を伴なっていた。最後に、この物質の貯蔵容器の
純度及び気相からのエピタキシィ法における低温での低
い熱分解速度は、重要な役割をはたしていた。
な危険を伴なっていた。最後に、この物質の貯蔵容器の
純度及び気相からのエピタキシィ法における低温での低
い熱分解速度は、重要な役割をはたしていた。
従って、水素化砒素を有機化合物例えば3級ブチルアk
シy (BT5As ) (App I.Phys
. Lett,Vol.50. No.4, 1987
年1月26日)又は他の種類の金属アルキル(これはハ
ロゲン化金、属とグリニアル化合物の使用下に製造した
)により代える試みをしている(米国特許第46110
17号、同第4621147号)。
シy (BT5As ) (App I.Phys
. Lett,Vol.50. No.4, 1987
年1月26日)又は他の種類の金属アルキル(これはハ
ロゲン化金、属とグリニアル化合物の使用下に製造した
)により代える試みをしている(米国特許第46110
17号、同第4621147号)。
前記のように、水素化砒素の使用の際の欠点は、有毒性
が高《,この化合物の気相及び他の要因である。
が高《,この化合物の気相及び他の要因である。
従って、本発明の課題は、その製造及びその使用に関し
て、殊にその製造時に有利である有機化合物を提供する
ことである。
て、殊にその製造時に有利である有機化合物を提供する
ことである。
この課題は,フエニルアルシンを使用する提案により解
決される。
決される。
この化合物を用いると、周期律表第IA族の有機金属化
合物有利にトリエチルガリウム(TEG)で、830°
Kの温度での優れた光ルミネツセンス特性及び2,3ま
でのV/I一比を有するフィルムに生長することができ
る。
合物有利にトリエチルガリウム(TEG)で、830°
Kの温度での優れた光ルミネツセンス特性及び2,3ま
でのV/I一比を有するフィルムに生長することができ
る。
この層は、低い補償μ77=2.10’政V,、n77
=1・IQ15m”−’ 及び鏡様表面を示す。
=1・IQ15m”−’ 及び鏡様表面を示す。
このようなエピタキシィ層の加工及び製造は、公知方法
で、例えば反応器中で大気圧下にかつ誘導加熱系下で、
成長温度付近に達するように行なう。
で、例えば反応器中で大気圧下にかつ誘導加熱系下で、
成長温度付近に達するように行なう。
本発明の化合物の加工は、プラズマ刺激するか又は光化
学的であるか又は、熱分解により行なうことができる。
学的であるか又は、熱分解により行なうことができる。
キャリアガスに、蒸気状フエニルアルシンを負荷させる
。流速及び700〜90σKの範囲の温度は、この生長
法条件に応じて選択する。
。流速及び700〜90σKの範囲の温度は、この生長
法条件に応じて選択する。
この加熱期間の間、基板上に水素流を擦過させると、こ
の際、公知の現象が経過する。
の際、公知の現象が経過する。
フエニルアルシンの製造は、酸素遮断下にかつ全溶剤及
び酸の酸素不含のもとに行なう。
び酸の酸素不含のもとに行なう。
PhAsH2の製造のために次のように操作する:7エ
ニルアルソン[78J’(0.39モル)ヲ、有利にチ
ップ状又は薄片状の亜鉛最大160I(245モル)と
共に、還流冷却器、攪拌機及び滴下ロートを備えたフラ
ス;中に入れた。双方の固体を水2 0 0 1Zと共
に激し《攪拌する。
ニルアルソン[78J’(0.39モル)ヲ、有利にチ
ップ状又は薄片状の亜鉛最大160I(245モル)と
共に、還流冷却器、攪拌機及び滴下ロートを備えたフラ
ス;中に入れた。双方の固体を水2 0 0 1Zと共
に激し《攪拌する。
これに供与体不含の溶剤、有利にn−ペンタン2001
Ltを加えると、相分離を行なうこともできる。室温以
下の冷却のもとに、濃塩酸400gを水素発生が認めら
れな《なるまで徐々に滴加する。
Ltを加えると、相分離を行なうこともできる。室温以
下の冷却のもとに、濃塩酸400gを水素発生が認めら
れな《なるまで徐々に滴加する。
全ての7エニルアルソン酸が消費された後に、有機相を
分離し、水相を、少量宛の溶剤で数回抽出する。有機相
並びに全ての抽出物を集め、乾燥剤例えばモレキュラー
シーツで予備乾燥させる。残留僅少量水分は、強力な乾
燥剤例えば五酸化燐( P40,。)を用いて除去する
ことができる。他のすべての操作も、厳しい水分遮断の
下に継続実施する。溶剤を凝縮及び蒸溜により、完全に
生成物から分離除去する。残留フエニルアルシンを、次
いで、再凝縮により又は真空下での蒸発により精製する
ことができる。収量=45F(理論量の76%に相当)
。
分離し、水相を、少量宛の溶剤で数回抽出する。有機相
並びに全ての抽出物を集め、乾燥剤例えばモレキュラー
シーツで予備乾燥させる。残留僅少量水分は、強力な乾
燥剤例えば五酸化燐( P40,。)を用いて除去する
ことができる。他のすべての操作も、厳しい水分遮断の
下に継続実施する。溶剤を凝縮及び蒸溜により、完全に
生成物から分離除去する。残留フエニルアルシンを、次
いで、再凝縮により又は真空下での蒸発により精製する
ことができる。収量=45F(理論量の76%に相当)
。
更に、還元剤亜鉛が高純度状態で存在し、チップ状又は
薄板状形を有することを指示すべきである。
薄板状形を有することを指示すべきである。
本発明により提供される化合物は、MO−VPE又はM
O−CVD又はMOMBE法でも使用することができる
。
O−CVD又はMOMBE法でも使用することができる
。
この製造法は、水の存在なしでも可能であり、この際は
、フエニルアルソン酸及び還元剤を、直接、有機溶剤中
で懸濁させる。
、フエニルアルソン酸及び還元剤を、直接、有機溶剤中
で懸濁させる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、気相エピタキシィ法により層を製造するための有機
砒素化合物において、フエニルアルシンを使用すること
を特徴とする、気相エピタキシィ法により層を製造する
ための有機砒素化合物。 2、フエニルアルソン酸を溶剤中のチップ状又は薄片状
の高純度亜鉛を用いて、同時冷却及び僅かな水素形成が
起る様に高純度塩酸の添加のもとに還元し、生じるフエ
ニルアルシンを相分離及び抽出により分離し、乾燥させ
、この際、完全な酸素−及び水分遮断のもとに操作する
ことを特徴とする、フエニルアルシンの製法。 3、凝縮又は蒸溜によりフエニルアルシンから溶剤を分
離し、フエニルアルシンを真空下での蒸溜又は再凝縮に
より精製する、請求項2記載の方法。
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DE3812180.8 | 1988-04-13 |
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JPH02229721A true JPH02229721A (ja) | 1990-09-12 |
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US4857655A (en) * | 1988-01-20 | 1989-08-15 | American Cyanamid Company | Process for making alkyl arsine compounds |
US4900855A (en) * | 1988-12-14 | 1990-02-13 | Cvd Incorporated | Chemical process for obtaining high purification of monoalkylarsines and dialkylarsines and purified mono- and dialkylarsines |
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- 1988-04-13 DE DE3812180A patent/DE3812180A1/de not_active Withdrawn
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1989
- 1989-04-07 DE DE89106118T patent/DE58906612D1/de not_active Expired - Fee Related
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- 1989-04-07 EP EP89106118A patent/EP0337304B1/de not_active Expired - Lifetime
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- 1989-04-13 JP JP1091996A patent/JPH02229721A/ja active Pending
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