JPH02220291A - Bubble file storage - Google Patents

Bubble file storage

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JPH02220291A
JPH02220291A JP1040548A JP4054889A JPH02220291A JP H02220291 A JPH02220291 A JP H02220291A JP 1040548 A JP1040548 A JP 1040548A JP 4054889 A JP4054889 A JP 4054889A JP H02220291 A JPH02220291 A JP H02220291A
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JP
Japan
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data
error
bubble
bubble memory
array
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Application number
JP1040548A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Shibata
博之 柴田
Naoki Matsui
直紀 松井
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH02220291A publication Critical patent/JPH02220291A/en
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Abstract

PURPOSE:To increase the number of bubble memories driven in parallel to realize high-speed data transfer and a large capacity by arranging while data to a data array to be written in respective bubble memory blocks in serial. CONSTITUTION:Error detection information is added to external input data Din, and error of external output data Dout is detected 11 at the time of read- out, and respective data and bubble memory means BM0 to BMn are controlled 12. Further, input data are rearranged to the data array to be supplied to respective memory means in serial at the time of data write by a data array rearranging means 13 and the read-out data array is rearranged to the data array of input data at the time of reading out data from memory means.

Description

【発明の詳細な説明】 (概要〕 バブルファイル記憶装置、特に複数のバブルメモリブロ
ックをパラレル駆動し、データ続出し時には、エラーチ
エツクを行う装置に関し、該パラレル駆動数が増加して
も、現行のエラー検出手段を用いて、2ピントハードエ
ラー等の検出、修正をすることを目的とし、 外部入力データにエラー検出情報を付加し、読出し時に
外部出力データのエラー検出をするエラー検出手段と、
前記外部入出力データの入出力制御をするデータ人出力
制御′I手段と、前記データ入出力制御手段に接続され
る複数のバブルメモリ手段から成るバブルファイル記憶
装置において、前記バブルメモリ手段と、データ入出力
制御手段との間にデータ列組替え手段を設け、前記デー
タ列組替え手段は、データ書込み時には、外部人力デー
タのデータ配列を各バブルメモリ手段毎に該外部入力デ
ータをシリアルに供給するデータ配列に組替え、前記各
バブルメモリ手段からのデータ読出し時には、読出され
たデータ配列を前記外部入力データのデータ配列に組替
えることを含み構成する。
[Detailed Description of the Invention] (Summary) Regarding a bubble file storage device, especially a device that drives multiple bubble memory blocks in parallel and performs an error check when data is continuously output, even if the number of parallel drives increases, the current Error detection means for detecting and correcting 2-pin hard errors, etc. by using the error detection means; an error detection means for adding error detection information to external input data and detecting errors in external output data when reading;
In a bubble file storage device comprising a data input/output control means for controlling the input/output of external input/output data, and a plurality of bubble memory means connected to the data input/output control means, the bubble memory means and the data A data string recombination means is provided between the input/output control means, and during data writing, the data string recombination means converts a data array of external human input data into a data array that serially supplies the external input data to each bubble memory means. and when reading data from each of the bubble memory means, the read data array is rearranged into the data array of the external input data.

〔産業上の利用分野] 本発明は、バブルファイル記憶装置に関するものであり
、更に詳しく言えば、複数のバブルメモリブロックをパ
ラレル駆動し、データ読出し時にはエラーチエツクを行
う装置に関するものである。
[Industrial Application Field] The present invention relates to a bubble file storage device, and more specifically, to a device that drives a plurality of bubble memory blocks in parallel and performs an error check when reading data.

近年、耐環境性に優れ、機械的可動部分がなく、しかも
不揮発性を有するバブルファイル記憶装置が用いられて
いる。バブルファイル記憶装置は、単位時間当たりのデ
ータアクセス量を多くするため、パラレル駆動の技術が
使用される。
BACKGROUND ART In recent years, bubble file storage devices have been used that have excellent environmental resistance, have no mechanically moving parts, and are nonvolatile. Bubble file storage devices use parallel drive technology to increase the amount of data access per unit time.

ところで、読出しデータのエラーには2種類のデータエ
ラーモードがある。
By the way, there are two types of data error modes for read data errors.

第1はバブルメモリ素子の内部のデータは正常であるが
、外部へ読出したときにデータが変化、または読出゛し
誤りによりデータが変化するソフトエラーモードであり
、この場合、バブルメモリ素子の内部のデータは正常で
あるため、同一箇所の再読出しにより、正しいデータが
得られる。
The first type is a soft error mode in which the data inside the bubble memory element is normal, but the data changes when read out to the outside, or the data changes due to an error in reading. Since the data is normal, correct data can be obtained by rereading the same location.

第2はバブルメモリ素子の内部のデータの変化により生
ずるハードエラーモードであり、この場合はFCC(エ
ラーコレクションコード)修正機能により読出したエラ
ーデータを修正し、それをホストへ転送するとともに、
再度、バブルメモリにその正しいデータを書込む。この
ハードエラーは更にバブルメモリチップ上のマイナール
ープ内でバブルの転送が正常に行われず、ページ方向に
ビットのずれ等が発生する場合と、物理的に隣合うルー
プ間でバブルが移動し、同一ページ内で2ビツト以上の
エラーが発生する場合とに分かれる。
The second is a hard error mode caused by a change in the data inside the bubble memory element. In this case, the FCC (error correction code) correction function corrects the read error data and transfers it to the host.
Write the correct data to the bubble memory again. This hard error can also occur when bubbles are not transferred normally within the minor loop on the bubble memory chip, causing bit shifts in the page direction, or when bubbles move between physically adjacent loops, causing the same There are cases where an error of 2 or more bits occurs within the page.

前者のハードエラーはエラー発生がある特定のマイナー
ループだけに限定されるので、出力されたデータ列上で
は1ビツトのみのエラーとなるが、後者のハードエラー
の場合は、2ビツト、もしくはそれ以上であり、パラレ
ル駆動数が増加すると、それに伴ってエラービット間隔
も大きくなっていく。
The former hard error is limited to a specific minor loop where the error occurs, so the output data string contains only a 1-bit error, but the latter hard error results in a 2-bit or more error. As the number of parallel drives increases, the error bit interval also increases accordingly.

このエラービット間隔が長い程、続出しデータのエラー
検出をするECC回路の検出能力の大きなものが必要と
なる。このため、ECC回路の検出能力を一定とすれば
、パラレル駆動を増加することができず、書込み/続出
し処理の高速化等を図ることがないという問題がある。
The longer the error bit interval, the greater the detection capability of the ECC circuit that detects errors in successive data is required. For this reason, if the detection ability of the ECC circuit is kept constant, there is a problem in that the number of parallel drives cannot be increased and it is not possible to speed up the write/successive processing.

そこで、パラレル駆動数を増加しても、ECC回路の検
出能力を増加することなく、ハードエラー等の検出、修
正をすることができる装置の要望がある。
Therefore, there is a need for a device that can detect and correct hard errors, etc., without increasing the detection capability of the ECC circuit even if the number of parallel drives is increased.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第6.7図は、従来例に係る説明図である。 FIG. 6.7 is an explanatory diagram of a conventional example.

第6図(a)、  (b)は、従来例のバブルファイル
記憶装置に係る説明図であり、同図(a)はその構成図
を示している。
FIGS. 6(a) and 6(b) are explanatory diagrams of a conventional bubble file storage device, and FIG. 6(a) shows its configuration.

図(a)において、バブルファイル記憶装置は、例えば
8パラレル駆動の場合、エラーチエツク回路1.データ
人出力バッファ回路2及び複数のバブルメモリブロック
BMO〜BM7から成る。また、一つのバブルメモリブ
ロックBMOはファンクションドライバ3.バブルメモ
リ素子4.センスアンプ5から成る。
In Figure (a), the bubble file storage device has error check circuits 1. It consists of a data output buffer circuit 2 and a plurality of bubble memory blocks BMO to BM7. Also, one bubble memory block BMO is a function driver 3. Bubble memory element 4. It consists of 5 sense amplifiers.

同図(b)は、バブルメモリブロックBMO〜BM7の
書込みデータを示している。
FIG. 4B shows write data of bubble memory blocks BMO to BM7.

図において、DWは書込みデータであり、データバス上
を8ビツト転送されてきた8ピント×512バイト (
00バイト→IFFバイト)の1ペ一ジ分のデータであ
る。
In the figure, DW is write data, which is 8 pins x 512 bytes (8 bits transferred on the data bus).
This is data for one page (00 byte → IFF byte).

その書込み動作は、まずエラーチエツク回路1で、例え
ば1バイト(8ビツト) x 512バイトのlバー2
分の外部入力データDinに、エラーコレクシコンコー
ドECCが付加される。次いで、データ人出力バッファ
回路2及び各バブルメモリブロックBMO〜BM7のフ
ァンクションドライ/バ回路3を介して、書込みデータ
DWがそれぞれのバブルメモリブロックBMO−BM7
のバブルメモリ素子4に1ビツトづつ同時に書込まれる
The write operation is first performed by the error check circuit 1, for example, 1 byte (8 bits) x 512 bytes l bar 2.
An error corrector code ECC is added to the external input data Din for the minute. Next, the write data DW is sent to each bubble memory block BMO-BM7 via the data output buffer circuit 2 and the function driver/driver circuit 3 of each bubble memory block BMO-BM7.
One bit at a time is written into each bubble memory element 4 at the same time.

また、読出し動作は、まずホストコンピュータの指定す
るページアドレスの読出しデータDRが各バブルメモリ
ブロックBMO〜BM7のセンスアンプ5により1ピン
トづつ読出される0次いで、データ入出力バッファ回路
2を介して、エラーチエツク回路1に1バイト×512
バイトの1ペ一ジ分の読出しデータDRが外部出力デー
タDouLとして出力される。このデータ配列について
は、第7図に示しである。
In addition, in the read operation, first, the read data DR of the page address specified by the host computer is read one pin at a time by the sense amplifier 5 of each bubble memory block BMO to BM7. 1 byte x 512 for error check circuit 1
Read data DR for one page of bytes is output as external output data DouL. This data arrangement is shown in FIG.

エラーチエツク回路lでは、ECCエラーが検出される
と、続出しデータの修正を行い、読出したページアドレ
スと同じ場所に修正データを書込む。そして、ホストコ
ンピュータに外部出力データDoutを転送する。
When an ECC error is detected, the error check circuit 1 corrects the successive data and writes the corrected data at the same location as the read page address. Then, the external output data Dout is transferred to the host computer.

第7図は、従来例に係る問題点を説明する図であり、8
パラレル駆動の場合の読出しデータDRのデータ配列を
示している。
FIG. 7 is a diagram illustrating problems related to the conventional example.
The data arrangement of read data DR in the case of parallel driving is shown.

図において、EBI、EB2はエラービットであり、バ
ブルメモリブロックBMO〜BM7から読出したデータ
DR1すなわち00バイト〜IFF(16進法)バイト
の外部出力データDoutに発生したものである。
In the figure, EBI and EB2 are error bits that occur in data DR1 read from bubble memory blocks BMO to BM7, that is, external output data Dout of 00 bytes to IFF (hexadecimal) bytes.

エラービットEBIは、バブルメモリブロックBM2の
IFD番目のマイナーループから読出したデータにエラ
ーが発生したものである。同様に、エラービフFEB2
はバブルメモリブロックBM2のIFD番目のマイナー
ループに隣接するIFE番目のマイナーループから読出
したデータにエラーが発生したものである。
The error bit EBI indicates that an error has occurred in the data read from the IFD-th minor loop of the bubble memory block BM2. Similarly, error bif FEB2
An error has occurred in the data read from the IFE-th minor loop adjacent to the IFD-th minor loop of the bubble memory block BM2.

(発明が解決しようとする課題〕 ところで、従来例によれば、各バブルメモリブロックB
MO−BM7に同時にデータを書込むパラレル駆動を行
って、データ転送の高速化を図っている。この際、ある
一つのバブルメモリブロックBM2において、相互に隣
接するマイナーループ間の磁気バブル交換を原因とする
ハードエラー等の影響が、続出しデータDRのデータ配
列に対して、第7図に示すようにバイト単位に現れる。
(Problem to be solved by the invention) By the way, according to the conventional example, each bubble memory block B
Parallel driving is performed to simultaneously write data to the MO-BM 7 to speed up data transfer. At this time, in one bubble memory block BM2, the influence of hard errors etc. caused by magnetic bubble exchange between mutually adjacent minor loops affects the data arrangement of successive data DR as shown in FIG. Appears in bytes like this.

このため、8パラレル駆動において、上記のモードによ
るエラーが発生した場合、エラービットの間隔が8ビツ
ト、もしくはそれ以上となり、仮にパラレル駆動数を増
加しようとすると、さらにその間隔が広くなる事態を招
く。
Therefore, in 8-parallel drive, if an error occurs due to the above mode, the interval between error bits will be 8 bits or more, and if you try to increase the number of parallel drives, the interval will become even wider. .

仮に、エラーチエツク回路lのエラー検出修正機能を1
6ビツト程度とすると、8パラレル駆動の場合には十分
対処できる。しかし、現行の書込みデータ配列で、例え
ば64パラレル駆動を実施すると、エラービットが8バ
イト毎に発生するため、エラー検出手段のエラー検出修
正機能は、8パラレル駆動の8倍の128ビット程度の
ものが必要となる。
Suppose that the error detection and correction function of the error check circuit l is set to 1.
If it is about 6 bits, it will be sufficient to handle 8 parallel drives. However, if, for example, 64-parallel drive is implemented with the current write data array, an error bit will occur every 8 bytes, so the error detection and correction function of the error detection means is approximately 128 bits, which is eight times that of 8-parallel drive. Is required.

これにより、エラー検出機能がエラービット間隔に制限
される現行のエラー検出回路を利用して、パラレル駆動
数の増加をし、データ転送の高速化を図るとき、発生す
るエラーのモードによっては、データの修正ができなく
なる場合があるという問題がある。
As a result, when using the current error detection circuit whose error detection function is limited to the error bit interval to increase the number of parallel drives and speed up data transfer, depending on the error mode that occurs, the data There is a problem in that it may not be possible to make corrections.

本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創作されたもの
であり、パラレル駆動数を増加しても、現行のエラー検
出手段を用いて、2ピントハードエラー等の検出、修正
をすることを可能とするバブルファイル記憶装置の提供
を目的とする。
The present invention was created in view of the problems of the conventional example, and even if the number of parallel drives is increased, it is possible to detect and correct 2-focus hard errors using the current error detection means. The purpose is to provide a bubble file storage device that makes it possible.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

第1図は、本発明のバブルファイル記憶装置に係る原理
図を示している。
FIG. 1 shows a principle diagram of the bubble file storage device of the present invention.

その装置は、外部入力データDinにエラー検出情報を
付加し、読出し時に外部出力データDoutのエラー検
出をするエラー検出手段11と、前記外部入出力データ
Din、Doutの入出力制御をするデータ入出力制御
手段12と、前記データ入出力制御手段12に接続され
る複数のバブルメモリ手段BM0〜BMnから成るバブ
ルファイル記憶装置において、前記バブルメモリ手段B
M0〜BMnと、データ入出力制御手段12との間にデ
ータ列組替え手段13を設け、前記デ−夕列組替え手段
13は、データ書込み時には、外部入力データDinの
データ配列を各バブルメモリ手段BMi毎に該外部入力
データDinをシリアルに供給するデータ配列に組替え
、前記各バブルメモリ手段BMi列を前記外部入力デー
タDinのデータ配列に組替えることを特徴とし、上記
目的を達成する。
The device includes an error detection means 11 that adds error detection information to external input data Din and detects errors in external output data Dout during reading, and a data input/output unit that controls input/output of the external input/output data Din and Dout. In a bubble file storage device comprising a control means 12 and a plurality of bubble memory means BM0 to BMn connected to the data input/output control means 12, the bubble memory means B
A data string recombination means 13 is provided between M0 to BMn and the data input/output control means 12, and during data writing, the data string recombination means 13 changes the data array of external input data Din to each bubble memory means BMi. The above object is achieved by rearranging the external input data Din into a data array that is serially supplied each time, and rearranging each bubble memory means BMi column into the data array of the external input data Din.

〔作用〕[Effect]

本発明によれば、バブルメモリ手段BM0〜BMnと、
データ入出力制御手段12との間にデータ組替え手段1
3が設けられている。
According to the invention, bubble memory means BM0 to BMn;
Data recombination means 1 is connected to data input/output control means 12.
3 is provided.

このため、例えば外部入力データDinが8ビツト転送
の場合、ある一つのバブルメモリ手段BMiの各マイナ
ーループには、従来のように書込みデータの当該バイト
のビット第1番目と、他のバイトのビット第1番目が隣
接して書込まれることがなくなり、常に当該バイトのビ
ット第1番目、第2番目・・・・・・第8番目をシリア
ルに連続して書込むことができる。
For this reason, for example, when the external input data Din is 8-bit transfer, each minor loop of one bubble memory means BMi has the first bit of the byte of the write data and the bit of the other byte, as in the past. The first bits are no longer written adjacently, and the first, second, . . . , eighth bits of the byte can always be written serially and consecutively.

/ これにより、各バブルメモリ手段13のマイナール
ープ間で、スタート/ストップエラー等を原因とする2
ビツトハードエラーを生じても、読出しデータには、ハ
ードエラーを起こしたエラービットについて常に相互に
隣接した状態で検出することができる。従って、パラレ
ル駆動数を増加しても、従来のエラー検出手段のエラー
検出、修正機能を利用することが可能となる。
/ As a result, between the minor loops of each bubble memory means 13, 2 errors caused by start/stop errors, etc.
Even if a bit hard error occurs, the error bits causing the hard error can always be detected adjacent to each other in the read data. Therefore, even if the number of parallel drives is increased, it is possible to utilize the error detection and correction functions of the conventional error detection means.

〔実施例〕 次に図を参照しながら本発明の実施例について説明をす
る。
[Example] Next, an example of the present invention will be described with reference to the drawings.

第2〜5図は、本発明の実施例に係るバブルファイル記
憶装置を説明する図であり、第2図は、本発明の実施例
のバブルファイル記憶装置に係る構成図を示している。
2 to 5 are diagrams for explaining a bubble file storage device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a block diagram of the bubble file storage device according to an embodiment of the present invention.

図において、21はエラー検出手段11の一実施例とな
るECC回路である。ECC回路21は、データ書込み
時には外部人力データDinにエラー検出コードを付加
したり1.データ読出し時にはそのエラー検出をし、エ
ラービットがあればそのエラービットを修正するもので
ある0本発明の実施例では、従来と同じエラー検出、修
正機能を有するECC回路を用いている。
In the figure, 21 is an ECC circuit which is one embodiment of the error detection means 11. The ECC circuit 21 adds an error detection code to the external manual data Din when writing data, and performs 1. When reading data, errors are detected, and if there is an error bit, the error bit is corrected. In the embodiment of the present invention, an ECC circuit having the same error detection and correction functions as the conventional one is used.

22はデータ入出力バッファ回路であり、外部入出力デ
ータDin、Doutの入出力制mをするものである0
例えば、RAM等に外部入力データDinを一時記憶す
るものである。
22 is a data input/output buffer circuit, which controls the input/output of external input/output data Din and Dout.
For example, the external input data Din is temporarily stored in a RAM or the like.

13は、データ列組替え手段であり、第2図の一点鎖線
で囲んだ部分である。データ列組替え手段13は書込み
用のシフトレジスタ31 、331〜333.341〜
343.バンクセレクタ32と、続出し用のシフトレジ
スタ37,351〜353.バンクセレクタ36から成
る。
Reference numeral 13 denotes a data string recombination means, which is a portion surrounded by a dashed line in FIG. The data string recombination means 13 includes write shift registers 31, 331-333, 341-
343. Bank selector 32 and shift registers 37, 351 to 353 . It consists of a bank selector 36.

シフトレジスタ31は、不良ループ制御信号BLにより
、データ入出力バッファ回路22からの外部入力データ
DSnをバンクセレクタ32に送出するものである。バ
ンクセレクタ32は、例えば8パラレル駆動を行う場合
、8つのバブルメモリブロックBMO〜BM7の一つを
選択するものである。
The shift register 31 sends external input data DSn from the data input/output buffer circuit 22 to the bank selector 32 in response to the defective loop control signal BL. The bank selector 32 selects one of the eight bubble memory blocks BMO to BM7 when performing 8-parallel driving, for example.

シフトレジスタ331〜333は、各バブルメモリブp
ツクBMO−BM7毎に設けられ、クロック信号φlに
よりそれ等の書込みに必要な外部入力データDinを一
時登録するものである。
Shift registers 331 to 333 are used for each bubble memory drive p.
It is provided for each block BMO-BM7 and temporarily registers external input data Din necessary for writing them using the clock signal φl.

シフトレジスタ341〜343は同様に、各バブルメモ
リブロックBMO−BM7毎に設けられ、例えばバブル
メモリブロックBMOに書込む1ペ一ジ分の書込みデー
タDWを、クロック信号φ2によりシリアルデータ配列
に、するものである。
Shift registers 341 to 343 are similarly provided for each bubble memory block BMO-BM7, and convert, for example, one page worth of write data DW to be written into bubble memory block BMO into a serial data array using clock signal φ2. It is something.

シフトレジスタ351〜352は、各バブルメモリブロ
ックBMO−BM7毎に設けられ、それ等の続出しデー
タDRを一時登録するものである。バンクセレクタ36
は、先のバンクセレクタ32と同様の機能を有している
Shift registers 351 to 352 are provided for each bubble memory block BMO-BM7, and are used to temporarily register successive data DR. Bank selector 36
has the same function as the bank selector 32 described above.

シフトレジスタ37は、先のシフトレジスタ31とli
′1様に不良ループ制御B信号BLによ、外部出力デー
タDoutを人出力バッファ回路22に送出するもので
ある。
The shift register 37 is connected to the previous shift register 31
As shown in '1, external output data Dout is sent to the human output buffer circuit 22 by the defective loop control B signal BL.

破線で囲んだBMO−8M7は、バブルメモリブロック
であり、それぞれのブロック毎に設けられたファンクシ
ランドライバ回路231〜233と、バブルメモリ素子
241〜243と、センスアンプ回路251〜253か
ら成る。
BMO-8M7 surrounded by a broken line is a bubble memory block, and is composed of funxylan driver circuits 231-233, bubble memory elements 241-243, and sense amplifier circuits 251-253 provided for each block.

ファンクシランドライバ回路231〜233は、シリア
ルデータ配列の書込みデータDWをメジャーループに送
出するものである。バブルメモリ素子241〜242は
1ページ8ビツト×512バイトの場合、書込みデータ
DWが書き込まれる512本のマイナーループと、予備
のループ等により構成されている。センスアンプ回路2
51〜253は、バブルメモリ素子241〜243から
読出しデータDRとして出力されるアナログ信号をデジ
タル信号に変換するものである。
The funxylan driver circuits 231 to 233 send out write data DW in a serial data array to the major loop. If one page is 8 bits x 512 bytes, the bubble memory elements 241 to 242 are composed of 512 minor loops into which write data DW is written, a spare loop, and the like. Sense amplifier circuit 2
51 to 253 convert analog signals output as read data DR from the bubble memory elements 241 to 243 into digital signals.

第3図は、本発明の実施例のデータ組替え手段に係る説
明図であり、従来例との比較を容易にするため、8パラ
レル駆動の場合を示している。
FIG. 3 is an explanatory diagram of the data recombination means of the embodiment of the present invention, and shows the case of 8-parallel drive to facilitate comparison with the conventional example.

ここで、外部入力データDinは従来と同様に、ホスト
コンピュータから8ビツト転送されてくるものとする。
Here, it is assumed that the external input data Din is 8-bit transferred from the host computer as in the conventional case.

また、1ペ一ジ分の書込みデータは、従来と同様に8ビ
ツト×512バイトとする。
Also, the write data for one page is 8 bits x 512 bytes, as in the conventional case.

このような条件において、データ組替え手段13のシフ
トレジスタ341〜343にセットされる書込み時の書
込みデータDWは、次のようになる。
Under these conditions, the write data DW set in the shift registers 341 to 343 of the data recombination means 13 at the time of writing is as follows.

すなわち、バブルメモリブロックBMOの書込み用レジ
スタ341には、00〜3F(16進法)バイトのシリ
アルデータ配列された書込みデータDWIがセットされ
る。同様に、バブルメモリブロックBMIの書込み用レ
ジスタ342には、40〜7Eバイトのシリアルデータ
配列された書込みデータDW2がセットされる。このよ
うにして、バブルメモリブロックBM7に供給する書込
みデータDW8がセットされ、クロック信号φ2のタイ
ミングにより、1ビツトづつ8ブロック同時に書込み処
理が行われる。
That is, write data DWI arranged in serial data of 00 to 3F (hexadecimal) bytes is set in the write register 341 of the bubble memory block BMO. Similarly, write data DW2 of 40 to 7E bytes of serial data is set in the write register 342 of the bubble memory block BMI. In this way, the write data DW8 to be supplied to the bubble memory block BM7 is set, and the write process is performed simultaneously for eight blocks one bit at a time according to the timing of the clock signal φ2.

第4図(a)、(b)は、本発明の実施例のデータ配列
と従来例のデータ配列とを比較する図である。
FIGS. 4(a) and 4(b) are diagrams comparing the data array of the embodiment of the present invention and the data array of the conventional example.

同図(a)は、第6図の従来例に係るバブルファイル記
憶装置の書込みデータDWのデータ配列を示している。
FIG. 6A shows a data arrangement of write data DW of the bubble file storage device according to the conventional example of FIG.

このようなデータ配列により、書込みデータDWをバブ
ルメモリブロックBM2のマイナーループに書込むと、
例えばOlバイトのビット2に隣接する書込みビットは
、OOバイトのビット2と、02バイトのビット2であ
る。
With this data arrangement, when write data DW is written to the minor loop of bubble memory block BM2,
For example, write bits adjacent to bit 2 of the OL byte are bit 2 of the OO byte and bit 2 of the 02 byte.

同図(b)は、本発明の実施例のシリアルデータ配列に
よる書込みデータDWを示している。
FIG. 5B shows write data DW according to the serial data array according to the embodiment of the present invention.

このようなシリアルデータ配列で書込みデータDWを、
バブルメモリブロックBMOのマイナーループに書込む
と、常に00バイトから3FバイトまでのビットO〜ビ
ットIFFが連続して並ぶ。
Write data DW in such a serial data array,
When writing to the minor loop of the bubble memory block BMO, bits O to IFF from 00 byte to 3F byte are always lined up consecutively.

第5図(a)、(b)は、本発明の実施例のECC回路
に係る説明図である。
FIGS. 5(a) and 5(b) are explanatory diagrams of an ECC circuit according to an embodiment of the present invention.

同図(a)は、従来と同様にデータ転送が8ビツトの場
合のデータ続出し時のデータ人出力バッファ回路22か
らECC回路21に入力される外部出力データDout
を示している。
Figure (a) shows the external output data Dout input from the data output buffer circuit 22 to the ECC circuit 21 when data is continuously transferred when data transfer is 8 bits as in the conventional case.
It shows.

図において、EBI、EB2はエラービットであり、そ
れが従来例のように何らかの原因でバブルメモリ素子2
43において発生し、それが読出しデータDRにエラー
ビットとして生じたものである。
In the figure, EBI and EB2 are error bits, which are caused by some reason in the bubble memory element 2 as in the conventional example.
43, and this occurs as an error bit in the read data DR.

これは、IFDバイトのビット2と、ビット3とに発生
したエラービットであり、バブルメモリ素子のマイナー
ループで見ると相互に隣接する第491木目と、第49
2木目の書込みデータDWがエラーを起こしたものであ
る。
This is an error bit that occurred in bit 2 and bit 3 of the IFD byte, and when viewed from the minor loop of the bubble memory element, these are the 491st and 49th grains that are adjacent to each other.
The second write data DW is the one that caused the error.

同図(b)は、エラービットFBI、EB2が2バイト
にまたがる場合を示している。
FIG. 4B shows a case where the error bits FBI and EB2 span two bytes.

これは、IFDバイトのビット7とIFBバイトのビッ
ト0とに発生したエラービットであり、バブルメモリ素
子のマイナーループで見ると、相互に隣接する第496
木目と、第497木目の書込みデータDWがエラーを起
こしたものである。
This is an error bit that occurs in bit 7 of the IFD byte and bit 0 of the IFB byte, and when viewed in the minor loop of the bubble memory element, the 496th bit adjacent to each other
The error occurred in the write data DW of the wood grain and the 497th wood grain.

これにより、バブルメモリブロックBMO〜BM7で発
生したエラービットが常に隣同士に位置し、少な(とも
2バイト以上にまたがる事態がなくなる。従って、EC
C回路21のエラー検出。
As a result, the error bits that occur in bubble memory blocks BMO to BM7 are always located next to each other, and there is no possibility that they span more than two bytes.
C circuit 21 error detection.

修正処理の負担が軽減される。The burden of correction processing is reduced.

このようにして、バブルメモリブロックBMO〜BM7
と、データ入出力バッファ回路22との間に、シフトレ
ジスタ31,37,331〜333゜341〜343 
、351〜353及びバ・ンクセレクタ回路36から成
るデータ組替え手段13が設けられている。
In this way, bubble memory blocks BMO to BM7
and the data input/output buffer circuit 22, there are shift registers 31, 37, 331-333°341-343.
, 351 to 353 and a bank selector circuit 36.

このため、外部入力データDinの転送データが8ビツ
トの場合、ある一つのバブルメモリブロックBMOの各
マイナーループには、従来のように00バイトのビット
lと、01バイトのビット1とが隣接して書込まれるこ
とがなくなり、常に00〜3Fバイトの書込みデータビ
ットO〜ビットIFFをシリアルに連続して、書き込む
ことができる。
Therefore, when the transfer data of the external input data Din is 8 bits, each minor loop of one bubble memory block BMO has bit 1 of the 00 byte and bit 1 of the 01 byte adjacent to each other, as in the past. The write data bits O to IFF of 00 to 3F bytes can always be written serially and continuously.

これにより、各バブルメモリブロックBMO〜BM7の
マイナーループ間で、スタート/ストップエラー等を原
因とする2ビツトハードエラーを生じても、続出しデー
タDRにはハードエラーを起こしたエラービットEBI
、EB2について、常に相互に隣接したビット491 
、492やビット496 、497としてFCC回路2
1で検出をすることができる。従って、パラレル駆動数
を、例えば8パラレル駆動から64パラレル駆動にして
も、従来の16ビツト程度のエラー検出手段のエラー検
出、修正機能を利用することが可能となる。
As a result, even if a 2-bit hard error occurs between the minor loops of each bubble memory block BMO to BM7 due to a start/stop error, etc., the error bit EBI that caused the hard error will be stored in the successive data DR.
, EB2, always mutually adjacent bits 491
, 492 and bits 496 and 497 as FCC circuit 2
1 can be used for detection. Therefore, even if the number of parallel drives is changed from, for example, 8 parallel drives to 64 parallel drives, it is possible to utilize the error detection and correction functions of the conventional error detection means of about 16 bits.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によれば、バブルメモリブ
ロックの書込みデータを各バブルメモリブロック毎にシ
リアルに書込むデータ配列にすることによって、該バブ
ルメモリブロックで発生したエラービットについて、読
出しデータの相互に隣接する位置に見出すことができる
As explained above, according to the present invention, by arranging the write data of a bubble memory block into a data array that is written serially for each bubble memory block, error bits generated in the bubble memory block are treated as read data. They can be found in positions adjacent to each other.

このため、パラレル駆動数を増加しても、エラー検出手
段のエラー検出、修正機能を増加する必要がない。
Therefore, even if the number of parallel drives is increased, there is no need to increase the error detection and correction functions of the error detection means.

これにより、パラレル駆動数の増加ができることから、
高速データ転送及び大容量のバブルファイル記憶装置を
製造することが可能となる。
This allows for an increase in the number of parallel drives.
It becomes possible to produce high-speed data transfer and large-capacity bubble file storage devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明のバブルファイル記憶装置に係る原理
図、 第2図は、本発明の実施例のバブルファイル記憶装置に
係る構成図、 第3図は、本発明の実施例のデータ列組替え手段に係る
説明図、 第4図(a)、(b)は、本発明の実施例のデータ配列
と、従来例のデータ配列とを比較する図、第5図(a)
、(b)は、本発明の実施例のECC回路に係る説明図
、 第6図<a)、  (b)は、従来例のバブルファイル
記憶装置に係る構成図、 第7図は、従来例に係る問題点を説明する図である。 (符号の説明) 11・・・エラー検出手段、 12・・・データ入出力制御手段、 13・・・データ列組替え手段、 BMO,BMi、BMn・・・バブルメモリ手段、Di
n・・・外部入力データ、 Dout・・・外部出力データ。
Fig. 1 is a principle diagram of a bubble file storage device of the present invention, Fig. 2 is a block diagram of a bubble file storage device of an embodiment of the invention, and Fig. 3 is a data string of an embodiment of the invention. FIGS. 4(a) and 4(b) are explanatory diagrams relating to the recombination means, and FIG. 5(a) is a diagram comparing the data arrangement of the embodiment of the present invention and the data arrangement of the conventional example
, (b) are explanatory diagrams related to the ECC circuit of the embodiment of the present invention, FIG. 6<a), (b) are block diagrams related to the bubble file storage device of the conventional example, and FIG. FIG. (Explanation of symbols) 11...Error detection means, 12...Data input/output control means, 13...Data string recombination means, BMO, BMi, BMn...Bubble memory means, Di
n...External input data, Dout...External output data.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 外部入力データ(Din)にエラー検出情報を付加し、
読出し時に外部出力データ(Dout)のエラー検出を
するエラー検出手段(11)と、前記外部入出力データ
(Din、Dout)の入出力制御をするデータ入出力
制御手段(12)と、 前記データ入出力制御手段(12)に接続される複数の
バブルメモリ手段(BM0〜BMn)から成るバブルフ
ァイル記憶装置において、 前記バブルメモリ手段(BM0〜BMn)と、データ入
出力制御手段(12)との間にデータ列組替え手段(1
3)を設け、 前記データ列組替え手段(13)は、データ書込み時に
は、外部入力データ(Din)のデータ配列を、各バブ
ルメモリ手段(BMi)毎に該外部入力データ(Din
)をシリアルに供給するデータ配列に組替え、 前記各バブルメモリ手段(BMi)からのデータ読出し
時には、読出されたデータ配列を、前記外部入力データ
(Din)のデータ配列に組替えることを特徴とするバ
ブルファイル記憶装置。
[Claims] Adding error detection information to external input data (Din),
an error detection means (11) for detecting an error in external output data (Dout) during reading; a data input/output control means (12) for controlling input/output of the external input/output data (Din, Dout); In a bubble file storage device comprising a plurality of bubble memory means (BM0 to BMn) connected to an output control means (12), between the bubble memory means (BM0 to BMn) and the data input/output control means (12). Data string recombination means (1
3), and the data string rearranging means (13) changes the data array of external input data (Din) for each bubble memory means (BMI) at the time of data writing.
) into a data array that is serially supplied, and when reading data from each bubble memory means (BMi), the read data array is rearranged into a data array of the external input data (Din). Bubble file storage.
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