JPH0220103A - 同軸型誘電体共振器 - Google Patents
同軸型誘電体共振器Info
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- JPH0220103A JPH0220103A JP17041388A JP17041388A JPH0220103A JP H0220103 A JPH0220103 A JP H0220103A JP 17041388 A JP17041388 A JP 17041388A JP 17041388 A JP17041388 A JP 17041388A JP H0220103 A JPH0220103 A JP H0220103A
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000277331 Salmonidae Species 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高周波帯で用いられる、同軸型誘電体共振器に
関するものである。
関するものである。
従来の技術
第７図に従来の同軸型誘電体共振器〔以後は誘電体Ｓ、
１．Ｒ（ＳＬｅｐｐａｄ Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ｒｅ５
ｏｎａＬｏｒ）とする。〕を示す。これは、円筒状の外
導体】と内導体２と誘電体８とからなる同軸型誘電体共
振器において、外導体１の開放端側で軸心方向に所定長
さに相当する部分だけ外径を短絡端側に較べて小さく形
成してインピーダンスを減少させた共振器である。そし
て第７図においては、誘電体Ｓ、Ｉ、Ｈの短絡端側外径
を（ｂｌ）、その部分の長さを（Ｌｌ）、その部分のイ
ンピーダンスを（ｚｌ）、開放端側外径を（ｂ２）、そ
の部分の長さを（Ｌ２）、その部分のインピーダンスを
（ｚ２）、全体の長さを（ＬＴ）とする。したがって共
振条件は、ｔａｎβＬ］・ｔａｎβＬ２−Ｚ２／Ｚｌ
−Ｋとなる。
１．Ｒ（ＳＬｅｐｐａｄ Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ｒｅ５
ｏｎａＬｏｒ）とする。〕を示す。これは、円筒状の外
導体】と内導体２と誘電体８とからなる同軸型誘電体共
振器において、外導体１の開放端側で軸心方向に所定長
さに相当する部分だけ外径を短絡端側に較べて小さく形
成してインピーダンスを減少させた共振器である。そし
て第７図においては、誘電体Ｓ、Ｉ、Ｈの短絡端側外径
を（ｂｌ）、その部分の長さを（Ｌｌ）、その部分のイ
ンピーダンスを（ｚｌ）、開放端側外径を（ｂ２）、そ
の部分の長さを（Ｌ２）、その部分のインピーダンスを
（ｚ２）、全体の長さを（ＬＴ）とする。したがって共
振条件は、ｔａｎβＬ］・ｔａｎβＬ２−Ｚ２／Ｚｌ
−Ｋとなる。
ここでＺｌ −６０ｎｎ（ｂ１／ａｌ ）１／Ｇ、Ｚ２
＝６０Ｊｎ（ｂ２／ａｌ ）／釘にはインピーダンス比
、ε、は誘電体の誘電率、Ｑ値は １／Ｑ＝１／Ｑｃ＋Ｌａｎδ ｔａｎδは誘電体損失
ここで （１１シＡｌ ；ｚβＬ１＋５ｉｎ２βＬｊ、 Ｂｌｘ
ｃｏｓ”βＬＩＡ２；２βＬ２−ｓｉｒｇ！βＬｌ、
Ｂ２ｘｃｏｓ”βＬｌ／ｓｉｎ”βＬ２δ二表皮厚 である。
＝６０Ｊｎ（ｂ２／ａｌ ）／釘にはインピーダンス比
、ε、は誘電体の誘電率、Ｑ値は １／Ｑ＝１／Ｑｃ＋Ｌａｎδ ｔａｎδは誘電体損失
ここで （１１シＡｌ ；ｚβＬ１＋５ｉｎ２βＬｊ、 Ｂｌｘ
ｃｏｓ”βＬＩＡ２；２βＬ２−ｓｉｒｇ！βＬｌ、
Ｂ２ｘｃｏｓ”βＬｌ／ｓｉｎ”βＬ２δ二表皮厚 である。
そｌ、て、第５図に示すように、上式のインピーダンス
比にの値が小さいほど、スプリアス共振周波数の抑圧度
が大きくなることがわかっている。
比にの値が小さいほど、スプリアス共振周波数の抑圧度
が大きくなることがわかっている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記した従来の誘電体Ｓ、Ｉ、Ｒは、共
振回路におけるＱ値の劣化が大きく、この誘電体Ｓ、Ｉ
、Ｒを用いたフィルタの小型化を困難にしていた。
振回路におけるＱ値の劣化が大きく、この誘電体Ｓ、Ｉ
、Ｒを用いたフィルタの小型化を困難にしていた。
本発明は、従来の誘電体ＳＪ、Ｈに比べて、Ｑ値の高い
構造の同軸型誘電体共振器を提供することを目的とする
。
構造の同軸型誘電体共振器を提供することを目的とする
。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明は角筒状の外導体内
に円筒状の内導体を同軸状に配置し、この外導体と内導
体の間に誘電体を介装し、外導体と内導体を誘１体の一
端で短絡した誘電体共振器であって、外導体の一端から
軸心方向に所定長さに相当する開放端側外導体形状を、
その外径を短絡端側外導体形状に較べて小さくするとと
もに、円筒状もしくは角筒状に形成した構成としたもの
である。
に円筒状の内導体を同軸状に配置し、この外導体と内導
体の間に誘電体を介装し、外導体と内導体を誘１体の一
端で短絡した誘電体共振器であって、外導体の一端から
軸心方向に所定長さに相当する開放端側外導体形状を、
その外径を短絡端側外導体形状に較べて小さくするとと
もに、円筒状もしくは角筒状に形成した構成としたもの
である。
さらに、本発明は角筒状の外導体内に円筒状の内導体を
同軸状に配置し、この外導体と内導体の間に誘電体を介
装し、外導体と内導体を誘電体の一端で短絡した誘電体
共振器であって、内導体の一端から軸心方向に所定長さ
に相当する開放端側内導体形状を、その内径を短絡端側
内導体形状に較べで大きくするとともに、円筒状もしく
は角筒状ｌこ形成した構成としたものである。
同軸状に配置し、この外導体と内導体の間に誘電体を介
装し、外導体と内導体を誘電体の一端で短絡した誘電体
共振器であって、内導体の一端から軸心方向に所定長さ
に相当する開放端側内導体形状を、その内径を短絡端側
内導体形状に較べで大きくするとともに、円筒状もしく
は角筒状ｌこ形成した構成としたものである。
作１０
上記構成により、同軸型誘電体共振器としての開放端側
のインピーダンスが短絡端側のインピータンスに較べて
小さくなるとともに、短絡端側のインピータンスに対す
る開放端側のインピーダンスの比、すなわちインピータ
ンス比が、外導体形状を円筒状とする従来に比べて小さ
くなる。そして、インピーダンス比が小さいほど、スプ
リアス共振周波数の抑圧度が大きくなることから、共振
回路におけるＱ値の劣化が従来に比べて抑制される。
のインピーダンスが短絡端側のインピータンスに較べて
小さくなるとともに、短絡端側のインピータンスに対す
る開放端側のインピーダンスの比、すなわちインピータ
ンス比が、外導体形状を円筒状とする従来に比べて小さ
くなる。そして、インピーダンス比が小さいほど、スプ
リアス共振周波数の抑圧度が大きくなることから、共振
回路におけるＱ値の劣化が従来に比べて抑制される。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明１“る。
第１図において、外導体］１は短絡端側１１ａを角筒状
に形成され、開放端側１ｎｂを円筒状に形成されている
。また、この開放端側１１ｂは軸心方向に所定長さを有
するとともに、短絡端側１１ａに較べて外径を小さく形
成されているａそして、外導体１１の内部に同軸状に内
導体１２が配置されており、外導体１１と内導体１２と
の間には誘電体５Ｂが設けられている。この誘電体１８
は、Ｂａ’Ｊｌ’ｉ、Ｏ＠系研器を乾式成形後に焼成１
ノ、その後、開放端側を円筒状に加工したものである。
に形成され、開放端側１ｎｂを円筒状に形成されている
。また、この開放端側１１ｂは軸心方向に所定長さを有
するとともに、短絡端側１１ａに較べて外径を小さく形
成されているａそして、外導体１１の内部に同軸状に内
導体１２が配置されており、外導体１１と内導体１２と
の間には誘電体５Ｂが設けられている。この誘電体１８
は、Ｂａ’Ｊｌ’ｉ、Ｏ＠系研器を乾式成形後に焼成１
ノ、その後、開放端側を円筒状に加工したものである。
そして、外導体】１および内導体１２は、誘電体１Ｂに
Ａｇメタライズによって膜状に生成し・たものである。
Ａｇメタライズによって膜状に生成し・たものである。
そして、外導体】】と内導体】２は誘電体１８の一端で
短絡されている。
短絡されている。
そして、このように構成された誘電体ＳＪ、Ｒは、短絡
端側外径（ｈｌ）、その部分の長さ（Ｌｌ）、その部分
のインピー・ダンス（ｚｌ）、開放端側外径（ｂ２）、
その部分の長さ（Ｌｚ）、その部分のインピー々”ンス
（ｚ２）、内径（ｓｆｆ ）、全体の長さ（Ｉ、Ｔ）と
すると、共振条件は ｔａｎＪ１３Ｌ１ ・ＬａｎｐＬ２ 霧Ｚ２／Ｚｌ −
Ｋ トナ７）。
端側外径（ｈｌ）、その部分の長さ（Ｌｌ）、その部分
のインピー・ダンス（ｚｌ）、開放端側外径（ｂ２）、
その部分の長さ（Ｌｚ）、その部分のインピー々”ンス
（ｚ２）、内径（ｓｆｆ ）、全体の長さ（Ｉ、Ｔ）と
すると、共振条件は ｔａｎＪ１３Ｌ１ ・ＬａｎｐＬ２ 霧Ｚ２／Ｚｌ −
Ｋ トナ７）。
ＣコテＺｌ −ｆｆ０１ ｎ（１，２ｂｌ／ａｌ ）／
＄ｒ −Ｚ２−６０７１ ｕ （ｂ２／ ａ ｌ ）
／Ｋ Ｋはインピーダンス比、ε、は誘電体の胱電率％
Ｑ値は １／Ｑ−１／Ｑｅ ＋ｊａｎδ 重、■δは誘電体損失
ここで 第１表 但し Ａ１＝２βＬ１＋５ｉｎ２βＬｌ 、 Ｂｌ ｘ
ｅｏｓｌβＬ】Ａ２＝２βＬ２ ５ｉｎ２βＬｌ、 Ｂ
２−ｃｏｇ’／１ｊＬ１／ｓｉｎ’βＬ２δ：表皮厚 である。
＄ｒ −Ｚ２−６０７１ ｕ （ｂ２／ ａ ｌ ）
／Ｋ Ｋはインピーダンス比、ε、は誘電体の胱電率％
Ｑ値は １／Ｑ−１／Ｑｅ ＋ｊａｎδ 重、■δは誘電体損失
ここで 第１表 但し Ａ１＝２βＬ１＋５ｉｎ２βＬｌ 、 Ｂｌ ｘ
ｅｏｓｌβＬ】Ａ２＝２βＬ２ ５ｉｎ２βＬｌ、 Ｂ
２−ｃｏｇ’／１ｊＬ１／ｓｉｎ’βＬ２δ：表皮厚 である。
そして、第７図に示した従来のものとこの実施例の誘電
体Ｓ、Ｉ、Ｒ（７’） Ｑを計算し、Ｌｓ、ｂｚを変化
させたときのＱ値を、第６図に示す。
体Ｓ、Ｉ、Ｒ（７’） Ｑを計算し、Ｌｓ、ｂｚを変化
させたときのＱ値を、第６図に示す。
また、第１表に第６図における従来の誘電体Ｓ、Ｉ、Ｒ
の各寸法および数値を示し、第２表に第６図における本
実施例の誘電体Ｓ、１．Ｈの各寸法および数値を示す、
。
の各寸法および数値を示し、第２表に第６図における本
実施例の誘電体Ｓ、１．Ｈの各寸法および数値を示す、
。
したがって、第６図と第１表と第２表から明らかなよう
に、この実施例によれば、Ｑ値の劣化を従来に較べて抑
制することができる。
に、この実施例によれば、Ｑ値の劣化を従来に較べて抑
制することができる。
第２表
また、第６図において、たとえば、従来の誘電体ＳＩＲ
において、ｂｌ 鱒Ｒ（ｍｍ）、 ｂ２−５ （ｍｍ）
、 ａｌ −２（ｒａｍ工εｒ”３ｇ で計算する
と、Ｋ−０，６６となる。また、この実施例において、
ｂｌ ａｌｇ （ｍｍ）、 ｂ２＝５ （ｍｍ）、 ａ
ｌ ＝２（ｍｍ）、εｒ−８８で計算すると、Ｋ−０，
５８となる。
において、ｂｌ 鱒Ｒ（ｍｍ）、 ｂ２−５ （ｍｍ）
、 ａｌ −２（ｒａｍ工εｒ”３ｇ で計算する
と、Ｋ−０，６６となる。また、この実施例において、
ｂｌ ａｌｇ （ｍｍ）、 ｂ２＝５ （ｍｍ）、 ａ
ｌ ＝２（ｍｍ）、εｒ−８８で計算すると、Ｋ−０，
５８となる。
よって、この実施例によれば、従来のものよりインピー
ダンス比Ｋが小さくなる。したがって第５図から明らか
なように、この実施例によればスプリアス共振周波数（
ｆｓ）の抑圧度が大きくなる。
ダンス比Ｋが小さくなる。したがって第５図から明らか
なように、この実施例によればスプリアス共振周波数（
ｆｓ）の抑圧度が大きくなる。
また、第２図に示すように、外導体１１の開放端側１１
ｂは角筒状に形成してもよい。
ｂは角筒状に形成してもよい。
第８図（ａｌ、（ｂｌは本発明の他の実施例を示すもの
であり、先の実施例と同様の作用を行う部材については
同一番号を付して説明を省略する。この実施例は、内導
体］２の開放端側１２１Ｌの内径を、短絡側１２ｂに較
べて、大きくしたものであり、開放端側１２ｄは軸心方
向に所定長さを有している。そして、外導体１】は全長
にわたって同一外径に形成されている。
であり、先の実施例と同様の作用を行う部材については
同一番号を付して説明を省略する。この実施例は、内導
体］２の開放端側１２１Ｌの内径を、短絡側１２ｂに較
べて、大きくしたものであり、開放端側１２ｄは軸心方
向に所定長さを有している。そして、外導体１】は全長
にわたって同一外径に形成されている。
また、第４図（ａ）、ゆ）に示すように、内導体１２の
開放端側１２ｍを角筒状に形成しでもよい。
開放端側１２ｍを角筒状に形成しでもよい。
そして、これらの実施例においても先の実施例と同様の
効果が得られる。
効果が得られる。
発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、外導体の短絡側形
状を角筒状とし、外導体の開放端側形状を円筒状及び角
筒状として外径を小さくすることにより、もしくは、内
導体の闘放端側形状を円筒状及び角筒状として内径を大
きくすることにより、従来例に比べて、Ｑ値の劣化を小
さくし、スプリアス共振周波数の抑圧も大きくすること
ができる。
状を角筒状とし、外導体の開放端側形状を円筒状及び角
筒状として外径を小さくすることにより、もしくは、内
導体の闘放端側形状を円筒状及び角筒状として内径を大
きくすることにより、従来例に比べて、Ｑ値の劣化を小
さくし、スプリアス共振周波数の抑圧も大きくすること
ができる。
したがって、本発明の誘電体ＳＩＲを用いて、フィルタ
を構成することにより、挿入損失を小さくし、スプリア
ス特性を改善することが可能となり、その工業的価値は
極めて大きいものである。
を構成することにより、挿入損失を小さくし、スプリア
ス特性を改善することが可能となり、その工業的価値は
極めて大きいものである。
第１図は本発明の一実施例における誘電体Ｓ、Ｉ。
Ｒの全体斜視図、第２図は本発明の他の実施例における
誘電体Ｓ、Ｉ、Ｒの全体斜視図、第８図（ａｌは本発明
のさらに他の実施例における誘電体Ｓ、Ｉ、Ｈの全体斜
視図、第８図（ｂｌは第８図（ａ）のＡ−Ａ矢視断面斜
視図、第４図（ａ）は本発明のさらに他の実施例におけ
る誘電体Ｓ、１．Ｈの全体斜視図、第４図（ｂｌは第４
図（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面斜視図、第５図はインビーダ
ンス比にとスプリアス共振周波数／基本共振周波数との
関係を示した特性曲線図、第６図はＬｌ。 ｂ２を変化させた場合の、従来のものと本発明のものと
における共振周波数と帯域中との比Ｑを示した特性曲線
図、第７図は従来の誘電体Ｓ、１．Ｈの全体斜視図であ
る。 １１・・・外導体、）２・・・内導体、】３・・・誘電
体、ａ】・・・共振器内径、ｂ】・・・短絡端側外径、
ｂ２・・・開放端側外径、Ｌ】・・・短絡端側長さ、Ｌ
ｌ・・・開放端側長さ、ＬＴ・・・共振器全長、２】・
・・短絡端側インピーダンス、Ｚ２・・・開放端側イン
ピーダンス。
誘電体Ｓ、Ｉ、Ｒの全体斜視図、第８図（ａｌは本発明
のさらに他の実施例における誘電体Ｓ、Ｉ、Ｈの全体斜
視図、第８図（ｂｌは第８図（ａ）のＡ−Ａ矢視断面斜
視図、第４図（ａ）は本発明のさらに他の実施例におけ
る誘電体Ｓ、１．Ｈの全体斜視図、第４図（ｂｌは第４
図（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面斜視図、第５図はインビーダ
ンス比にとスプリアス共振周波数／基本共振周波数との
関係を示した特性曲線図、第６図はＬｌ。 ｂ２を変化させた場合の、従来のものと本発明のものと
における共振周波数と帯域中との比Ｑを示した特性曲線
図、第７図は従来の誘電体Ｓ、１．Ｈの全体斜視図であ
る。 １１・・・外導体、）２・・・内導体、】３・・・誘電
体、ａ】・・・共振器内径、ｂ】・・・短絡端側外径、
ｂ２・・・開放端側外径、Ｌ】・・・短絡端側長さ、Ｌ
ｌ・・・開放端側長さ、ＬＴ・・・共振器全長、２】・
・・短絡端側インピーダンス、Ｚ２・・・開放端側イン
ピーダンス。
Claims (2)
- １．角筒状の外導体内に円筒状の内導体を同軸状に配置
し、この外導体と内導体の間に誘電体を介装し、外導体
と内導体を誘電体の一端で短絡した誘電体共振器であつ
て、外導体の開放端から軸心方向に所定長さに相当する
開放端側外導体形状を、その外径を短絡端側外導体形状
に較べて小さくするとともに、円筒状もしくは角筒状に
形成した同軸型誘電体共振器。 - ２．角筒状の外導体内に円筒状の内導体を同軸状に配置
し、この外導体と内導体の間に誘電体を介装し、外導体
と内導体を誘電体の一端で短絡した誘電体共振器であつ
て、内導体の開放端から軸心方向に所定長さに相当する
開放端側内導体形状を、その内径を短絡端側内導体形状
に較べて大きくするとともに、円筒状もしくは角筒状に
形成した同軸型誘電体共振器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63170413A JP2682646B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 同軸型誘電体共振器 |
| US07/375,417 US4985690A (en) | 1988-07-07 | 1989-07-05 | Dielectric stepped impedance resonator |
| GB8915504A GB2222490B (en) | 1988-07-07 | 1989-07-06 | A coaxial dielectric resonator. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63170413A JP2682646B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 同軸型誘電体共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0220103A true JPH0220103A (ja) | 1990-01-23 |
| JP2682646B2 JP2682646B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=15904465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63170413A Expired - Fee Related JP2682646B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | 同軸型誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2682646B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290302A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 同軸型誘電体共振器 |
| JPH03143103A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Toko Inc | 誘電体共振器 |
| JPH04207502A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 同軸型誘電体共振器 |
| JPH04233302A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 同軸型誘電体共振器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161806A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波ろ波器 |
| JPS62114512U (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-21 | ||
| JPS63187901A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フイルタ |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP63170413A patent/JP2682646B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH04233302A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 同軸型誘電体共振器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2682646B2 (ja) | 1997-11-26 |
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