JPH02220239A - 光学的記録再生装置 - Google Patents
光学的記録再生装置Info
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- JPH02220239A JPH02220239A JP1041393A JP4139389A JPH02220239A JP H02220239 A JPH02220239 A JP H02220239A JP 1041393 A JP1041393 A JP 1041393A JP 4139389 A JP4139389 A JP 4139389A JP H02220239 A JPH02220239 A JP H02220239A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザの出力設定回路と、所定の周波
数帯域にあるデータがピットの形で記録されている記録
媒体上のトラック上に対して、前記出力設定回路からの
設定出力に応答して駆動されて再生用スポット光を照射
する半導体レーザと、前記記録媒体からの反射光を戻り
光として前記半導体レーザに戻す光学系と、前記光学系
を介して戻ってきた戻り光に応答する前記半導体レーザ
の光出力変化を検出するフォトディテクタとを備えた光
学的記録再生装置に係り、詳しくは記録媒体の振動とか
光学系の歪みなどに起因して戻り光量が正規の量から変
動したことによる半導体レーザの光出力変化とか、ある
いは戻り光量が正規の量であっても周囲の温度変化に起
因して半導体レーザの動作特性が変化してしまった結果
生じる半導体レーザの光出力変化とかのようにデータの
再生とは無関係な外的・内的要因により半導体レーザの
光出力変化があっても記録媒体上のピットの形で記録さ
れたデータを正確に検出できるようにした技術に関する
。
数帯域にあるデータがピットの形で記録されている記録
媒体上のトラック上に対して、前記出力設定回路からの
設定出力に応答して駆動されて再生用スポット光を照射
する半導体レーザと、前記記録媒体からの反射光を戻り
光として前記半導体レーザに戻す光学系と、前記光学系
を介して戻ってきた戻り光に応答する前記半導体レーザ
の光出力変化を検出するフォトディテクタとを備えた光
学的記録再生装置に係り、詳しくは記録媒体の振動とか
光学系の歪みなどに起因して戻り光量が正規の量から変
動したことによる半導体レーザの光出力変化とか、ある
いは戻り光量が正規の量であっても周囲の温度変化に起
因して半導体レーザの動作特性が変化してしまった結果
生じる半導体レーザの光出力変化とかのようにデータの
再生とは無関係な外的・内的要因により半導体レーザの
光出力変化があっても記録媒体上のピットの形で記録さ
れたデータを正確に検出できるようにした技術に関する
。
なお、本明細書ではピットの読み取り再生に対応する半
導体レーザの光出力中に含まれる周波数成分をデータ周
波数成分と定義する一方、そのデータ周波数成分以外に
温度変化とかデフォーカシングといった各種の要因によ
り半導体レーザの光出力中に含まれてくる周波数をデー
タ周波数成分に対して変動周波数成分と定義する。
導体レーザの光出力中に含まれる周波数成分をデータ周
波数成分と定義する一方、そのデータ周波数成分以外に
温度変化とかデフォーカシングといった各種の要因によ
り半導体レーザの光出力中に含まれてくる周波数をデー
タ周波数成分に対して変動周波数成分と定義する。
（従来の技術）
このような光学的記録再生装置には、第５図に示すよう
に、記録時においては半導体レーザＬＤを高出力でオン
オフ駆動することでその前方から記録用スポット光ＳＰ
Ｒを、コリメートレンズＣＬおよび対物レンズＴＬから
なる光学系を介してモータＭＴで図中の矢印方向に移動
される記録媒体ＲＭのトラック上に照射することでその
トラック上に情報単位であるピットを記録する。再生時
においてはその半導体レーザＬＤを低出力で駆動するこ
とでその前方から再生用スポット光ＳＰＰをそのトラッ
ク上に照射するとともに、その反射光を戻り光ＳＰＢと
して上記光学系を介して半導体レーザＬＤに導き、その
戻り光ＳＰＢがピットからの反射光であるか、記録媒体
ＲＭの他の部分からの反射光であるかに基づく戻り光の
強度の変化に応答する半導体レーザＬＤの光出力変化を
その半導体レーザＬＤの後方に配置されているフォトデ
ィテクタＰＤで検出し、そのフォトディテクタＰＤの出
力に基づいてそのピットの形で記録されているデータの
読み取り再生を行うようにしたものがある。
に、記録時においては半導体レーザＬＤを高出力でオン
オフ駆動することでその前方から記録用スポット光ＳＰ
Ｒを、コリメートレンズＣＬおよび対物レンズＴＬから
なる光学系を介してモータＭＴで図中の矢印方向に移動
される記録媒体ＲＭのトラック上に照射することでその
トラック上に情報単位であるピットを記録する。再生時
においてはその半導体レーザＬＤを低出力で駆動するこ
とでその前方から再生用スポット光ＳＰＰをそのトラッ
ク上に照射するとともに、その反射光を戻り光ＳＰＢと
して上記光学系を介して半導体レーザＬＤに導き、その
戻り光ＳＰＢがピットからの反射光であるか、記録媒体
ＲＭの他の部分からの反射光であるかに基づく戻り光の
強度の変化に応答する半導体レーザＬＤの光出力変化を
その半導体レーザＬＤの後方に配置されているフォトデ
ィテクタＰＤで検出し、そのフォトディテクタＰＤの出
力に基づいてそのピットの形で記録されているデータの
読み取り再生を行うようにしたものがある。
この光学的記録再生装置におけるピットの読み取りの原
理について第６図を参照して説明すると、第６図は戻り
光ＳＰＨに応じた半導体レーザＬＤの光出力（ａ＋Ｗ）
を縦軸に、半導体レーザＬＤの順電流（ＩｌｌＡ）を横
軸にそれぞれ示された半導体レーザＬＤの順電流特性を
示す図である。第６図において、■は半導体レーザＬＤ
への戻り光がピットの無い部分（光反射率の大きい部分
）での戻り光である場合の特性カーブを示し、■は半導
体レーザＬＤへの戻り光がピットの有る部分（光反射率
の小さい部分）での戻り光である場合の特性カーブを示
している。また、Ｉｍは半導体レーザＬＤの光出力が立
ち上がるスレッシ日ルド電流であり、半導体レーザＬＤ
はこのスレッショルド電流Ｉｎ以上の定電流Ｉａで駆動
されるようになっている。第６図から明らかなように半
導体レーザＬＤは記録媒体ＲＭのトラック上を反射され
て戻ってくる再生用スポット光ＳＰＰの戻り光ＳＰＢか
ピットの無い部分からの強度の大きな戻り光である場合
は■の特性カーブとなり、ピットの有る部分からの強度
の小さな戻り光である場合は■の特性カーブとなってい
る。そして、両特性カーブにおける定電流１ａでの半導
体レーザＬＤの出力Ｐａとｐｂとの差がフすトディテク
タＰＤで検出され、このフォトディテクタＰＤの検出出
力に基づいて記録媒体ＲＭのトラックにピットの形で記
録されているデータが読み取り再生されるのである。
理について第６図を参照して説明すると、第６図は戻り
光ＳＰＨに応じた半導体レーザＬＤの光出力（ａ＋Ｗ）
を縦軸に、半導体レーザＬＤの順電流（ＩｌｌＡ）を横
軸にそれぞれ示された半導体レーザＬＤの順電流特性を
示す図である。第６図において、■は半導体レーザＬＤ
への戻り光がピットの無い部分（光反射率の大きい部分
）での戻り光である場合の特性カーブを示し、■は半導
体レーザＬＤへの戻り光がピットの有る部分（光反射率
の小さい部分）での戻り光である場合の特性カーブを示
している。また、Ｉｍは半導体レーザＬＤの光出力が立
ち上がるスレッシ日ルド電流であり、半導体レーザＬＤ
はこのスレッショルド電流Ｉｎ以上の定電流Ｉａで駆動
されるようになっている。第６図から明らかなように半
導体レーザＬＤは記録媒体ＲＭのトラック上を反射され
て戻ってくる再生用スポット光ＳＰＰの戻り光ＳＰＢか
ピットの無い部分からの強度の大きな戻り光である場合
は■の特性カーブとなり、ピットの有る部分からの強度
の小さな戻り光である場合は■の特性カーブとなってい
る。そして、両特性カーブにおける定電流１ａでの半導
体レーザＬＤの出力Ｐａとｐｂとの差がフすトディテク
タＰＤで検出され、このフォトディテクタＰＤの検出出
力に基づいて記録媒体ＲＭのトラックにピットの形で記
録されているデータが読み取り再生されるのである。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、半導体レーザＬＤは周囲の温度変化の影響を
受けて第６図における横軸のスレッショルド電流！ｍの
値が変化するという性質を備えていて第６図に対応する
第７図のように周囲温度が０℃ではＩｍｏ、２５℃では
ｌ１ｌｌｔｓ、５０℃ではＩｍｓ。というようにそのス
レッショルド電流が変化する。そのため、例えば周囲温
度２５℃のときのスレッショルド電流Ｉｎ、、に対応し
て定電流■ａが設定されているときに、周囲温度か０℃
または５０℃に変化するとピットを検出する半導体レー
ザＬＤの出力変化レベルもそれに応じてピット有りのと
きでは本来ではＰａであるべき出力がＰａ ＳＰａ”
というように変化することとなり、その結果、フォト
ディテクタＰＤにおける検出出力値に誤差となってあら
れれてくる。このような誤差があっては記録媒体ＲＭの
トラック上にピットの形で記録されているデータを正確
に読み取り再生することができなくなるという問題があ
る。
受けて第６図における横軸のスレッショルド電流！ｍの
値が変化するという性質を備えていて第６図に対応する
第７図のように周囲温度が０℃ではＩｍｏ、２５℃では
ｌ１ｌｌｔｓ、５０℃ではＩｍｓ。というようにそのス
レッショルド電流が変化する。そのため、例えば周囲温
度２５℃のときのスレッショルド電流Ｉｎ、、に対応し
て定電流■ａが設定されているときに、周囲温度か０℃
または５０℃に変化するとピットを検出する半導体レー
ザＬＤの出力変化レベルもそれに応じてピット有りのと
きでは本来ではＰａであるべき出力がＰａ ＳＰａ”
というように変化することとなり、その結果、フォト
ディテクタＰＤにおける検出出力値に誤差となってあら
れれてくる。このような誤差があっては記録媒体ＲＭの
トラック上にピットの形で記録されているデータを正確
に読み取り再生することができなくなるという問題があ
る。
また、半導体レーザＬＤからの再生用スポット光ＳＰＰ
は光学系を介して記録媒体ＲＭのトラック上にフォーカ
シングされるべきであるが、その記録媒体ＲＭの機械的
な振動とか光学系の歪みといった各種の要因によりフォ
ーカシングされなくなり（デフォーカシング状態）、そ
の結果、縦軸に戻り光量、横軸にデフォーカシング量を
あられす第８図に示すように半導体レーザＬＤに対する
その再生用スポット光ＳＰＰの反射光である戻り光ＳＰ
Ｈの量がデフォーカシング量の増大に応じて減少方向に
変動することになる。このような戻り光ＳＰＨの減少は
当然、半導体レーザＬＤの光出力の低下となっていあら
れれてくるから、これも上記と同じくピットの形で記録
されたデータを正確に読み取り再生することができなく
なるという問題となる。
は光学系を介して記録媒体ＲＭのトラック上にフォーカ
シングされるべきであるが、その記録媒体ＲＭの機械的
な振動とか光学系の歪みといった各種の要因によりフォ
ーカシングされなくなり（デフォーカシング状態）、そ
の結果、縦軸に戻り光量、横軸にデフォーカシング量を
あられす第８図に示すように半導体レーザＬＤに対する
その再生用スポット光ＳＰＰの反射光である戻り光ＳＰ
Ｈの量がデフォーカシング量の増大に応じて減少方向に
変動することになる。このような戻り光ＳＰＨの減少は
当然、半導体レーザＬＤの光出力の低下となっていあら
れれてくるから、これも上記と同じくピットの形で記録
されたデータを正確に読み取り再生することができなく
なるという問題となる。
つまり、第９図および第１Ｏ図を参照して説明するよう
に、まず、第９図（１）のように半導体レーザＬＤから
の再生用スポット光のデフォーカシング量が変動して、
半導体レーザＬＤへの戻り光量、したがって、半導体レ
ーザＬＤの光出力もそれに対応して変動することになる
。この変動による半導体レーザＬＤの光出力の変化成分
に対応した周波数成分を変動周波数成分Ｓｔとしたとき
に、ピットの形で記録されているデータ周波数成分Ｓ２
はこの変動周波数成分Ｓｌにより第９図（２）のように
振幅変調されてしまう。そして、その振幅変調の結果、
谷Ｖの部分でそのデータの振幅が極端に小さくされてし
まうと、フォトディテクタＰＤでは半導体レーザＬＤの
出力変化を検出することができなくなる。なお、第１０
図はフォーカス変動周波数帯域と、データ周波数帯域と
を示している。
に、まず、第９図（１）のように半導体レーザＬＤから
の再生用スポット光のデフォーカシング量が変動して、
半導体レーザＬＤへの戻り光量、したがって、半導体レ
ーザＬＤの光出力もそれに対応して変動することになる
。この変動による半導体レーザＬＤの光出力の変化成分
に対応した周波数成分を変動周波数成分Ｓｔとしたとき
に、ピットの形で記録されているデータ周波数成分Ｓ２
はこの変動周波数成分Ｓｌにより第９図（２）のように
振幅変調されてしまう。そして、その振幅変調の結果、
谷Ｖの部分でそのデータの振幅が極端に小さくされてし
まうと、フォトディテクタＰＤでは半導体レーザＬＤの
出力変化を検出することができなくなる。なお、第１０
図はフォーカス変動周波数帯域と、データ周波数帯域と
を示している。
このようにして、従来の光学的記録再生装置にあっては
、温度変化とかデフォーカシングといった要因によりデ
ータの正確な読み取り再生ができなくなることがあり、
動作上の信頼性において問題のあるものであった。
、温度変化とかデフォーカシングといった要因によりデ
ータの正確な読み取り再生ができなくなることがあり、
動作上の信頼性において問題のあるものであった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、周
囲の温度変化による半導体レーザの光出力変化とか、再
生用スポット光のデフォーカシングによる戻り光量の変
動などがあっても正確に記録媒体のトラック上にピット
の形で記録されているデータを正確に読み取ることがで
きるようにすることを目的としている。
囲の温度変化による半導体レーザの光出力変化とか、再
生用スポット光のデフォーカシングによる戻り光量の変
動などがあっても正確に記録媒体のトラック上にピット
の形で記録されているデータを正確に読み取ることがで
きるようにすることを目的としている。
（課題を解決するための手段）
このような目的を達成するために、本発明の光学的記録
再生装置においては、半導体レーザの出力設定回路と、
所定の周波数帯域にあるデータがピットの形で記録され
ている記録媒体のトラック上に対して、前記出力設定回
路からの設定出力に応答して駆動されて再生用スポット
光を照射する半導体レーザと、前記記録媒体からの反射
光を戻り光として前記半導体レーザに戻す光学系と、前
記光学系を介して戻ってきた戻り光に応答する前記半導
体レーザの光出力変化を検出するフォトディテクタと、
前記フォトディテクタに対する前記半導体レーザの光出
力中に含まれる周波数成分の内、変動周波数成分に対し
てはこれを減衰出力し、データ周波数成分に対しては実
質的に非応答となる半導体レーザ出力制御（ＡＰＣ）回
路とを備えたことを特徴としている。
再生装置においては、半導体レーザの出力設定回路と、
所定の周波数帯域にあるデータがピットの形で記録され
ている記録媒体のトラック上に対して、前記出力設定回
路からの設定出力に応答して駆動されて再生用スポット
光を照射する半導体レーザと、前記記録媒体からの反射
光を戻り光として前記半導体レーザに戻す光学系と、前
記光学系を介して戻ってきた戻り光に応答する前記半導
体レーザの光出力変化を検出するフォトディテクタと、
前記フォトディテクタに対する前記半導体レーザの光出
力中に含まれる周波数成分の内、変動周波数成分に対し
てはこれを減衰出力し、データ周波数成分に対しては実
質的に非応答となる半導体レーザ出力制御（ＡＰＣ）回
路とを備えたことを特徴としている。
（作用）
半導体レーザは出力設定回路により設定された出力でも
って駆動されることで記録媒体のトラック上に再生用ス
ポット光を照射する。この再生用スポット光の照射によ
りその半導体レーザにはその反射光である戻り光が入光
される。この戻り光の強度はそのトラック上のピットの
部分からのものとその他の部分からのものとで異なるた
めに、フォトディテクタに対する半導体レーザの光出力
もそれに応じて変化する結果、そのフォトディテクタか
らはピットの形で記録されているデータに対応した検出
出力が出力されることになる。
って駆動されることで記録媒体のトラック上に再生用ス
ポット光を照射する。この再生用スポット光の照射によ
りその半導体レーザにはその反射光である戻り光が入光
される。この戻り光の強度はそのトラック上のピットの
部分からのものとその他の部分からのものとで異なるた
めに、フォトディテクタに対する半導体レーザの光出力
もそれに応じて変化する結果、そのフォトディテクタか
らはピットの形で記録されているデータに対応した検出
出力が出力されることになる。
そして、記録媒体の機械的振動とか光学系の歪み、ある
いは温度変化などによりフォトディテクタに対する前記
半導体レーザの光出力中にデータ周波数成分以外に変動
周波数成分が含まれてくると、ＡＰＣ回路の働きでこの
変動周波数成分は減衰されるので、フォトディテクタは
その変動周波数成分の影響を受けることなく所要の検出
を行うことができる。
いは温度変化などによりフォトディテクタに対する前記
半導体レーザの光出力中にデータ周波数成分以外に変動
周波数成分が含まれてくると、ＡＰＣ回路の働きでこの
変動周波数成分は減衰されるので、フォトディテクタは
その変動周波数成分の影響を受けることなく所要の検出
を行うことができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例に係る光学的記録再生装置を図面
を参照して詳細に説明する。なお、本実施例の光学的記
録再生装置は第５図と同様にして半導体レーザＬＤと、
記録媒体ＲＭからの反射光を戻り光として半導体レーザ
ＬＤに戻すコリメートレンズＣＬと対物レンズＴＬとか
らなる光学系と、この光学系を介して戻ってきた戻り光
に応答する半導体レーザＬＤの光出力変化を検出するフ
ォトディテクタＰＤとを備えている。
を参照して詳細に説明する。なお、本実施例の光学的記
録再生装置は第５図と同様にして半導体レーザＬＤと、
記録媒体ＲＭからの反射光を戻り光として半導体レーザ
ＬＤに戻すコリメートレンズＣＬと対物レンズＴＬとか
らなる光学系と、この光学系を介して戻ってきた戻り光
に応答する半導体レーザＬＤの光出力変化を検出するフ
ォトディテクタＰＤとを備えている。
そして、本実施例の光学的記録再生装置は、回路的には
第１図に示す構成を具備している。第１図において、Ｓ
Ｃは半導体レーザＬＤの出力を設定する出力設定回路で
ある。ＡＣはこの出力設定回路ＳＣの出力をプラス入力
としてまた、後記電流／電圧変換回路ＩＶの出力をマイ
ナス入力としてそれぞれ加算する加算回路、ＬＰはＴを
折り返し周波数ｔｏの逆数、Ｓをラプラス演算子（虚数
単位であるｊと角周波数ωとの積であられされるもの。
第１図に示す構成を具備している。第１図において、Ｓ
Ｃは半導体レーザＬＤの出力を設定する出力設定回路で
ある。ＡＣはこの出力設定回路ＳＣの出力をプラス入力
としてまた、後記電流／電圧変換回路ＩＶの出力をマイ
ナス入力としてそれぞれ加算する加算回路、ＬＰはＴを
折り返し周波数ｔｏの逆数、Ｓをラプラス演算子（虚数
単位であるｊと角周波数ωとの積であられされるもの。
）とした場合に伝達関数力’１／（１＋Ｔ−ｇ）で与え
られるローパスフィルタ、ＧＣはゲイン定数がＡで与え
られるゲイン回路、Ｉｖはゲインが１の電流／電圧変換
回路である。半導体レーザＬＤとフォトディテクタＰＤ
は、加算回路ＡＣ１０−バスフィルタＬＰ、ゲイン回路
ＧＣ，および電流／電圧変換回路ＩＶからなる制御ルー
プで構成された半導体レーザ出力制御回路（ＡＰＣ回路
）内に挿入接続されている。
られるローパスフィルタ、ＧＣはゲイン定数がＡで与え
られるゲイン回路、Ｉｖはゲインが１の電流／電圧変換
回路である。半導体レーザＬＤとフォトディテクタＰＤ
は、加算回路ＡＣ１０−バスフィルタＬＰ、ゲイン回路
ＧＣ，および電流／電圧変換回路ＩＶからなる制御ルー
プで構成された半導体レーザ出力制御回路（ＡＰＣ回路
）内に挿入接続されている。
ここで、半導体レーザＬＤの伝達関数をＨ（ｓ）として
このＡＰＣ回路における一巡伝達関数Ｇ（ｓ）について
説明する。
このＡＰＣ回路における一巡伝達関数Ｇ（ｓ）について
説明する。
この−巡伝達関数Ｇ（ｓ）は次式（１）で与えられる。
Ｇ（ｓ）＝Ａ−Ｈ（ｓ）／（１＋Ｔ−ｓ）・・・・・・
（１） ここで、半導体レーザは１００ｋＨｚ以上の高周波でも
それに対する入力電流に対しての応答性が低下すること
がないとした場合は、１００に８２以下の周波数成分に
対してのＨ（ｓ）はＨ（ｓ）＝１とすることができるの
で、上記式（１）は次式（２）になる。
（１） ここで、半導体レーザは１００ｋＨｚ以上の高周波でも
それに対する入力電流に対しての応答性が低下すること
がないとした場合は、１００に８２以下の周波数成分に
対してのＨ（ｓ）はＨ（ｓ）＝１とすることができるの
で、上記式（１）は次式（２）になる。
Ｇ（ｓ）＝Ａ／（ｌ＋Ｔ−８） ・・・（２）そうする
と、その伝達関数Ｇ（ｓ）から周波数伝達関数Ｇ（ｊω
）は次式（３）で与えられる。
と、その伝達関数Ｇ（ｓ）から周波数伝達関数Ｇ（ｊω
）は次式（３）で与えられる。
Ｇ（ｊω）＝Ａ／（１＋ｊωＴ） ・・・（３）この式
（３）からこのＧ（ｊω）の絶対値は次式（４）で与え
られる。
（３）からこのＧ（ｊω）の絶対値は次式（４）で与え
られる。
Ｇ（ｊω）１ ＝Ａ／Ｊ１］］「層重−・・・（４）
したがって、このＡＰＣ回路におけるゲインＹは次式（
５）で与えられる。
５）で与えられる。
Ｙ＝２０１ｏｇＡ／Ｊ１コ］「ロワ−
・・・（５）
このゲインＹを縦軸に、周波数ｒ（＝ω／２π）を横軸
にあられされたゲイン特性図が第２図である。そして、
ω＝２πｆ＝１／Ｔで与えられる周波数が上記折り返し
周波数ｆＯである。
にあられされたゲイン特性図が第２図である。そして、
ω＝２πｆ＝１／Ｔで与えられる周波数が上記折り返し
周波数ｆＯである。
このように式（５）で与えられるゲインＹを有する制御
ループを構成するＡＰＣ回路内に設けられた半導体レー
ザＬＤに戻り光が外乱Ｄ（ｓ ）として与えられると、
その外乱Ｄ（ｓ ）は次式（６）に従って抑圧される。
ループを構成するＡＰＣ回路内に設けられた半導体レー
ザＬＤに戻り光が外乱Ｄ（ｓ ）として与えられると、
その外乱Ｄ（ｓ ）は次式（６）に従って抑圧される。
Ｄ（ｓ ）／（１＋Ｇ（ｓ ）） −（６）このとき
交叉周波数ｒｅ以下の周波数帯域にある変動周波数成分
に対してはその外乱Ｄ（ｓ）としての変動周波数成分は
上記式（６）から１／（１＋Ｇ（ｓ））に抑圧される。
交叉周波数ｒｅ以下の周波数帯域にある変動周波数成分
に対してはその外乱Ｄ（ｓ）としての変動周波数成分は
上記式（６）から１／（１＋Ｇ（ｓ））に抑圧される。
例えばその変動周波数成分が１ｋＨｚではゲインＹは約
１５ｄＢであるから、式（６）からその外乱Ｄ（ｓ ）
は約ｌ／７に抑圧される。つまり、デフォーカシングに
よる変動周波数成分は約１／７に抑圧される。これに対
して交叉周波数ｆｃ以上の周波数帯域にあるデータ周波
数成分に対してはその外乱Ｄ（ｓ ）としてのデータ周
波数成分は例えばそれが５０ｋＨ２であれば約−２０ｄ
Ｂであるから、そのデータ周波数成分は約１／１．１と
なって実質的には抑圧されることがない。
１５ｄＢであるから、式（６）からその外乱Ｄ（ｓ ）
は約ｌ／７に抑圧される。つまり、デフォーカシングに
よる変動周波数成分は約１／７に抑圧される。これに対
して交叉周波数ｆｃ以上の周波数帯域にあるデータ周波
数成分に対してはその外乱Ｄ（ｓ ）としてのデータ周
波数成分は例えばそれが５０ｋＨ２であれば約−２０ｄ
Ｂであるから、そのデータ周波数成分は約１／１．１と
なって実質的には抑圧されることがない。
したがって、本実施例におけるＡＰＣ回路では半導体レ
ーザＬＤからフォトディテクタＰＤに与えられる光出力
中の周波数成分の中、変動周波数成分は大きく減衰出力
される一方、データ周波数成分は同等抑圧されることが
なくなる。
ーザＬＤからフォトディテクタＰＤに与えられる光出力
中の周波数成分の中、変動周波数成分は大きく減衰出力
される一方、データ周波数成分は同等抑圧されることが
なくなる。
第３図の（１）においては変動周波数成分Ｓ１が、（２
）においてはデータ周波数成分Ｓ２がそれぞれ示されて
いる。本実施例の記録再生装置ではそのＡＰＣ回路によ
り変動周波数成分Ｓ１が大きく抑圧される一方で、デー
タ周波数成分Ｓ２は抑圧されないから、この変動周波数
成分Ｓｔによりデータ周波数成分Ｓ２が振幅変調される
ことがなくなり、その結果として、フォトディテクタＰ
Ｄからの検出出力に基づいてデータを正確に再生するこ
とができることになる。本実施例により抑圧された変動
周波数成分Ｓ１の周波数帯域と、データ周波数成分Ｓ２
とを第４図に示す （発明の効果） 以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
周囲の温度変化による半導体レーザの光出力変化とか、
再生用スポット光のデフオーカシングによる戻り光量の
変動などがあっても正確に記録媒体のトラック上にピッ
トの形で記録されているデータを正確に読み取ることが
できる光学的記録再生装置を提供することができる。
）においてはデータ周波数成分Ｓ２がそれぞれ示されて
いる。本実施例の記録再生装置ではそのＡＰＣ回路によ
り変動周波数成分Ｓ１が大きく抑圧される一方で、デー
タ周波数成分Ｓ２は抑圧されないから、この変動周波数
成分Ｓｔによりデータ周波数成分Ｓ２が振幅変調される
ことがなくなり、その結果として、フォトディテクタＰ
Ｄからの検出出力に基づいてデータを正確に再生するこ
とができることになる。本実施例により抑圧された変動
周波数成分Ｓ１の周波数帯域と、データ周波数成分Ｓ２
とを第４図に示す （発明の効果） 以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
周囲の温度変化による半導体レーザの光出力変化とか、
再生用スポット光のデフオーカシングによる戻り光量の
変動などがあっても正確に記録媒体のトラック上にピッ
トの形で記録されているデータを正確に読み取ることが
できる光学的記録再生装置を提供することができる。
第１図は本発明の実施例に係る光学的記録再生装置の要
部の回路図、第２図は第１図の回路におけるＡＰＣ回路
でのゲイン特性図、第３図は同実施例による変動周波数
成分とデータ周波数成分とを示す図、第４図は同じく変
動周波数成分とデータ周波数成分との周波数帯域を示す
図、第５図は光学的記録再生装置の構成図、第６図は光
学的記録再生装置のピットの読み取り再生原理の説明に
供する半導体レーザの順電流に対する光出力特性図、第
７図は温度変化に伴う半導体レーザＬＤの光出力の変化
を示す図、第８図はデフオーカシング量に対する戻り光
量の変化を示す図、第９図は従来例の光学的記録再生装
置によるデフオーカシングに伴う変動周波数成分と、そ
の変動周波数成分により振幅変調されたデータ周波数成
分とを示す図、第１０図は同従来例による変動周波数成
分とデータ周波数成分との周波数帯域を示す図である。 ＬＤ・・・半導体レーザ、ＰＤ・・・フォトディテクタ
、ＣＬ・・・コリメートレンズ、ＴＬ・・・対物レンズ
、ＲＭ・・・記録媒体、ＳＣ・・・出力設定回路、ＡＣ
・・・加算回路、ＬＦ・・・ローパスフィルタ、ＧＣ・
・・ゲイン回路、ｔＶ・・・電流／電圧変換回路。 第１図
部の回路図、第２図は第１図の回路におけるＡＰＣ回路
でのゲイン特性図、第３図は同実施例による変動周波数
成分とデータ周波数成分とを示す図、第４図は同じく変
動周波数成分とデータ周波数成分との周波数帯域を示す
図、第５図は光学的記録再生装置の構成図、第６図は光
学的記録再生装置のピットの読み取り再生原理の説明に
供する半導体レーザの順電流に対する光出力特性図、第
７図は温度変化に伴う半導体レーザＬＤの光出力の変化
を示す図、第８図はデフオーカシング量に対する戻り光
量の変化を示す図、第９図は従来例の光学的記録再生装
置によるデフオーカシングに伴う変動周波数成分と、そ
の変動周波数成分により振幅変調されたデータ周波数成
分とを示す図、第１０図は同従来例による変動周波数成
分とデータ周波数成分との周波数帯域を示す図である。 ＬＤ・・・半導体レーザ、ＰＤ・・・フォトディテクタ
、ＣＬ・・・コリメートレンズ、ＴＬ・・・対物レンズ
、ＲＭ・・・記録媒体、ＳＣ・・・出力設定回路、ＡＣ
・・・加算回路、ＬＦ・・・ローパスフィルタ、ＧＣ・
・・ゲイン回路、ｔＶ・・・電流／電圧変換回路。 第１図
Claims (1)
- （１）半導体レーザの出力設定回路と、 所定の周波数帯域にあるデータがピットの形で記録され
ている記録媒体のトラック上に対して、前記出力設定回
路からの設定出力に応答して駆動されて再生用スポット
光を照射する半導体レーザと、 前記記録媒体からの反射光を戻り光として前記半導体レ
ーザに戻す光学系と、 前記光学系を介して戻ってきた戻り光に応答する前記半
導体レーザの光出力変化を検出するフォトディテクタと
、 前記フォトディテクタに対する前記半導体レーザの光出
力中に含まれる周波数成分の内、変動周波数成分に対し
てはこれを減衰出力し、データ周波数成分に対しては実
質的に非応答となる半導体レーザ出力制御（ＡＰＣ）回
路 とを備えたことを特徴とする光学的記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041393A JP2734059B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 光学的記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1041393A JP2734059B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 光学的記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220239A true JPH02220239A (ja) | 1990-09-03 |
| JP2734059B2 JP2734059B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=12607133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1041393A Expired - Lifetime JP2734059B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 光学的記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734059B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56145534A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser |
| JPS59129948A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-26 | Hitachi Ltd | 光情報処理装置 |
| JPS61195527U (ja) * | 1986-04-30 | 1986-12-05 |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP1041393A patent/JP2734059B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56145534A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser |
| JPS59129948A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-26 | Hitachi Ltd | 光情報処理装置 |
| JPS61195527U (ja) * | 1986-04-30 | 1986-12-05 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2734059B2 (ja) | 1998-03-30 |
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