JPS63187901A - 誘電体フイルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は誘電体フィルタに関し、特に１つの誘電体ブ
ロック中に同軸共振器が形成された一体形の誘電体フィ
ルタに関する。

（従来技術） 従来、この種の誘電体フィルタでは、その同軸共振器の
軸方向の長さを短くして全体を小型化するためには、同
軸共振器の一部を構成する誘電体ブロックの比誘電率を
高くする方法と、誘電体ブロックの開放端にストレイ容
量を付加する方法とがあった。

（発明が解決しようとする問題点） ところが、誘電体ブロックの比誘電率を高くする方法で
は、同軸共振器の一部を構成する誘電体ブロックの材料
として温度変化に対する誘電率の変化率や誘電損失が小
さい材料を用いなければならないという制約からその材
料が限定され、あまり、大きな比誘電率を得ることがで
きなく、その小型化が十分に図れない。

一方、開放端にストレイ容量を付加する方法では、その
容量の００値により共振器の００値が低下し、その結果
、全体のＱ値が悪化してしまうだけでなく、その付加し
た容量精度によって共振器の共振周波数の精度が決まる
ため、付加容量として非常に厳しい容量精度が必要であ
って、その製造が困難であった。

それゆえに、この発明の主たる目的は、小型化が可能で
しかも簡単に製造することができる、誘電体フィルタを
提供することである。

（問題点を解決するための手段） この発明は、１つの誘電体ブロック内に同軸共振器が形
成された一体形の誘電体フィルタであって、誘電体ブロ
ックの外周面に形成された外導体と、誘電体ブロックに
形成された孔と、孔の内周面に形成されかつ外導体と協
働して同軸共振器を構成する内導体と、同軸共振器の開
放端側の部分の特性インピーダンスが同軸共振器の他の
部分の特性インピーダンスより小さくなるようにするた
めに、同軸共振器の特性インピーダンスを変化するため
のインピーダンス変化手段とを備えた、誘電体フィルタ
である。

（作用） インピーダンス変化手段によって、同軸共振器の開放端
側の部分の特性インピーダンスが同軸共振器の他の部分
の特性インピーダンスより小さくされ、それによって、
全体の実効誘電率が上げられる。

（発明の効果） この発明によれば、全体の実効誘電率が上げられるので
、同軸共振器の軸方向の長さを短（することができ、し
たがって、誘電体フィルタの小型化が可能となる。しか
も、たとえばストレイ容量などの付加容量を必要としな
いので、付加容量を備えたものに比べて、全体のＱ値の
悪化が少なくかつ簡単に製造することができる。

さらに、同軸共振器の開放端側の部分の電気角と同軸共
振器の他の部分の電気角とを等しくするか、あるいは、
それらの電気角を異ならせかつそれらの電気角を３０″
以外の電気角にすれば、たとえば３倍波の共振が基本波
の周波数の３倍の周波数からずれた周波数で生じる。し
たがって、たとえば３倍波などによる高次モードのスプ
リアス特性を改善することができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。

（発明の原理） この発明では、−同軸共振器の開放端側の部分の特性イ
ンピーダンスを同軸共振器の他の部分の特性インピーダ
ンスより小さくすることによって、全体の誘電率を上げ
、それによって、誘電体フィルタの小型化を可能にした
。

そこで、以下にこの発明の原理について式を用いて説明
する。

第１図はこの発明の詳細な説明するための等価回路図で
ある。この回路例では、同軸共振器Ｒはその長さ方向に
分割された２つの部分を含み、開放端側の部分の特性イ
ンピーダンスおよび電気角がそれぞれＺｌおよびθ、で
表され、他の部分の特性インピーダンスおよび電気角が
それぞれｚ２およびθ２で表されている。この場合、同
軸共振器Ｒ全体の入力インピーダンスＺｉｎは次式（１
）％式％ このとき、同軸共振器Ｒの共振条件は、入力インピーダ
ンスＺｉｎが無限大となることである。したがって、（
１）式の分母をＯにすればよく、その共振条件は次式（
２）で表される。

ｔａｎθ、ｔａｎθ”ｚ　＝Ｚ＋　／Ｚｚ　　　　　　
・・１２１また、次式（３）が成立する。

（３）式に従って（２）式を変形すると、同軸共振器Ｒ
の共振条件として次式（４）が得られる。

そこで、まず、同軸共振器Ｒの開放端側の特性インピー
ダンスＺｌとその他の部分の特性インピーダンスｚ２と
が等しい場合（従来例）についてみると、（４）式から
同軸共振器Ｒの共振条件として次式（５）が得られる。

θ１＋θ２＝π／２　　　　　　　　・・・（５）また
、同軸共振器Ｒの特性インピーダンスＺｌを特性インピ
ーダンスＺ２より大きくした場合（Ｚ＋＞Ｚｚの場合）
についてみると、（４）式からその共振条件として次式
（６）が得られる。

θ、＋θ２〉π／２　　　　　　　　・・・（６）さら
に、同軸共振器Ｒの特性インピーダンスＺ、を特性イン
ピーダンスＺ２より小さくした場合（Ｚ＋＜Ｚｚ）につ
いてみると、（４）式から共振条件として次式（７）が
得られる。

θ１　＋θ２〈π／２　　　　　　　　・・・（７）こ
こで、従来例すなわち特性インピーダンスＺ１と特性イ
ンピーダンスＺ２とが等しい場合において、同軸共振器
Ｒの軸方向の長さを１０とし同軸共振器Ｒが周波数ｆ０
で共振したとする。

すると、同軸共振器Ｒの特性インピーダンスＺ１を特性
インピーダンスＺ２より大きくした場合には、電気角（
θ１　＋θ２）がπ／２より大きい周波数で同軸共振器
Ｒが共振するので、同軸共振器Ｒの軸方向の長さｌを従
来例の長さ１０と同じ長さにすれば、その共振周波数ｆ
は、従来例の共振周波数ｒ０より高くなる。したがって
、特性インピーダンスＺ、を特性インピーダンスＺｔよ
り大きくした場合には、同軸共振器Ｒの共振周波数ｆを
従来例の共振周波数ｆ０と同じ周波数にするためには、
同軸共振器Ｒの軸方向の長さ！を従来例の長さ１０より
長くしなければならない。

一方、同軸共振器Ｒの特性インピーダンスＺ１を特性イ
ンピーダンスＺ２より小さくした場合には、電気角（θ
１＋０２）がπ／２より小さい周波数で同軸共振器Ｒが
共振するので、同軸共振器Ｒの軸方向の長さｌを従来例
の長さ１０と同じ長さにすれば、その共振周波数ｆは、
従来例の共振周波数ｆ０より低くなる。したがって、次
式（８）に示すように、同軸共振器Ｒの開放端例の部分
の特性インピーダンスＺ、を同軸共振器Ｒの他の部分の
特性インピーダンスＺ２より小さくすれば、同軸共振器
Ｒの共振周波数ｆを従来例の共振周波数ｆ０と同じ周波
数にするためには、同軸共振器Ｒの軸方向の長さｌを従
来例の長さ１０より短くすることができるのである。

ｚｌ　＜２２　　　　　　　　　　　　・・・（８）こ
の発明は、この（８）式の条件を構造的に実現して誘電
体フィルタを構成したものである。

（実施例） 第２Ａ図および第２Ｂ図は、それぞれ、この発明の一実
施例を示し、第２Ａ図はその斜視図であり、第２Ｂ図は
第２Ａ図の線ＩＩＢ−１１Ｂにおける断面図である。こ
の誘電体フィルタ１０は、１つの直方体形状の誘電体ブ
ロック１２を含む。誘電体ブロック１２には、その１つ
の端面１２ａから対向端面にまで延びる孔１４ａおよび
１４ｂが、間隔を隔てて相互に平行に形成される。

これらの孔１４ａおよび１４ｂには、特に第２Ｂ図に示
すように、ステップ状の段差１５ａおよび１５ｂがそれ
ぞれ形成される。この場合、段差１５ａおよび１５ｂは
、誘電体ブロック１２の端面１２ａ側の孔１４ａおよび
１４ｂの径がその対向端面倒の孔１４ａおよび１４ｂの
径より大きくなるように、それぞれ形成される。さらに
、孔１４ａおよび１４ｂの内周面には内導体１６ａおよ
び１６ｂがそれぞれ形成され、誘電体ブロック１２の外
周面には外導体１８が形成される。また、誘電体ブロッ
ク１２の端面１２ａに対向する端面ば外導体１８によっ
て被覆される。したがって、この実施例の誘電体フィル
タ１０には、２つのＴＥＭ誘電体同軸共振器がλ／４の
ものとして形成される。

さらに、２つの同軸共振器間、すなわち、誘電体ブロッ
ク１２の孔１４ａおよび１４ｂ間には、結合用のたとえ
ば角孔２０が形成され、この角孔２０によって、２つの
同軸共振器が結合される。

この実施例では、孔１４ａおよび１４ｂの段差１５ａお
よび１５ｂによって、各同軸共振器の内導体１６ａおよ
び１６ｂと外導体１８との間の媒質（誘電体）の上部の
厚みが下部の厚みより薄く形成され、したがって、各同
軸共振器の上部（開放端側の部分）の特性インピーダン
スがその下部（他の部分）の特性インピーダンスより小
さく形成され、前述の（８）式が実現される。

第３図は第２Ａ図および第２Ｂ図実施例の変形例を示す
断面図である。この実施例では、特に段差１５ａおよび
１５ｂがテーパ状に形成された点で第２Ａ図および第２
Ｂ図実施例と異なる。このように、段差１５ａおよび１
５ｂをテーパ状に形成しても、（８）式を実現すること
ができる。

第４Ａ図および第４Ｂ図は、それぞれ、この発明の他の
実施例を示し、第４Ａ図はその斜視図であり、第４Ｂ図
は第４Ａ図の線ｒＶＢ−ｒＶＢにおける断面図である。

この実施例では、（８）式を実現するために、特に、誘
電体ブロック１２の上部の対向する側面にステップ状の
段差部１３ａおよび１３ｂがそれぞれ形成され、それら
の段差部１３ａおよび１３ｂによって、内導体１６ａお
よび１６ｂと外導体１８との間の誘電体の上部の厚みが
その下部の厚みより薄く形成されている。その代わり、
この実施例では、孔１６ａおよび１６ｂに段差が形成さ
れていない。

第５図は第４Ａ図および第４Ｂ図実施例の変形例を示す
断面図である。この実施例では、第４Ａ図および第４Ｂ
図実施例に比べて、特に、孔１４ａおよび１４ｂに段差
１５ａおよび１５ｂがそれぞれ形成されている。そして
、この実施例では、誘電体ブロック１２の段差部１３ａ
および１３ｂと孔１４ａおよび１４ｂの段差１５ａおよ
び１５ｂとによって、（８）式が実現されている。

第６Ａ図および第６Ｂ図は、それぞれ、第４Ａ図および
第４Ｂ図実施例の他の変形例を示し、第６Ａ図はその斜
視図であり、第６Ｂ図は第６Ａ図の線ＶＩＢ−ＶＩＢに
おける断面図である。この実施例では、第４Ａ図および
第４Ｂ図実施例に比べて、特に、誘電体ブロック１２の
上部の４側面にステップ状の段差部１３が形成されてい
る。このように、段差部１３を誘電体ブロック１２の上
部の４側面に形成しても、（８）式を実現することがで
きる。

さらに、この実施例では、第４Ａ図および第４Ｂ図実施
例に比べて、誘電体ブロック１２が、大きさの異なった
２つの直方体形状の誘電体ブロック１２′および１２＃
を上下に貼り合わせることによって形成されている。し
たがって、この実施例では、誘電体ブロック１２の段差
部１３を容易に形成することができる。

なお、上述の第６Ａ図および第６Ｂ図以外の各実施例に
おいても、第６Ａ図および第６Ｂ図実施例と同様に、誘
電体ブロック１２を、２つの誘電体ブロックを上下に貼
り合わせることによって形成してもよい。この場合、孔
の段差や誘電体ブロックの段差部が容易に形成され得る
。

また、（８）式を実現するためには、第４Ａ図および第
４Ｂ図実施例、第５図実施例、第６Ａ図および第６Ｂ図
実施例において、段差部をテーパ状に形成してもよい。

上述の各実施例では、いずれも、（８）弐が実現されて
いるが、このように（８）式を実現した場合に、たとえ
ば３倍波などによる高次モードのスプリアス特性を改善
することができる場合があるので、次に、高次モードの
スプリアス特性について式を用いて説明する。

基本波の周波数ｒ０および基本波の３倍の周波数３ｆｏ
で、同軸共振器Ｒが共振するすなわち前（２）式が成立
するとすれば、周波数３ｆｏにおける同軸共振器Ｒの上
部（開放端側の部分）の電゛気角およびその下部（他の
部分）の電気角をそれぞれθ１．およびθ２３で表すと
、次式（９）で表されるＡは０となる。

Ａ＝ｔａｎθ、３ｔａｎθ２３　　ｔａｎθ、　ｔａｎ
θ２・・・（９） また、同軸共振器Ｒの基本波での電気角θ１およびθ２
は次式（１０）および（１１）で、基本波の３倍の周波
数３ｆｏの３倍波での電気角θ１３およびθ２．は次式
（１２）および（１３）で、それぞれ表される。

Ｃｏ　　　　　　　　　　　　　　　　　・　・　・α
ωなお、（Ｉ　Ｏ）　、　　（１１）　、　　（１２）
および（１３）式において、ω、ε１．／！ｌ　　（ｘ
ｚ）およびＣ８は、それぞれ、角速度、誘電率、実効長
および光速を示す。

したがって、（９）弐のＡは、次式（１４）で％式％ ここで、まず、同軸共振器Ｒの電気角θ１と電気角θ２
とが等しい場合（θ１　＝０２＝θの場合）について考
えてみると、（１４）式のＡは次式（１５）で表される
。

・・・αつ また、電気角θ１と電気角θ２とが等しい場合（θ１＝
θ２＝θの場合）には、前述の（２）式は次式（１６）
で表される。

ｔａｎθ＝ｆ−フ弓　　　　　　・・・Ｏｅこの（１６
）弐を（１５）式に代入すれば、Ａは次式（１７）で表
される。

・・・αη （１７）式より、同軸共振器Ｒの特性インピーダンスＺ
、と特性インピーダンスＺ２とが等しければ、ＡはＯと
なり、同軸共振器Ｒは基本波の周波数ｆ０の３倍の周波
数３ｆ、で共振することがわかる。

また、（１７）式より、同軸共振器Ｒの特性イ゛ンビー
ダンスＺ、と特性インピーダンスＺ２とが異なれば、Ａ
はＯではなくなり、すなわち、同軸共振器Ｒは基本波の
周波数ｆ。の３倍の周波数３ｆ０で共振しないことがわ
かる。

そこで、次に、同軸共振器Ｒの特性インピーダンスＺ、
と特性インピーダンスＺ２とが異なる場合について考え
てみる。

まず、特性インピーダンスＺ、が特性インピーダンスＺ
２より大きい場合には、（１７）式よりＡがＯより小さ
くなる。ＡがＯより小さければ、（１５）式より　ｔａ
ｎ　３θがｔａｎθより小さくなる。

この場合、ｔａｎ　３θおよびｔａｎθは単調増加関数
であるので、同軸共振器Ｒは基本波の周波数ｒ０の３倍
の周波数３ｆｏではまだ共振が始まらないことを示し、
すなわち、同軸共振器Ｒは基本波の周波数ｆ０の３倍の
周波数３ｆ０よりも高い周波数で共振することになる。

一方、特性インピーダンスＺ１を特性インピーダンスＺ
２より小さくした場合には、（１７）式よりＡが０より
大きくなる。ＡがＯより大きければ、（１５）式より　
ｔａｎ　３θがｔａｎθより大きくなるので、特性イン
ピーダンスＺ１が特性インピーダンスＺ２より大きい場
合とは逆に、同軸共振器Ｒは基本波の周波数ｆ。の３倍
の周波数３ｒ。

よりも低い周波数で共振することになる。この場合は、
上述の各実施例において、同軸共振器Ｒの電気角θ１と
電気角θ２とを等しくした場合にほかならないので、上
述の各実施例において、同軸共振器Ｒの電気角θ１と電
気角θ２とを等しくすれば、同軸共振器Ｒは基本波の周
波数ｆ０の３倍の周ぼ数３ｆｏよりも低い周波数すなわ
ち周波数３ｆ、からずれた周波数で共振することになる
。

このような誘電体フィルタを構成すれば、たとえば３倍
波などの高調波成分を減衰することができ、そのため、
高次モードのスプリアス特性を改善することができる。

なお、同軸共振器Ｒの電気角θ１と電気角θ２とを等し
くした場合において、高次モードのスプリアス特性を改
善するためには、上述したように、特性インピーダンス
Ｚ１を特性インピーダンスＺ２より大きくしてもよい。

特性インピーダンスＺ１を特性インピーダンスＺ２より
大きくするためには、上述の各実施例とは逆に、たとえ
ば、第７図に示すように、同軸共振器の短絡端側の孔１
４ａおよび１４ｂに段差２２ａおよび２２ｂを形成した
り、第８図に示すように、同軸共振器の短絡端側の誘電
体ブロック１２に段差部２４を形成したり、第９図に示
すように、同軸共振器の短絡端側の孔１４ａおよび１４
ｂに段差２２ａおよび２２ｂを形成しかつ短絡端側の誘
電体ブロック１２に段差部２４を形成して、同軸共振器
において、内導体１６ａおよび１６ｂを取り囲む誘電体
ブロック１２の厚みを、同軸共振器の開放端例の部分の
厚みが他の部分の厚みより厚くなるように形成すればよ
い。

次に、同軸共振器Ｒの電気角θ、と電気角θ２とが異な
る場合について説明する。

この場合、前述の（１４）式は、それに前述の（２）式
を代入することによって、次式（１８）で表される。

（１−３ｊａｎ”θｔ）　（１−３ｊａｎ”θ２）・・
・ａＩＲ ここで、同軸共振器Ｒの特性インピーダンスＺ１と特性
インピーダンスＺ２とが等しい場合についてみると、（
１８）式よりＡがＯとなり、したがって、同軸共振器Ｒ
は基本波の周波数ｆ０の３倍の周波数３ｆｏで共振する
ことがわかる。

また、同軸共振器Ｒの特性インピーダンスＺ。

を特性インピーダンスＺ２より大きくした場合には、（
１８）式の右辺の分子がＯより小さくなり、（１８）式
の右辺の分母の項（１＋πｔａｎθ１）（１＋ｖｑ　ｔ
ａｎθ２）が０より大きくなるので、次式（ｉ９）で表
されるＢの正負によってＡの正負が決定される。

Ｂ　＝　（Ｉ　ＩＦ；　ｔａｎ　ｆＪ　＋）　（１−６
ｔａｎθ２）・・・ｑｓこの場合、電気角θが３０°の
ときｔａｎθが１／Ｅとなるので、（１８）式および（
１９）式ヨリ、Ｎ気角１３　＋　＋　を気角θ２＋　　
１−５　ｔａｒθｔ、　　１−Ｊ’；　ｔａｎθ２．Ｂ
およびＡの関係が、別表１に表される。

一方、同軸共振器Ｒの特性インピーダンスＺ１を特性イ
ンピーダンスＺ２より小さくした場合には、（１８）式
の右辺の分子が０より大きくなり、（１８）式の右辺の
分母の項（１＋Ｅ　ｔａｎθ１）（１＋ｖｑ　ｔａｎθ
２）が０より大きくなるので、この場合の電気角θ１．
電気角θｔ　、　　１　　ｈ　ｔａｎθ１゜１−ｖ’Ｔ
　ｔａｎθ２．ＢおよびＡの関係が、別表２に示される
。

以上のように同軸共振器Ｒの電気角θ、と電気角θ２と
が異なる場合も、電気角θ１と電気角θ２とが等しい場
合と同様に考えて、別表１および別表２に示すＡが０よ
り大きい場合には、同軸共振器Ｒが基本波の周波数ｆ０
の３倍の周波数３ｆ。よりも低い周波数で共振し、Ａが
Ｏよりも小さい場合には、同軸共振器Ｒが周波数３ｆｏ
よりも高い周波数で共振し、ＡがＯの場合には、同軸共
振器Ｒが周波数３ｆｏと同じ周波数で共振する。

すなわち、上述の各実施例において、同軸共振器Ｒの電
気角θ、と電気角θ２とを異ならせかつ電気角θ１およ
び電気角θ２を３０°以外の電気角にすれば、同軸共振
器Ｒは基本波の周波数ｆ０の３倍の周波数３ｆｏからず
れた周波数で共振し、その高次モードのスプリアス特性
を改善することができるのである。

また、同軸共振器Ｒの電気角θ１と電気角θ２とが異な
る場合において、高次モードのスプリアス特性を改善す
るためには、特性インピーダンスＺＩを特性インピーダ
ンスＺ２より大きくし、かつ、電気角θ１および電気角
θ２を３０°以外の電気角にしてもよいのである。

上述のように同軸共振器Ｒの電気角θ１および電気角θ
２を変えるためには、同軸共振器Ｒの上部（開放端例の
部分）およびその下部（他の部分）の軸方向の実効長を
変えればよい。

なお、上述の各実施例において、同軸共振器の特性イン
ピーダンスを変化させた部分の寸法が所定値より違って
その同軸共振器の共振周波数が所定値より違った場合に
は、たとえば、その同軸共振器の開放端面に誘電体チッ
プを貼り付けたりその開放端面を削ったりして、その同
軸共振器のみの共振周波数を調整することができるので
、誘電体フィルタ全体としての特性のばらつきをなくす
ことができる。

また、同軸共振器の特性インピーダンスを変化すること
によって、同じ周波数で共振する同軸共振器の軸方向の
長さを変えることができるので、それぞれが異なった周
波数で共振する複数の同軸共振器を備えた多段の誘電体
フィルタを構成しても、それぞれの同軸共振器の特性イ
ンピーダンスを適当に選択することによって、複数の同
軸共振器の軸方向の長さを一致することができ、そのた
め、誘電体フィルタの全長を一敗することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の詳細な説明するための等価回路図で
ある。 第２Ａ図および第２Ｂ図は、それぞれ、この発明の一実
施例を示し、第２Ａ図はその斜視図であり、第２Ｂ図は
第２Ａ図の線ＴＩＢ−ｎＢにおける断面図である。 第３図は第２Ａ図および第２Ｂ図実施例の変形例を示す
断面図である。 第４Ａ図および第４Ｂ図は、それぞれ、この発明の他の
実施例を示し、第４Ａ図はその斜視図であり、第４Ｂ図
は第４Ａ図の線ＩＶＢ−ＩＶＢにおける断面図である。 第５図は第４Ａ図および第４Ｂ図実施例の変形例を示す
断面図である。 第６Ａ図および第６Ｂ図は、それぞれ、第４Ａ図および
第４Ｂ図実施例の他の変形例を示し、第６Ａ図はその斜
視図であり、第６Ｂ図は第６Ａ図の線ＶＩＢ−ＶＩＢに
おける断面図である。 第７図ないし納９図は、それぞれ、高次モードのスプリ
アス特性を改善した誘電体フィルタを示す断面図である
。 図において、１０は誘電体フィルタ、１２は誘電体ブロ
ック、１３，１３ａおよび１３ｂは段差部、１４ａおよ
び１４ｂは孔、１５ａおよび１５ｂは段差、１６ａおよ
び１６ｂは内導体、１８は外導体を示す。 特許出願人　株式会社　村田製作所 代理人　弁理士　岡　１）　全　啓 （ほか１名） 表１ 表２ １りａ　　　　　　１５ｔ） ｍ４Ａ″″　　　　ｍ 第６Ａ図 第６Ｂ図　　　　　曵

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　１つの誘電体ブロック内に同軸共振器が形成された
   一体形の誘電体フィルタであって、前記誘電体ブロック
   の外周面に形成された外導体、 前記誘電体ブロックに形成された孔、 前記孔の内周面に形成されかつ前記外導体と協働して同
   軸共振器を構成する内導体、および、前記同軸共振器の
   開放端側の部分の特性インピーダンスが前記同軸共振器
   の他の部分の特性インピーダンスより小さくなるように
   するために、前記同軸共振器の特性インピーダンスを変
   化するためのインピーダンス変化手段を備えた、誘電体
   フィルタ。 ２　前記インピーダンス変化手段は、前記同軸共振器に
   おいて、前記内導体を取り囲む前記誘電体ブロックの厚
   みを、前記同軸共振器の開放端側の部分の厚みが他の部
   分の厚みより薄くなるように違える手段を含む、特許請
   求の範囲第１項記載の誘電体フィルタ。 ３　前記厚みを違える手段は前記孔に形成された段差を
   含む、特許請求の範囲第２項記載の誘電体フィルタ。 ４　前記厚みを違える手段は前記誘電体ブロックの側面
   に形成された段差部を含む、特許請求の範囲第２項記載
   の誘電体フィルタ。 ５　前記厚みを違える手段は 前記孔に形成された段差、および 前記誘電体ブロックの側面に形成された段差部を含む、
   特許請求の範囲第２項記載の誘電体フィルタ。 ６　前記同軸共振器の前記開放端側の部分の電気角と前
   記同軸共振器の前記他の部分の電気角とを等しくした、
   特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の
   誘電体フィルタ。 ７　前記同軸共振器の前記開放端側の部分の電気角と前
   記同軸共振器の前記他の部分の電気角とを異ならせ、か
   つ、前記開放端側の部分の電気角および前記他の部分の
   電気角を３０°以外の電気角にした、特許請求の範囲第
   １項ないし第５項のいずれかに記載の誘電体フィルタ。