JPH02217296A - Icメモリカード - Google Patents
IcメモリカードInfo
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- JPH02217296A JPH02217296A JP1038560A JP3856089A JPH02217296A JP H02217296 A JPH02217296 A JP H02217296A JP 1038560 A JP1038560 A JP 1038560A JP 3856089 A JP3856089 A JP 3856089A JP H02217296 A JPH02217296 A JP H02217296A
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、メモリLSIチップを多数個内蔵したICメ
モリカードに関する。
モリカードに関する。
従来の技術
ICメモリカードは、RAM、ROM等のメモリ L
S Iを内蔵した携帯型情報記憶装置として多方面で利
用されている。近年、その用途の拡大に伴ない記憶容量
の大きい、すなわち大容量のXCメモリカードが要望さ
れるようになってきた。そして、大容量のICメモリカ
ードにおいては、多数個のメモリLSIを、一定面積の
プリント配線板に高密度に実装しなければならない。
S Iを内蔵した携帯型情報記憶装置として多方面で利
用されている。近年、その用途の拡大に伴ない記憶容量
の大きい、すなわち大容量のXCメモリカードが要望さ
れるようになってきた。そして、大容量のICメモリカ
ードにおいては、多数個のメモリLSIを、一定面積の
プリント配線板に高密度に実装しなければならない。
ところで、メモリLSIの高密度な実装方法としては、
メモリLSIのベアチップの電極に、いわゆるフィルム
キャリア方式で導体リードを接合し、前記メモリLSI
チップをプリント配線板に平面的に並べて実装する方法
が効果的とされていた。
メモリLSIのベアチップの電極に、いわゆるフィルム
キャリア方式で導体リードを接合し、前記メモリLSI
チップをプリント配線板に平面的に並べて実装する方法
が効果的とされていた。
以下図面を参照しながらフィルムキャリア方式により、
多数のメモリ L S Iをプリント配線板に実装した
従来のICメモリカードの構造について説明する。
多数のメモリ L S Iをプリント配線板に実装した
従来のICメモリカードの構造について説明する。
第6図は従来のICメモリカードを示す断面図である。
第6図において、1はケースで、プリント配線板2を収
納している・プリント配線板2には導体配線3が形成さ
れている。4,4′はメモリLSIチップで、プリント
配線板2に平面的に配置されている。メモリLSIチッ
プ4の電極6には、フィルムキャリア方式により金属突
起6を介して導体リード7の一端部7aが接合されてい
る。導体リード7の他端部7bは、プリント配線板2の
導体配線3に接合されている。このようにペアチップを
使用しているので、プリント配線板でのメモリ L S
Iの占有面積は比較的小さいものである。
納している・プリント配線板2には導体配線3が形成さ
れている。4,4′はメモリLSIチップで、プリント
配線板2に平面的に配置されている。メモリLSIチッ
プ4の電極6には、フィルムキャリア方式により金属突
起6を介して導体リード7の一端部7aが接合されてい
る。導体リード7の他端部7bは、プリント配線板2の
導体配線3に接合されている。このようにペアチップを
使用しているので、プリント配線板でのメモリ L S
Iの占有面積は比較的小さいものである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構成では、メモリLSIチップ
がプリント配線板に平面的に配置されているので、メモ
リLSIチップの数が多くなると、その占有面積も拡大
する。従って一定の面積を有するプリント配線板に対し
、実装できるメモリLSIチップの数には自ずと限界が
あった。また、メモリLSIチップの数が増えると、メ
モリLSIチップの電極に接合された導体リード間を接
続する、プリント配線板の導体配線の距離が長くなり、
従って配線スペースが増えるので、プリント配線板がコ
スト高になるとともに、信号の伝達速度も遅くなるとい
う課題があった。
がプリント配線板に平面的に配置されているので、メモ
リLSIチップの数が多くなると、その占有面積も拡大
する。従って一定の面積を有するプリント配線板に対し
、実装できるメモリLSIチップの数には自ずと限界が
あった。また、メモリLSIチップの数が増えると、メ
モリLSIチップの電極に接合された導体リード間を接
続する、プリント配線板の導体配線の距離が長くなり、
従って配線スペースが増えるので、プリント配線板がコ
スト高になるとともに、信号の伝達速度も遅くなるとい
う課題があった。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、メモリL
S Iの実装密度を飛躍的に高め、一定の面積を有す
るプリント配線板に、多数のメモリLSIチップを搭載
して大容量化を実現するとともに、配線スペースを減少
して、プリント配線板のコストダウンを図9、信号伝達
の高速化をも実現できる。ICメモリカードを提供する
ことを目的としている。
S Iの実装密度を飛躍的に高め、一定の面積を有す
るプリント配線板に、多数のメモリLSIチップを搭載
して大容量化を実現するとともに、配線スペースを減少
して、プリント配線板のコストダウンを図9、信号伝達
の高速化をも実現できる。ICメモリカードを提供する
ことを目的としている。
課題を解決する窺めの手段
この目的を達成するために本発明のICメモリカードは
、導体リードの一端部をメモリLSIチップの電極に接
合し、プリント配線板にメモリLSIチップをその電極
配列が同一になる方向に複数個積層するとともに、積層
した各メモリLSIチップの共通電極の導体リードの他
端部を、積層方向に重ね合わせて、プリント配線板の導
体配線に接合した構成を有している。
、導体リードの一端部をメモリLSIチップの電極に接
合し、プリント配線板にメモリLSIチップをその電極
配列が同一になる方向に複数個積層するとともに、積層
した各メモリLSIチップの共通電極の導体リードの他
端部を、積層方向に重ね合わせて、プリント配線板の導
体配線に接合した構成を有している。
作用
この構成によって、メモリ L S Iチップの占有面
積が大巾に縮小されるので、限られた面積のプリント配
線板に多数のメモリLSIチップを搭載できるとともに
、積層した各チップ間の共通電極の導体リード同志を直
接接合しているので、配線スペースが減少し、プリント
配線板のコストダウンと信号伝達の高速化を実現できる
。
積が大巾に縮小されるので、限られた面積のプリント配
線板に多数のメモリLSIチップを搭載できるとともに
、積層した各チップ間の共通電極の導体リード同志を直
接接合しているので、配線スペースが減少し、プリント
配線板のコストダウンと信号伝達の高速化を実現できる
。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図は本発明の一実施例に2けるICメモリカードの
一部を切欠いた斜視図であり、第2図は同じく部分断面
図である。第3図は本発明の一実施例に2けるICメモ
リカードの電気回路のブロック図、第4図は同じくメモ
リ L S Iチップの積層状態の斜視図である。第1
図から第4図に2いて、1はケースでプリント配線板2
を収納している。プリント配線板2は、メモリ回路部3
.コントロール回路部4.外部インタフェース回路部5
で構成されている。メモリ回路部3は、複数のメモ+7
L S Iチツプ6で構成され、同一種類のRAMチ
ップを2層に積層したものを多数組プリント配線板2に
搭載している。コントロール回路部4は、デコーダIC
7等で構成され、外部インタフニス回路部6は、接続コ
ネクタ8等で構成される。
一部を切欠いた斜視図であり、第2図は同じく部分断面
図である。第3図は本発明の一実施例に2けるICメモ
リカードの電気回路のブロック図、第4図は同じくメモ
リ L S Iチップの積層状態の斜視図である。第1
図から第4図に2いて、1はケースでプリント配線板2
を収納している。プリント配線板2は、メモリ回路部3
.コントロール回路部4.外部インタフェース回路部5
で構成されている。メモリ回路部3は、複数のメモ+7
L S Iチツプ6で構成され、同一種類のRAMチ
ップを2層に積層したものを多数組プリント配線板2に
搭載している。コントロール回路部4は、デコーダIC
7等で構成され、外部インタフニス回路部6は、接続コ
ネクタ8等で構成される。
接続コネクタ8は他の機器や装置に取付けられた接続部
(図示せず)に結合され、プリント配線板2に対して電
源の供給と信号の授受を行なう役目をする。9はメモリ
回路部3をバックアップする電池で、ボタン型リチウム
電池等を使用し、ケース1に収納されている。電池9は
メモリ回路部3に対して接続コネクタ8から電源が供給
されない時に、バックアップ電源を供給する。
(図示せず)に結合され、プリント配線板2に対して電
源の供給と信号の授受を行なう役目をする。9はメモリ
回路部3をバックアップする電池で、ボタン型リチウム
電池等を使用し、ケース1に収納されている。電池9は
メモリ回路部3に対して接続コネクタ8から電源が供給
されない時に、バックアップ電源を供給する。
次に、メモリ L S Iチツプ6の積層状態について
述べる。メモリLSIチップ6は他のメモリLSIチッ
プ6′の上に、それぞれの電極配列が同一になる方向に
積層されている。10 、10’はメモ!JLSIチッ
プ6.6′のそれぞれの電極で、金属突起11.11’
を介して導体リード12.12’の一端部12&、12
’&が接合されている。13.13’はメモリLSIチ
ップ6゜6′の別の電極で、それぞれ金属突起14 、
14’を介して導体リード16 、15’の一端部16
4゜16′aが接合されている。そして電極10 、1
0’はメモリLSIチップ6.6′の共通電極であるの
で、導体リード12′の他端部12′bの上に導体リー
ド12の他端部12bを重ねて、プリント配線板2の導
体配線16に接合されている。しかし、電極13 、1
3’はメモリLSIチップ6゜6′の非共通電極なので
、導体リード16 、16’の他端部16b、15′b
はプリント配線板2の異なる導体配線17.18に接合
され、互いに接触しないようにしである。
述べる。メモリLSIチップ6は他のメモリLSIチッ
プ6′の上に、それぞれの電極配列が同一になる方向に
積層されている。10 、10’はメモ!JLSIチッ
プ6.6′のそれぞれの電極で、金属突起11.11’
を介して導体リード12.12’の一端部12&、12
’&が接合されている。13.13’はメモリLSIチ
ップ6゜6′の別の電極で、それぞれ金属突起14 、
14’を介して導体リード16 、15’の一端部16
4゜16′aが接合されている。そして電極10 、1
0’はメモリLSIチップ6.6′の共通電極であるの
で、導体リード12′の他端部12′bの上に導体リー
ド12の他端部12bを重ねて、プリント配線板2の導
体配線16に接合されている。しかし、電極13 、1
3’はメモリLSIチップ6゜6′の非共通電極なので
、導体リード16 、16’の他端部16b、15′b
はプリント配線板2の異なる導体配線17.18に接合
され、互いに接触しないようにしである。
19は樹脂等で構成された絶縁材であり、電極10 、
10’ 、 13 、13’を保護するとともに。
10’ 、 13 、13’を保護するとともに。
メモリLSIチップ6の裏面と導体リードの一端部12
’!L、15’lLが直接接触するのを防ぐ役目をして
いる。
’!L、15’lLが直接接触するのを防ぐ役目をして
いる。
以上のように本実施例によれば、メモリLSIチップ6
を複数個積層してプリント配線板2に搭載することによ
り、メモリLSIチップ6の占有面積を大巾に縮小する
ことができ、一定面積のプリント配線板2に多数のメモ
リLSIチップ6を搭載できるので、大容量のICメモ
リカードを実現できる。
を複数個積層してプリント配線板2に搭載することによ
り、メモリLSIチップ6の占有面積を大巾に縮小する
ことができ、一定面積のプリント配線板2に多数のメモ
リLSIチップ6を搭載できるので、大容量のICメモ
リカードを実現できる。
さらに積層したメモリLSIチップ6.6′の共通電極
10 、10’の導体リードの他端部12b。
10 、10’の導体リードの他端部12b。
12′bを、重ね合わせてプリント配線板2の導体配線
16に接合しているので、配線スペースが小さくなV、
プリント配線板2のコストダウンが図れるとともに、信
号の伝達速度の速いICメモリカードを実現できる。
16に接合しているので、配線スペースが小さくなV、
プリント配線板2のコストダウンが図れるとともに、信
号の伝達速度の速いICメモリカードを実現できる。
次に本発明の他の実施例について第6図を参照しながら
説明する。第6図aはメモリLSIチップを3層に積層
したICメモリカードの部分断面図であり、同図すは積
層したメモリLSIチップの部分平面図である。
説明する。第6図aはメモリLSIチップを3層に積層
したICメモリカードの部分断面図であり、同図すは積
層したメモリLSIチップの部分平面図である。
第6図において、ケース1に収納されたプリント配線板
2には、同一種類のメモリLSIチップ6がその電極配
列が同一になる方向に3層に積層されている。メモリL
SIチップ6の電極10には、金属突起11を介して導
体リード12の一端部121Lが接合されている。導体
リード12は絶縁フィルム2oに接着等の方法で支持さ
れている。
2には、同一種類のメモリLSIチップ6がその電極配
列が同一になる方向に3層に積層されている。メモリL
SIチップ6の電極10には、金属突起11を介して導
体リード12の一端部121Lが接合されている。導体
リード12は絶縁フィルム2oに接着等の方法で支持さ
れている。
絶縁フィルム2oは、メモリLSIチップ6の他の導体
リード群21.22を連結して支持しているので、導体
リード群12,21.22の変形による隣同志の接触を
防ぐ役目をする。前記の構成は他のメモリLSIチップ
6’、6’も同様である。
リード群21.22を連結して支持しているので、導体
リード群12,21.22の変形による隣同志の接触を
防ぐ役目をする。前記の構成は他のメモリLSIチップ
6’、6’も同様である。
そして、電極10は共通電極であるので、導体リード1
2.12’ 、12’のそれぞれの他端部12b。
2.12’ 、12’のそれぞれの他端部12b。
12’tl 、12’bは積層順に重ね合わされて、プ
リント配線板2の導体配線16に接合されている。
リント配線板2の導体配線16に接合されている。
以上のように本実施例によれば、導体リード群12.2
1.22を絶縁フィルム2oで支持することによジ、導
体リード群12,21.22の機械的強度を高め、メモ
!JLSIチップ6の積層段数を容易に増加することが
できる。従って、プリント配線板2に2けるメモリLS
Iチップ6のより高密度な実装が可能となジ、大容量で
信頼性の高いICメモリカードを実現できる。
1.22を絶縁フィルム2oで支持することによジ、導
体リード群12,21.22の機械的強度を高め、メモ
!JLSIチップ6の積層段数を容易に増加することが
できる。従って、プリント配線板2に2けるメモリLS
Iチップ6のより高密度な実装が可能となジ、大容量で
信頼性の高いICメモリカードを実現できる。
発明の効果
本発明は、電極に導体リードの一端部が接合されたメモ
リL S Iチップを、その電極配列が同一になる方向
に複数個積層するとともに、メモリLSIチップの共通
電極の導体リードの他端部を、積層方向に重ね合わせて
プリント配線板の導体配線に接合したものである。従っ
て、一定面積のプリント配線板に多数のメモリLSIチ
ップを搭載できるので、大容量のICメモリカードを実
現できる。さらに、プリント配線板における配線スペー
スが小さくなるため、プリント配線板のコストダウンが
図れるとともに、信号の伝達速度も速くなり、高速の情
報処理ができるICメモリカードを実現できるという優
れた効果を奏する。
リL S Iチップを、その電極配列が同一になる方向
に複数個積層するとともに、メモリLSIチップの共通
電極の導体リードの他端部を、積層方向に重ね合わせて
プリント配線板の導体配線に接合したものである。従っ
て、一定面積のプリント配線板に多数のメモリLSIチ
ップを搭載できるので、大容量のICメモリカードを実
現できる。さらに、プリント配線板における配線スペー
スが小さくなるため、プリント配線板のコストダウンが
図れるとともに、信号の伝達速度も速くなり、高速の情
報処理ができるICメモリカードを実現できるという優
れた効果を奏する。
第1図は本発明の一実施例に−一けるICメモリカード
の一部を切欠いた斜視図、第2図はその部分断面図、第
3図は同じく電気回路のブロック図、第4図は同じくメ
モリLSIチップの積層状態を示す斜視図、第6図aは
本発明の他の実施例におけるICメモリカードの部分断
面図、同すは積層されたメモリ L S Iチップの部
分平面図、第6図は従来のICメモリカードにおける部
分断面図である。 2・・・・・・プリント配線板、6・・・・・・メモリ
LSIチップ、10・・・・・・電極、12・・・・・
・導体リード、12a・・・・・・導体リードの二端部
、12b・・・・・・導体リードの他端部、16・・・
・・・導体配線、20・・・・・・絶縁フィルム。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名含雪 &斥
の一部を切欠いた斜視図、第2図はその部分断面図、第
3図は同じく電気回路のブロック図、第4図は同じくメ
モリLSIチップの積層状態を示す斜視図、第6図aは
本発明の他の実施例におけるICメモリカードの部分断
面図、同すは積層されたメモリ L S Iチップの部
分平面図、第6図は従来のICメモリカードにおける部
分断面図である。 2・・・・・・プリント配線板、6・・・・・・メモリ
LSIチップ、10・・・・・・電極、12・・・・・
・導体リード、12a・・・・・・導体リードの二端部
、12b・・・・・・導体リードの他端部、16・・・
・・・導体配線、20・・・・・・絶縁フィルム。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名含雪 &斥
Claims (2)
- (1) プリント配線板と、このプリント配線板に搭載
されるメモリLSIチップと、一端部が前記メモリLS
Iチップの電極に接合され、他端部が前記プリント配線
板側に接合される導体リードとを有し、前記プリント配
線板に前記メモリLSIチップを、その電極配列が同一
になる方向に複数個積層するとともに、前記積層された
各メモリLSIチップの共通電極の導体リードを積層方
向に重ね合わせて、前記プリント配線板の導体配線に接
合したことを特徴とするICメモリカード。 - (2) 導体リード群が絶縁フィルムで支持されている
特許請求の範囲第1項記載のICメモリカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1038560A JPH02217296A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | Icメモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1038560A JPH02217296A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | Icメモリカード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02217296A true JPH02217296A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12528683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1038560A Pending JPH02217296A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | Icメモリカード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02217296A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8014223B2 (en) | 2007-08-28 | 2011-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1038560A patent/JPH02217296A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8014223B2 (en) | 2007-08-28 | 2011-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
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