JPH0219839A - アクティブマトリックス基板 - Google Patents
アクティブマトリックス基板Info
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1306—Details
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- G—PHYSICS
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-
- G—PHYSICS
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136254—Checking; Testing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶表示パネルに用いられるアクティブマト
リックス基板に関するものである。
リックス基板に関するものである。
従来の技術
近年、産業機器の小型化にともない従来からの表示装置
に代わる薄型平面表示装置が要望されている０種々ある
平面表示装置の中で液晶を用いた表示装置は、消費電力
が少なく、フルカラー表示が容易である点などから注目
されている。特に、表示画素の一つ一つにスイッチング
素子を設けたアクティブマトリックス型液晶表示パネル
は表示画質が優れているため携帯用のテレビなどに応用
されている。
に代わる薄型平面表示装置が要望されている０種々ある
平面表示装置の中で液晶を用いた表示装置は、消費電力
が少なく、フルカラー表示が容易である点などから注目
されている。特に、表示画素の一つ一つにスイッチング
素子を設けたアクティブマトリックス型液晶表示パネル
は表示画質が優れているため携帯用のテレビなどに応用
されている。
第４図は従来のアクティブマトリックス基板の構成を示
す等価回路図である。第４図において、５１は薄膜トラ
ンジスタ、５２は信号線をシッート状態にするための金
属膜パターン、ＸＩ〜Ｘｍは走査信号線、Ｙｌ−Ｙｎは
映像信号線である。ところが、アクティフ゛マトリック
ス基手反では、基板の製造工程中に基板に帯電する静電
気によってスイッチング素子や走査信号線と映像信号線
の交差部分の絶縁膜が破壊され、ショート状態になって
しまうという問題点があった。この静電気による絶縁膜
の破壊防止対策として、従来では第４図に示すようにア
クティブマトリックス基板の全ての端子を金属膜パター
ン５２でショートしておく方法が用いられていた。また
、特開昭６１−４８９７８号公報に見られるようにアク
ティブマトリックス基板の走査信号線と映像信号線の片
側だけをショートする方法も提案されている。第５図に
この方法によるアクティブマトリックス基板の構成図を
示す。
す等価回路図である。第４図において、５１は薄膜トラ
ンジスタ、５２は信号線をシッート状態にするための金
属膜パターン、ＸＩ〜Ｘｍは走査信号線、Ｙｌ−Ｙｎは
映像信号線である。ところが、アクティフ゛マトリック
ス基手反では、基板の製造工程中に基板に帯電する静電
気によってスイッチング素子や走査信号線と映像信号線
の交差部分の絶縁膜が破壊され、ショート状態になって
しまうという問題点があった。この静電気による絶縁膜
の破壊防止対策として、従来では第４図に示すようにア
クティブマトリックス基板の全ての端子を金属膜パター
ン５２でショートしておく方法が用いられていた。また
、特開昭６１−４８９７８号公報に見られるようにアク
ティブマトリックス基板の走査信号線と映像信号線の片
側だけをショートする方法も提案されている。第５図に
この方法によるアクティブマトリックス基板の構成図を
示す。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、第４図に示したような従来の静電気によ
る絶縁膜の破壊防止方法では、全ての端子がショートさ
れているためアクティブマトリックス基板の完成後、シ
ョート部分を切断するまで信号線の断線による断線欠陥
、隣合う走査信号線どうしゃ映像信号線どうしのショー
ト欠陥、走査信号線と映像信号線のショートといったシ
ョート欠陥を検査することはできなかった。また、第５
図に示す特開昭６１−４８９７８号公報による方法では
断線欠陥の検査は行えるものの、やはり信号線のショー
ト部分を切断するまでは基板のショト欠陥の検査は行え
なかった。
る絶縁膜の破壊防止方法では、全ての端子がショートさ
れているためアクティブマトリックス基板の完成後、シ
ョート部分を切断するまで信号線の断線による断線欠陥
、隣合う走査信号線どうしゃ映像信号線どうしのショー
ト欠陥、走査信号線と映像信号線のショートといったシ
ョート欠陥を検査することはできなかった。また、第５
図に示す特開昭６１−４８９７８号公報による方法では
断線欠陥の検査は行えるものの、やはり信号線のショー
ト部分を切断するまでは基板のショト欠陥の検査は行え
なかった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、静電気によ
る絶縁膜の破壊を防止し、欠陥検査が行えるアクティブ
マトリックス基板を提供することを目的としている。
る絶縁膜の破壊を防止し、欠陥検査が行えるアクティブ
マトリックス基板を提供することを目的としている。
課題を解決するための手段
本発明は上記した問題点を解決するために、アクティブ
マトリックス基板のスイッチング素子の走査信号線、映
像信号線を１本おきに複数本ずつガラス基板−ヒに生成
した金属膜で接続し、かつ、信号線の入力端子の外側に
形成した共通電極パターンと複数本ずつ接続した信号線
群をコンデンサで接続するように構成したものである。
マトリックス基板のスイッチング素子の走査信号線、映
像信号線を１本おきに複数本ずつガラス基板−ヒに生成
した金属膜で接続し、かつ、信号線の入力端子の外側に
形成した共通電極パターンと複数本ずつ接続した信号線
群をコンデンサで接続するように構成したものである。
作用
本発明は上記した構成により、アクティブマトリックス
基板における静電気による絶縁膜の破壊を防止すると共
に、信号線の断線欠陥検査と複数本ずつ接続した走査信
号線群と映像信号線群間のショート欠陥検査を行うこと
を可能とする。
基板における静電気による絶縁膜の破壊を防止すると共
に、信号線の断線欠陥検査と複数本ずつ接続した走査信
号線群と映像信号線群間のショート欠陥検査を行うこと
を可能とする。
実施例
以下、本発明の一実施例のアクティブマトリックス基板
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるアクティブマトリッ
クス基板の構成図である。第１図において１は薄膜トラ
ンジスタ、２は走査信号線および映像信号線の入力端子
、３は走査信号線および映像信号線を複数本ずつショー
トするための金属膜パターン、４は信号線の入力端子の
外側に共通電極として金属膜で形成した共通電極パター
ン、５は信号線を複数本ずつショートさせた金属膜パタ
ーン３と共通電極パターン４を接続するコンデンサ、Ｘ
１〜Ｘｍは走査信号線、Ｙｌ−Ｙｎは映像信号線である
０本実施例では第１図に示すように走査信号線と映像信
号線は１本おきに金属膜パターン３に接続し、コンデン
サ５を介して共通電極パターン４に接続されている。
クス基板の構成図である。第１図において１は薄膜トラ
ンジスタ、２は走査信号線および映像信号線の入力端子
、３は走査信号線および映像信号線を複数本ずつショー
トするための金属膜パターン、４は信号線の入力端子の
外側に共通電極として金属膜で形成した共通電極パター
ン、５は信号線を複数本ずつショートさせた金属膜パタ
ーン３と共通電極パターン４を接続するコンデンサ、Ｘ
１〜Ｘｍは走査信号線、Ｙｌ−Ｙｎは映像信号線である
０本実施例では第１図に示すように走査信号線と映像信
号線は１本おきに金属膜パターン３に接続し、コンデン
サ５を介して共通電極パターン４に接続されている。
第２図は金属膜パターン２と共通電極金属膜パターン３
を第１図のＡ部の構造図であり、第３図は第２図のａ−
ａ・部における略断面図である。
を第１図のＡ部の構造図であり、第３図は第２図のａ−
ａ・部における略断面図である。
第２図、第３図で本実施例の構造を説明する。信号線の
入力端子２をガラス基板１０上に形成するときに同時に
信号線をショートさせる金属膜パターン３も形成してお
く。次にスイッチング素子を形成するときに同時に金属
膜パターン３上に絶縁膜１１を形成する。そして、最後
に共通電極パターン４を信号線の補強膜とする金属膜１
２を形成するときに同時に形成する。このように構成す
ることでフォトマスクの枚数を増やすことなく静電気に
よる絶縁膜破壊の防止対策を行うことができる。また、
第２図のｂ部で示す信号線と金属膜パターン３の接続部
分は検査終了後切断しやすいように補強金属膜１２を形
成していない。
入力端子２をガラス基板１０上に形成するときに同時に
信号線をショートさせる金属膜パターン３も形成してお
く。次にスイッチング素子を形成するときに同時に金属
膜パターン３上に絶縁膜１１を形成する。そして、最後
に共通電極パターン４を信号線の補強膜とする金属膜１
２を形成するときに同時に形成する。このように構成す
ることでフォトマスクの枚数を増やすことなく静電気に
よる絶縁膜破壊の防止対策を行うことができる。また、
第２図のｂ部で示す信号線と金属膜パターン３の接続部
分は検査終了後切断しやすいように補強金属膜１２を形
成していない。
次に本実施例による欠陥検査方法について説明する。信
号線の断線検査は、走査信号線、映像信分線とも片側の
端子は接続されていないので、金属膜パターン３と入力
端子２プローブ針を接続し、抵抗値を測定することで検
査することができる。
号線の断線検査は、走査信号線、映像信分線とも片側の
端子は接続されていないので、金属膜パターン３と入力
端子２プローブ針を接続し、抵抗値を測定することで検
査することができる。
隣合う信号線どうしのショート欠陥検査は信号線が１本
おきに金属膜パターン３に接続されているため金属膜パ
ターン３にプローブ針を接続し、抵抗値を測定すること
で当該ブロックの中でのショート欠陥検査を行うことが
できる。また、走査信号線と映像信号線間のショート欠
陥検査は、各々の金属膜パターン３はコンデンサ５を介
して接続しているので電気的に絶縁されており走査信号
線側の金属膜パターンと映像信号線側の金属膜パターン
にプローブ針を接続し、抵抗値を測定することで当該ブ
ロックの中でのショート欠陥検査を行うことができる。
おきに金属膜パターン３に接続されているため金属膜パ
ターン３にプローブ針を接続し、抵抗値を測定すること
で当該ブロックの中でのショート欠陥検査を行うことが
できる。また、走査信号線と映像信号線間のショート欠
陥検査は、各々の金属膜パターン３はコンデンサ５を介
して接続しているので電気的に絶縁されており走査信号
線側の金属膜パターンと映像信号線側の金属膜パターン
にプローブ針を接続し、抵抗値を測定することで当該ブ
ロックの中でのショート欠陥検査を行うことができる。
発明の効果
以上の説明のように本発明は、アクティブマトリックス
基板のスイッチング素子の信号線を一本おきに複数本ず
つガラス基板上に生成した金属膜で接続し、かつ、信号
線の入力端子の外側に形成した金属膜のパターンと前記
複数本ずつ接続した信号線群をコンデンサで接続するこ
とで、静電気による絶縁膜破壊の保護を行うと共に、走
査信号線、映像信号線の断線欠陥検査やショート欠陥検
査を行うことが可能であるというすぐれた効果を有する
。
基板のスイッチング素子の信号線を一本おきに複数本ず
つガラス基板上に生成した金属膜で接続し、かつ、信号
線の入力端子の外側に形成した金属膜のパターンと前記
複数本ずつ接続した信号線群をコンデンサで接続するこ
とで、静電気による絶縁膜破壊の保護を行うと共に、走
査信号線、映像信号線の断線欠陥検査やショート欠陥検
査を行うことが可能であるというすぐれた効果を有する
。
第１図は本発明の一実施例におけるアクティブマトリッ
クス基板の構成図、第２図は第１図のＡ部の構造図、第
３図は第２図のａ−ａ・部における略断面図、第４図、
第５図は従来のアクティブマトリックス基板の構成を示
す構成図である。 ｌ・・・・・・薄膜トランジスタ、２・・・・・・入力
端子、３・・・・・・金属膜パターン、４・・・・・・
共通電極パターン５・・・・・・コンデンサ、Ｘｉ−Ｘ
ｍ・・・・・・走査信号線、Ｙ１〜Ｙｎ・・・・・・映
像信号線。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名１−一一渭
用災トラレジ′又り ２−−一入力端テ ３−一一主属朕パターン ４−一一共通電権バターシ Ｓ・−コンテ１°〉す 纂 ２ 図 第 図 第 図 侵２
クス基板の構成図、第２図は第１図のＡ部の構造図、第
３図は第２図のａ−ａ・部における略断面図、第４図、
第５図は従来のアクティブマトリックス基板の構成を示
す構成図である。 ｌ・・・・・・薄膜トランジスタ、２・・・・・・入力
端子、３・・・・・・金属膜パターン、４・・・・・・
共通電極パターン５・・・・・・コンデンサ、Ｘｉ−Ｘ
ｍ・・・・・・走査信号線、Ｙ１〜Ｙｎ・・・・・・映
像信号線。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名１−一一渭
用災トラレジ′又り ２−−一入力端テ ３−一一主属朕パターン ４−一一共通電権バターシ Ｓ・−コンテ１°〉す 纂 ２ 図 第 図 第 図 侵２
Claims (3)
- （１）ガラス基板上にスイッチング素子をマトリックス
状に配置したアクティブマトリックス基板であって、前
記スイッチング素子の信号線を１本おきに複数本ずつ前
記ガラス基板上に生成した金属膜で接続し、かつ、前記
信号線の入力端子の外側に形成した金属膜のパターンと
前記複数本ずつ接続した信号線群をコンデンサで接続し
たことを特徴とするアクティブマトリックス基板。 - （２）信号線の入力端子の外側に形成した金属膜のパタ
ーンは、前記信号線のパターン幅より十分太くして共通
電極としたことを特徴とする請求項（１）記載のアクテ
ィブマトリックス基板。 - （３）スイッチング素子が二端子素子、あるいは、薄膜
トランジスタで構成されていることを特徴とする請求項
（１）記載のアクティブマトリックス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16943788A JPH0711640B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | アクティブマトリックス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16943788A JPH0711640B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | アクティブマトリックス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0219839A true JPH0219839A (ja) | 1990-01-23 |
| JPH0711640B2 JPH0711640B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=15886587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16943788A Expired - Fee Related JPH0711640B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | アクティブマトリックス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0711640B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5721390A (en) * | 1994-09-08 | 1998-02-24 | Yamaha Corporation | Musical tone signal producing apparatus with enhanced program selection |
| EP1008177A1 (en) * | 1997-01-13 | 2000-06-14 | Hyundai Electronics America, Inc. | Improved active matrix esd protection and testing scheme |
| JP2006267545A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| JPWO2013011911A1 (ja) * | 2011-07-19 | 2015-02-23 | シャープ株式会社 | 素子基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP16943788A patent/JPH0711640B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5721390A (en) * | 1994-09-08 | 1998-02-24 | Yamaha Corporation | Musical tone signal producing apparatus with enhanced program selection |
| EP1008177A1 (en) * | 1997-01-13 | 2000-06-14 | Hyundai Electronics America, Inc. | Improved active matrix esd protection and testing scheme |
| EP1008177A4 (en) * | 1997-01-13 | 2000-12-27 | Hyundai Electronics America | IMPROVED PROTECTION FOR ACTIVE MATRIX DISPLAYS FROM ELECTROSTATIC DISCHARGE AND TEST SCHEME |
| JP2006267545A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| JPWO2013011911A1 (ja) * | 2011-07-19 | 2015-02-23 | シャープ株式会社 | 素子基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0711640B2 (ja) | 1995-02-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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