JPH02196219A - レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法 - Google Patents

レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法

Info

Publication number
JPH02196219A
JPH02196219A JP1015556A JP1555689A JPH02196219A JP H02196219 A JPH02196219 A JP H02196219A JP 1015556 A JP1015556 A JP 1015556A JP 1555689 A JP1555689 A JP 1555689A JP H02196219 A JPH02196219 A JP H02196219A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
laser
polymer film
film
electrode substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1015556A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2569406B2 (ja
Inventor
Hiroyuki Niino
弘之 新納
Akira Yabe
明 矢部
Kojiro Kawabata
川端 康治郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP1015556A priority Critical patent/JP2569406B2/ja
Publication of JPH02196219A publication Critical patent/JPH02196219A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2569406B2 publication Critical patent/JP2569406B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133788Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by light irradiation, e.g. linearly polarised light photo-polymerisation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133765Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers without a surface treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の目的と利用分野〕 本発明は液晶配向膜の作製方法に係り、特に液晶表示電
極基板上の高分子フィルムの表面改質を。 エネルギー源としてエネルギー及び位置制御性にすぐれ
た紫外レーザーを用いて、高分子表面の構造特性を向上
させることで、液晶分子の配向制御に好適な高分子フィ
ルムを作製する方法に関するものである。 液晶を用いた平面型表示装置は、従来のブラウン管を用
いたものと比較して、軽量平面型で容積が小さい、動作
電圧が低く消費電流が少ない等の特長を備えており、今
後、急速にかつ広範囲に普及するものと考えられる。本
発明は、この液晶表示装置の表示画質の改善や大面積表
示化等の改良に関するものである。 〔発明の背景〕 近年、高度情報化社会への変革に支えられて、ゞ警子計
算機等の電子機・器の発達が急速に進Ajでいる。これ
ら電子機器の□出入力装置である表示装置は、業務の多
様化、複雑化に伴い、多機能化が要求されている。表示
装置には、現在、主としてブラウン管が用いられ、容積
の小型化ならびに消費電力の省力化について検討が進め
られている。また、液晶を用いた表示素子は、平面型で
容積が小さく、動作電圧が低く消vIe電流が少ない等
の特長を備えている。しかし、ブラウン管に比べ、表示
画質や表示面積が劣っており、この問題点を解決するた
めに、液晶分子の配向制御方法や高速化等の改良が進め
られている。液晶表示素子は、2枚の電極基板(高分子
フィルムで被覆されている)で液晶物質を層状に挟持し
た構造を基本とし、その特性は、電極基板との界面層に
おける液晶分子配向状態に強く依存する。したがって、
液晶分子の配向制御方法は1表示素子としての特性を決
める上で重要な役割を果たしている。液晶分子の配向制
御方法としては、現在、電極基板上の分子フィルムをナ
イロン布等で一定方向に機械的に擦る、林俊介、液晶:
応用編、p、79 (1985)。 培風館)、シかしながら、この手法では、フィルム上の
静電気の発生、制御性、埃の付着や効果の均一性に関す
る問題が指摘されている2また、最近ホログラフイック
グ1ノーディングの方法を用いて、高分子表面に形態学
的な凹凸を形成させ、液晶分子を配向させることが検討
されている(戸田溝、渡辺典子、竹本敏夫、シャープ波
相、vol。 39.67 (1988)、)。この方法は、リングラ
フィ技術を用いるために、光学装置が大規模になり、そ
の工程もlノジストの塗布、露光、現像等の複数の高度
な工程を含み、コス!−が大きくなる欠点がある6 さらに、■、イケノ等は、ラングミュア−プロジェット
法(LB法)髪用い、ポリイミド配向薄膜を得ているが
(H,Ikeno、As 0h−saki、M、N1t
ta、N、0zaki、Y。 Yokoyama、に、Nakaya、S、KObay
ashi、Jpn、J、Appl、Phys、、Vol
、  27.i、475  (1988)−)。 LB法による配向膜作製では、工程が湿式であること、
あるいは大面積化や効果の再現性についての問題が残さ
れている。 〔発明の概要〕 本発明は、液晶分子の配向制御技術に関して5液晶表示
素子の優れた特性を低下させることなしに、紫外レーザ
ーを用いて電極基板上の高分子フィルムに周期的な模様
を形成させる等の表面改質を簡便に行い、これにより、
液晶分子を配向制御し、液晶表示装置の表示画質の改善
や大面積表示化等の改良が効果的に図れる方法を提供す
る4S、ラザレ等(S、Lazare、R,5rini
vasan、J、Phys、Chem、* Vol、9
0.2124 (1986)、)は、高分子フィルムの
表面を、エキシマ−レーザーなどの高強度紫外1ノーザ
ーで特定部位を照射すると、照射直後に容易に照射部表
面が改質され、現象工程等の後処理を行うことなく、直
後に形態学的な凹凸が形成されることを報告している。 この紫外1ノーザーによる高分子表面の乾式エツチング
は、その表面状態を観察するのに迅速で簡便な方法であ
るとしている。しかし、彼らは、そのエツチングの工業
的な有用性、活用策には何等の提案も行っていない。本
発明者らは、この紫外レーザー高分子乾式エツチング法
における高分子の表面形態変化について鋭意研究を重ね
た結果、レーザー照射により新しく形成された表面は、
安定で、液晶分子等の有機分子を配向制御するのに極め
て適した表面となっていることを見出し、この知見に基
づいて本発明をなすにいたった。さらに、本発明は。 高分子フィルムの改質したい部位に相当するマスク(金
属板製パターンなど)を通過させたレーザービームを照
射することで、希望する照射部分のみに、直接に周期的
な模様を形成させることが可能である。一方、エキシマ
レーザ−のビームは、ヘリウム−ネオンレーザ−、アル
ゴン及びクリプトンイオンレーザ−やNd”:YAGレ
ーザー等の他のレーザーのビームと比較して、ビーム形
状は大きく、ビームを走査させ、任意の形状の改質べき
部位を照射することで、大面積化にも容易に対応できる
。特に1本発明は、紫外レーザーによる非熱的な光化学
反応により、高分子化合物が反応するので、照射部位以
外の周辺には何等の熱的損傷を伴わず、かつ、レーザー
により切削された断片は、高エネルギーを有したフラグ
メントとして、周囲に高速で飛散していくので、それら
の断片が周囲には付着しておらず洗浄する必要もない極
めて効果的な処理である6本発明は、従来のラビング法
、ホログラフィックグレーティング法やLB法と比べ、
配向膜の性能やコストの点で有利なものである。また、
レーザーエツチング反応は、高分子フィルムのみで起こ
り、電極等の素子に対する損傷は全く観測されなかった
。模様の形状、大きさ、及び除去されるフィルムの量、
すなわち切削される深さは、照射するレーザーの波長。 フルエンス、パルス数により制御できる。また、本方法
は通常の空気中、常温常圧雰囲気中での作業で良く、極
めて容易な工程であり、作業雰囲気も減圧下、活性ガス
、不活性ガス中と変えることも可能である。こうして、
レーザー照射部分の高分子フィルム表面上では、形態学
的には周期的な、物理的、化学的に安定な凹凸(畝)が
生まれている。 本発明におけるレーザーとしては、紫外レーザーが適し
ており、特に好適には、XeF (351nm)* X
eC1(308nm)* KrF (248nm)、A
rF (193nm)あるいはF、 (157nm)エ
キシマ−レーザーである。また。 Nd”: YAG、色素レーザー、Krイオンレーザ−
、Arイオンレーザ−あるいは銅蒸気レーザーの基本発
振波長光を非線形光学素子などにより、紫外光領域のレ
ーザーに変換したものも有効である。レーザーのフルエ
ンスとしては、素材により異なるが、約0.1mJ/a
J/パルス以上の高輝度レーザーが望ましい。 なお、本発明において、対象となる高分子フィルムは、
例えば、芳香族ポリエーテルスルホン、芳香族ポリイミ
ド及び芳香族ポリエステルなどである。 〔奨流側〕 次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。 実施例1 芳香族ポリエーテルスルホンフィルムの平滑な面に、4
5@方向からXeClエキシマ−レーザーをエネルギー
密度750mJ/aJで30シミツト照射させ、表面に
間隔1μmの周期的な模様を形成させた、この2枚のフ
ィルムで液晶物質を層状に挟持し、偏光顕微鏡でw1察
したところ、レーザー照射部分の液晶分子は、単結晶液
晶化を形成していることが分かった。 実施例2 芳香族ポリエーテルスルホンフィルムの平滑な面に、4
5°方向からXeClエキシマ−レーザーをエネルギー
密度750 m J / aiで30シミツト照射させ
1表面に間隔的1μmの周期的な模様を形成させた。こ
の2枚のフィルムで二色性色素を1重量%混入した液晶
物質を層状に挟持し、偏光顕微鏡、及び、偏光可視スペ
クトル法で観察したところ、レーザー照射部分の液晶分
子は、高分子フィルム上の模様の方向と同一方向に配向
し。 単結晶液晶化を形成していることが分かった。 実施例3 芳香族ポリエーテルスルホンフィルムの平滑な面に、4
5°方向からXeClエキシマ−レーザーをエネルギー
密度750mJ/aJで100シヨツト照射させ、表面
に間隔的1μmの周期的な模様を形成させた、この2枚
のフィルムで二色性色素を1重量%混入した液晶物質を
層状に挟持し、偏光顕微鏡、及び、偏光可視スペクトル
法で観察したところ、レーザー照射部分の液晶分子は、
高分子フィルム上の模様の方向と同一方向に配向し、単
結晶液晶化を形成していることが分かった。 実施例4 芳香族ポリエーテルスルホンフィルムの平滑な面に、4
5°方向からXeClエキシマ−レーザーをエネルギー
密度750 m J / ajで1シヨツト照射させ、
表面に間隔的1μmの周期的な模様を形成させた、この
2枚のフィルムで二色性色素を11量%混入した液晶物
質を層状に挟持
【7、偏光顕微鏡、及び、偏光可視スペ
クトル法で観察したところ、レーザー照射部分の液晶分
子は、実施例2と比較して配向性はやや低いが、単結晶
液晶化を形成していることが分かった。 手続補正書(自発) 元化技研第1209号 平成15年特許順第15556号 レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法1、事件の表示 2)発明の名称 3、補正をする者 事件との関係特許出願人 住所  東京都千代田区霞が関1−丁目コ3番】号氏名
(114)工業技術院長  杉油 賢(発送日    
   平成 年 月 日)6、補正により増加する発明
の数  O実施例5 一軸延伸したポリエチレンテレフタレートの平滑な面に
、フィルム面に対し垂直な方向からK r Fエキシマ
−レーザーをエネルギー密度500mJ/fflで5ま
たは]、Oショット照射させ、表面に周期的な模様を形
成させた。この2枚のフィルムで液晶物質髪層状に挟持
し、偏光顕微鏡で観察したところ、レーザー照射部分の
液晶分子は、単結晶液晶化していることが分かった。 実施例6 一軸延伸したポリエチ1ノンテレフタレ−1・の平滑な
面に、フィルム面に対し垂直な方向からKrFエキシマ
−レーザーをエネルギー密度500mJ/−で5または
】0ショッ]−照射させ1表面に周期的な模様を形成さ
せた、この2枚のフィルムで二色性色素を1重量%混入
した液晶物質を層状に挟持し、偏光顕微鏡及び、偏光可
視スペクトル法で観察したところ、レーザー照射部分の
液晶分子は、高分子フィルム−Lの模様の方向と同一方
向に配向し、単結晶液晶化していることが分かった。 実施例7 一軸延伸したポリエチレン2.6−ナフタレ−1−のX
Ji滑な面に、フィルム面に対し垂直な方向からK r
 Fエキシマ−lノーザーをエネルギー密度500 m
 J / cAで5またはLOショット照射させ、表面
に周期的な模様を形成させた。この2枚のフィルムで液
晶物質を層状に挟持し、優先顕微鏡で観察したところ、
レーザー照射部分の液晶分子は、単結晶液晶化している
ことが分かった。 実施例8 一軸延伸したポリエチレン2.6−ナフタレートの平滑
な面に、フィルム面に対し垂直な方向からK r Fエ
キシマ−レーザーをエネルギー密度500 m J /
 rxlで5または]、Oショット照射させ、表面に周
期的な模様を形成させた。この2枚のフィルムで二色性
色素髪1重量%混入した液晶物質を層状に挟持し、偏光
顕微鏡及び、偏光可視スペクトル法で観察したところ、
し・−ザー照射部分の液晶分子は、高分子フィルム上の
模様の方向と同一方向に配向し、単結晶液晶化している
ことが分かった。 実施例9 ポリイミドの平滑な面に、フィルム面に対し垂直な方向
からKrFエキシマ−レーザーをエネルギー密度500
 m J / csfで5または10シヨツト照射した
。この2枚のフィルムで液晶物質を層状に挟持し、偏光
顕微鏡で観察したところ、レーザー照射部分の液晶分子
は、単結晶液晶化していることが分かった。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)液晶表示装置における電極基板上の高分子フィル
    ム表面に高強度の紫外レーザーを照射することで周期的
    な模様を形成させ、液晶配向膜を作製する方法。
  2. (2)特許請求の範囲第1項記載の方法において、液晶
    表示電極基板を構成する高分子フィルムが芳香族ポリエ
    ーテルスルホン、芳香族ポリイミド及び芳香族ポリエス
    テルであることを特徴とする液晶配向膜の製作方法。
  3. (3)特許請求の範囲第1項記載の方法において、紫外
    レーザーがXeF、XeCl、KrF、ArFあるいは
    F_2エキシマ−レーザーであることを特徴とする液晶
    配向膜の作製方法。
  4. (4)特許請求の範囲第1項記載の方法において、液晶
    表示電極基板を構成する高分子フィルムが芳香族ポリエ
    ーテルスルホンであり紫外レーザーがXeClエキシマ
    ーレーザーであることを特徴とする液晶配向膜の作製方
    法。
JP1015556A 1989-01-25 1989-01-25 レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法 Expired - Lifetime JP2569406B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1015556A JP2569406B2 (ja) 1989-01-25 1989-01-25 レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1015556A JP2569406B2 (ja) 1989-01-25 1989-01-25 レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02196219A true JPH02196219A (ja) 1990-08-02
JP2569406B2 JP2569406B2 (ja) 1997-01-08

Family

ID=11892044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1015556A Expired - Lifetime JP2569406B2 (ja) 1989-01-25 1989-01-25 レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2569406B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05232473A (ja) * 1991-07-26 1993-09-10 F Hoffmann La Roche Ag 液晶ディスプレーセル
JPH05313167A (ja) * 1992-05-13 1993-11-26 Sharp Corp 液晶表示装置及びその輝点欠陥修正方法
GB2318119A (en) * 1996-08-20 1998-04-15 Peter Jonathan Samuel Foot Laser processed conducting polymers
KR19980081839A (ko) * 1997-04-30 1998-11-25 마쯔모또에이찌 액정 배향막, 그의 제조 방법 및 그를 사용한 액정 표시 소자
US6001277A (en) * 1995-05-26 1999-12-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Liquid-crystal alignment film
US6304306B1 (en) 1995-02-17 2001-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for producing the same
JP2002082336A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Jsr Corp 液晶配向処理方法および液晶表示素子
JP2006171043A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Fuji Photo Film Co Ltd 配向膜及びその製造技術、並びに液晶装置
US7218367B2 (en) 2000-04-03 2007-05-15 Konica Corporation Optical compensation sheet and liquid crystal display
JP2010152004A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Jsr Corp 光学部材用基板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5450350A (en) * 1977-09-27 1979-04-20 Sharp Corp Liquid crystal display device
JPS63142327A (ja) * 1986-12-04 1988-06-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶分子の配向方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5450350A (en) * 1977-09-27 1979-04-20 Sharp Corp Liquid crystal display device
JPS63142327A (ja) * 1986-12-04 1988-06-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶分子の配向方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838407A (en) * 1991-07-26 1998-11-17 Rolic Ag Liquid crystal display cells
JPH05232473A (ja) * 1991-07-26 1993-09-10 F Hoffmann La Roche Ag 液晶ディスプレーセル
JPH05313167A (ja) * 1992-05-13 1993-11-26 Sharp Corp 液晶表示装置及びその輝点欠陥修正方法
US6304306B1 (en) 1995-02-17 2001-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for producing the same
US6001277A (en) * 1995-05-26 1999-12-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Liquid-crystal alignment film
GB2318119B (en) * 1996-08-20 2000-05-24 Peter Jonathan Samuel Foot Laser processed conducting polymers
GB2318119A (en) * 1996-08-20 1998-04-15 Peter Jonathan Samuel Foot Laser processed conducting polymers
KR19980081839A (ko) * 1997-04-30 1998-11-25 마쯔모또에이찌 액정 배향막, 그의 제조 방법 및 그를 사용한 액정 표시 소자
US6312769B1 (en) 1997-04-30 2001-11-06 Jsr Corporation Liquid crystal alignment layer, production method for the same, and liquid crystal display device comprising the same
US7218367B2 (en) 2000-04-03 2007-05-15 Konica Corporation Optical compensation sheet and liquid crystal display
JP2002082336A (ja) * 2000-09-08 2002-03-22 Jsr Corp 液晶配向処理方法および液晶表示素子
JP2006171043A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Fuji Photo Film Co Ltd 配向膜及びその製造技術、並びに液晶装置
JP4549833B2 (ja) * 2004-12-13 2010-09-22 富士フイルム株式会社 配向膜及びその製造技術、並びに液晶装置
JP2010152004A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Jsr Corp 光学部材用基板

Also Published As

Publication number Publication date
JP2569406B2 (ja) 1997-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8173930B2 (en) Apparatus for cutting substrate
US20060096962A1 (en) Method for cutting substrate using femtosecond laser
JPH02196219A (ja) レーザーを用いた液晶配向膜の作製方法
JP3293136B2 (ja) レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2000301372A (ja) 透明材料のレーザ加工方法
JP2740764B2 (ja) 高分子成形品表面の選択的無電解めっき方法
JPS6189636A (ja) 光加工方法
Yabe et al. Polymer ablation with excimer lasers
JPS6374033A (ja) パタ−ン形成方法
Pipinytė et al. Laser-induced-damage threshold of periodically poled lithium niobate for 1030 nm femtosecond laser pulses at 100 kHz and 75 MHz
JP3928066B2 (ja) 積層型光学薄膜およびその製造方法
JPH04353529A (ja) ポリエステルの表面改質法
JP3194010B2 (ja) 高反応性活性種が表面に固定されている改質された固体表面
JPH0651314A (ja) 液晶ディスプレイパネルの製造方法
Tsai et al. Laser patterning indium tin oxide (ITO) coated on PET substrate
JPH06130390A (ja) 配向膜の配向処理方法
JPH10213803A (ja) 配向膜とその製造方法および光電素子
JPS61208038A (ja) 非線形光学用有機結晶薄膜の作製方法
JPS6127623A (ja) 光化学反応誘起用光源
Yamashita et al. Molecular Size Dependence in Third Order Susceptibility of Evaporated Tin-Phthalocyanine Thin Film
JPS63142327A (ja) 液晶分子の配向方法
Nishio et al. Preparation of organic semiconductive thin films by laser ablation: Control of structure and electric properties by selecting wavelength, fluence, and substrate temperature
Suzuki et al. Ablation lithography for TFT-LCD
Wen et al. Fabrication of ferroelectrics LiNbO3 thin films by pseudospark electron beams
Chen et al. Laser processing of silicon at submicron scale using photochromic films

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term