JPH021962A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明Ｇ、Ｌ、相互に電気的に接続される複数個の゛
￥−導体チツブを高密度に実装した半導体装置に関りる
らのである。

〔従来の技術〕

第１１図はこの秒の従来の半導体装置を示す外観斜視図
であり、第１２図はぞの半導体装置の正面図である。図
において１は表面に配線、の形成された絶縁基板であり
、その実面には外部との電気的接続をはかる複数個の外
部電極２が形成されている。この外部電極２は表面の配
線と電気的に１＆続されている。絶縁基板１の表面には
複数個の半導体チップ３が固定されている。

第１３図は上記した半導体チップ３の一部を縦に破所し
て示す斜視図である。この半導体チップ３は、平板状の
直方体をなすシリコン半導体７１板４に各種の機能（た
とえば記憶、演Ｃ′５．増幅、駆動などの能動機能）を
持つ回路部分５を形成して構成され、その１つの面には
ＡｌＣｕ、Ａｕ。

半田などの金属からなる複数のｆｉ電極が形成されてい
る。そして、シリコン半導体基板４の中に形成された拡
散層や金属からなるコンタクト部分７を介して、上記し
た回路部分５が表面の電極６と電気的に接続されている
。

第１１図および第１２図に示す半導体装置では、各半導
体チップ３の電極６を絶縁基板１上に形成８れた配線に
電気的に接続りることによって、各半導体チップ３相Ｈ
が絶縁！ｊ板１上の配線を介しＣ電気的に接続されると
ともに、各半導体チップ３の絶縁基板１への固定もはか
られている。なお、第１１図および第１２図には図示し
ないが、絶縁工、を仮１には半導体チップ３やそれらを
相互に電気的に接続りる配線を外部環境から保護Ｊるた
めの封止部材が別に設【ノられる。

上記の五゛うに構成された１′導（４１装置では、複数
１１．１の半２９体チップ３が絶縁基板１の配線を介し
て相ｑに電気的に接続されるので、各半導体チップ３の
回路部分５が複合して、より高度な機能を持つ回路が構
成されるとしになり、このようにしてｌｉＩられた回路
と外部どの間では、絶縁基板１に形成されている外部電
極２を介して１３弓の授受を行うことができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体装置は−Ｌ記したように、半導体チップ３
の一面に形成された電極６を、絶縁基板１上に形成され
た配線に電気的に接ＶｃＭることににつて、同時に絶縁
基板１上に半導体チップ３を固定する構成としているた
め、絶縁基板１上に複数の半導体チップ３を平面的に並
べざるを得ない。

しかしながら、このにうむ構成では、半導体装置の機能
をより高度化、高性能化しようとして絶縁基板１に搭載
する半導体チップ３の数を増やすと、それだけ絶縁基ｆ
ｆ１１の面積を大きくしなければならイ１くなるばかり
か、各半導体ｆ−ツブ３間を接続する配線が長くなって
、各半導体チップ３から出力される電気信号の伝搬ｄ延
や減衰が大きくなり、半導体チップ３が木来持っている
性能を十分発揮させることができない。したがって従来
の゛１６導体装置では、半導体チップ数をそれ程増加さ
せることができず、半導体装置の機能を十分に高性能化
できないという問題点があった。

この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、性能低下を小さく抑えて多数の半導体チップ
を高密度に組み込むことのできる了導体装；６をにｌる
ことをｌ」的どする。

（課題を解決するための手段） 第１の態様において、この発明に係る半導体装１、’／
ｆは、表面に？ｔＩ数のＸｆ１極が形成された半導体チ
ップの各電極に、該半導体チップの表面に沿って延びる
電（４！延艮尋休を電気的に接続して形成した電極延長
導体付ぎ半導体チップの複数個を−、隣接する電極延長
導体付き半導体チップ同士の電極延長導体が相互に電気
的に接続されるようにΦねで、配線の形成された絶縁１
［上に固定するとともに、最下段の１“δ（〜延長導体
付き゛ト導体チップの電極延長導体を絶縁基板Ｊ、、の
配線に電気的に接続して、絶縁草根−ヒの配線と電極延
長導体と電極とを介して各半導体ブーツブ相互間を電気
的に接続したちのである。

また第２の態様にＪ５いて、この発明に係る半導体Ａ首
は、電極を？１２数の面に分【〕て形成した多面体の１
′つ体チップの複数個を、Ｆ５１＆する半導体チップ同
士の電極が相互に−り見向に接続されるように一部ねで
、配線の形成された絶縁基板上に固定するとともに、最
下段の半導体チップの電極を絶縁基板上の配線に電気的
に接続して、絶縁基板上の配線と電極とを介して各゛ｒ
導体チップ相互間を電気的に接続したものである。

ざらに第３の態様において、この発明に係る半導体装置
は、配線が形成され、その配線を介して相互に電気的に
接続される複数ｆｌＩＪの半導体チップが表面に固定さ
れた第１の絶縁基板を、同じく配線の形成された第２の
絶縁基板上に固定し、第１の絶縁基板と第２の絶縁基板
の間を電気的に接続して成る構成体の？ｔ７数組を、相
互の第２の絶縁基板同士を電気的に接続して重ねること
によって積層固定し、各半導体チップ相位間を電気的に
接続した乙のである。

〔作用〕

この発明の第１の態様においては、絶縁基板上に複数個
の半導体チップが重ねて配置され、各半導体チップ相互
間は各々の電極および電極延長導体と絶縁基板の配線を
介して電気的に接続される。

同一絶縁基板上に同じように複数の半導体チップを１口
ねた構成を複数相互いに隣接して配置した場合には、横
に−ＩＱぶ半導体チップ相互の間も各々の電極および電
極延長う体を介して電気的に接続される。したがって、
複数の半導体１ツブは相互間を電気的に接続されて絶縁
基板上で３次元的に配置される。

この発明の第２の態様においては、絶縁基板上に？！２
数個の半導体チップが重ねて配置され、各半導体チップ
相互間は各々の′：ｆｉ極と絶縁基板の配線を介しＣ電
気的に接続される。同一絶縁基板上に同じように複数の
￥導体チップを重ねた構成を複数組ｎいに隣接して配置
した場合には、横に並ぶ″、１′−導体チツブ相りの間
す各々の横向き面に形成されている電（唄を介して電気
的に接続される。したがって、複数の半導体チップ【よ
相互間を電気的に接続されて絶縁基板上で３次元的に配
置される。

この発明の第３の態様においては、複数個の半導体チッ
プを相互に電気的に接続して固定した第１の絶縁基板の
複数個が第２の絶縁基板の複数個を介して積層固定され
、各半導体チップ相ｎ間は第１の絶縁基板の配線と第２
の絶縁基板の配線を介して電気的に接続される。したが
って、複数の半導体チップは相互間を電気的に接続され
て３次元的に配置される。

〔実施例〕

第１図はこの発明による半導体装置の第１の実施例を示
す正面図である。図において、１は表面に配線の形成さ
れた絶縁基板である。この絶縁基板１の裏面には外部と
の電気的接続をはかる複数個の外部電極２が形成されて
いる。この外部電極２は表面側の配線と電気的に接続さ
れている。絶縁基板１の表面には複数個の電極延長導体
付き半導体チップ８を積層したものが複数組、互いに隣
り合うＪζうに並べて配置されている。

第２図は上記した電極延長導体付き半導体チップ８を示
す斜視図である。第３図はその電極延長導体付き半導体
チップ８の縦断面図を示す。この電極延長導体付き半導
体チップ８は、半導体チップ３の各電極６に電極延長導
体９を電気的に接続して構成したものである。半導体チ
ップ３自体の（お成については従来装置の場合と同一で
ある。すなわち、崖尋体チップ３は、平板状の直方体を
なずシリコン半導体基板４に各種の機能を持つ回路部分
５を形成して構成され、その１つの面に△Ａ。

ＣＬＪ、ＡＩＪ、半田などの金属からなる複数の電極６
が形成されている。そして、シリコン半導体基板４の中
に形成された拡散層や金属からなるコンタク１へ部分７
を介して、上記した回路部分５が表面の電極６と電気的
に接続されている。上記した電極延長導体９はある程度
の機械的弾痕を有する導電体、一般にはＣｕなどの金属
からなり、電（七６の形成された半導体ブーツブ３の上
面から側面を経て表面へと各面に治うように口字状に折
曲して形成されてＪ３す、ぞれぞれ接続された電極６（
半導体基板４の主面のいずれの位置にあるものでもよい
）を半導体チップ３の側面側Ｊ３よび実面側に延長づる
機能を持つとともに、伯の半導体チップ３の電極延長導
体９ど接触、圧接、溶融などで接続できるように構成さ
れている。

第１図に示す半導体装置では、上下に重ねられた各゛電
極延長導体付き半導体チップ８の電極延長導体９同士が
ｎいに電気的に接続され、また最下段の電極延長導体９
が絶縁基＆　１　ｔの配線に電気的に接続されることに
よって、上下に並、ぶ各半導体チップ３相互の間は各々
の半導体チップ３の電極６および電極延長導体９と絶縁
基板１上の配線を介して電気的に接続され、同時に固定
されている。また、横方向に隣り合う電極延長導体付ぎ
半導体チップ８の間でも、電極Ｍ良導体９同士はｈいに
電気的に接続されまた固定されており、このようにして
複数の電極延長導体付き半導体ｆ−ツブ８を３次元配置
で実装した半導体装置が構成されている。上記した絶縁
基板１には、半）９体チップ３や絶縁基板１上の配線を
外部環境から保護１Ｊるために図示しへい封止部材が別
に設（）られる。

上記のように構成された半導体装置では、絶縁基板１上
に積層配置された複数個の半導体チップ３が上下、左右
１前後で隣り合う半導体チップ３と電極延長導体９を介
して電気的に接続され、また絶縁基板１の配線にも電気
的に接続されるので、各半導体チップ３の回路部分５が
複合して、より高度な機能を持つ回路が構成されること
になる。

このようにして１ｑられた回路と外部との間では、絶縁
基板１に形成されている外部電極２を介して信号の授受
を行うことができる。

４Ｌだ、上記した電気的な接続によって、すべての半導
体チップ３が絶縁基板１Ｆに３次元の配置４なして固定
されるので、；Ｖ−Ｈａ体チップ３の搭桟密ｊ良が高く
なり、各半導体１１１３間の配線長がそれだ１．ｊ　５
．Ｕ　＜なって、半導体チップ３から出力される電気信
ｇの伝搬遅延や減衰が低く抑えられることになる。

なＪ′３、上記実施例で・は、３次元配置したＴ勺体チ
ップ３の最下段の電極延長導体９を直接、絶縁基板１」
−の配線に電気的に接続した場合についＣ示したが、そ
の間に、さらに別の同様の絶縁基板が介在してもよい。

また、電極延長導体つと半導体チップ３の表面の間にり
えられる空隙には無機物あるいは自機物などの固体、液
体を介在させて絶縁してもよい。

第４図はこの発明による半導体装置の第２の実施例を示
づ外観斜視図であり、第５図はその半導体装置の正面図
を示す。図において、絶縁基板１および外部電極２は第
１の実施例と同じであり、ここではその説明を省略する
。絶縁基板１の表面には複数個の半導体チップ３　ａを
積層した乙のが複数組、互いに隣り合うように並べ゛Ｃ
配置されている。

第６図は上記した半導体チップ３ａの一部を縦に破断し
て示す斜視図である。この半導体ｆ−ツブ３ａは、平板
状の直方体をなすシリコン半）ｑ体基板４に各種の機能
を待つ回路部分５を形成して構成され、その複数の面上
にＡ１．Ｃｕ、Ａｕ、半田あるいはその他の金属、また
はそのような金属の組合せからなる複数の電極６が形成
されでいる。

これらの電極６がシリコン半導体球根４の中に形成され
た］ンタクト部分７を介して上記した回路部分５と電気
的に接続されていることは、従来装置の場合と同じであ
る。またこれらの電ＶｉＡ６は、他の半導体チップ３ａ
の電極６と接触、圧接、溶融などにより接続可能である
。

第４図および第５図に示Ｊ半導体装置で（ま、上下に重
ねられた各半導体チップ３ａの上面側の電Ｆ４Ａ６とイ
の１段の半導体チップ３　ａの下面側の電極６どが亙い
に電気的に接続され、また横方向に隣り合・）半導体チ
ップ３ａの間て・ら対向し合う側面の電Ｉ４１６同士が
互いに電気的に接続されている。

さらにｌａ上下段半導体チップ３ａはその下面の電極６
が絶縁基板１上の配線に電気的に接続されＣａ２す、以
上の構成によって、各半導体チップ３　ａ相ｎ間はそれ
ぞれの電極６と絶縁基板１上の配線とによって電気的に
接続され、同時に固定されている。また半導体チップ３
ａや絶縁基板１十の配線を外部環境から保護するための
図示しない１１止部材が、絶縁基板１に別に設けられる
ことは第１の実施例の場合と同様である。

１−記のように構成された半導体装置では、絶縁）ｊ根
１上に積層配置された複数個の半導体チップ３ａが上下
、左右２前後で隣り合う半導体チップ３　ｒｌと電極６
を介して電気的に接続され、また絶縁基根１の配線にも
電気的に接続されるので、各半導体チップ３ａの回路部
分５が復合して、より高ｒｒ１な機能を持つ回路が構成
されることになる。

このＪ：うにして得られた回路と外部との３間では、絶
縁基板１の外部電極２を介して信号の授受を行うことが
できる。

また、上記した電気的な接続によって、すべての半導体
チップ３ａが絶縁基板１上に３次元の配置をなして固定
されるので、半導体チップ３ａの１を載密瓜が高くなり
、各半導体チップ３ａ間の配線長がそれだけ短くなって
、半導体チップ３ａから出力される電気信号の伝搬ｆｉ
延や減衰が低く抑えられることになる。

なお、上記実施例では、３次元配置した半導体チップ３
ａの最下段の電極６を直接、絶縁基板１上の配線に電気
的に接続した場合について示したが、その間に、ざらに
別の同様の絶縁基板が介在してもよい。

第７図はこの発明による半導体装置の第３の実施例を示
す縦断面図であり、図において１ａは複数個の゛Ｆ４体
ブーツブ３を直接配置して固定した第１の絶縁基板であ
り、１ｂは複数個の半導体チップ３を仲介絶縁基板１０
を介して固定した別の第１の絶縁基板である。６第１の
絶縁基板１ａ、１ｂに固定され（いろ２ｒ導体ブップ３
の構成は従来装置の場合と同一であり、ここではその説
明を省略りる。

第８図（Δ）は上記した第１の絶縁基板１ａに複数個の
゛に導体チップ３が平面的に配列されて固定されている
状態を示す平面図であり、第８図（Ｂ）はその絶縁基板
１ａの１而図を示ず。この絶縁基板１ａ上には配線が形
成されており、各半導体チップ３はその一面に形成され
た電極６を上記配線に電気的に接続することによってた
絶縁基板１εｌ上に固定されでいる。絶縁基板１ａの周
縁部に【ま外部と電気的接続をはかるための外部電極２
εｌが複数個形成され、これらの外部電極２０は配線と
電気的に接続されている。

第９図（Ａ＞は上記した別の第１の絶縁基板１ｂに複数
個の半導体チップ３が平面的に配列されて固定されてい
る状態を示す平面図であり、第９図（Ｂ）はその絶縁基
板１ｂの正面図を示し、第９図（Ｃ）はその絶縁基板１
ｂの側面図を示す。

この絶縁基板１ｂ上にも配線が形成されてＪ３す、イの
Ｌには複数個の仲介絶縁基板１０が一定方向に並べて固
定されている。この仲介絶縁基板１０にも配線が形成さ
れおり、この配線に半導体チップ３の電極６を電気的に
接続することによって、複数個の半導体チップ３が仲介
絶縁基板１０上に１列に並べて固定されている。そして
、これらの半導体チップ３は仲介絶縁基板１０の配線を
介して第１の絶縁基板１ｂＦの配線に電気的に接続さ。

れている。すなわら、第１の絶縁基板１ｂ−ヒには複数
個の仲介絶縁基板１０を介して複数個の半導体チップ３
が配列されて固定されるとともに、それらの半導体ブー
ツブ３は仲介絶縁基板１０の配線と第１の絶縁基板１ｂ
の配線とを介して相ｎに電気的に接続されている。この
第１の絶縁基板１ｂ周縁部にも外部と電気的接続をはか
るための外部電極２ｂが複数個形成され、これらの外部
電極２ｂは第１の絶縁基板１ｂ上の配線と電気的に接続
されている。

第１０図は、上記した２種類の第１の絶縁基板ｌａ、１
ｂを支持固定Ｊるための第２の絶縁基板１１　ａを示す
外観斜視図であり、この第２の絶縁具板１１ｒ〕は概形
がｈ形をなず枠状で、外周部に対して内周部が段差をな
すように低く形成されている。・ぞして、ぞの絶縁基板
１１ａ外周部おＪ：び内周部にはそれぞれ配線１２ａが
形成されている。

第７図に示１Ｊｌ’　ＲＪ体に青では、第２の絶縁基板
１１ａに第８図（Δ）、（［３＞に示、ｉｊ第１の絶縁
基板１　ａを支持固定した構ｊｖｉ体が２段に積層さ゛
れ、さらにその上には第２の絶縁基板１１ａに第９図（
Ａ）・〜（Ｃ）に示１別の第１の絶縁基板１ｂを支持固
定した構造体が中ねて配置されている。第１の絶縁ＪＪ
板１ａはその外部電極２ａを第２の絶Ｉ！基（ｆ’ｉ　
１１　ａの内周部の上に載せて、その内周部の配Ｄ　１
２　ａと電気的に接続することによって固定されている
。また、別の第１の絶縁基板１ｂについＣら同様に、そ
の外部電極２ｂを第２の絶縁、基板１１ａの内周部の上
に載せて、その内周部の配線１２ａと電気的に接続する
ことによって固定されている。また第１の絶縁基板１ａ
、１ｂを支持固定している３層のイれぞれの第２の、絶
縁基板１１ａは、それらの外周部の上下において豆いの
配線１２ａ同士を電気的に接続することによって連結さ
れている。これら３層の第２の絶縁基板１１ａは、複数
個の外部電極１３と配線１２ｂとが形成された別の第２
の絶縁基板１１ｂの上に重ねられ、配線１２ａと配線１
２ｂとを電気的に接続づることによってこれらの間が連
結されている。

さらに、３層の第２の絶縁基板１１ａの上には、配線１
２Ｇが形成されたざらに別の第２の絶縁基板１１ｃが重
ねられ、配線１２ａと配線１２ｃとを電気的に接続する
ことによってこれらの間が連結されている。上記した３
層の第２の絶縁基板１１ａと、その上下に位置する別々
の第２の絶縁基板１１ｂ、１１Ｇとによって筐体が構成
され、それぞれの第１の絶縁基板１ａ、１ｂはこの筐体
に囲まれて支持固定された状態となる。ま−だ半導体チ
ップ３や第１．第２の絶縁基板１ａ、１ｂ、１１ａ、１
１ｂ、１１ｃｌＬ（７）配線を外部環境から保１αＩＪ
るための図示しない封止部材がこの筺体に対して設けら
れる。

−１−記のように構成されたｑｐ導体装置では、２段に
積層された第１の絶縁基板１ａ上に直接平面的に配列固
定された複数個の半導体チップ３と、別の第１の絶縁基
板１ｂ上に複数個の仲介絶縁基板１０を介して配列固定
された複数個の半導体チップ３が、全体として３段に積
層された３次元配置をなしでおり、しかも各半導体チッ
プ３相互間は電気的に接続されることになるので、各２
層導体チップ３の回路部分が複合して、よりＣＩ　Ｉ＋
２な機能を持つ回路が構成されることになる。このＪ、
うにしで１１１られた回路と外部との間では、第２の絶
縁基板１１ｂの外部電ｌ４ｉ１３を介して信号の授受を
行・）ことができろ。

第１の絶縁基板１ａあるいは１ｂ上に複数の半導体ブー
ツブ３を取り付けた段階では、４層導体装冒に搭載する
仝ての機能の一部を形成したことになるので、部分的な
システムとしてその第１の絶縁基板１ａあるいは１ｂの
ｉストを実施することができる。この部分的なシステム
の規模は、そこに配置される了導体チップ３の数で決ま
るので、半導体チップ３の数が少なＧＪればその部分的
なシステムの規模は小さくなり、テス１−が容易になる
。

また、上記したように寸べての半導体チップ３が３次元
配置をなして固定されるので、半導体チップ３の搭載密
度が高くなり、各半導体チップ３間の配線長がそれだけ
短くなって、半導体チップ３から出力される電気信号の
伝搬遅延や減衰が低く抑えられることになる。

なお、以上の各実施例では、半導体チップ３゜３ａを構
成する半導体基板としてシリコン半導体基板を用いた例
について説明したが、Ｇｃ、ＧａＡＳなど他の半導体基
板を用いたしのであっ′Ｃｂよい。

また、半導体チップ３．３８はすべて回路部分を持って
いる必要はなく、半導体チップ３，３ａ間を電気的に接
続する配線だけが形成されているらのを含めてもよい。

ざらに、上記した半導体装置には抵抗、コンデンリ、コ
イルなどの受！ＩＪ素子を混載してもよく、またこの半
導体装置に液冷や空冷による放熱、冷ＩＪ′１機能を付
加してもよい。また半導体装置内に気体、液体、固体の
物質を充唄してもよい。

〔弁明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、多数個の半）９休ｆツ
ブを３次元的に配置し、かつそれらの間を容易に゛電気
的に接続できるように構成したので、’ｌ’　ｊ９休ブ
ップの塔載密度を容易に高くすることができるとと乙に
、各￥−導体チツブ間の配線長を短くして電気信号の伝
搬「延や減衰などによる半導体ブツブの性能低下し低く
抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明による半導体装置の第１の実施例を示
す正面図、第２図はその半導体装置に用いられる電極延
長導体ｆ１き７１′導体チップを示す外観斜視図、第３
図はその電極延長導体付き半導体チップの縦断面図、第
４図はこの発明による半導体装置の第２の実施例を示す
外観斜視図、第５図（，１ぞの正面図、第６図はその゛
ト導体装置に用いられる半導体チップの一部を縦断して
示す斜視図、第７図はこの発明による半導体装置の第６
３の実施３Ｎ１を承り縦断面図、第８図（Ａ）および第
８図（［３）Ｇまそれぞれその半導体装置にお【ノる第
１の絶縁基板を示す平面図および正面図、第９図（Ａ）
、第９図（Ｂ）および第９図（Ｃ）はそれぞれその半導
体装置における別の第１の絶縁基板を承り平面図、正面
図および側面図、第１０図はその半導体装置に、ｊ３す
る第２の絶縁基板の１つを示り斜１見図、第１１図は従
来の半導体装置を示す外観斜視図、第１２図はぞの正面
図、第１３図はイの半導体装置に用いられる半導体チッ
プの一部を縦断しＣ示Ｊ斜視図である。 図において、１は絶縁基板、１ａ、１ｂは第１の絶縁基
板、２　ａ　、　２　ｂ　、　１３　ｌｅｔ外部Ｗｕ　
ｋ、３゜５３５１は半導体チップ、６は電極、８は電極
延長導体ｆ・１き」′導体チップ、９は電極延長導体、
１１Ｅ１は第２の絶縁基板である。 なお、 示す。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面に複数の電極が形成された半導体チップの各
   電極に、該半導体チップの表面に沿って延びる電極延長
   導体を電気的に接続して形成した電極延長導体付き半導
   体チップの複数個を、隣接する前記電極延長導体付き半
   導体チップ同士の電極延長導体が相互に電気的に接続さ
   れるように重ねて、配線の形成された絶縁基板上に固定
   するとともに、最下段の前記電極延長導体付き半導体チ
   ップの電極延長導体を前記絶縁基板上の前記配線に電気
   的に接続して、該絶縁体基板上の配線と前記電極延長導
   体と前記電極とを介して各前記半導体チップ相互間を電
   気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
2. （２）電極を複数の面に分けて形成した多面体の半導体
   チップの複数個を、隣接する半導体チップ同士の電極が
   相互に電気的に接続されるように重ねて、配線の形成さ
   れた絶縁基板上に固定するとともに、最下段の前記半導
   体チップの電極を前記絶縁基板上の前記配線に電気的に
   接続して、該絶縁基板上の配線と前記電極とを介して各
   前記半導体チップ相互間を電気的に接続したことを特徴
   とする半導体装置。
3. （３）配線が形成され、その配線を介して相互に電気的
   に接続される複数個の半導体チップが表面に固定された
   第１の絶縁基板を、同じく配線の形成された第２の絶縁
   基板上に固定し、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁
   基板の間を電気的に接続して成る構成体の複数組を、相
   互の前記第２の絶縁基板同士を電気的に接続して重ねる
   ことによって積層固定し、各前記半導体チップ相互間を
   電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。