JPH02193120A - 液晶表示体用透明基板 - Google Patents
液晶表示体用透明基板Info
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- JPH02193120A JPH02193120A JP1367189A JP1367189A JPH02193120A JP H02193120 A JPH02193120 A JP H02193120A JP 1367189 A JP1367189 A JP 1367189A JP 1367189 A JP1367189 A JP 1367189A JP H02193120 A JPH02193120 A JP H02193120A
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- liquid crystal
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- polyisothianaphthene
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、大型液晶デイスプレィに使用される透明基板
に関する。
に関する。
［従来の技術］
従来の液晶表示素子は、透明電極としてＩＴＯ膜などの
金属酸化物薄膜を蒸着した透明ガラス基板を、適当な間
隔を持たせて平行配置し、周辺をシール材で固定し、中
に液晶を封入した形状をとている。このガラス基板を用
いた液晶表示素子は特性面や信頼性の点で、既に十分な
実績が認められている。しかし、その多用途化、大面積
化につれてガラス基板の厚さは次第に薄くなり、機械的
強度の低下が問題になってきた。
金属酸化物薄膜を蒸着した透明ガラス基板を、適当な間
隔を持たせて平行配置し、周辺をシール材で固定し、中
に液晶を封入した形状をとている。このガラス基板を用
いた液晶表示素子は特性面や信頼性の点で、既に十分な
実績が認められている。しかし、その多用途化、大面積
化につれてガラス基板の厚さは次第に薄くなり、機械的
強度の低下が問題になってきた。
このため、ガラスに代わり、耐衝撃性などの機械的強度
に優れた透明プラスチックフィルム基板を用いた液晶表
示素子が考えられてきた。この場合、ポリカーボネート
、ポリエチレンテレフタレト（以ｌ；’ ？ Ｆ Ｔと
略す）等を基板とし、ガラスと同様に工Ｔ○膜やＮＥＳ
Ａ膜等の透明導電性膜を基板上に作成した構造である。
に優れた透明プラスチックフィルム基板を用いた液晶表
示素子が考えられてきた。この場合、ポリカーボネート
、ポリエチレンテレフタレト（以ｌ；’ ？ Ｆ Ｔと
略す）等を基板とし、ガラスと同様に工Ｔ○膜やＮＥＳ
Ａ膜等の透明導電性膜を基板上に作成した構造である。
［発明が解決しようとｔ４七る課題］
プラスチックフィルム基板の場合、ガラス基板に比べ透
明電極の形成時に高温処理ができないため、抵抗値が高
くなってしまう。この抵抗値を低くするためには、基板
上の透明電極の膜厚を厚くしなければならない。しかし
この場合、結果透明性が大幅に低下するという問題点を
有している。
明電極の形成時に高温処理ができないため、抵抗値が高
くなってしまう。この抵抗値を低くするためには、基板
上の透明電極の膜厚を厚くしなければならない。しかし
この場合、結果透明性が大幅に低下するという問題点を
有している。
本発明はこのような問題点を解決するものであリ、その
目的とするところは、高い電導塵と透明性を有する、全
てプラスチックからなる液晶表示体用透明基板を提供す
ることにある。
目的とするところは、高い電導塵と透明性を有する、全
てプラスチックからなる液晶表示体用透明基板を提供す
ることにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の液晶表示体用透明基板は、透明プラスチックフ
ィルム上に、透明電極としてポリイソチアナフテンが、
特定の電極パターンを持つように形成された構造である
ことを特徴とする。
ィルム上に、透明電極としてポリイソチアナフテンが、
特定の電極パターンを持つように形成された構造である
ことを特徴とする。
［作用コ
透明プラスチック上に、所定の電極パターンに沿って重
合及びドーピングされたＰＩＴＮ膜を形成する。このＰ
ＩＴＮ膜は高い導電性と光透過率を有している。このた
め、この透明基板は液晶表示体用透明基板への応用が可
能になる。
合及びドーピングされたＰＩＴＮ膜を形成する。このＰ
ＩＴＮ膜は高い導電性と光透過率を有している。このた
め、この透明基板は液晶表示体用透明基板への応用が可
能になる。
［実施例］
テトラ−フェニル−フォスフオニウム塩化物と無水アセ
トニトリルからなる電解質中て、イソチアナフテンを重
合する。このとき使用する電極は、電極上に所定の電極
パターンを得ることができるように絶縁層を形成したも
のであり、電極界面から導電性のポリイソチアナフテン
が析出してくる。
トニトリルからなる電解質中て、イソチアナフテンを重
合する。このとき使用する電極は、電極上に所定の電極
パターンを得ることができるように絶縁層を形成したも
のであり、電極界面から導電性のポリイソチアナフテン
が析出してくる。
このポリイソチアナフテンをよう素或は過塩素酸でドー
ピングを行った後、透明プラスチックのポリエチレンテ
レフタレート（以下ＰＥＴと略す）をキャスティングし
てフィルムを作成して、電極から取り外す。
ピングを行った後、透明プラスチックのポリエチレンテ
レフタレート（以下ＰＥＴと略す）をキャスティングし
てフィルムを作成して、電極から取り外す。
第１図に本発明の透明基板とそれに対応する重合用電極
の縦断面図を示す。透明なＰ Ｅ Ｔフィルム１０２上
に、所定のパターンからなるポリイソチアナフテン電極
１０１が形成されている。このポリイソチアナフテンは
、ドーピングにより、光の吸収スペクトルのピークが可
視光部から遠赤外部にシフトするため高い光透過率が得
られ、ポリイソチアナフテンの持つ高い電導塵と併せて
、従来の複合型透明導電性高分子ではてきない優れた透
明電極が得られた。作成した透明基板の光透過率と、ポ
リイソイタナフテン膜の表面抵抗は、各々９５（％）と
１００（Ω／口）であった。
の縦断面図を示す。透明なＰ Ｅ Ｔフィルム１０２上
に、所定のパターンからなるポリイソチアナフテン電極
１０１が形成されている。このポリイソチアナフテンは
、ドーピングにより、光の吸収スペクトルのピークが可
視光部から遠赤外部にシフトするため高い光透過率が得
られ、ポリイソチアナフテンの持つ高い電導塵と併せて
、従来の複合型透明導電性高分子ではてきない優れた透
明電極が得られた。作成した透明基板の光透過率と、ポ
リイソイタナフテン膜の表面抵抗は、各々９５（％）と
１００（Ω／口）であった。
この透明基板を用いて液晶表示素子を作成したところ、
動作することを確認した。
動作することを確認した。
このポリイソチアナフテン膜の導電性は、重合温度によ
って大きく変化し、低温での重合で高い電導塵が得られ
る。このため、ＩＴＯ膜などのような高温処理が必要な
くなり、基板に要求される特性に従い、色々な透明プラ
スチックを使用することができる。
って大きく変化し、低温での重合で高い電導塵が得られ
る。このため、ＩＴＯ膜などのような高温処理が必要な
くなり、基板に要求される特性に従い、色々な透明プラ
スチックを使用することができる。
従来の複合型透明導電性高分子の場合、導電性を上げれ
ば光透過率が低下するなどの問題点があったが、ポリイ
ソチアナフテン膜の場合、導電性を上げても光透過率は
低下しないため、高い導電性を得ることができる。
ば光透過率が低下するなどの問題点があったが、ポリイ
ソチアナフテン膜の場合、導電性を上げても光透過率は
低下しないため、高い導電性を得ることができる。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明の透明基板は、透明フィルム
上に電極として、光透過性及び導電性を有するポリイソ
チアナフテンを、所定の電極パターンに電解重合するた
め、全てプラスチックからなり、且つ高い導電性と光透
過性を示す。このため、従来のＩＴＯ膜を付けたガラス
基板に比べ、軽量化、大型化が可能になると言う効果を
有する。また、ＩＴＯ膜をつけたプラスチック基板に比
べると、基板を高温にさらす必要がないため、透明プラ
スチックの材質にそれほど耐熱性が要求されず、低コス
ト化につながるという効果を有する。
上に電極として、光透過性及び導電性を有するポリイソ
チアナフテンを、所定の電極パターンに電解重合するた
め、全てプラスチックからなり、且つ高い導電性と光透
過性を示す。このため、従来のＩＴＯ膜を付けたガラス
基板に比べ、軽量化、大型化が可能になると言う効果を
有する。また、ＩＴＯ膜をつけたプラスチック基板に比
べると、基板を高温にさらす必要がないため、透明プラ
スチックの材質にそれほど耐熱性が要求されず、低コス
ト化につながるという効果を有する。
れに対応する重合用電極の縦断面図。
−５＝
６一
／ρ２
７．ａ’）１子レンチレフクルード
（ｂ）
第
図
Claims (1)
- 透明プラスチックフィルム上に、透明電極としてポリイ
ソチアナフテン（以下、ＰＩＴＮと略す）が、特定の電
極パターンを持つように形成された構造であることを特
徴とする液晶表示体用透明基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1367189A JPH02193120A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 液晶表示体用透明基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1367189A JPH02193120A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 液晶表示体用透明基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02193120A true JPH02193120A (ja) | 1990-07-30 |
Family
ID=11839657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1367189A Pending JPH02193120A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 液晶表示体用透明基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02193120A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510457A (en) * | 1995-04-24 | 1996-04-23 | National Science Council | Method for preparing processable polyisothianaphthene |
| US5696206A (en) * | 1996-01-11 | 1997-12-09 | National Science Council | Method for preparing processable polyisothianaphthene |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1367189A patent/JPH02193120A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510457A (en) * | 1995-04-24 | 1996-04-23 | National Science Council | Method for preparing processable polyisothianaphthene |
| US5696206A (en) * | 1996-01-11 | 1997-12-09 | National Science Council | Method for preparing processable polyisothianaphthene |
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