JPH0222260Y2

JPH0222260Y2 -

Info

Publication number: JPH0222260Y2
Application number: JP16893181U
Authority: JP
Priority date: 1981-11-12
Filing date: 1981-11-12
Publication date: 1990-06-15
Also published as: JPS5874514U

Description

【考案の詳細な説明】本案は樹脂モールド装置に関し、特に下部金型
部分の分解、組立ての容易化を計ることを目的と
するものである。

一般にこの種樹脂モールド装置は例えば第１図
に示すように構成されている。即ち、ベツドＡに
は複数のシリンダＢが立設されており、それのロ
ツド先端にはプラテンＣがガイドロツドＤによつ
て案内されるように固定されている。このプラテ
ンＣの上面にはバツクアツププレートＥが固定さ
れており、これより延びる支柱の上端にヒータを
内蔵した加熱体Ｆが固定されている。又、この加
熱体Ｆには金型支持体Ｇを介して下部金型Ｈが固
定されている。加熱体Ｆ、金型支持体Ｇ、下部金
型Ｈにはそれぞれに共通する貫通孔が形成されて
おり、エジエクタピンＫがシリンダＢによるプラ
テンＣの動きに関連して上下動するように挿入さ
れている。エジエクタピンＫの下端部はバツクア
ツププレートＥと加熱体Ｆとの間に位置する２枚
のプレートによつて挾持されており、スプリング
によつて常時下方に押し付けられている。又、こ
のプレートはシリンダＢによるプラテンＣの動き
に関連して、ベツドＡより延び、かつプラテン
Ｃ、バツクアツププレートＥを貫通するエジエク
タロツドＭの上端によつて突き上げられるように
構成されている。一方、ガイドロツドＤの上端に
はプレートが固定されており、これの下面には加
熱体、金型支持体、上部金型Ｎが固定されてい
る。

この装置による半導体装置の樹脂モールドは例
えば次のようにして行われる。即ち、まず、半導
体素子をマウントしたリードフレームを下部金型
Ｈの上面に、半導体素子がキヤビテイ部に位置す
るように載置する。そして、シリンダＢを動作さ
せると、ロツドによりプラテンＣ、加熱体Ｆ、金
型支持体Ｇ、下部金型Ｈが一体となつて上昇する
と共に、リードフレームは下部金型Ｈと上部金型
Ｎとによつて挾持される。この状態において、エ
ジエクタピンＫの上端部はキヤビテイ部の内壁面
とほぼ面一になる位置に停止し、キヤビテイ部に
開口する貫通孔を閉塞している。次に、キヤビテ
イ部に溶融状態の樹脂材を注入し、硬化させる。
然る後、シリンダＢを動作させ、プラテンＣを図
示点線位置まで下降させると、エジエクタロツド
Ｍの上端にてバツクアツププレートＥと加熱体Ｆ
との間に位置するプレートを突き上げる結果、エ
ジエクタピンＫも同様に突き上げられる。従つ
て、キヤビテイ部のモールド樹脂はエジエクタピ
ンＫの上端部によつて突き上げられ、キヤビテイ
部より取り出される。そして、さらにプラテンＣ
を図示実線位置まで上昇させることによつて樹脂
モールド操作を完了する。

ところで、この装置において、例えば下部金型
Ｈを何らかの埋由によつて交換する必要が生じた
場合にはまず、下部金型Ｈ、金型支持体Ｇ、加熱
体Ｆ、エジエクタピンＫの順にバラバラに分解す
る。次に金型支持体Ｇに所望の下部金型Ｈを固定
すると共に、これらを加熱体Ｆに、それぞれの貫
通孔が完全に一到するように固定する。然る後、
これらの貫通孔にエジエクタピンＫを挿入した上
で、再びプラテンＣ上に固定して組立てている。

このような分解、組立方法の採用埋由はキヤビ
テイ部の数と同数のエジエクタピンＫが加熱体
Ｆ、金型支持体Ｇ、下部金型Ｈに貫通して配置さ
れているために、下部金型Ｈのみを取りはずした
後、再び組立てる場合、下部金型Ｈの貫通孔に対
しエジエクタピンＫのすべてを合致させること
が、エジエクタピンＫがプレートに対して若干の
裕度を以つて取付けられていることもあつて、難
しいという問題によるものである。

従つて、単に下部金型Ｈのみを交換したい場合
でもプラテンＣ上に位置するすべての部品を分解
してしまわなければならないために、分解、組立
が大掛りとなり、かつ多大の工数を要するという
問題がある。

本案はこのような点に鑑み、簡単な構成によつ
て下部金型部分の分解、組立を簡単かつ容易に行
うことのできる樹脂モールド装置を提供するもの
で、以下実施例について説明する。

第２図〜第３図において、１はベツドであつ
て、それには複数のシリンダ２が一定の位置関係
を以つて立設されている。このシリンダ２におけ
るロツド２ａの上端にはプラテン３がガイドロツ
ド４によつて案内されるように固定されている。
そして、プラテン３の上面にはバツクアツププレ
ート５が固定されており、支柱６を介してヒータ
を内蔵する加熱体７、金型支持体８、下部金型９
が固定されている。又、下部金型９には複数のキ
ヤビテイ部１０が形成されており、加熱体Ｆ７、
金型支持体８、下部金型９にはキヤビテイ部１０
に開口する共通の貫通孔７ａ，８ａ，８ｂ，９ａ
がそれぞれ形成されている。そして、加熱体Ｆ７
の貫通孔７ａには第１のエジエクタピン１１が、
上端部１１ａが加熱体７の上面とほぼ面一となる
ように配設されており、下端部１１ｂはバツクア
ツププレート５と加熱体６との間に位置し、プレ
ート１２，１３にて挾持されている。そして、加
熱体７とプレート１３との間にはスプリング１４
が、プレート１２，１３をバツクアツププレート
５に押し付けるように配設されている。一方、金
型支持体８、下部金型９の互いに共通する貫通孔
８ａ，８ｂ，９ｂには第２のエジエクタピン１５
が、上端部１５ａにてキヤビテイ部１０に開口す
る貫通孔９ａが閉塞されるように配置されてい
る。そして、第２のエジエクタピン１５の下端部
１５ｂには貫通孔８ｂより大径の膨出部１６が形
成されており、その膨出部１６は貫通孔８ａを若
干縮少する閉塞板１７との間に配設したスプリン
グ１８によつて常に貫通孔８ｂの部分に押圧され
ている。尚、下端部１５ｂは金型支持体８の下面
とほぼ面一となるように配設されている。１９は
ベツド１に立設されたエジエクタロツドであつ
て、その上端部はプラテン３、バツクアツププレ
ート５を貫通してプレート１２の下面に当接され
ている。又、ガイドロツド４の上端にはプレート
２０が固定されており、このプレート２０の下面
には支柱２１を介して加熱体２２、金型支持体２
３、上部金型２４が固定されている。上部金型２
４の下部金型９のキヤビテイ部１０に対応する部
分にはキヤビテイ部２５が形成されている。この
キヤビテイ部２５には加熱体２２、金型支持体２
３、下部金型２４の貫通孔２２ａ，２３ａ，２４
ａが連通して開口しており、これらの貫通孔には
ホールドピン２６が、下端部がキヤビテイ部２５
に突出するように配置されている。一方、このホ
ールドピン２６の上端部はプレート２０と加熱体
２２との間に位置するプレート２７，２８にて挾
持されており、スプリング２９にて下方に押圧さ
れている。又、プレート２８の下面にはリターン
ピン３０の上端部が、加熱体２２、金型支持体２
３、上部金型２４を貫通して当接されている。

次に、この装置による樹脂モールド方法につい
て第２図〜第４図を参照して説明する。まず、第
２図〜第３図に示す状態において、下部金型９の
上面にリードフレーム（図示せず）を、それにマ
ウントした半導体素子がキヤビテイ部１０に位置
するように載置する。そして、シリンダ２を上昇
動作させると、ロツド２ａによりプラテン３がガ
イドロツド４にて案内されて上昇する。これによ
つて加熱体７、金型支持体８、下部金型９が一体
となつて上昇すると同時に、第１、第２のエジエ
クタピン１１，１５も加熱体７、金型支持体８、
下部金型９に対して実線状態の位置関係を保つて
上昇する。そして、リードフレームが下部金型９
と上部金型２４とによつて挾持されると、リター
ンピン３０は下部金型９によつて押圧されると同
時に、プレート２７，２８をスプリング２９の弾
力に抗して突き上げる。これによつてホールドピ
ン２６の下端部はキヤビテイ部２５の内壁面とほ
ぼ面一となるように後退する。そして、この状態
において、キヤビテイ部１０，２５に溶融状態の
樹脂材を注入し、硬化させる。次に、シリンダ２
を下降動作させると、下部金型９はプラテン３、
加熱体７、金型支持体８と共に下降する。これに
よつて、リターンピン３０はスプリング２９によ
つて押圧され、その下端部にてモールド樹脂材を
キヤビテイ部２５より離型させるように動作す
る。そして、プラテン３が図示点線位置まで下降
すると、プレート１２がエジエクタロツド１９の
上端部にて結果的に突き上げられるような状態に
なる。このために、第４図に示すように、プレー
ト１２，１３はスプリング１４の弾力に抗して押
し上げられることによつて、第１のエジエクタピ
ン１１も同様にプラテン３、バツクアツププレー
ト５に対して相対的に押し上げられる。これと同
時に、第２のエジエクタピン１５はその下端部１
５ｂを第１のエジエクタピン１１にて押圧するこ
とによつて、スプリング１８の弾力に抗して押し
上げられ、上端部１５ａにてモールド樹脂材を突
き上げてキヤビテイ部１０より離型させるように
動作する。然る後、シリンダ２を上昇動作させ、
プラテン３を第２図において実線で示す位置まで
上昇させると共に、リードフレームを取り出すこ
とによつて樹脂モールド操作を完了する。

このように第１のエジエクタピン１１は加熱体
７に、第２のエジエクタピン１５は金型支持体８
及び下部金型９にそれぞれ分割して収納されてい
るので、何らかの理由によつて下部金型９を交換
したい場合には金型支持体８と下部金型９とを固
定状態を保つて加熱体７より簡単に分解すること
ができる。

特に、第１のエジエクタピン１１の上端部１１
ａは加熱体７の上面より、第２のエジエクタピン
１５の下端部１５ｂは金型支持体８の下面よりそ
れぞれ突出しないように構成すれば、分解時に第
１のエジエクタピン１１に金型支持体８が、又第
２のエジエクタピン１５に加熱体７がそれぞれ引
掛らないために、分解を一層容易化できる上、そ
れぞれのエジエクタピンの変形を防止できる。

又、金型支持体８と下部金型９との結合体を加
熱体７に組立てる場合、それぞれの結合面にエジ
エクタピンが大きく突出していないために、単に
両者を結合するだけでそれぞれのエジエクタピン
の位置を合致させることができ、組立性を著しく
高めることができる。

例えば第５図に示すように、加熱体７の上面に
凹部３１を、金型支持体８の下面に凹部３１に嵌
合しうる突部３２を形成すれば、組立時に、凹部
３１に突部３２を嵌合させるだけでそれぞれの位
置決めを簡単かつ確実に行うことができ、さらに
組立性を改善できる。

尚、本案において、第１のエジエクタピンの下
端部のプレートへの支持構造、下部金型及び金型
支持体の構造は適宜に変更できる。又、第１のエ
ジエクタピンの上端部及び第２のエジエクタピン
の下端部は加熱体と金型支持体との衝合面に一致
させる他、いずれか一方に若干位置ずれするよう
に配置することもできる。

以上のように本案によれば、簡単な構成によつ
て下部金型部分の分解、組立を、他の部分を分解
することなく、簡単かつ容易に行うことができ、
能率を著しく改善できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例の側断面図、第２図は本案の一
実施例を示す側断面図、第３図は要部拡大断面
図、第４図はエジエクタピンの動作状態を示す側
断面図、第５図は本案の他の実施例を示す要部側
断面図である。図中、３はプラテン、７は加熱体、８は金型支
持体、９は下部金型、１１は第１のエジエクタピ
ン、１５は第２のエジエクタピン、１８はスプリ
ングである。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

上下動するプラテン上の加熱体、金型支持体、
下部金型を固定すると共に、加熱体より下部金型
のキヤビテイ部に連通する貫通孔にエジエクタピ
ンを挿通したものにおいて、上記エジエクタピン
を２分割し、第１のエジエクタピンは加熱体に、
第２のエジエクタピンは金型支持体、下部金型内
に位置し、かつ下端部が金型支持体と加熱体との
境界部分に位置するようにスプリングを利用して
配設したことを特徴とする樹脂モールド装置。