JPH02196219A - レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法 - Google Patents
レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法Info
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- JPH02196219A JPH02196219A JP1015556A JP1555689A JPH02196219A JP H02196219 A JPH02196219 A JP H02196219A JP 1015556 A JP1015556 A JP 1015556A JP 1555689 A JP1555689 A JP 1555689A JP H02196219 A JPH02196219 A JP H02196219A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の目的と利用分野〕
本発明は液晶配向膜の作製方法に係り、特に液晶表示電
極基板上の高分子フィルムの表面改質を。 エネルギー源としてエネルギー及び位置制御性にすぐれ
た紫外レーザーを用いて、高分子表面の構造特性を向上
させることで、液晶分子の配向制御に好適な高分子フィ
ルムを作製する方法に関するものである。 液晶を用いた平面型表示装置は、従来のブラウン管を用
いたものと比較して、軽量平面型で容積が小さい、動作
電圧が低く消費電流が少ない等の特長を備えており、今
後、急速にかつ広範囲に普及するものと考えられる。本
発明は、この液晶表示装置の表示画質の改善や大面積表
示化等の改良に関するものである。 〔発明の背景〕 近年、高度情報化社会への変革に支えられて、ゞ警子計
算機等の電子機・器の発達が急速に進Ajでいる。これ
ら電子機器の□出入力装置である表示装置は、業務の多
様化、複雑化に伴い、多機能化が要求されている。表示
装置には、現在、主としてブラウン管が用いられ、容積
の小型化ならびに消費電力の省力化について検討が進め
られている。また、液晶を用いた表示素子は、平面型で
容積が小さく、動作電圧が低く消vIe電流が少ない等
の特長を備えている。しかし、ブラウン管に比べ、表示
画質や表示面積が劣っており、この問題点を解決するた
めに、液晶分子の配向制御方法や高速化等の改良が進め
られている。液晶表示素子は、2枚の電極基板(高分子
フィルムで被覆されている)で液晶物質を層状に挟持し
た構造を基本とし、その特性は、電極基板との界面層に
おける液晶分子配向状態に強く依存する。したがって、
液晶分子の配向制御方法は1表示素子としての特性を決
める上で重要な役割を果たしている。液晶分子の配向制
御方法としては、現在、電極基板上の分子フィルムをナ
イロン布等で一定方向に機械的に擦る、林俊介、液晶:
応用編、p、79 (1985)。 培風館)、シかしながら、この手法では、フィルム上の
静電気の発生、制御性、埃の付着や効果の均一性に関す
る問題が指摘されている2また、最近ホログラフイック
グ1ノーディングの方法を用いて、高分子表面に形態学
的な凹凸を形成させ、液晶分子を配向させることが検討
されている(戸田溝、渡辺典子、竹本敏夫、シャープ波
相、vol。 39.67 (1988)、)。この方法は、リングラ
フィ技術を用いるために、光学装置が大規模になり、そ
の工程もlノジストの塗布、露光、現像等の複数の高度
な工程を含み、コス!−が大きくなる欠点がある6 さらに、■、イケノ等は、ラングミュア−プロジェット
法(LB法)髪用い、ポリイミド配向薄膜を得ているが
(H,Ikeno、As 0h−saki、M、N1t
ta、N、0zaki、Y。 Yokoyama、に、Nakaya、S、KObay
ashi、Jpn、J、Appl、Phys、、Vol
、 27.i、475 (1988)−)。 LB法による配向膜作製では、工程が湿式であること、
あるいは大面積化や効果の再現性についての問題が残さ
れている。 〔発明の概要〕 本発明は、液晶分子の配向制御技術に関して5液晶表示
素子の優れた特性を低下させることなしに、紫外レーザ
ーを用いて電極基板上の高分子フィルムに周期的な模様
を形成させる等の表面改質を簡便に行い、これにより、
液晶分子を配向制御し、液晶表示装置の表示画質の改善
や大面積表示化等の改良が効果的に図れる方法を提供す
る4S、ラザレ等(S、Lazare、R,5rini
vasan、J、Phys、Chem、* Vol、9
0.2124 (1986)、)は、高分子フィルムの
表面を、エキシマ−レーザーなどの高強度紫外1ノーザ
ーで特定部位を照射すると、照射直後に容易に照射部表
面が改質され、現象工程等の後処理を行うことなく、直
後に形態学的な凹凸が形成されることを報告している。 この紫外1ノーザーによる高分子表面の乾式エツチング
は、その表面状態を観察するのに迅速で簡便な方法であ
るとしている。しかし、彼らは、そのエツチングの工業
的な有用性、活用策には何等の提案も行っていない。本
発明者らは、この紫外レーザー高分子乾式エツチング法
における高分子の表面形態変化について鋭意研究を重ね
た結果、レーザー照射により新しく形成された表面は、
安定で、液晶分子等の有機分子を配向制御するのに極め
て適した表面となっていることを見出し、この知見に基
づいて本発明をなすにいたった。さらに、本発明は。 高分子フィルムの改質したい部位に相当するマスク(金
属板製パターンなど)を通過させたレーザービームを照
射することで、希望する照射部分のみに、直接に周期的
な模様を形成させることが可能である。一方、エキシマ
レーザ−のビームは、ヘリウム−ネオンレーザ−、アル
ゴン及びクリプトンイオンレーザ−やNd”:YAGレ
ーザー等の他のレーザーのビームと比較して、ビーム形
状は大きく、ビームを走査させ、任意の形状の改質べき
部位を照射することで、大面積化にも容易に対応できる
。特に1本発明は、紫外レーザーによる非熱的な光化学
反応により、高分子化合物が反応するので、照射部位以
外の周辺には何等の熱的損傷を伴わず、かつ、レーザー
により切削された断片は、高エネルギーを有したフラグ
メントとして、周囲に高速で飛散していくので、それら
の断片が周囲には付着しておらず洗浄する必要もない極
めて効果的な処理である6本発明は、従来のラビング法
、ホログラフィックグレーティング法やLB法と比べ、
配向膜の性能やコストの点で有利なものである。また、
レーザーエツチング反応は、高分子フィルムのみで起こ
り、電極等の素子に対する損傷は全く観測されなかった
。模様の形状、大きさ、及び除去されるフィルムの量、
すなわち切削される深さは、照射するレーザーの波長。 フルエンス、パルス数により制御できる。また、本方法
は通常の空気中、常温常圧雰囲気中での作業で良く、極
めて容易な工程であり、作業雰囲気も減圧下、活性ガス
、不活性ガス中と変えることも可能である。こうして、
レーザー照射部分の高分子フィルム表面上では、形態学
的には周期的な、物理的、化学的に安定な凹凸(畝)が
生まれている。 本発明におけるレーザーとしては、紫外レーザーが適し
ており、特に好適には、XeF (351nm)* X
eC1(308nm)* KrF (248nm)、A
rF (193nm)あるいはF、 (157nm)エ
キシマ−レーザーである。また。 Nd”: YAG、色素レーザー、Krイオンレーザ−
、Arイオンレーザ−あるいは銅蒸気レーザーの基本発
振波長光を非線形光学素子などにより、紫外光領域のレ
ーザーに変換したものも有効である。レーザーのフルエ
ンスとしては、素材により異なるが、約0.1mJ/a
J/パルス以上の高輝度レーザーが望ましい。 なお、本発明において、対象となる高分子フィルムは、
例えば、芳香族ポリエーテルスルホン、芳香族ポリイミ
ド及び芳香族ポリエステルなどである。 〔奨流側〕 次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。 実施例1 芳香族ポリエーテルスルホンフィルムの平滑な面に、4
5@方向からXeClエキシマ−レーザーをエネルギー
密度750mJ/aJで30シミツト照射させ、表面に
間隔1μmの周期的な模様を形成させた、この2枚のフ
ィルムで液晶物質を層状に挟持し、偏光顕微鏡でw1察
したところ、レーザー照射部分の液晶分子は、単結晶液
晶化を形成していることが分かった。 実施例2 芳香族ポリエーテルスルホンフィルムの平滑な面に、4
5°方向からXeClエキシマ−レーザーをエネルギー
密度750 m J / aiで30シミツト照射させ
1表面に間隔的1μmの周期的な模様を形成させた。こ
の2枚のフィルムで二色性色素を1重量%混入した液晶
物質を層状に挟持し、偏光顕微鏡、及び、偏光可視スペ
クトル法で観察したところ、レーザー照射部分の液晶分
子は、高分子フィルム上の模様の方向と同一方向に配向
し。 単結晶液晶化を形成していることが分かった。 実施例3 芳香族ポリエーテルスルホンフィルムの平滑な面に、4
5°方向からXeClエキシマ−レーザーをエネルギー
密度750mJ/aJで100シヨツト照射させ、表面
に間隔的1μmの周期的な模様を形成させた、この2枚
のフィルムで二色性色素を1重量%混入した液晶物質を
層状に挟持し、偏光顕微鏡、及び、偏光可視スペクトル
法で観察したところ、レーザー照射部分の液晶分子は、
高分子フィルム上の模様の方向と同一方向に配向し、単
結晶液晶化を形成していることが分かった。 実施例4 芳香族ポリエーテルスルホンフィルムの平滑な面に、4
5°方向からXeClエキシマ−レーザーをエネルギー
密度750 m J / ajで1シヨツト照射させ、
表面に間隔的1μmの周期的な模様を形成させた、この
2枚のフィルムで二色性色素を11量%混入した液晶物
質を層状に挟持
極基板上の高分子フィルムの表面改質を。 エネルギー源としてエネルギー及び位置制御性にすぐれ
た紫外レーザーを用いて、高分子表面の構造特性を向上
させることで、液晶分子の配向制御に好適な高分子フィ
ルムを作製する方法に関するものである。 液晶を用いた平面型表示装置は、従来のブラウン管を用
いたものと比較して、軽量平面型で容積が小さい、動作
電圧が低く消費電流が少ない等の特長を備えており、今
後、急速にかつ広範囲に普及するものと考えられる。本
発明は、この液晶表示装置の表示画質の改善や大面積表
示化等の改良に関するものである。 〔発明の背景〕 近年、高度情報化社会への変革に支えられて、ゞ警子計
算機等の電子機・器の発達が急速に進Ajでいる。これ
ら電子機器の□出入力装置である表示装置は、業務の多
様化、複雑化に伴い、多機能化が要求されている。表示
装置には、現在、主としてブラウン管が用いられ、容積
の小型化ならびに消費電力の省力化について検討が進め
られている。また、液晶を用いた表示素子は、平面型で
容積が小さく、動作電圧が低く消vIe電流が少ない等
の特長を備えている。しかし、ブラウン管に比べ、表示
画質や表示面積が劣っており、この問題点を解決するた
めに、液晶分子の配向制御方法や高速化等の改良が進め
られている。液晶表示素子は、2枚の電極基板(高分子
フィルムで被覆されている)で液晶物質を層状に挟持し
た構造を基本とし、その特性は、電極基板との界面層に
おける液晶分子配向状態に強く依存する。したがって、
液晶分子の配向制御方法は1表示素子としての特性を決
める上で重要な役割を果たしている。液晶分子の配向制
御方法としては、現在、電極基板上の分子フィルムをナ
イロン布等で一定方向に機械的に擦る、林俊介、液晶:
応用編、p、79 (1985)。 培風館)、シかしながら、この手法では、フィルム上の
静電気の発生、制御性、埃の付着や効果の均一性に関す
る問題が指摘されている2また、最近ホログラフイック
グ1ノーディングの方法を用いて、高分子表面に形態学
的な凹凸を形成させ、液晶分子を配向させることが検討
されている(戸田溝、渡辺典子、竹本敏夫、シャープ波
相、vol。 39.67 (1988)、)。この方法は、リングラ
フィ技術を用いるために、光学装置が大規模になり、そ
の工程もlノジストの塗布、露光、現像等の複数の高度
な工程を含み、コス!−が大きくなる欠点がある6 さらに、■、イケノ等は、ラングミュア−プロジェット
法(LB法)髪用い、ポリイミド配向薄膜を得ているが
(H,Ikeno、As 0h−saki、M、N1t
ta、N、0zaki、Y。 Yokoyama、に、Nakaya、S、KObay
ashi、Jpn、J、Appl、Phys、、Vol
、 27.i、475 (1988)−)。 LB法による配向膜作製では、工程が湿式であること、
あるいは大面積化や効果の再現性についての問題が残さ
れている。 〔発明の概要〕 本発明は、液晶分子の配向制御技術に関して5液晶表示
素子の優れた特性を低下させることなしに、紫外レーザ
ーを用いて電極基板上の高分子フィルムに周期的な模様
を形成させる等の表面改質を簡便に行い、これにより、
液晶分子を配向制御し、液晶表示装置の表示画質の改善
や大面積表示化等の改良が効果的に図れる方法を提供す
る4S、ラザレ等(S、Lazare、R,5rini
vasan、J、Phys、Chem、* Vol、9
0.2124 (1986)、)は、高分子フィルムの
表面を、エキシマ−レーザーなどの高強度紫外1ノーザ
ーで特定部位を照射すると、照射直後に容易に照射部表
面が改質され、現象工程等の後処理を行うことなく、直
後に形態学的な凹凸が形成されることを報告している。 この紫外1ノーザーによる高分子表面の乾式エツチング
は、その表面状態を観察するのに迅速で簡便な方法であ
るとしている。しかし、彼らは、そのエツチングの工業
的な有用性、活用策には何等の提案も行っていない。本
発明者らは、この紫外レーザー高分子乾式エツチング法
における高分子の表面形態変化について鋭意研究を重ね
た結果、レーザー照射により新しく形成された表面は、
安定で、液晶分子等の有機分子を配向制御するのに極め
て適した表面となっていることを見出し、この知見に基
づいて本発明をなすにいたった。さらに、本発明は。 高分子フィルムの改質したい部位に相当するマスク(金
属板製パターンなど)を通過させたレーザービームを照
射することで、希望する照射部分のみに、直接に周期的
な模様を形成させることが可能である。一方、エキシマ
レーザ−のビームは、ヘリウム−ネオンレーザ−、アル
ゴン及びクリプトンイオンレーザ−やNd”:YAGレ
ーザー等の他のレーザーのビームと比較して、ビーム形
状は大きく、ビームを走査させ、任意の形状の改質べき
部位を照射することで、大面積化にも容易に対応できる
。特に1本発明は、紫外レーザーによる非熱的な光化学
反応により、高分子化合物が反応するので、照射部位以
外の周辺には何等の熱的損傷を伴わず、かつ、レーザー
により切削された断片は、高エネルギーを有したフラグ
メントとして、周囲に高速で飛散していくので、それら
の断片が周囲には付着しておらず洗浄する必要もない極
めて効果的な処理である6本発明は、従来のラビング法
、ホログラフィックグレーティング法やLB法と比べ、
配向膜の性能やコストの点で有利なものである。また、
レーザーエツチング反応は、高分子フィルムのみで起こ
り、電極等の素子に対する損傷は全く観測されなかった
。模様の形状、大きさ、及び除去されるフィルムの量、
すなわち切削される深さは、照射するレーザーの波長。 フルエンス、パルス数により制御できる。また、本方法
は通常の空気中、常温常圧雰囲気中での作業で良く、極
めて容易な工程であり、作業雰囲気も減圧下、活性ガス
、不活性ガス中と変えることも可能である。こうして、
レーザー照射部分の高分子フィルム表面上では、形態学
的には周期的な、物理的、化学的に安定な凹凸(畝)が
生まれている。 本発明におけるレーザーとしては、紫外レーザーが適し
ており、特に好適には、XeF (351nm)* X
eC1(308nm)* KrF (248nm)、A
rF (193nm)あるいはF、 (157nm)エ
キシマ−レーザーである。また。 Nd”: YAG、色素レーザー、Krイオンレーザ−
、Arイオンレーザ−あるいは銅蒸気レーザーの基本発
振波長光を非線形光学素子などにより、紫外光領域のレ
ーザーに変換したものも有効である。レーザーのフルエ
ンスとしては、素材により異なるが、約0.1mJ/a
J/パルス以上の高輝度レーザーが望ましい。 なお、本発明において、対象となる高分子フィルムは、
例えば、芳香族ポリエーテルスルホン、芳香族ポリイミ
ド及び芳香族ポリエステルなどである。 〔奨流側〕 次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。 実施例1 芳香族ポリエーテルスルホンフィルムの平滑な面に、4
5@方向からXeClエキシマ−レーザーをエネルギー
密度750mJ/aJで30シミツト照射させ、表面に
間隔1μmの周期的な模様を形成させた、この2枚のフ
ィルムで液晶物質を層状に挟持し、偏光顕微鏡でw1察
したところ、レーザー照射部分の液晶分子は、単結晶液
晶化を形成していることが分かった。 実施例2 芳香族ポリエーテルスルホンフィルムの平滑な面に、4
5°方向からXeClエキシマ−レーザーをエネルギー
密度750 m J / aiで30シミツト照射させ
1表面に間隔的1μmの周期的な模様を形成させた。こ
の2枚のフィルムで二色性色素を1重量%混入した液晶
物質を層状に挟持し、偏光顕微鏡、及び、偏光可視スペ
クトル法で観察したところ、レーザー照射部分の液晶分
子は、高分子フィルム上の模様の方向と同一方向に配向
し。 単結晶液晶化を形成していることが分かった。 実施例3 芳香族ポリエーテルスルホンフィルムの平滑な面に、4
5°方向からXeClエキシマ−レーザーをエネルギー
密度750mJ/aJで100シヨツト照射させ、表面
に間隔的1μmの周期的な模様を形成させた、この2枚
のフィルムで二色性色素を1重量%混入した液晶物質を
層状に挟持し、偏光顕微鏡、及び、偏光可視スペクトル
法で観察したところ、レーザー照射部分の液晶分子は、
高分子フィルム上の模様の方向と同一方向に配向し、単
結晶液晶化を形成していることが分かった。 実施例4 芳香族ポリエーテルスルホンフィルムの平滑な面に、4
5°方向からXeClエキシマ−レーザーをエネルギー
密度750 m J / ajで1シヨツト照射させ、
表面に間隔的1μmの周期的な模様を形成させた、この
2枚のフィルムで二色性色素を11量%混入した液晶物
質を層状に挟持
【7、偏光顕微鏡、及び、偏光可視スペ
クトル法で観察したところ、レーザー照射部分の液晶分
子は、実施例2と比較して配向性はやや低いが、単結晶
液晶化を形成していることが分かった。 手続補正書(自発) 元化技研第1209号 平成15年特許順第15556号 レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法1、事件の表示 2)発明の名称 3、補正をする者 事件との関係特許出願人 住所 東京都千代田区霞が関1−丁目コ3番】号氏名
(114)工業技術院長 杉油 賢(発送日
平成 年 月 日)6、補正により増加する発明
の数 O実施例5 一軸延伸したポリエチレンテレフタレートの平滑な面に
、フィルム面に対し垂直な方向からK r Fエキシマ
−レーザーをエネルギー密度500mJ/fflで5ま
たは]、Oショット照射させ、表面に周期的な模様を形
成させた。この2枚のフィルムで液晶物質髪層状に挟持
し、偏光顕微鏡で観察したところ、レーザー照射部分の
液晶分子は、単結晶液晶化していることが分かった。 実施例6 一軸延伸したポリエチ1ノンテレフタレ−1・の平滑な
面に、フィルム面に対し垂直な方向からKrFエキシマ
−レーザーをエネルギー密度500mJ/−で5または
】0ショッ]−照射させ1表面に周期的な模様を形成さ
せた、この2枚のフィルムで二色性色素を1重量%混入
した液晶物質を層状に挟持し、偏光顕微鏡及び、偏光可
視スペクトル法で観察したところ、レーザー照射部分の
液晶分子は、高分子フィルム−Lの模様の方向と同一方
向に配向し、単結晶液晶化していることが分かった。 実施例7 一軸延伸したポリエチレン2.6−ナフタレ−1−のX
Ji滑な面に、フィルム面に対し垂直な方向からK r
Fエキシマ−lノーザーをエネルギー密度500 m
J / cAで5またはLOショット照射させ、表面
に周期的な模様を形成させた。この2枚のフィルムで液
晶物質を層状に挟持し、優先顕微鏡で観察したところ、
レーザー照射部分の液晶分子は、単結晶液晶化している
ことが分かった。 実施例8 一軸延伸したポリエチレン2.6−ナフタレートの平滑
な面に、フィルム面に対し垂直な方向からK r Fエ
キシマ−レーザーをエネルギー密度500 m J /
rxlで5または]、Oショット照射させ、表面に周
期的な模様を形成させた。この2枚のフィルムで二色性
色素髪1重量%混入した液晶物質を層状に挟持し、偏光
顕微鏡及び、偏光可視スペクトル法で観察したところ、
し・−ザー照射部分の液晶分子は、高分子フィルム上の
模様の方向と同一方向に配向し、単結晶液晶化している
ことが分かった。 実施例9 ポリイミドの平滑な面に、フィルム面に対し垂直な方向
からKrFエキシマ−レーザーをエネルギー密度500
m J / csfで5または10シヨツト照射した
。この2枚のフィルムで液晶物質を層状に挟持し、偏光
顕微鏡で観察したところ、レーザー照射部分の液晶分子
は、単結晶液晶化していることが分かった。
クトル法で観察したところ、レーザー照射部分の液晶分
子は、実施例2と比較して配向性はやや低いが、単結晶
液晶化を形成していることが分かった。 手続補正書(自発) 元化技研第1209号 平成15年特許順第15556号 レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法1、事件の表示 2)発明の名称 3、補正をする者 事件との関係特許出願人 住所 東京都千代田区霞が関1−丁目コ3番】号氏名
(114)工業技術院長 杉油 賢(発送日
平成 年 月 日)6、補正により増加する発明
の数 O実施例5 一軸延伸したポリエチレンテレフタレートの平滑な面に
、フィルム面に対し垂直な方向からK r Fエキシマ
−レーザーをエネルギー密度500mJ/fflで5ま
たは]、Oショット照射させ、表面に周期的な模様を形
成させた。この2枚のフィルムで液晶物質髪層状に挟持
し、偏光顕微鏡で観察したところ、レーザー照射部分の
液晶分子は、単結晶液晶化していることが分かった。 実施例6 一軸延伸したポリエチ1ノンテレフタレ−1・の平滑な
面に、フィルム面に対し垂直な方向からKrFエキシマ
−レーザーをエネルギー密度500mJ/−で5または
】0ショッ]−照射させ1表面に周期的な模様を形成さ
せた、この2枚のフィルムで二色性色素を1重量%混入
した液晶物質を層状に挟持し、偏光顕微鏡及び、偏光可
視スペクトル法で観察したところ、レーザー照射部分の
液晶分子は、高分子フィルム−Lの模様の方向と同一方
向に配向し、単結晶液晶化していることが分かった。 実施例7 一軸延伸したポリエチレン2.6−ナフタレ−1−のX
Ji滑な面に、フィルム面に対し垂直な方向からK r
Fエキシマ−lノーザーをエネルギー密度500 m
J / cAで5またはLOショット照射させ、表面
に周期的な模様を形成させた。この2枚のフィルムで液
晶物質を層状に挟持し、優先顕微鏡で観察したところ、
レーザー照射部分の液晶分子は、単結晶液晶化している
ことが分かった。 実施例8 一軸延伸したポリエチレン2.6−ナフタレートの平滑
な面に、フィルム面に対し垂直な方向からK r Fエ
キシマ−レーザーをエネルギー密度500 m J /
rxlで5または]、Oショット照射させ、表面に周
期的な模様を形成させた。この2枚のフィルムで二色性
色素髪1重量%混入した液晶物質を層状に挟持し、偏光
顕微鏡及び、偏光可視スペクトル法で観察したところ、
し・−ザー照射部分の液晶分子は、高分子フィルム上の
模様の方向と同一方向に配向し、単結晶液晶化している
ことが分かった。 実施例9 ポリイミドの平滑な面に、フィルム面に対し垂直な方向
からKrFエキシマ−レーザーをエネルギー密度500
m J / csfで5または10シヨツト照射した
。この2枚のフィルムで液晶物質を層状に挟持し、偏光
顕微鏡で観察したところ、レーザー照射部分の液晶分子
は、単結晶液晶化していることが分かった。
Claims (4)
- (1)液晶表示装置における電極基板上の高分子フィル
ム表面に高強度の紫外レーザーを照射することで周期的
な模様を形成させ、液晶配向膜を作製する方法。 - (2)特許請求の範囲第1項記載の方法において、液晶
表示電極基板を構成する高分子フィルムが芳香族ポリエ
ーテルスルホン、芳香族ポリイミド及び芳香族ポリエス
テルであることを特徴とする液晶配向膜の製作方法。 - (3)特許請求の範囲第1項記載の方法において、紫外
レーザーがXeF、XeCl、KrF、ArFあるいは
F_2エキシマ−レーザーであることを特徴とする液晶
配向膜の作製方法。 - (4)特許請求の範囲第1項記載の方法において、液晶
表示電極基板を構成する高分子フィルムが芳香族ポリエ
ーテルスルホンであり紫外レーザーがXeClエキシマ
ーレーザーであることを特徴とする液晶配向膜の作製方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1015556A JP2569406B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1015556A JP2569406B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02196219A true JPH02196219A (ja) | 1990-08-02 |
JP2569406B2 JP2569406B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=11892044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1015556A Expired - Lifetime JP2569406B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2569406B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05232473A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-09-10 | F Hoffmann La Roche Ag | 液晶ディスプレーセル |
JPH05313167A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその輝点欠陥修正方法 |
GB2318119A (en) * | 1996-08-20 | 1998-04-15 | Peter Jonathan Samuel Foot | Laser processed conducting polymers |
KR19980081839A (ko) * | 1997-04-30 | 1998-11-25 | 마쯔모또에이찌 | 액정 배향막, 그의 제조 방법 및 그를 사용한 액정 표시 소자 |
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JP2002082336A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Jsr Corp | 液晶配向処理方法および液晶表示素子 |
JP2006171043A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 配向膜及びその製造技術、並びに液晶装置 |
US7218367B2 (en) | 2000-04-03 | 2007-05-15 | Konica Corporation | Optical compensation sheet and liquid crystal display |
JP2010152004A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Jsr Corp | 光学部材用基板 |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPS5450350A (en) * | 1977-09-27 | 1979-04-20 | Sharp Corp | Liquid crystal display device |
JPS63142327A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶分子の配向方法 |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1015556A patent/JP2569406B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH05232473A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-09-10 | F Hoffmann La Roche Ag | 液晶ディスプレーセル |
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US6312769B1 (en) | 1997-04-30 | 2001-11-06 | Jsr Corporation | Liquid crystal alignment layer, production method for the same, and liquid crystal display device comprising the same |
US7218367B2 (en) | 2000-04-03 | 2007-05-15 | Konica Corporation | Optical compensation sheet and liquid crystal display |
JP2002082336A (ja) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Jsr Corp | 液晶配向処理方法および液晶表示素子 |
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JP2010152004A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Jsr Corp | 光学部材用基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2569406B2 (ja) | 1997-01-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |