JPH02200664A - スルホニウム化合物の製法 - Google Patents

スルホニウム化合物の製法

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JPH02200664A
JPH02200664A JP1019780A JP1978089A JPH02200664A JP H02200664 A JPH02200664 A JP H02200664A JP 1019780 A JP1019780 A JP 1019780A JP 1978089 A JP1978089 A JP 1978089A JP H02200664 A JPH02200664 A JP H02200664A
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JP
Japan
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alkyl
secondary amine
represented
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Pending
Application number
JP1019780A
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English (en)
Inventor
Mutsuhiko Takeda
睦彦 武田
Masamichi Mizukami
水上 政道
Isao Hagiwara
猪佐夫 萩原
Fumiya Arima
文哉 在間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Publication date
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
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    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、スルホニウム化合物の製法に関する。
さらに詳細には本発明は、下記一般式(I)で表される
p−ジアルキルスルホニオフェノール類のフェノール性
水酸基を9−フルオレニルメトキシカルボニル化するこ
とによる、下記一般式(IT)で表されるスルホニウム
化合物の製法に関する。
R2 上記一般式(II)で表されるスルホニウム化合物は、
水溶液中で9−フルオレニルメトキシカルボニル化作用
を示すので、ペプチド合成等の有機合成化学分野におい
て保護基としての9−フルオレニルメトキシカルボニル
基(以下Fmoc基ということがある)を導入するため
の試薬として有用な化合物である。
[従来の技術およびその問題点] 従来、上記一般式(I)で表されるp−ジアルキルスル
ホニオフェノール類のフェノール性水酸基をアンル化す
る方法としては、酸ハロゲン化物、すなわちカルボニル
ハロゲニド化合物を塩基の存在下に反応させるのが一般
的である。たとえば特開昭63−8365号公報には酸
ハロゲン化物として酸クロリド、塩基としてトリエチル
アミンのごとき第三級アミンを用いた例が記載されてい
る。この反応において塩基としては、副反応を避けるた
め通常第三級アミンが用いられる。
ところが、一般式(I>で表されるp−ジアルキルスル
ホニオフェノール類のフェノール性水酸基を9−フルオ
レニルメトキンカルボニル化するに際して9−フルオレ
ニルメトキシカルボニルクロリドと上記一般式(1)の
フェノール類とを反応させる際、塩基としてトリエチル
アミンのごとき第三級アミンを用いた場合、上記一般式
(II)で表される目的化合物の収率が低く、純度もあ
まり良くないので工業的には必ずしも充分とは言えない
因みに、第三級アミンとしてトリエチルアミンの存在下
てp−ジメチルスルホニオフェノール・メチル硫酸塩ト
9−フルオレニルメトキシカルボニルクロリドとを反応
させた場合、目的物である9−フルオレニルメチル<p
−ジメチルスルホニオフェニル)カルボナート・メチル
硫酸塩の収率は40%程度であり、その純度は80〜8
5%に過ぎなかった。
[問題点を解決するための手段] 本発明者等は、上記のような事実に鑑み、p−ジアルキ
ルスルホニオフェノール類のフェノール性水酸基を9−
フルオレニルメトキシカルボニル化するに際して9−フ
ルオレニルメトキシカルボニルクロリドと上記の一般式
(I)で示されるフェノル化合物との反応について鋭意
研究を重ねた。
その結果、驚くべきことには塩基として特定の構造を有
する第二級アミンを用いることにより、目的とするスル
ホニウム化合物が効率的に得られることを見いだし、本
発明を完成した。
すなわち本発明は、下記一般式(I)で表されるp−ジ
アルキルスルホニオフェノール類ト、9−フルオレニル
メトキシカルボニルクロリドとを、窒素原子に2個の第
二級アルキル基が結合した構造を有する第二級アミンの
存在下に反応させることを特徴とする下記一般式(II
)で表されるスルホニウム化合物の製法に関する。
R′ 〔一般式(I)および(II)においてR1およびR2
はアルキル基であり、互いに同一または互いに異なって
もよい。Xは水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基
のいずれかである。Y−はハロゲン陰イオン、過塩素酸
根、アルキル硫酸根、硫酸水素板またはp−)ルエンス
ルホン酸根のいずれかである。また一般式(II)にお
いてRは9−フルオレニルメトキシ基である。〕 一般式(I)で示されるp−ジアルキルスルホニオフエ
ノールにおいて、RI、R2のアルキル基は炭素数1〜
4の低級アルキル基が好ましく、特にメチル基が好適で
ある。
また、陰イオンY−はハロゲン陰イオン、過塩素酸根、
アルキル硫酸根、硫酸水素根またはp−)ルエンスルホ
ン酸根のいずれかであるが、目的生成物は水溶性である
ことが好ましくこの点から、アルキル硫酸根および硫酸
水素根が好ましく、アルキル硫酸根の中ではメチル硫酸
根が特に好ましい。
Xは一般式(II)で表される化合物の溶解性およびア
シル化反応性などにより適宜選択されるが、一般には水
素原子であることが好ましい。Xがアルキル基である場
合は炭素数1〜4の低級アルキル基が好ましい。
本発明の方法の特徴の一つは、上記したように一般式(
I)で表されるフェノール類と9−フルオレニルメトキ
シカルボニルクロリドとを反応させる際、特定の構造を
有する第二級アミン(以下、単に第二級アミンというこ
とがある)を使用することにある。
本発明における特定の構造を有する第二級アミンは、窒
素原子に2個の第二級アルキル基が結合した構造を有す
る第二級アミンである。
ここで、「第二級アルキル基」は環状アルキル基を包含
し、また、「二個の第二級アルキル基」は、両末端で炭
素鎖が分岐したアルキレン基を包含する。これら本発明
において使用される第二級アミン類を例示すると、たと
えば、ジシクロヘキシルアミン、ジイソプロピルアミン
、ジ−sec−ブチルアミン、2,6−シメチルピペリ
ジンなどがある。
本発明の方法では、一般式(I)で表されるpジアルキ
ルスルホニオフェノール類に対して0.5〜2.0倍モ
ル、好ましくは0.8〜1.5倍モルの第二級アミンお
よび0.5〜2.0倍モル、好ましくは0.8〜1.5
倍モルの9−フルオレニルメトキシカルボニルクロリド
を使用する。
また、本発明の方法においては、反応温度は20〜+3
0℃、好ましくは一10〜+20℃に保持し30分〜4
時間程度反応させる。
本発明の反応は通常溶媒中で行われるが、使用される溶
媒としては、たとえばアセトニトリル等の非プロトン性
極性溶媒、エーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル
類、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素類が挙げら
れる。中でもアセトニトリルが好ましい。反応終了後、
生成した固体を濾過し、濾液より溶媒を留去した後、濃
縮液より結晶を析出させ、さらに再結晶することにより
目的化合物であるスルホニウム化合物が単離、精製され
る。
[実施例コ 次に、本発明の方法を実施例によりさらに具体的に説明
する。
実施例 1 p−ジメチルスルホニオフェノール・メチル硫酸塩12
.34g(46,3mmol)に乾燥アセトニトリル1
80m1lを加え、室温で30分間撹拌して溶解させた
これにジシクロヘキシルアミン10.2 m j2 (
50,7mmol)を加えて氷冷したところスラリー状
の混合物となった。この混合物にアセトニトリル30m
j2に溶かした9−フルオレニルメトキシカルボニルク
ロリド13.20g (51,0mmol)を撹拌下に
滴下して加えた。滴下に要した時間は30分であった。
0℃で2時間撹拌したのち、アミン塩酸塩である白色固
体を濾過した。この固体をさらに50n+Ilのアセト
ニトリルで洗浄し濾液と洗浄液を混合した後、エバポレ
ーターでこの混合液を濃縮した。これに酢酸エチルを加
え生成物を結晶化させ、この固体を採取した。得られた
固体をさらに酢酸エチルを貧溶媒としてアセトニトリル
溶液から再結晶して、目的のスルホニオ化合物である9
−フルオレニルメチル(p−ジメチルスルホニオフェニ
ル)カルボナート・メチル硫酸塩を得た。なお、目的物
の純度は高速液体クロマトグラフィー法とNMR法から
求めた。 収量:  21.70g (44,4mmo
l、収率95.9%)純度:  99.3% 融点:117〜122℃ IR:  1760cm−’(C=O)11− N M
 Rδ3.42 C6tLs)δ3.65 (311,
s) δ4,16〜4.62 (3H,m) δ7.16〜8.20 (1211,m)実施例 2 実施例1におけるジシクロヘキシルアミンの代ワリl:
2.6−シメチルピペリジンを用いた他は実施例1と同
様の操作を行った。
収量  20.40g (41,8mmol、収率90
.3%)純度  99.0% 実施例 3 実施例1におけるジシクロヘキシルアミンの代わりにジ
イソプロピルアミンを用いた以外は実施例1と同様の操
作を行った。
収量  IB、13g (37,1mmol、収率80
.1%)純度  98.2% 比較例 実施例1におけるジシクロヘキシルアミンの代わりにト
リエチルアミンを用いた他は実施例1と同様の操作を行
った。
収量:  9.95g (20,4mmol 、収率4
4.1%)純度二841% 実施例 4 グリシン0.380g (5,06mmol)を10%
炭酸ナトリウム水13.5+nj2に加え、室温で撹拌
して溶解させた。
これに実施例1で合成した9−フルオレニルメチル(p
−ジメチルスルホニオフェニル)カルボナート・メチル
硫酸塩2.95g (6,04mmol)を水13.5
mj2に溶解したものを氷冷下に滴下して加え、さらに
室温で3時間撹拌した。反応液を水500m j2で薄
め、エーテル75m1で2回洗浄した。この水層に水冷
下に濃塩酸を加えpH1〜2とし、酢酸エチル150m
1lで3回抽出した。合わせた有機層を水100m I
lで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥剤
を除去後、濾液から溶媒を減圧下に留去し、エーテルを
加えて結晶化させた。
収量:  1.45g (4,88mmol 、収率9
6.4%)[発明の効果] 本発明の方法によれば、好ましくない副反応をほとんど
起さず、そのうえ生成するアミン塩は容易に除去するこ
とができ、目的のスルホニウム化合物の単離、精製が容
易であり、高収率かつ高純度で目的とするスルホニウム
化合物を得ることができる。
特許出願人 三菱瓦斯化学株式会社

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式( I )で表されるp−ジアルキルスルホ
    ニオフェノール類と、9−フルオレニルメトキシカルボ
    ニルクロリドとを、窒素原子に2個の第二級アルキル基
    が結合した構造を有する第二級アミンの存在下に反応さ
    せることを特徴とする一般式(II)で表されるスルホニ
    ウム化合物の製法。 一般式( I ):▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(II):▲数式、化学式、表等があります▼ 〔一般式( I )および(II)においてR^1およびR
    ^2はアルキル基であり、互いに同一または互いに異な
    ってもよい。Xは水素原子、ハロゲン原子またはアルキ
    ル基のいずれかである。Y^−はハロゲン陰イオン、過
    塩素酸根、アルキル硫酸根、硫酸水素根またはp−トル
    エンスルホン酸根のいずれかである。また一般式(II)
    においてRは9−フルオレニルメトキシ基である。〕
  2. (2)窒素原子に2個の第二級アルキル基が結合した構
    造を有する第二級アミンが、ジシクロヘキシルアミン、
    ジイソプロピルアミン、ジ−sec−ブチルアミンおよ
    び2,6−ジメチルピペリジンから選ばれた少なくとも
    一種である請求項第1項記載の方法。
JP1019780A 1988-06-16 1989-01-31 スルホニウム化合物の製法 Pending JPH02200664A (ja)

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US07/358,872 US5021197A (en) 1988-06-16 1989-05-26 Process for production of sulfonium compounds
EP89110325A EP0346756B1 (en) 1988-06-16 1989-06-08 Process for production of sulfonium compounds
DE8989110325T DE68903299T2 (de) 1988-06-16 1989-06-08 Verfahren zur herstellung von sulfonium-verbindungen.

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