JPH02195698A - 高周波プラズマ発生検出装置 - Google Patents

高周波プラズマ発生検出装置

Info

Publication number
JPH02195698A
JPH02195698A JP1014692A JP1469289A JPH02195698A JP H02195698 A JPH02195698 A JP H02195698A JP 1014692 A JP1014692 A JP 1014692A JP 1469289 A JP1469289 A JP 1469289A JP H02195698 A JPH02195698 A JP H02195698A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
phase
frequency
voltage
plasma generation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1014692A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0711994B2 (ja
Inventor
Junichiro Ozaki
純一郎 小崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP1014692A priority Critical patent/JPH0711994B2/ja
Publication of JPH02195698A publication Critical patent/JPH02195698A/ja
Publication of JPH0711994B2 publication Critical patent/JPH0711994B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、例えば高周波励振型プラズマCVD装置等の
高周波プラズマ発生装置におけるプラズマ発生の有無を
検出するための装置に関する。
〈従来の技術〉 一般に、高周波プラズマ発生検出装置は、プラズマ発生
装置とその高周波導入側の整合回路との間に接続され、
通常、整合装置内に組み込まれている。
従来の高周波プラズマ発生検出装置は、例えば第3図に
示すように、リアクタンス34a1コンデンサ34bか
らなるフィルタ、電圧分割用抵抗34c、34dおよび
コンパレータ34e等を備え、高周波プラズマ発生装置
1においてプラズマの発生により高周波印加電極1aに
負のバイアス電圧が生じたときに、コンパレータ34e
から信号が出力されるよう構成されている。すなわち、
高周波印加電極1aに生じる負のバイアス電圧を検出す
ることによってプラズマの発生を検出し、その旨の信号
をコンパレータ34eから出力するよう構成されている
〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、高周波励振型プラズマCVD装置では、ウェ
ハに絶縁膜を形成する過程等において、何らかの理由に
より、高周波印加電極の負のバイアス電圧がOになるこ
とがある。このように、プラズマ発生装置においてプラ
ズマが発生しているのにもかかわらず、負のバイアス電
圧が0になった場合、このプラズマ発生を、従来のプラ
ズマ発生検出装置では検出できない。
また、例えば第4図に示すように、複数のプラズマ発生
領域が設けられたプラズマCVD装置41においては、
一般に各高周波印加電極41a、。
41 a zそれぞれにバランスコンデンサ41 c 
r。
41c2が接続されており、このため、プラズマ発生時
に各電極41 aI+  41 axに負のバイアス電
圧が生じても、そのバイアス電圧はバランスコンデンサ
41 cI、41 Cmによって遮断されてしまう。従
って、この種の装置のプラズマ発生の有無を、従来のプ
ラズマ発生検出装置によって検出することは不可能であ
った。
本発明の目的は、高周波プラズマ発生装置の構造もしく
はその使用状況等に影響されることなく、プラズマ発生
を確実に検出することのできる、高周波プラズマ発生検
出装置を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉 上記の目的を達成するための構成を、実施例に対応する
第1図を参照しつつ説明すると、本発明は、高周波プラ
ズマ発生源(例えば容量結合型のプラズマ発生装置1)
への導入高周波の高周波電圧および電流を、それぞれ検
出するための電圧検出手段4aおよび電流検出手段4b
と、その電圧および電流検出手段4aおよび4bによっ
て検出される電圧Vと電流■との位相差を検出する位相
検出手段4Cと、この位相検出手段4Cによる検出値と
あらかじめ設定した値とを比較し、その比較結果を出力
する比較手段(例えばコンパレータ4d)を備え、その
比較手段の出力を高周波プラズマ発生源のプラズマ発生
の有無の検出情報として供するよう構成したことを特徴
としている。
く作用〉 例えば第1図、第3図に示す容量結合型のプラズマ発生
装置1において、プラズマが発生していない場合、この
装置には、第2図(a)の等価回路に示すように、高周
波印加電極1a自体の浮遊容量Caによる容量性リアク
タンスのみが存在する。
従って、この場合の入力インピーダンスの位相argZ
aは−906となる。
一方、プラズマが発生している場合には、第2図(bl
の等価回路に示すように、上記の浮遊容量Caに発生プ
ラズマ自体のレジスタンスRbおよびキャパシタンスc
bが加わり、これにより入力インピーダンスの位相ar
gZbは一90°より大きくなる。
以上のことから、高周波プラズマ発生装置の入力インピ
ーダンスの位相を検出し、その位相検出値が一90’よ
り大であるか否かを判断するによってプラズマ発生の有
無を知ることができる。
ここで、高周波プラズマ発生装置の入力インピーダンス
の位相argZは、導入高周波の電圧■、電流Iとの間
に次の関係がある。
arg Z =argV −arg 1従って、高周波
プラズマ発生装置の入力インピーダンスは、実際には装
置への入力高周波の電圧と電流との位相差を検出すれば
よい。
〈実施例〉 本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説明する。
第1図は本発明実施例の構成を示すブロック図である。
プラズマ発生装置1は、一般に知られている容量結合型
の高周波プラズマ発生装置であって、高周波電源2から
整合回路3aを介して高周波を導入することによって、
高周波印加電極1aと接地電極1bとの間にプラズマを
生成することができる。
さて、プラズマ発生装置1と整合回路3aとの間の高周
波電力線路に、プラズマ発生装置1への高周波の電圧お
よび電流をそれぞれ検出するための電圧検出素子4aお
よび電流検出素子4bが接続されている。
電圧および電流検出素子4aおよび4bによって検出さ
れた電圧信号Vおよび電流信号■はそれぞれ位相検出器
4cに入力される。位相検出器4cは電圧信号Vと電流
信号■の位相差argV −arg 1を検出し、その
位相差に比例した電圧信号Vzをコンパレータ4dに供
給する。コンパレータ4dは、この入力電圧信号Vzと
、あらかじめ設定された基準電圧を比較し、電圧信号V
2が基準電圧より大きいときにプラズマが発生している
旨の信号を出力するよう構成されている。
これらの電圧および電流検出素子4aおよび4b、位相
検出器4C、コンパレータ4d等によって高周波プラズ
マ発生検出装置を構成し、この装置全体が整合装置3内
に組み込まれる。
次に、作用を第2図を参照して説明する。なお、第2図
は第1図に示すプラズマ発生装置1の等価回路図である
プラズマ発生装置1においてプラズマが発生していない
ときには、第2図(a)に示すように、容量Caによる
容量性リアクタンスのみが存在し、従って、この場合の
プラズマ発生装置1における入力インピーダンスの位相
argZaは−90”である。
なお、容量Caは高周波印加電極1とそのシールド電極
(図示せず)との間に形成される空間の浮遊容量である
一方、プラズマが発生している場合には、上記の浮遊容
量Caに、プラズマ自体のレジスタンスRbおよびキャ
パシタンスcbが加わることになり、この場合の入力イ
ンピーダンスの位相argZbは一90″より太き(な
る。
ここで、本発明実施例の位相検出器4cの出力は、プラ
ズマ発生装置1への導入高周波の電圧と電流との位相差
argV −arg I 、すなわち、プラズマ発生装
置1の入力インピーダンスの位相arg Zに比例した
電圧信号Vzであり、従って、プラズマ発生装置1の入
力インピーダンスの位相arg Z=−90°に対応す
る電圧信号Vzを前もって調査しておき、その値をもっ
てコンパレータ4dの基準電圧としておけば、プラズマ
発生装置1においてプラズマが発生した時点で、コンパ
レータ4dから自動的にその旨の信号が出力されること
になる。
以上のように、本発明によると、高周波プラズマ発生装
置におけるプラズマ発生前後の入力インピーダンスの位
相の変化、換言すれば、発生プラズマ自体のレジスタン
スによる高周波電力の消費量を検出することによって、
プラズマ発生の有無を検出するので、例えば第4図に示
すような、バランスコンデンサ41C1,4tczが設
けられたプラズマCVD装置41にも適用可能である。
〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、高周波プラズマ
発生装置におけるプラズマ発生前後の入力インピーダン
スの位相の変化からプラズマ発生の有無を検出するよう
構成したから、高周波プラズマ発生装置の構造あるいは
使用状況に関係なく、プラズマ発生を確実に検出するこ
とができる。しかも、高周波プラズマ発生装置を改造す
る必要はなく、既存の高周波プラズマ発生装置にも容易
に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の構成を示すブロック図、第2図
は第1図に示すプラズマ発生装置1の等価回路図である
。 第3図は従来のプラズマ発生検出装置の構成を示すブロ
ック図、 第4図は高周波プラズマCVD装置の構成例を示すブロ
ック図である。 a b C d

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高周波プラズマ発生源への導入高周波の高周波電圧およ
    び電流を、それぞれ検出するための電圧検出手段および
    電流検出手段と、その電圧および電流検出手段によって
    検出される電圧と電流との位相差を検出する位相検出手
    段と、この位相検出手段による検出値とあらかじめ設定
    した値とを比較し、その比較結果を出力する比較手段を
    備え、その比較手段の出力を当該高周波プラズマ発生源
    のプラズマ発生の有無の検出情報として供するよう構成
    した、高周波プラズマ発生検出装置。
JP1014692A 1989-01-24 1989-01-24 高周波プラズマ発生検出装置 Expired - Fee Related JPH0711994B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1014692A JPH0711994B2 (ja) 1989-01-24 1989-01-24 高周波プラズマ発生検出装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1014692A JPH0711994B2 (ja) 1989-01-24 1989-01-24 高周波プラズマ発生検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02195698A true JPH02195698A (ja) 1990-08-02
JPH0711994B2 JPH0711994B2 (ja) 1995-02-08

Family

ID=11868245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1014692A Expired - Fee Related JPH0711994B2 (ja) 1989-01-24 1989-01-24 高周波プラズマ発生検出装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0711994B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6858446B2 (en) 1998-07-10 2005-02-22 Seiko Epson Corporation Plasma monitoring method and semiconductor production apparatus
JP2008210599A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Nagano Japan Radio Co プラズマ処理装置
JP2019186098A (ja) * 2018-04-12 2019-10-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマを生成する方法
US20230087537A1 (en) * 2021-09-23 2023-03-23 New Power Plasma Co., Ltd. Plasma reactor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS583985A (ja) * 1981-06-30 1983-01-10 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 反応性イオン食刻装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS583985A (ja) * 1981-06-30 1983-01-10 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 反応性イオン食刻装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6858446B2 (en) 1998-07-10 2005-02-22 Seiko Epson Corporation Plasma monitoring method and semiconductor production apparatus
JP2008210599A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Nagano Japan Radio Co プラズマ処理装置
JP2019186098A (ja) * 2018-04-12 2019-10-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマを生成する方法
US20230087537A1 (en) * 2021-09-23 2023-03-23 New Power Plasma Co., Ltd. Plasma reactor

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0711994B2 (ja) 1995-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7722778B2 (en) Methods and apparatus for sensing unconfinement in a plasma processing chamber
Sobolewski Current and voltage measurements in the Gaseous Electronics Conference rf Reference Cell
US5025135A (en) Circuit configuration for the recognition of a plasma
JPH02195698A (ja) 高周波プラズマ発生検出装置
JPH11142451A (ja) コンデンサの測定端子接触検出方法
JPH1167885A (ja) 基板保持装置
JP3131392B2 (ja) 絶縁抵抗検出装置
JP4136079B2 (ja) 直流電流検出装置
JPH1078461A (ja) 絶縁抵抗測定方法
US20020025685A1 (en) Endpoint control for small open area by RF source parameter Vdc
JP3122544B2 (ja) 高調波発生方向検出方法及びその装置
JPS6156979A (ja) 電力ケ−ブルの絶縁測定方法
JPH07131094A (ja) レーザ発振器の高周波電源の位相検出による異常検出装置
JP2942892B2 (ja) 非接地電路の絶縁抵抗測定方法
JP3042563B2 (ja) 複数ケーブルの識別方法
JPH06235747A (ja) 被識別対象物の識別方法
JPH0248934Y2 (ja)
JP2000147038A (ja) コンデンサ用測定装置
JP3196981B2 (ja) 被識別対象物の識別方法
JP2005071872A (ja) 高周波電源装置および高周波電力供給方法
JPS638570A (ja) ケ−ブル防食層の常時監視方法
JPH0618606A (ja) 絶縁劣化警報発生方法
JPH0225788A (ja) ビーム配量の測定法
KR20000009019U (ko) 플라즈마 포텐셜 검출 회로
JPH09326659A (ja) 高周波伝送線路における負荷弁別器

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees