JPH02215005A - 導電性粒子及びその製造方法 - Google Patents
導電性粒子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH02215005A JPH02215005A JP3675289A JP3675289A JPH02215005A JP H02215005 A JPH02215005 A JP H02215005A JP 3675289 A JP3675289 A JP 3675289A JP 3675289 A JP3675289 A JP 3675289A JP H02215005 A JPH02215005 A JP H02215005A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- grain
- base material
- coating
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 26
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 16
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 37
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 35
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- -1 palladium ions Chemical class 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Pb] Chemical compound [Mg].[Pb] FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019402 calcium peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229940071106 ethylenediaminetetraacetate Drugs 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- IZLAVFWQHMDDGK-UHFFFAOYSA-N gold(1+);cyanide Chemical compound [Au+].N#[C-] IZLAVFWQHMDDGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 235000010378 sodium ascorbate Nutrition 0.000 description 1
- PPASLZSBLFJQEF-RKJRWTFHSA-M sodium ascorbate Substances [Na+].OC[C@@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1[O-] PPASLZSBLFJQEF-RKJRWTFHSA-M 0.000 description 1
- 229960005055 sodium ascorbate Drugs 0.000 description 1
- PPASLZSBLFJQEF-RXSVEWSESA-M sodium-L-ascorbate Chemical compound [Na+].OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1[O-] PPASLZSBLFJQEF-RXSVEWSESA-M 0.000 description 1
- RPACBEVZENYWOL-XFULWGLBSA-M sodium;(2r)-2-[6-(4-chlorophenoxy)hexyl]oxirane-2-carboxylate Chemical compound [Na+].C=1C=C(Cl)C=CC=1OCCCCCC[C@]1(C(=O)[O-])CO1 RPACBEVZENYWOL-XFULWGLBSA-M 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電極材料に用いる導電性粒子およびその製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来の技術
従来より、導電性粒子と樹脂と溶剤、場合によっては微
量の7リツト、金属酸化物および有機金属化合物とから
なる導電性塗料が、各種部品の電極材料として広範に使
用されている。また導電性粒子としては、銀、金、白金
、パラジウムなどの高価な貴金属が用いられておシ、電
極材料のコスト低減のため、貴金属の使用量削減あるい
は卑金属材料への置換などの検討がなされている。
量の7リツト、金属酸化物および有機金属化合物とから
なる導電性塗料が、各種部品の電極材料として広範に使
用されている。また導電性粒子としては、銀、金、白金
、パラジウムなどの高価な貴金属が用いられておシ、電
極材料のコスト低減のため、貴金属の使用量削減あるい
は卑金属材料への置換などの検討がなされている。
そして、卑金属材料への全面置換に対して銅およびニッ
ケル、一部置換に対して銀−銅合金などが用いられてい
るが、いずれも空気中の焼き付けあるいは放置により、
酸化物が形成され導電性が低下するため、焼き付は雰囲
気の制御や電極表面のコーティングをしなければならず
、製造工程が複雑になるという問題がある。
ケル、一部置換に対して銀−銅合金などが用いられてい
るが、いずれも空気中の焼き付けあるいは放置により、
酸化物が形成され導電性が低下するため、焼き付は雰囲
気の制御や電極表面のコーティングをしなければならず
、製造工程が複雑になるという問題がある。
また、貴金属の使用量削減については、卑金属を基体物
質とじてこれに貴金属を被覆する方法が試みられている
(例えば、特公昭46−40593号公報、特開昭60
−100679号公報)。このような貴金属被覆粉末を
用いた導電性塗料をセラミック材料に塗布し空気中で焼
き付けて電極を形成した場合、被覆された貴金属が連続
した状態で焼結されておらず、基体物質が露出し且つ酸
化物が生成されることにより導電性が低下してしまう。
質とじてこれに貴金属を被覆する方法が試みられている
(例えば、特公昭46−40593号公報、特開昭60
−100679号公報)。このような貴金属被覆粉末を
用いた導電性塗料をセラミック材料に塗布し空気中で焼
き付けて電極を形成した場合、被覆された貴金属が連続
した状態で焼結されておらず、基体物質が露出し且つ酸
化物が生成されることにより導電性が低下してしまう。
これを防ぐためには貴金属の被覆厚みを厚くしなければ
ならず、コスト低減の効果は抑えられてしまう。そして
、基体物質の露出を制御するために貴金属被覆の際のメ
ツキ法の改良も行われている(例えば、特公昭61−2
2028号公報)。
ならず、コスト低減の効果は抑えられてしまう。そして
、基体物質の露出を制御するために貴金属被覆の際のメ
ツキ法の改良も行われている(例えば、特公昭61−2
2028号公報)。
しかしながら、卑金属粉末を基体物質としてこれに貴金
属を被覆した粉末に関しては、高温で焼き付ける際に基
体物質の被覆金属への熱拡散を完全に抑えることは基本
的にできないため、基体物質の露出を抑制するためには
どうしても被覆金属の厚みを厚くしなければならず、や
けシ大幅なコスト低減は期待できない。また、基体物質
に酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、
二酸化チタンあるいはチタン酸バリウムなどの酸化物を
用いることも検討されている(例えば、特公昭61−2
2029号公報、同48586号公報)。
属を被覆した粉末に関しては、高温で焼き付ける際に基
体物質の被覆金属への熱拡散を完全に抑えることは基本
的にできないため、基体物質の露出を抑制するためには
どうしても被覆金属の厚みを厚くしなければならず、や
けシ大幅なコスト低減は期待できない。また、基体物質
に酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、
二酸化チタンあるいはチタン酸バリウムなどの酸化物を
用いることも検討されている(例えば、特公昭61−2
2029号公報、同48586号公報)。
しかし酸化物を用いた場合、卑金属と比べて貴金属層へ
の熱拡散は抑制されるが、前記酸化物はいずれも絶縁体
であるため、電極材料としての導電性を保持するために
はやはり被覆厚みを厚くしなければならず、材料コスト
の大幅な低減は困難である。
の熱拡散は抑制されるが、前記酸化物はいずれも絶縁体
であるため、電極材料としての導電性を保持するために
はやはり被覆厚みを厚くしなければならず、材料コスト
の大幅な低減は困難である。
発明が解決しようとする課題
上記した構成の、卑金属あるいは酸化物を基体物質とし
て貴金属被覆を施した導電性粒子については、高温での
焼き付は処理による基体物質の露出あるいは導電性の低
下を防ぐためには、どうしても被覆厚みを厚くしなけれ
ばならず、したがって貴金属使用量が多くなり、導電性
粒子のコストを大幅に削減できないという問題がある。
て貴金属被覆を施した導電性粒子については、高温での
焼き付は処理による基体物質の露出あるいは導電性の低
下を防ぐためには、どうしても被覆厚みを厚くしなけれ
ばならず、したがって貴金属使用量が多くなり、導電性
粒子のコストを大幅に削減できないという問題がある。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、導電性
に優れ、且つ熱的安定性にも優れた導電性粒子を安価に
提供することを目的としている。
に優れ、且つ熱的安定性にも優れた導電性粒子を安価に
提供することを目的としている。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため本発明の導電性粒子は、導電性
複合酸化物の粒子表面を、無電解メツキ法によシ貴金属
で被覆するという構造を有したものであり、さらKその
被覆金属量が粒子全体の6〜16重量%の範囲内にある
ものである。
複合酸化物の粒子表面を、無電解メツキ法によシ貴金属
で被覆するという構造を有したものであり、さらKその
被覆金属量が粒子全体の6〜16重量%の範囲内にある
ものである。
ここで、導電性複合酸化物としては、特にLa1−xS
rxCoo、 (0,1≦X≦o、a ) 、 Pr、
−xSrxCoo、(0,2≦X≦0.8 ) 、 1
1d1−xSrxCoo3(0,3≦X≦0.7 )
、 LIL、−xBax(joo5(0,1≦X≦o、
5 )、Pr、−xHaxCoo3(0,2≦X≦0.
6)のうちの1種あるいは2種以上の同容系の組成を有
するもの、あるいはLa2−x5rxCub4(0,1
≦X≦0.5 ) 。
rxCoo、 (0,1≦X≦o、a ) 、 Pr、
−xSrxCoo、(0,2≦X≦0.8 ) 、 1
1d1−xSrxCoo3(0,3≦X≦0.7 )
、 LIL、−xBax(joo5(0,1≦X≦o、
5 )、Pr、−xHaxCoo3(0,2≦X≦0.
6)のうちの1種あるいは2種以上の同容系の組成を有
するもの、あるいはLa2−x5rxCub4(0,1
≦X≦0.5 ) 。
La、xBaxCuO4(0,01≦X≦0.6)のう
ちの1種あるいは2種の同容系の組成を有するもの、さ
らにはYBa20u、O,系、 BiCtSrlCu2
05.5系の組成を有するものが好ましい。
ちの1種あるいは2種の同容系の組成を有するもの、さ
らにはYBa20u、O,系、 BiCtSrlCu2
05.5系の組成を有するものが好ましい。
また、被覆金属量を粒子全体の6〜16重量%としたの
は、コストの低減を図るには貴金属使用量を可能な限り
少なくすることが必要なためである。ここで、被覆金属
は基体物質全体を一様に覆う必要はない。つまり、基体
物質の拡散がセラミック部品の特性に影響を与えない程
度に抑制されてさえいれば良く、適当なフリットを用い
、焼結温度の低下を図れば5重量%でも実用上充分な拡
散防止の効果が得られる。また、被覆金属量が16重量
%を超えると、使用量削減の効果が小さくなる。
は、コストの低減を図るには貴金属使用量を可能な限り
少なくすることが必要なためである。ここで、被覆金属
は基体物質全体を一様に覆う必要はない。つまり、基体
物質の拡散がセラミック部品の特性に影響を与えない程
度に抑制されてさえいれば良く、適当なフリットを用い
、焼結温度の低下を図れば5重量%でも実用上充分な拡
散防止の効果が得られる。また、被覆金属量が16重量
%を超えると、使用量削減の効果が小さくなる。
作用
本発明は上記した構成により、基体物質が酸化物である
ため、被覆貴金属層への拡散が抑制されるため、被覆厚
みを薄くしても高温での焼き付は処理によって基体物質
が粒子表面に露出するのを抑制することができる。また
、基体物質が導電性であるため、基体物質が露出した場
合でも導電性の低下を抑えることができる。
ため、被覆貴金属層への拡散が抑制されるため、被覆厚
みを薄くしても高温での焼き付は処理によって基体物質
が粒子表面に露出するのを抑制することができる。また
、基体物質が導電性であるため、基体物質が露出した場
合でも導電性の低下を抑えることができる。
さらに、基体物質として複合酸化物としたのは、単一金
属元素を含む酸化物に比べて、導電性およびコストの点
で複合酸化物の方が優れているためである。特に、La
1−xSrxCoo、 (o、1≦X≦o、a)。
属元素を含む酸化物に比べて、導電性およびコストの点
で複合酸化物の方が優れているためである。特に、La
1−xSrxCoo、 (o、1≦X≦o、a)。
Pr1−xSrxCoo5(0,2≦X≦o、8) 、
Nb1−xSrxCoo。
Nb1−xSrxCoo。
(0,3≦X≦o、−r ) 、 La、−xBaxC
oo、(0,1≦X≦0.5)。
oo、(0,1≦X≦0.5)。
Pr1−1Baxco05 (0−2≦X≦0.6)の
うちの1種あるいは2種以上の固溶系の組成を有するも
の、あるいはLa2−xSrxCub4(0,1≦X≦
0.5 ) 。
うちの1種あるいは2種以上の固溶系の組成を有するも
の、あるいはLa2−xSrxCub4(0,1≦X≦
0.5 ) 。
L!L 2−3CBOX CuO2(o−o 1≦X≦
0.6)のうちの1種あるいは2種の固溶系の組成を有
するもの、さらにはY B!L 2 Cu s 07系
、B1Ca5rCu205.5系の組成を有するものは
、bずれも導電性に優れており、被覆貴金属厚みが薄く
ても高い導電性が得られるため、導電性粒子のコストを
大幅に削減することが可能である。
0.6)のうちの1種あるいは2種の固溶系の組成を有
するもの、さらにはY B!L 2 Cu s 07系
、B1Ca5rCu205.5系の組成を有するものは
、bずれも導電性に優れており、被覆貴金属厚みが薄く
ても高い導電性が得られるため、導電性粒子のコストを
大幅に削減することが可能である。
また、基体物質への貴金属の被覆方法としては、電気メ
ツキ法、無電解メツキ法、熱分解法、蒸着法などがある
が、装置規模および量産性の点で無電解メツキ法が最も
優れておシ、これによって貴金属被覆粉末を安価に作成
することが可能となる。
ツキ法、無電解メツキ法、熱分解法、蒸着法などがある
が、装置規模および量産性の点で無電解メツキ法が最も
優れておシ、これによって貴金属被覆粉末を安価に作成
することが可能となる。
実施例
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
(実施例1)
La20. 、 :3rOO5,Co、04 を出発
原料として、各々の必要量を秤量し、エタノール中で1
2時間混合し、乾燥後900℃で仮焼した。この仮焼粉
を粉砕後11oo℃で2時間焼成して、La、5Sr、
CaO2の組成を有する粉末を得た。
原料として、各々の必要量を秤量し、エタノール中で1
2時間混合し、乾燥後900℃で仮焼した。この仮焼粉
を粉砕後11oo℃で2時間焼成して、La、5Sr、
CaO2の組成を有する粉末を得た。
そして、中性タイプのパラジウムイオンを含む活性化液
に上記粉末を浸漬し、粉末の活性化処理を行い、別途塩
化パラジウムを濃アンモニア水に溶かし、これに塩酸を
加えてpHを8.5に調整したパラジウムメッキ液を作
成した。このパラジウムメッキ液にヒドラジンを加え、
上記活性化処理を行った粉末を投入し、攪拌することに
よって粉末表面にパラジウムをメツキした。次いで、メ
ツキ処理後、デカンテーシqン法による水洗を行い、乾
燥してパラジウム被覆粉末を得た。このようにして得ら
れた粉末のLa、5Sr、5Coo、とパラジウムの重
量比は85 / 15であった。
に上記粉末を浸漬し、粉末の活性化処理を行い、別途塩
化パラジウムを濃アンモニア水に溶かし、これに塩酸を
加えてpHを8.5に調整したパラジウムメッキ液を作
成した。このパラジウムメッキ液にヒドラジンを加え、
上記活性化処理を行った粉末を投入し、攪拌することに
よって粉末表面にパラジウムをメツキした。次いで、メ
ツキ処理後、デカンテーシqン法による水洗を行い、乾
燥してパラジウム被覆粉末を得た。このようにして得ら
れた粉末のLa、5Sr、5Coo、とパラジウムの重
量比は85 / 15であった。
上記パラジウム被覆粉末100重量部、ガラス7リツト
6重量部、エチルセルロース2重量部、テルピネオール
10重量部からなる混合物を三木ロールで混練してペー
スト状にし、アルミナ基板上にスクリーン印刷後、96
0℃で10分間の焼き付は処理を行った。この焼き付け
られた厚膜の電気抵抗値は4 X 10−’Ω・備であ
り、優れた導電性を示した。
6重量部、エチルセルロース2重量部、テルピネオール
10重量部からなる混合物を三木ロールで混練してペー
スト状にし、アルミナ基板上にスクリーン印刷後、96
0℃で10分間の焼き付は処理を行った。この焼き付け
られた厚膜の電気抵抗値は4 X 10−’Ω・備であ
り、優れた導電性を示した。
一方、Laa5Sr、5CoO,にパラジウム被覆をし
ない粉末を用りて、上記と同様の方法でアルミナ基板上
に形成した厚膜の場合は、7〜9×10−2Ω・けの抵
抗値を示し、パラジウム被覆粉末を焼き付けた場合に比
べて著しく抵抗値が増加した。
ない粉末を用りて、上記と同様の方法でアルミナ基板上
に形成した厚膜の場合は、7〜9×10−2Ω・けの抵
抗値を示し、パラジウム被覆粉末を焼き付けた場合に比
べて著しく抵抗値が増加した。
そして、焼き付けられた厚膜とアルミナ基板との境界部
が青色に着色している仁とから、LIL、Sr、5Co
o、がアルミナと反応する仁とにょシ抵抗値が上昇する
ものと考えられる。従って、パラジウム被覆をすること
によって粉末の導電性を高めると同時に、基体物質であ
るLa、5Sr、5CoO。
が青色に着色している仁とから、LIL、Sr、5Co
o、がアルミナと反応する仁とにょシ抵抗値が上昇する
ものと考えられる。従って、パラジウム被覆をすること
によって粉末の導電性を高めると同時に、基体物質であ
るLa、5Sr、5CoO。
と基板材料との反応が抑制されるという二つの効果が相
まって、アルミナ基板上に導電性に優れた厚膜が形成さ
れたものと思われる。
まって、アルミナ基板上に導電性に優れた厚膜が形成さ
れたものと思われる。
さらに、メツキ液に投入する粉末の量を変えることによ
り、La1−xSrxCoo、とパラジウムの重量比が
90 / 10 、95 / 5のパラジウム被覆粉末
を得、上記と同様の実験を行った。この結果、上記重量
比が90 / 10 、95 / 5の場合は4〜5×
10 Ω・画と上記と同様の優れた導電性が確認され、
貴金属使用量の大幅な削減が可能となることが明らかと
なった。
り、La1−xSrxCoo、とパラジウムの重量比が
90 / 10 、95 / 5のパラジウム被覆粉末
を得、上記と同様の実験を行った。この結果、上記重量
比が90 / 10 、95 / 5の場合は4〜5×
10 Ω・画と上記と同様の優れた導電性が確認され、
貴金属使用量の大幅な削減が可能となることが明らかと
なった。
(実施例2)
La20. 、 Pr60.、 、 N(1205,B
aC0,、5rCO,。
aC0,、5rCO,。
Go、04を出発原料として実施例1と同様の方法によ
シ、La、−xSrxCoo、 、 Pr1−xSrx
Coo、 。
シ、La、−xSrxCoo、 、 Pr1−xSrx
Coo、 。
Ntll−xSrxCoo3. La1−、BaxCo
o3゜Pr、−xBaxCoo、の各組成系のXの異な
る粉末を作成した。これらの粉末を基体物質として、上
記実施例1と同様の方法によりメツキ処理を行い、基体
物質とパラジウムの重量比が90710のパラジウム被
覆粉末を得た。この粉末を用いて、同じ〈実施例1と同
様の方法により導体ペーストを作成し、アルミナ基板上
に焼き付けて電気抵抗値を測定した。この測定値をΩ・
備に単位換算した結果を下記のく表1〉に示す。
o3゜Pr、−xBaxCoo、の各組成系のXの異な
る粉末を作成した。これらの粉末を基体物質として、上
記実施例1と同様の方法によりメツキ処理を行い、基体
物質とパラジウムの重量比が90710のパラジウム被
覆粉末を得た。この粉末を用いて、同じ〈実施例1と同
様の方法により導体ペーストを作成し、アルミナ基板上
に焼き付けて電気抵抗値を測定した。この測定値をΩ・
備に単位換算した結果を下記のく表1〉に示す。
(以下余白)
〈表1〉の結果から、焼き付けられた厚膜の電気抵抗値
は被覆したパラジウムだけで決められるのではなく、基
体物質の組成によって影響を受けることが解る。そして
、優れた導電性を得るためには基体物質の組成として、
La1−xSrxCoo。
は被覆したパラジウムだけで決められるのではなく、基
体物質の組成によって影響を受けることが解る。そして
、優れた導電性を得るためには基体物質の組成として、
La1−xSrxCoo。
(0,1≦X≦0.8 ) 、 Pr1−xSrxCo
o、(0,z≦I≦0.8) 。
o、(0,z≦I≦0.8) 。
Nd1−2srxCo03 (0,3≦X≦0.7 )
。
。
LILl、、xBaxCoo3(0,1≦X≦o、s
) 。
) 。
Pr1−xBaxCoo、 (0,2≦X≦0.6)が
適している。
適している。
次に、上記材料を複合化した酸化物を基体物質として上
記と同様の方法でパラジウムメッキ、ペースト化および
焼き付は処理を行い、得られた厚膜の電気抵抗値を測定
した結果、下記のく表2〉に示すように優れた導電性を
確認した。
記と同様の方法でパラジウムメッキ、ペースト化および
焼き付は処理を行い、得られた厚膜の電気抵抗値を測定
した結果、下記のく表2〉に示すように優れた導電性を
確認した。
(以下余白)
く 表
2 〉
(実施例3)
La205. 5rCO,、BaC0,、CuOを出発
原料として、各々の必要量を秤量し、エタノール中で1
2時間混合し、乾燥後900℃で12時間焼成した後、
600℃の酸素中で熱処理してLa2−.5rxCuO
4,La2−xBtxCuO,のXを種々に変えた組成
を有する粉末を得た。
原料として、各々の必要量を秤量し、エタノール中で1
2時間混合し、乾燥後900℃で12時間焼成した後、
600℃の酸素中で熱処理してLa2−.5rxCuO
4,La2−xBtxCuO,のXを種々に変えた組成
を有する粉末を得た。
そ′して、中性タイプのパラジウムイオンを含む活性化
液に上記粉末を浸漬して活性化処理を行い、別途塩化白
金とアンモニア水と塩酸からなるメツキ液を作成し、こ
のメツキ液にヒドラジンと活性化処理済の粉末を投入し
、攪拌することによって粉末表面に白金をメツキした。
液に上記粉末を浸漬して活性化処理を行い、別途塩化白
金とアンモニア水と塩酸からなるメツキ液を作成し、こ
のメツキ液にヒドラジンと活性化処理済の粉末を投入し
、攪拌することによって粉末表面に白金をメツキした。
次いで、メツキ処理後デカンチーシラン法による水洗を
行い、乾燥して白金被覆粉末を得た。こうして得られた
粉末の基体物質と白金の重量比は90 / 10であっ
た。
行い、乾燥して白金被覆粉末を得た。こうして得られた
粉末の基体物質と白金の重量比は90 / 10であっ
た。
上記白金粉末を用いて、実施例1と同様の方法によシ導
体ペーストを作成し、アルミナ基板上に900℃の温度
で焼き付け、電気抵抗値を測定した。この測定値をΩ・
譚に単位換算した結果を下記のく表3〉に示す。
体ペーストを作成し、アルミナ基板上に900℃の温度
で焼き付け、電気抵抗値を測定した。この測定値をΩ・
譚に単位換算した結果を下記のく表3〉に示す。
(以下余白)
表3の結果から、優れた導電性を得るためには、基体物
質の組成として、La2−xSrz CuO2(0,1
≦X≦0.5 ) 、 La2−xBaz CuO2(
0,01≦X≦0.6)が適していることが解る。
質の組成として、La2−xSrz CuO2(0,1
≦X≦0.5 ) 、 La2−xBaz CuO2(
0,01≦X≦0.6)が適していることが解る。
次に、上記材料を複合化した酸化物を基体物質として、
上記と同様の方法で白金メツキ、ペースト化および焼き
付は処理を行い、得られた厚膜の電気抵抗値を測定した
結果、下記のく表4〉に示すように優れた導電性を確認
した。
上記と同様の方法で白金メツキ、ペースト化および焼き
付は処理を行い、得られた厚膜の電気抵抗値を測定した
結果、下記のく表4〉に示すように優れた導電性を確認
した。
く 表 4 〉
(実施例4)
Y2O2,BuGo、、0110 、Bi2O,、Ca
C0,。
C0,。
5rCO,を出発原料として、各々の必要量を秤量し、
エタノール中で12時間混合し、乾燥後850℃で12
時間焼成した後、6oo℃の酸素中で熱処理して、τB
a20u s O7およびB1Ca5rCu205.5
の組成を有する粉末を得た。
エタノール中で12時間混合し、乾燥後850℃で12
時間焼成した後、6oo℃の酸素中で熱処理して、τB
a20u s O7およびB1Ca5rCu205.5
の組成を有する粉末を得た。
そして、中性タイプのパラジウムイオンを含む活性化液
に上記粉末を投入し活性化処理を行い、別途シアン化金
とEDTム(エチレンジアミンテトラアセテート)の4
Na塩と塩酸からなるメツキ液を作成し、このメツキ液
にアスコルビン酸ナトリウムと活性化処理済の粉末を投
入し、攪拌することによって粉体表面に金をメツキした
。このメツキ処理後デカンチーシラン法による水洗を行
い、乾燥して金被覆粉末を得た。このようにして得られ
た粉末の基体物質と金との重量比は85/15であった
。
に上記粉末を投入し活性化処理を行い、別途シアン化金
とEDTム(エチレンジアミンテトラアセテート)の4
Na塩と塩酸からなるメツキ液を作成し、このメツキ液
にアスコルビン酸ナトリウムと活性化処理済の粉末を投
入し、攪拌することによって粉体表面に金をメツキした
。このメツキ処理後デカンチーシラン法による水洗を行
い、乾燥して金被覆粉末を得た。このようにして得られ
た粉末の基体物質と金との重量比は85/15であった
。
上記金被覆粉末を用いて、実施例1と同様の方法により
導体ペーストを作製し、アルミナ基板上に850℃で焼
き付け、電気抵抗値を測定した。
導体ペーストを作製し、アルミナ基板上に850℃で焼
き付け、電気抵抗値を測定した。
この結果、基体物質がYBa2Cu30.の場合の電気
抵抗値は6×100”CIFI、B1Ca5rCu20
,5の場合は8×10 Ω・画であり、優れた導電性を
確認した。
抵抗値は6×100”CIFI、B1Ca5rCu20
,5の場合は8×10 Ω・画であり、優れた導電性を
確認した。
(実施例5)
マグネシウム・ニオブ酸鉛[Pb(Mg狛Nb2A)0
3]を主成分とする誘電体粉末100重量部、ポリビニ
ルブチラール樹脂8重量部、ジブチルフタレート4重量
部、トリクロルエタン40重量部、酢酸ブチル26重量
部を加えて、ボールミルで20時間混練した。こうして
得られた誘電体スラリーをリバースロール法にて40μ
目の厚みにシート成形した。
3]を主成分とする誘電体粉末100重量部、ポリビニ
ルブチラール樹脂8重量部、ジブチルフタレート4重量
部、トリクロルエタン40重量部、酢酸ブチル26重量
部を加えて、ボールミルで20時間混練した。こうして
得られた誘電体スラリーをリバースロール法にて40μ
目の厚みにシート成形した。
次ニ、市販パ、ラジウムペーストを上記誘電体シート上
に所望のパターンに印刷し、これを積層することによシ
、電極と誘電体とが交互に積層された積層体を作製した
後、所望の寸法に切断して1100℃2時間で焼成した
。こうして得られた焼結体の電極が露出している側面に
、実施例1と同様の方法で作製したパラジウム被覆した
La[15Sr、Coo、(”a5Sr、5Coo、と
パラジウムの重量比:90/10)とガラスフリット、
エチルセルロース、テレピネオールとからなる電極ベー
ストを塗布し、soo’cで焼き付けした。これによシ
得られた積層チップコンデンサの静電容量値は、誘電体
の誘電率(t=12000)から計算された設計値とよ
く一致しており、パラジウム被覆をしたLa、5Sr、
5Coo、を用いた電極の実用性が確認された。
に所望のパターンに印刷し、これを積層することによシ
、電極と誘電体とが交互に積層された積層体を作製した
後、所望の寸法に切断して1100℃2時間で焼成した
。こうして得られた焼結体の電極が露出している側面に
、実施例1と同様の方法で作製したパラジウム被覆した
La[15Sr、Coo、(”a5Sr、5Coo、と
パラジウムの重量比:90/10)とガラスフリット、
エチルセルロース、テレピネオールとからなる電極ベー
ストを塗布し、soo’cで焼き付けした。これによシ
得られた積層チップコンデンサの静電容量値は、誘電体
の誘電率(t=12000)から計算された設計値とよ
く一致しており、パラジウム被覆をしたLa、5Sr、
5Coo、を用いた電極の実用性が確認された。
本実施例以外にも、貴金属被覆をした導電性複合酸化物
粒子がチップ抵抗、チップインダクタ、バリスタ、圧電
素子、さらにはセラミック多層配線基板などの電極とし
ての実用性があることはいうまでもない。
粒子がチップ抵抗、チップインダクタ、バリスタ、圧電
素子、さらにはセラミック多層配線基板などの電極とし
ての実用性があることはいうまでもない。
本発明が対象とする複合酸化物は、いずれも通常は酸素
欠陥を有しているため、酸素の組成については特に規定
されるものではない。また、基体物質の化学的安定性な
いしは電気的特性を制御するために、主成分元素以外の
金属元素あるいは陰イオン元素を基体物質に添加しても
よい。さらに、上記実施例で用いた複合酸化物粉末は、
0.1〜5.0μmの範囲の粒子径を有していたが、粒
子径および粒子形状については特に規定されることはな
い。
欠陥を有しているため、酸素の組成については特に規定
されるものではない。また、基体物質の化学的安定性な
いしは電気的特性を制御するために、主成分元素以外の
金属元素あるいは陰イオン元素を基体物質に添加しても
よい。さらに、上記実施例で用いた複合酸化物粉末は、
0.1〜5.0μmの範囲の粒子径を有していたが、粒
子径および粒子形状については特に規定されることはな
い。
一方、被覆貴金属として上記実施例に加えて、無電解メ
ツキが可能な銀、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、
およびこれらの合金を用いることができる。また、貴金
属被覆に際して、上記2種類以上の貴金属を被覆するこ
とも可能である。
ツキが可能な銀、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、
およびこれらの合金を用いることができる。また、貴金
属被覆に際して、上記2種類以上の貴金属を被覆するこ
とも可能である。
発明の効果
以上のように本発明は、導電性複合酸化物の粒子表面を
その6〜16重量%の貴金属で被覆した構成の酸化物で
あり、さらに貴金属被覆の方法として無電解メツキ法を
用いるものである。よって、本発明は導電性に優れ、且
つ熱的、化学的安定性に優れた導電性粒子を安価に製造
せしめることができ、実用上の価値は非常に大きいもの
である。
その6〜16重量%の貴金属で被覆した構成の酸化物で
あり、さらに貴金属被覆の方法として無電解メツキ法を
用いるものである。よって、本発明は導電性に優れ、且
つ熱的、化学的安定性に優れた導電性粒子を安価に製造
せしめることができ、実用上の価値は非常に大きいもの
である。
Claims (7)
- (1)導電性複合酸化物の粒子表面を5〜15重量%の
貴金属で被覆したことを特徴とする導電性粒子。 - (2)導電性複合酸化物が、La_1_−_xSr_x
CoO_3(0.1≦x≦0.8) ,Pr_1_−_
xSr_xCoO_3(0.2≦x≦0.8),Nd_
1_−_xSr_xCoO_3(0.3≦x≦0.7)
,La_1_−_xBa_xCoO_3(0.1≦x≦
0.6),Pr_1_−_xBa_xCcO_3(0.
2≦x≦0.5)のうちの1種あるいは2種以上の固溶
系の組成を有することを特徴とする請求項1記載の導電
性粒子。 - (3)導電性複合酸化物が、La_2_−_xSr_x
CuO_4(0.1≦x≦0.8),La_2_−_x
Ba_xCuO_4(0.01≦x≦0.5)のうちの
1種あるいは2種の固溶系の組成を有することを特徴と
する請求項1記載の導電性粒子。 - (4)導電性複合酸化物が、YBa_2Cu_3O系の
組成を有することを特徴とする請求項1記載の導電性粒
子。 - (5)導電性複合酸化物が、BiCaSrCu_2O_
5_._5系の組成を有することを特徴とする請求項1
記載の導電性粒子。 - (6)請求項1記載の導電性粒子を用いたことを特徴と
する電子部品用電極。 - (7)導電性複合酸化物の粒子表面を、無電解メッキに
より5〜15重量%の貴金属で被覆することを特徴とす
る導電性粒子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3675289A JPH02215005A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 導電性粒子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3675289A JPH02215005A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 導電性粒子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02215005A true JPH02215005A (ja) | 1990-08-28 |
Family
ID=12478469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3675289A Pending JPH02215005A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 導電性粒子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02215005A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009286664A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 金属酸化物粒子粉末及びその製造方法 |
CN106876149A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-06-20 | 华南理工大学 | 一种基于多孔钴酸锶镧基底担载银纳米颗粒的超级电容器 |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP3675289A patent/JPH02215005A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009286664A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 金属酸化物粒子粉末及びその製造方法 |
CN106876149A (zh) * | 2017-03-07 | 2017-06-20 | 华南理工大学 | 一种基于多孔钴酸锶镧基底担载银纳米颗粒的超级电容器 |
CN106876149B (zh) * | 2017-03-07 | 2018-06-22 | 华南理工大学 | 一种基于多孔钴酸锶镧基底担载银纳米颗粒的超级电容器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20040020048A (ko) | 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 | |
US20040213901A1 (en) | Conductive paste, method for manufacturing laminated ceramic electronic component, and laminated ceramic electronic component | |
JPH07207185A (ja) | 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト | |
JP2002334614A (ja) | 導電性粒子 | |
JPS5868918A (ja) | 電極層を有する電子部品とその製造法 | |
JPH07242845A (ja) | 電極用導電性塗料およびその製造法 | |
JPH06168620A (ja) | 導電性ペースト組成物 | |
JP2002334611A (ja) | 導電性粒子組成物 | |
JPH02215005A (ja) | 導電性粒子及びその製造方法 | |
JPH0543921A (ja) | ニツケル微粉末の製造方法 | |
JP2808639B2 (ja) | セラミック電子部品の電極用導電性粒子 | |
JPH0266101A (ja) | 導電性粒子およびその製造方法 | |
JP2553658B2 (ja) | 電子部品用電極材料 | |
US4168519A (en) | Capacitor with tin-zinc electrodes | |
TW201814727A (zh) | 無鉛厚膜電阻組合物、無鉛厚膜電阻及其製造方法 | |
JPH02215006A (ja) | 導電性粒子及びその製造方法 | |
JPH01313804A (ja) | 導電性ペースト | |
JP2799916B2 (ja) | 導電性金属被覆セラミックス粉末 | |
JPH03215916A (ja) | 電極の形成方法およびそれを用いた電子部品 | |
JPH02217479A (ja) | 導電性粒子の製造方法 | |
JPH03214716A (ja) | 電極の形成方法およびそれを用いた電子部品 | |
JPH07118429B2 (ja) | 積層コンデンサ内部電極用導電性塗料 | |
JP2002275509A (ja) | 金属粉末の製造方法,金属粉末,これを用いた導電性ペーストならびにこれを用いた積層セラミック電子部品 | |
JP2757402B2 (ja) | 高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法 | |
JPH03218615A (ja) | 電極の形成方法およびそれを用いた積層チップ部品 |