JPH02205951A - 半導体記憶装置のインターフェース - Google Patents

半導体記憶装置のインターフェース

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JPH02205951A
JPH02205951A JP2615089A JP2615089A JPH02205951A JP H02205951 A JPH02205951 A JP H02205951A JP 2615089 A JP2615089 A JP 2615089A JP 2615089 A JP2615089 A JP 2615089A JP H02205951 A JPH02205951 A JP H02205951A
Authority
JP
Japan
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address
memory
extension
signal
interface
Prior art date
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Pending
Application number
JP2615089A
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English (en)
Inventor
Masatoshi Kimura
正俊 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2615089A priority Critical patent/JPH02205951A/ja
Publication of JPH02205951A publication Critical patent/JPH02205951A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はメモリカード等の携帯形の半導体記憶装置を拡
張する場合に使用されるインターフェースに関する。
〔従来の技術〕
半導体記憶装置に内蔵される半導体メモリは、スタティ
ックRAM、ダイナミックRAM、 FROM、マスク
ROM等である。RAMは揮発性メモリであうて、記憶
データを保持するための電池が内蔵されることがある。
メモリカードに代表されるように半導体記憶装置は、小
型化が求められているため、内部に実装される半導体メ
モリの数には限界があり、そのメモリ容量は前記半導体
メモリの数によってきまる。従って総メモリ容量を増す
には複数のメモリカードを使用し制御する必要がある。
第2図は従来のインターフェースを用いてメモリカード
の枚数の増加を示すブロック図である。
2はアドレスデコーダであってインターフェースに相当
する。従来例ではメモリカード1が最大8台まで接続可
能なアドレスデコーダ2を用いている。
メモリカード1.1・・・は、カードセレクト信号バス
11.11・・・によってアドレスデコーダ2と接続し
ている。各メモリカードl、1・・・はチップ選択用の
チップイネーブル信号(CE) 、アドレス信号(AD
D) 。
メモリへの書き込みを許可するライトイネーブル信号(
作)及び信号出力を許可するアウトプットイネーブル信
号(踊)の入力端子並びにデータ(DATA)出力用の
出力端子を有している。アドレス信号(ADD)を入力
するADD入力端子は(n+1)ビットのアドレス信号
(A O〜A、)を並列に搬送するアドレスバス3に接
続され、ライトイネーブル信号バス4に接続され、アウ
トプットイネーブル信号(OE)を入力するOIE入力
端子はアウトプットイネーブル信号バス5に接続され、
チップイネーブル信号(C8)を入力するCE入力端子
はアドレスデコーダ2の出力である選択信号バス11.
11・・・に接続されている。またデータ(DATA)
を出力するOAT^出力端子は所定ビットのデータ(D
AT^)を並列に搬送するデータバス6に接続されてい
る。
アドレスデコーダ2は拡張アドレス信号A、%4□A、
や!+A*+jJを人力する端子Da 、Da 、Dc
及びカードイネーブル信号(G)を入力する端子及び8
枚のメモリカード1.1・・・のCE入力端子に接続さ
れるカードセレクト信号(S””Ss)を出力する端子
を有している。入力端子DA 、 Dg 、 Daは夫
々拡張アドレスバス7.8.9に接続され、G入力端子
はカードイネーブル信号バス10に接続され、カードセ
レクト信号出力端子S、〜Sllはカードセレクト信号
バス11.11・・・に接続される。
8枚のメモリカード1.1・・・のうち1枚のメモリカ
ードを指定すべくアドレスA□1.A、、+z及びA9
.3が入力されてで入力端子に“L”レベル信号が入力
されると、アドレスA□1A□2及びA□3によって指
定されたメモリカード1に該当する31〜SIl出力端
子のうちの1つから指定されたメモリカード1のCE入
力端子に′L”ルベル信号が入力されて、該メモリカー
ドlの内部半導体メモリのアクセスが可能となる。この
とき選択されなかった他のメモリカード1.1・・・は
ディセーブル状態である。
上述のインターフェース即ちアドレスデコーダ2におい
て拡張アドレス信号はA 、1+1+ A@+t+ A
a+zであることからメモリ容量の最大アドレスがA、
%のメモリカード1,1・・・を用いて、総メモリ容量
を最大(n + 3)ビットまで拡張できる。すなわち
メモリカード1.1・・・のメモリ容量がmキロバイト
とすれば最大23×mキロバイトまでメモリ容量を拡張
できる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のインターフェース、?:は、アドレスデコーダに
接続した拡張アドレスバスによってメモリ容量を拡張す
ることができるが、拡張アドレス信号はA R+ I 
I A 6 + ff1I A R+ 3とあらかじめ
設定されている。そのためメモリカードの最上位アドレ
スがAイの場合は従来のインターフェースであっても複
数のメモリカードを接続して総メモリ容量を拡張するこ
とが可能であるが、個々のメモリカードのメモリ容量が
拡張した場合、例えばメモリカードの最上位アドレスが
A n+ 1 となった場合、従来のインターフェース
に最上位アドレスがA71.のメモリカードを接続する
ことは不可能であるという問題があった。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
であって、メモリカードのメモリ容量が拡張した場合に
もインターフェースを変更することなく用いることがで
きるインターフェースを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のインターフェースはメモリカードのメモリ容量
が拡張した場合にも対応できるようにメモリ容量が拡張
した場合のアドレスバス群をあらかじめ備えており、接
続されるメモリカードのメモリ容量に応じて拡張アドレ
ス信号を選択できる手段を備えている。
〔作用〕
各拡張アドレス選択回路は、半導体記憶装置の容量に応
じて選択出力する拡張アドレスのビットを相異させる。
これによりアドレスデコーダは半導体記憶装置の容量に
応じた拡張アドレス信号が与えられることになる。
〔実施例〕
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて説明す
る。
第1図はメモリカードを接続した本発明に係るインター
フェースの構成を示すブロック図である。
図において100は本発明のインターフェースであって
、カードセレクト信号バスIL 11・・・によってメ
モリカード1.1・・・と接続している。各メモリカー
ド1,1・・・はチップ選択用のチップイネーブル信号
(CIり 、アドレス信号(八〇D)、メモリへの書き
込みを許可するライトイネーブル信号(畦)、信号出力
を許可するアウトプットイネーブル信号(OB)の入力
端子及びデータ(DATA)出力用の出力端子を有して
いる。ADD入力端子は(n+1)ビットずつアドレス
信号(A o〜A、)を並列に搬送するアドレスバス3
に接続され、■入力端子はライトイネーブル信号バス4
に接続され、OE入力端子はアウトプットイネーブル信
号バス5に接続され、蔀入力端子はアドレスデコーダ2
の出力である選択信号バス11.11・・・に接続され
ている。またDATA出力端子は所定ビットずつデータ
信号を並列に搬送するデータバス6に接続されている。
前記インターフェース100は、アドレスデコーダ2と
3個の拡張アドレス選択回路12.13.14とを有し
ており、前記拡張アドレス選択回路12.13.14の
各入力端子にはアドレスバス群16.17.18及びセ
レクト信号バス15を接続しており、その各出力端子は
拡張アドレスバス7.8.9に接続している。アドレス
デコーダ2の入力端子Da 、DPI、DC及び百には
各々前記拡張アドレスバス7.8.9及びカードセレク
トバス10が接続しており、その出力端子S r ””
 S *は選択信号バス11.11・・・に接続してい
る。選択信号バス11.11・・・は前述の如く個々の
メモリカード1,1・・・の葭入力端子に接続している
各拡張アドレス選択回路12.13.14に接続してい
るアドレスバス群は第1表に示す如く、各拡張アドレス
選択回路12.13.14に4ビツトのアドレスバスが
接続しており、拡張アドレス選択回路】2の最下位アド
レスをA7−!とじて拡張アドレス選択回路13.14
の最下位アドレスは1ビツトずつ上位のAyl−1,A
、1となっている。
第   1   表 2本のセレクト信号バス15は拡張アドレス選択回路!
2.13.14に接続しており、このセレクト信号バス
15によって拡張アドレス選択回路12.13゜14に
与えられたセレクト信号Sll  St。は、各アドレ
スバス群16.17.18から各拡張アドレスバス7.
8.9に選択出力するアドレスを指定するものである。
次に拡張アドレス選択回路12.13.14における動
作について説明する。
セレクト信号S、。+S!Oは、インターフェース10
0に接続したメモリカード1,1・・・のメモリ容量に
よって、入力端子Da、DIl、DCに入力されるアド
レスを選択する0例えばメモリカードのメモリ容量の最
上位アドレスが八〇−1の場合、セレクト信号SIO及
びS!。はいずれも論理値「0」とし、拡張アドレス選
択回路12.13.14へ搬送して前記拡張アドレス選
択回路12.13.14の各々の最下位アドレスである
Aイーt HAR−1+ Anを選択出力してアドレス
デコーダ2のDa 、 Da 、  Dc入力端子へ入
力する。これにより8枚のメモリカードの並列接続が可
能となってアドレスAfiまで拡張される。また、メモ
リカード1.1・・・のメそり容量の最上位アドレスが
A7−2の場合、例えばセレクト信号310及びS2゜
を論理値「0」及び「1」としてアドレスデコーダ回路
2のDA、Dl、DC入力端子へA n−1+  A@
 HAn++を入力する。
同様にメモリカード1.1・・・の最上位アドレスがA
、−1の場合A n + An++ * An+zを入
力し、メモリカード1.1・・・の最上位アドレスがA
、の場合A 、l+I + Aa+I t An*3を
入力する。従ってメモリカードのメモリ容量の最上位ア
ドレスがAゎ−。
からA7まで拡張されてもセレクト信号バス15の信号
を切り替えるのみでインターフェース100を変更する
必要がない。
セレクト信号バス15の信号切替方法は、機械的スイッ
チ手段あるいは端末機内蔵のCPU制御のいずれでもよ
い。
また本実施例においては、拡張アドレス選択回路12.
13.14は4人力1出力のマルチプレクサ−であった
が、8人力1出力のマルチプレクサ−を用いることも可
能である。8人力1出力のマルチプレクサ−を使用した
場合、8種類のアドレスを指定するので、セレクト信号
バス15は3本となる。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明のインターフェースは、あら
かじめ個々のメモリカードのメモリ容量の拡張を想定し
た複数ビットの拡張アドレス信号を入力すべ(なしてお
り、拡張アドレス選択回路は、接続されるメモリカード
のメモリ容量に応じて、夫々に異なるビットを選択出力
して複数のメモリカードの接続を可能としている。従っ
て本発明のインターフェースを用いた場合、接続される
個々のメモリカードのメモリ容量が変更されてもインタ
ーフェースの設計を変更する必要がないので、メモリ容
量の拡張が容易に行えるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はメモリカードを接続した本発明に係るインター
フェースの構成を示すブロック図、第2図はメモリカー
ドと接続した従来のインターフェース回路の構成を示す
ブロック図である。 2・・・アドレスデコーダ  12.13.14・・・
拡張アドレス選択回路  15・・・セレクト信号バス
100・・・インターフェース  16.17.18・
・・アドレスバス群  7.8.9・・・拡張アドレス
バスなお、図中、同一符号は、同−又は相当部分を示す

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)接続された複数の半導体記憶装置のいずれかを選
    択するための拡張アドレス信号が入力され、前記半導体
    記憶装置を選択する信号を出力するアドレスデコーダを
    有する半導体記憶装置のインターフェースにおいて、 複数ビットの拡張アドレス信号を入力すべ くなしており、いずれかのビットを選択的に出力する複
    数個の拡張アドレス選択回路を備え、 該拡張アドレス選択回路は夫々に異なるビ ットを選択して前記アドレスデコーダに入力すべくなし
    てあることを特徴とする半導体記憶装置のインターフェ
    ース。
JP2615089A 1989-02-03 1989-02-03 半導体記憶装置のインターフェース Pending JPH02205951A (ja)

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