JPH02218133A - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
- Publication number
- JPH02218133A JPH02218133A JP3846889A JP3846889A JPH02218133A JP H02218133 A JPH02218133 A JP H02218133A JP 3846889 A JP3846889 A JP 3846889A JP 3846889 A JP3846889 A JP 3846889A JP H02218133 A JPH02218133 A JP H02218133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ingaas
- collector
- base
- inas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 10
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 102000040650 (ribonucleotides)n+m Human genes 0.000 description 1
- 108091032973 (ribonucleotides)n+m Proteins 0.000 description 1
- 244000099147 Ananas comosus Species 0.000 description 1
- 235000007119 Ananas comosus Nutrition 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 101100436487 Rattus norvegicus Atp7b gene Proteins 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタと呼ばれる高速の
化合物半導体装置に関し、 キャリヤの有効質量が小さい半導体材料、或いは、「谷
とＬ谷とのセパレーション・エネルギが大きい半導体材
料などを適切に選択することに依って化合物半導体装置
を高速化することを目的とし、 半絶縁性ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓコレクタ層とＩｎ
Ａｓベース層とＩｎＧａＡｓエミッタ層とが積層されて
なるか、或いは、そのコレクタ層をＩ ｎ Ａ ｓ ／
Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓからなる超格子で構成する。
化合物半導体装置に関し、 キャリヤの有効質量が小さい半導体材料、或いは、「谷
とＬ谷とのセパレーション・エネルギが大きい半導体材
料などを適切に選択することに依って化合物半導体装置
を高速化することを目的とし、 半絶縁性ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓコレクタ層とＩｎ
Ａｓベース層とＩｎＧａＡｓエミッタ層とが積層されて
なるか、或いは、そのコレクタ層をＩ ｎ Ａ ｓ ／
Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓからなる超格子で構成する。
本発明は、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ｈｅ
ｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＢＴ）と呼ばれる高速の化合物半
導体装置に関する。
ｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ ｂｉｐｏｌａｒ ｔｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＢＴ）と呼ばれる高速の化合物半
導体装置に関する。
ＨＢＴは、エミッタにエネルギ・バンド・ギャップが広
い材料を用いていることから電流利得が高く、従って、
ベースに高濃度のドーピングを行ってベース抵抗を低減
させることができるなどの利点がある。
い材料を用いていることから電流利得が高く、従って、
ベースに高濃度のドーピングを行ってベース抵抗を低減
させることができるなどの利点がある。
然しなから、そのようなＨＢＴに於いても、キャリヤが
ベースを走行する時間或いはコレクタの空乏層を走行す
る時間に依ってスイッチング・スピードが制限されてい
る。
ベースを走行する時間或いはコレクタの空乏層を走行す
る時間に依ってスイッチング・スピードが制限されてい
る。
そこで、現在以上の高速化を望むのであれば、前記の諸
点を改善しなければならない。
点を改善しなければならない。
第３図は従来のＧ ａ Ａ ｓ ／ Ａ Ｉ Ｇ ａ
Ａ ｓ系ＨＢＴを説明する為の要部切断側面図を表して
いる。
Ａ ｓ系ＨＢＴを説明する為の要部切断側面図を表して
いる。
図に於いて、
１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、
２はｎ型ＧａＡｓコレクタ・コンタクト層（厚さ例えば
２０００ （人〕程度、不純物濃度例えば５ ｘ ｌ
０Ｉ８（（１３−’）程度）、３はｎ型ＧａＡＳコレク
タ層 （厚さ例えば２０００ （人〕程度、不純物濃度例えば
ｌＸ１０１７（値−コ〕程度）、４はｐ型ＧａＡＳベー
ス層 （厚さ例えば１０００ （人）程度、不純物濃度例えば
１ｘｌＯＩ９ （ロー３〕程度）、５はｎ型Ａ Ｉ Ｇ
ａ Ａ’ ｓ エミッタ層（厚さ例えば１０００ （
人〕程度、不純物濃度例えばｌ Ｘ Ｉ Ｑ ” （
ｅｌｌ−’）程度）、６はｎ 型Ｇ ａ Ａ Ｓエミッ
タ・コンタクト層（厚さ例えば２０００ （人〕程度、
不純物濃度例えば５ Ｘ Ｉ ０１８［ｃｎ−’）程度
）、７はＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなるエミッタ
電極、８はＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなるベース
電極、９はＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなるコレク
タ電極をそれぞれ示している。
２０００ （人〕程度、不純物濃度例えば５ ｘ ｌ
０Ｉ８（（１３−’）程度）、３はｎ型ＧａＡＳコレク
タ層 （厚さ例えば２０００ （人〕程度、不純物濃度例えば
ｌＸ１０１７（値−コ〕程度）、４はｐ型ＧａＡＳベー
ス層 （厚さ例えば１０００ （人）程度、不純物濃度例えば
１ｘｌＯＩ９ （ロー３〕程度）、５はｎ型Ａ Ｉ Ｇ
ａ Ａ’ ｓ エミッタ層（厚さ例えば１０００ （
人〕程度、不純物濃度例えばｌ Ｘ Ｉ Ｑ ” （
ｅｌｌ−’）程度）、６はｎ 型Ｇ ａ Ａ Ｓエミッ
タ・コンタクト層（厚さ例えば２０００ （人〕程度、
不純物濃度例えば５ Ｘ Ｉ ０１８［ｃｎ−’）程度
）、７はＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなるエミッタ
電極、８はＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなるベース
電極、９はＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなるコレク
タ電極をそれぞれ示している。
第４図は従来のＩｎＧａＡｓ／Ｉ ｎＡｌＡｓ系ＨＢＴ
を説明する為の要部切断側面図を表している。
を説明する為の要部切断側面図を表している。
図に於いて、
１）は半絶縁性ＩｎＰ基板、
１２はｎ型１ｎＧａＡｓコレクタ・コンタクト層（厚さ
例えば２０００ （人）程度、不純物濃度例えば５ Ｘ
Ｉ Ｑ１０（ｃ＋ｎ−’）程度）、１３はｎ型１ｎＧ
ａＡｓ：］レクタ層 （厚さ例えば２０００ （人〕程度、不純物濃度例えば
ｌ Ｘ Ｉ Ｑ １７（ｅｌｍ−’）程度）、１４はｐ
型ｌ ｎＧａＡ３ベース層 （厚さ例えば１０００ （人〕程度、不純物濃度例えば
ｌ Ｘ Ｉ Ｑ Ｉ９（ａｍ−’３程度）、１５はｎ型
１ ｎＡｌＡｓエミッタ層 （厚さ例えば１０００ （人）程度、不純物濃度例えば
ｌ Ｘ ｌ ０Ｉ８（（Ｊ−’）程度）、１６はｎ型！
ｎＧａＡｓエミッタ・コンタクト層（厚さ例えば２００
０ （人〕程度、不純物濃度例えば５ Ｘ １０ Ｉ８
（ｃｍ−’）程度）、１７はＣｒ ／ Ａ ｕからなる
エミッタ電極、１８はＣｒ ／ Ａ ｕからなるベース
電極、１９はＣｒ ／ Ａ ｕからなるコレクタ電極を
それぞれ示している。
例えば２０００ （人）程度、不純物濃度例えば５ Ｘ
Ｉ Ｑ１０（ｃ＋ｎ−’）程度）、１３はｎ型１ｎＧ
ａＡｓ：］レクタ層 （厚さ例えば２０００ （人〕程度、不純物濃度例えば
ｌ Ｘ Ｉ Ｑ １７（ｅｌｍ−’）程度）、１４はｐ
型ｌ ｎＧａＡ３ベース層 （厚さ例えば１０００ （人〕程度、不純物濃度例えば
ｌ Ｘ Ｉ Ｑ Ｉ９（ａｍ−’３程度）、１５はｎ型
１ ｎＡｌＡｓエミッタ層 （厚さ例えば１０００ （人）程度、不純物濃度例えば
ｌ Ｘ ｌ ０Ｉ８（（Ｊ−’）程度）、１６はｎ型！
ｎＧａＡｓエミッタ・コンタクト層（厚さ例えば２００
０ （人〕程度、不純物濃度例えば５ Ｘ １０ Ｉ８
（ｃｍ−’）程度）、１７はＣｒ ／ Ａ ｕからなる
エミッタ電極、１８はＣｒ ／ Ａ ｕからなるベース
電極、１９はＣｒ ／ Ａ ｕからなるコレクタ電極を
それぞれ示している。
第３図に見られる従来例では、エミッタ層５がＡｌＧａ
Ａｓで、そして、第４図に見られる従来例では、エミッ
タ層１５がＩｎＧａＡｓでそれぞれ構成され、いずれの
従来例に於いてもエミッタにはエネルギ・バンド・ギャ
ップが広い材料が採用されていることから、その電流利
得は高（、従って、その分だけベースに高濃度のドーピ
ングを行ってベース抵抗を低減させることが可能である
。
Ａｓで、そして、第４図に見られる従来例では、エミッ
タ層１５がＩｎＧａＡｓでそれぞれ構成され、いずれの
従来例に於いてもエミッタにはエネルギ・バンド・ギャ
ップが広い材料が採用されていることから、その電流利
得は高（、従って、その分だけベースに高濃度のドーピ
ングを行ってベース抵抗を低減させることが可能である
。
第３図の従来例に於いては、ベースやコレクタにＧａＡ
ｓが、また、第４図の従来例に於いては、ベースやコレ
クタにＩｎＧａＡｓがそれぞれ用いられている。従って
、ベース中に於けるキャリヤの散乱確率や有効質量が大
きいことからベース走行速度は低（、また、コレクタに
於けるｒ谷とＬ谷とのセパレーション・エネルギ（ｓｅ
ｐａｒａｔｉｏｎ ｅｎｅｒｇｙ）が、ＧａＡｓの場
合には約０．３０ （ｅＶ） 、そして、Ｉ ｎＧａＡ
ｓの場合には約０．５５ ［ｅＶ）と小さい為、コレク
タに入ったキャリヤは、Ｌ谷へのインター・バレー （
ｉｎｔｅｒ ｖａ １）ｅｙ）散乱を受は易く、その
ようになると急激に減速してしまう。
ｓが、また、第４図の従来例に於いては、ベースやコレ
クタにＩｎＧａＡｓがそれぞれ用いられている。従って
、ベース中に於けるキャリヤの散乱確率や有効質量が大
きいことからベース走行速度は低（、また、コレクタに
於けるｒ谷とＬ谷とのセパレーション・エネルギ（ｓｅ
ｐａｒａｔｉｏｎ ｅｎｅｒｇｙ）が、ＧａＡｓの場
合には約０．３０ （ｅＶ） 、そして、Ｉ ｎＧａＡ
ｓの場合には約０．５５ ［ｅＶ）と小さい為、コレク
タに入ったキャリヤは、Ｌ谷へのインター・バレー （
ｉｎｔｅｒ ｖａ １）ｅｙ）散乱を受は易く、その
ようになると急激に減速してしまう。
本発明は、キャリヤの有効質量が小さい半導体材料、或
いは、ｒ谷とＬ谷とのセパレーション・エネルギが大き
い半導体材料などを適切に選択することに依って化合物
半導体装置を高速化しようとする。
いは、ｒ谷とＬ谷とのセパレーション・エネルギが大き
い半導体材料などを適切に選択することに依って化合物
半導体装置を高速化しようとする。
本発明に依る化合物半導体装置に於いては、半絶縁性Ｉ
ｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓコレクタ層とＩｎＡｓベース
層とＩｎＧａＡｓエミッタ層とが積層されてなるよう構
成するか、或いは、そのコレクタ層をＩｎＡｓ／ＩｎＧ
ａＡｓからなる超格子で構成している。
ｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓコレクタ層とＩｎＡｓベース
層とＩｎＧａＡｓエミッタ層とが積層されてなるよう構
成するか、或いは、そのコレクタ層をＩｎＡｓ／ＩｎＧ
ａＡｓからなる超格子で構成している。
前記手段を採ることに依り、ベース層に於けるキャリヤ
の有効質量は小さいから、例えば、ベース層の厚さが１
０００ ［人］であるとした場合には、ＩｎＧａＡｓ／
（ｎＡｊ？Ａ、ｓ系に比較し、キャリヤのベース走行時
間は〃に、また、コレクタ走行時間もηにそれぞれ短縮
することができる。
の有効質量は小さいから、例えば、ベース層の厚さが１
０００ ［人］であるとした場合には、ＩｎＧａＡｓ／
（ｎＡｊ？Ａ、ｓ系に比較し、キャリヤのベース走行時
間は〃に、また、コレクタ走行時間もηにそれぞれ短縮
することができる。
第１図は本発明一実施例を説明する為の要部切断側面図
を表している。
を表している。
図に於いて、
２１は半絶縁性ＩｎＰ基板、
２２はｎ型１ｎＧａＡｓコレクタ・コンタクト層（厚さ
例えば２０００ （入）程度、不純物濃度例えば５ Ｘ
１０１８（ｅｌｌ−’）程度）、２３はｎ型ＩｎＧａ
Ａｓコレクタ層 （厚さ例えば２０００（Ａ）程度、不純物濃度例えばｌ
Ｘ１０１７（口１〕程度）、２４はｐ型１ ｎＡｓベー
ス層 （厚さ例えば１０００ （人〕程度、不純物濃度例えば
Ｉ Ｘ １０” （Ｃ１）１−”）程度）、２５はｎ型
１ｎＧａＡｓ工ミツタ層 （厚さ例えば１０００ （人〕程度、不純物濃度例えば
Ｉ Ｘ １０１” （Ｃ１）−３）程度）、２６はｎ型
１ｎＧａＡｓエミ７り・コンタクト層（厚さ例えば２０
００ （人）程度、不純物濃度例えば５ Ｘ １０Ｉ８
（ｃｍ−”）程度）、２７はＣｒ ／ Ａ ｕからなる
エミッタ電極、２８はＣｒ ／ Ａ ｕからなるベース
電極、２９はＣｒ ／ Ａ ｕからなるコレクタ電極を
それぞれ示している。
例えば２０００ （入）程度、不純物濃度例えば５ Ｘ
１０１８（ｅｌｌ−’）程度）、２３はｎ型ＩｎＧａ
Ａｓコレクタ層 （厚さ例えば２０００（Ａ）程度、不純物濃度例えばｌ
Ｘ１０１７（口１〕程度）、２４はｐ型１ ｎＡｓベー
ス層 （厚さ例えば１０００ （人〕程度、不純物濃度例えば
Ｉ Ｘ １０” （Ｃ１）１−”）程度）、２５はｎ型
１ｎＧａＡｓ工ミツタ層 （厚さ例えば１０００ （人〕程度、不純物濃度例えば
Ｉ Ｘ １０１” （Ｃ１）−３）程度）、２６はｎ型
１ｎＧａＡｓエミ７り・コンタクト層（厚さ例えば２０
００ （人）程度、不純物濃度例えば５ Ｘ １０Ｉ８
（ｃｍ−”）程度）、２７はＣｒ ／ Ａ ｕからなる
エミッタ電極、２８はＣｒ ／ Ａ ｕからなるベース
電極、２９はＣｒ ／ Ａ ｕからなるコレクタ電極を
それぞれ示している。
図から明らかなように、本実施例に於いては、コレクタ
層２３並びにエミッタ層２５にＩｎＧａＡｓを用い、そ
して、ベース層２４にＩｎＡｓを用いている。尚、Ｉｎ
ＧａＡｓとＩｎＡｓとの間には格子不整合が存在する。
層２３並びにエミッタ層２５にＩｎＧａＡｓを用い、そ
して、ベース層２４にＩｎＡｓを用いている。尚、Ｉｎ
ＧａＡｓとＩｎＡｓとの間には格子不整合が存在する。
然しなから、ベース層２４は、例えば５００−１０００
（人〕程度と薄いので、その格子不整合が特性に悪影
響を与えることはない。
（人〕程度と薄いので、その格子不整合が特性に悪影
響を与えることはない。
本実施例に於いて、ベース層２４にｒｎＡｓを用いてい
ることから、キャリヤがベースを走行する時間は、従来
のＧａＡｓを用いたものに比較すると、１／２〜２／３
程度に短縮される。
ることから、キャリヤがベースを走行する時間は、従来
のＧａＡｓを用いたものに比較すると、１／２〜２／３
程度に短縮される。
その理由は、ベース層２４を構成しているＩｎＡｓの有
効質量が０．０２３であって、ＧａＡｓの０．０６８に
比較すると著しく小さいことに依る。因に、１ｎＱａＡ
ｓの有効質量は０．０４２である。
効質量が０．０２３であって、ＧａＡｓの０．０６８に
比較すると著しく小さいことに依る。因に、１ｎＱａＡ
ｓの有効質量は０．０４２である。
ところで、ベース層の外、コレクタ層にもＩｎＡｓを用
いると、ｒ谷とＬ谷との間のセパレーション・エネルギ
が約１．１ （ｅＶ）と大きいことから、キャリヤが
インター・バレー散乱を受は難く、また、コレクタ層に
於ける空乏層走行時間も大幅に短縮される。然しなから
、この場合、格子不整合に起因する歪の影響を受は易い
ので、コレクタ層をＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓの超格子に
するなどの工夫が必要になる。
いると、ｒ谷とＬ谷との間のセパレーション・エネルギ
が約１．１ （ｅＶ）と大きいことから、キャリヤが
インター・バレー散乱を受は難く、また、コレクタ層に
於ける空乏層走行時間も大幅に短縮される。然しなから
、この場合、格子不整合に起因する歪の影響を受は易い
ので、コレクタ層をＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓの超格子に
するなどの工夫が必要になる。
第２図は本発明に於ける他の実施例を説明する為の要部
切断側面図を表し、第１図に於いて用いた記号と同記号
は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
切断側面図を表し、第１図に於いて用いた記号と同記号
は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
本実施例が第１図に見られる実施例と相違している点は
、コレクタ層がｎ型Ｅ ｎ Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ Ｇ
ａＡｓの超格子で形成されていることであり、図では、
これを記号２３′で指示しである。
、コレクタ層がｎ型Ｅ ｎ Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ Ｇ
ａＡｓの超格子で形成されていることであり、図では、
これを記号２３′で指示しである。
このコレクタ層２３′は、例えば、厚さがそれぞれ２０
〔人〕であるｎ型ＩｎＡｓ層とｎ型ＩｎＧａＡｓ層とを
５０周期、従って、全体の厚さを約１０００ （人〕程
度にしたもので構成されている。
〔人〕であるｎ型ＩｎＡｓ層とｎ型ＩｎＧａＡｓ層とを
５０周期、従って、全体の厚さを約１０００ （人〕程
度にしたもので構成されている。
本実施例は、第１図について説明した実施例に比較する
と超格子を必要とする点で製造工程は複雑化するが、更
に高速化される。
と超格子を必要とする点で製造工程は複雑化するが、更
に高速化される。
前記何れの実施例に於いても、エミッタ、ベース、コレ
クタの各電極はＣｒ ／ Ａ ｕを材料としてノン・ア
ロイでオーミック・コンタクトをとっである。これはＩ
ｎＧａＡｓ’ＰＩｎＡｓのエネルギ・バンド・ギャップ
が小さい為、ノン・７０イでも充分に低いコンタクト抵
抗が得られることに起因するものであり、これに依って
寄生抵抗の低減を図ることができる。
クタの各電極はＣｒ ／ Ａ ｕを材料としてノン・ア
ロイでオーミック・コンタクトをとっである。これはＩ
ｎＧａＡｓ’ＰＩｎＡｓのエネルギ・バンド・ギャップ
が小さい為、ノン・７０イでも充分に低いコンタクト抵
抗が得られることに起因するものであり、これに依って
寄生抵抗の低減を図ることができる。
本発明に依る化合物半導体装置に於いては、半絶縁性１
ｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓコレクタ層とＩｎＡｓベース
層とＩｎＧａＡｓｎＧａＡｓエミッタされてなるよう構
成するか、或いは、そのコレクタ層をＩｎＡｓ／１ｎＧ
ａＡｓからなる超格子で構成している。
ｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓコレクタ層とＩｎＡｓベース
層とＩｎＧａＡｓｎＧａＡｓエミッタされてなるよう構
成するか、或いは、そのコレクタ層をＩｎＡｓ／１ｎＧ
ａＡｓからなる超格子で構成している。
前記構成を採ることに依り、ベース層に於けるキャリヤ
の有効質量は小さいから、例えば、ベース層の厚さが１
，０００（人〕であるとした場合には、Ｉ ｎ Ｇ ａ
Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ系に比較し、キ
ャリヤのベース走行時間は〃に、また、コレクタ走行時
間もＡにそれぞれ短縮することができる。
の有効質量は小さいから、例えば、ベース層の厚さが１
，０００（人〕であるとした場合には、Ｉ ｎ Ｇ ａ
Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ系に比較し、キ
ャリヤのベース走行時間は〃に、また、コレクタ走行時
間もＡにそれぞれ短縮することができる。
第１図及び第２図は本発明に於けるそれぞれ異なる実施
例の要部切断側面図、第３図及び第４図はそれぞれ異な
る従来例の要部切断側面図を表している。 図に於いて、 ２１は半絶縁性１ｎＰ基板、 ２２はｎ型１ｎＧａＡｓコレクタ・コンタクト層、２３
はｎ型１ｎＧａＡｓコレクタ層、 ２４はｐ型１ｎＡｓベース層、 ２５はｎ型１ｎＧａＡｓ工ミフタ層、 ２６はｎ型１ｎＧａＡｓエミッタ・コンタクト層、２７
はＣｒ ／ Ａ ｕからなるエミッタ電極、２８はＣｒ
／ Ａ ｕからなるベース電極、２９はＣｒ ／ Ａ
ｕからなるコレクタ電極をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 本発明一実施例を説明する為の要部切断側面図第１図 従来例を説明する為の要部切断側面図 第３図 本発明−実施例を説明する為の嬰部切断側面図第２図 従来例を説明する為の要部切断側面図 第４図
例の要部切断側面図、第３図及び第４図はそれぞれ異な
る従来例の要部切断側面図を表している。 図に於いて、 ２１は半絶縁性１ｎＰ基板、 ２２はｎ型１ｎＧａＡｓコレクタ・コンタクト層、２３
はｎ型１ｎＧａＡｓコレクタ層、 ２４はｐ型１ｎＡｓベース層、 ２５はｎ型１ｎＧａＡｓ工ミフタ層、 ２６はｎ型１ｎＧａＡｓエミッタ・コンタクト層、２７
はＣｒ ／ Ａ ｕからなるエミッタ電極、２８はＣｒ
／ Ａ ｕからなるベース電極、２９はＣｒ ／ Ａ
ｕからなるコレクタ電極をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 本発明一実施例を説明する為の要部切断側面図第１図 従来例を説明する為の要部切断側面図 第３図 本発明−実施例を説明する為の嬰部切断側面図第２図 従来例を説明する為の要部切断側面図 第４図
Claims (2)
- （１）半絶縁性ＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓコレクタ層
とＩｎＡｓベース層とＩｎＧａＡｓエミッタ層とが積層
されてなることを特徴とする化合物半導体装置。 - （２）コレクタ層がＩｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓからなる超
格子で構成されていることを特徴とする請求項（１）記
載の化合物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038468A JP2777898B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038468A JP2777898B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 化合物半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218133A true JPH02218133A (ja) | 1990-08-30 |
| JP2777898B2 JP2777898B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=12526075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1038468A Expired - Lifetime JP2777898B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2777898B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56147477A (en) * | 1980-03-26 | 1981-11-16 | Ibm | Semiconductor transistor |
| JPS624366A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-10 | Fujitsu Ltd | ホツトエレクトロントランジスタ |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP1038468A patent/JP2777898B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56147477A (en) * | 1980-03-26 | 1981-11-16 | Ibm | Semiconductor transistor |
| JPS624366A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-10 | Fujitsu Ltd | ホツトエレクトロントランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2777898B2 (ja) | 1998-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6127681A (ja) | 超格子構造のチヤネル部をもつ電界効果トランジスタ | |
| JPH05110086A (ja) | トンネルトランジスタ | |
| JPH0624208B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3301888B2 (ja) | 電界効果型半導体装置 | |
| JPH02218133A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPS61147577A (ja) | 相補型半導体装置 | |
| JPS6242451A (ja) | ヘテロ接合バイポ−ラ半導体装置 | |
| JPS61156773A (ja) | ヘテロ接合半導体デバイス | |
| JPH0354466B2 (ja) | ||
| JPH01214164A (ja) | 共鳴トンネリングトランジスタ | |
| JPS62128559A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2714861B2 (ja) | バイポーラ半導体装置 | |
| JP2655594B2 (ja) | 集積型半導体装置 | |
| JP2569616B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2615714B2 (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ | |
| JP2714844B2 (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JP2664174B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP3245657B2 (ja) | ヘテロ接合型電界効果トランジスタ | |
| JPS61280674A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0240959A (ja) | 量子効果半導体装置 | |
| JPS63236358A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05226358A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| JPH04100240A (ja) | ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ | |
| JPH0524662B2 (ja) | ||
| JPS62141772A (ja) | バイポ−ラトランジスタ |