JPH02192744A - 樹脂モールド型半導体装置 - Google Patents
樹脂モールド型半導体装置Info
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- JPH02192744A JPH02192744A JP1242489A JP1242489A JPH02192744A JP H02192744 A JPH02192744 A JP H02192744A JP 1242489 A JP1242489 A JP 1242489A JP 1242489 A JP1242489 A JP 1242489A JP H02192744 A JPH02192744 A JP H02192744A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔１既 要〕
樹脂モールド型半導体装置、特に外部接続リードと半導
体チップとの間をフィルムキャリアで接続する樹脂モー
ルド型半導体装置に関し、耐湿性の劣化及び製造工程の
複雑化を伴わずに形成できて放熱効果のすぐれた低熱抵
抗構造の提供を目的とし、 樹脂フィルムの表面に金属箔パターンを有し裏面に該裏
面全面を覆う金属箔を有してなるフィルムキャリアと、
該フィルムキャリアの表面部に該金属箔パターンの一端
部を介して固着された半導体チップと、該フィルムキャ
リアの表面上において該金属箔パターンの他端部に一端
部が接続され該フィルムキャリアの外部に延在する外部
接続リードと、該半導体チップ及び外部接続リードの一
端部とを含むフィルムキャリアの周囲を覆って形成され
た一体の樹脂成形体とにより構成される。
体チップとの間をフィルムキャリアで接続する樹脂モー
ルド型半導体装置に関し、耐湿性の劣化及び製造工程の
複雑化を伴わずに形成できて放熱効果のすぐれた低熱抵
抗構造の提供を目的とし、 樹脂フィルムの表面に金属箔パターンを有し裏面に該裏
面全面を覆う金属箔を有してなるフィルムキャリアと、
該フィルムキャリアの表面部に該金属箔パターンの一端
部を介して固着された半導体チップと、該フィルムキャ
リアの表面上において該金属箔パターンの他端部に一端
部が接続され該フィルムキャリアの外部に延在する外部
接続リードと、該半導体チップ及び外部接続リードの一
端部とを含むフィルムキャリアの周囲を覆って形成され
た一体の樹脂成形体とにより構成される。
本発明は樹脂モールド型半導体装置、特に外部接続リー
ドと半導体チップとの間をフィルムキャリアで接続する
樹脂モールド型半導体装置に関する。
ドと半導体チップとの間をフィルムキャリアで接続する
樹脂モールド型半導体装置に関する。
近年、集積回路等の半導体素子の高集積化に伴ってモー
ルド型半導体装置の多ピン化が進んでおり、組立工程の
高能率化、高信頼化を図るために、外部接続リードと半
導体チップとの間をフィルムキャリアで接続する構造の
樹脂モールド型半導体装置が提供されている。
ルド型半導体装置の多ピン化が進んでおり、組立工程の
高能率化、高信頼化を図るために、外部接続リードと半
導体チップとの間をフィルムキャリアで接続する構造の
樹脂モールド型半導体装置が提供されている。
また、半導体装置の高集積化、多機能化に伴って消費電
力量も増大してきており、上記樹脂モールド型半導体装
置においても、素子からの発熱によって性能劣化を生ぜ
しめないために半導体装置自体の低熱抵抗化が必要にな
ってきており、耐湿特性を損なわず、小型で且つ効率の
よい放熱構造の開発が望まれている。
力量も増大してきており、上記樹脂モールド型半導体装
置においても、素子からの発熱によって性能劣化を生ぜ
しめないために半導体装置自体の低熱抵抗化が必要にな
ってきており、耐湿特性を損なわず、小型で且つ効率の
よい放熱構造の開発が望まれている。
従来の半導体チップとリードフレーム間がボンディング
・ワイヤにより接続される樹脂モールド型半導体装置例
えば半導体ＩＣ等においては、低熱抵抗化を実現するた
め第５図にその模式側断面を示すように、半導体チップ
１が搭載されるリードフレーム２のチップステージ部２
Ａの裏面に、樹脂モールドを行った際に端部及び底面が
樹脂成形体４０表面から僅かな距離例えば０．２〜０．
５ｍｍ程度後退した位置にくるような外形寸法及び厚さ
を有する銅若しくは銅合金の放熱板５を雛付けしてなる
リードフレーム２を用い、このリードフレーム２のチッ
プステージ部２Ａ上に図示しない鑞材を介して半導体チ
ップエを固着し、半導体チップ１の図示しないボンディ
ング・パッドとリードフレーム２の外部接続リード部２
Ｂの一端部との間をワイヤボンディングによって接続し
く３はボンディング・ワイヤ）、これを樹脂モールドす
ることによって形成されていた。
・ワイヤにより接続される樹脂モールド型半導体装置例
えば半導体ＩＣ等においては、低熱抵抗化を実現するた
め第５図にその模式側断面を示すように、半導体チップ
１が搭載されるリードフレーム２のチップステージ部２
Ａの裏面に、樹脂モールドを行った際に端部及び底面が
樹脂成形体４０表面から僅かな距離例えば０．２〜０．
５ｍｍ程度後退した位置にくるような外形寸法及び厚さ
を有する銅若しくは銅合金の放熱板５を雛付けしてなる
リードフレーム２を用い、このリードフレーム２のチッ
プステージ部２Ａ上に図示しない鑞材を介して半導体チ
ップエを固着し、半導体チップ１の図示しないボンディ
ング・パッドとリードフレーム２の外部接続リード部２
Ｂの一端部との間をワイヤボンディングによって接続し
く３はボンディング・ワイヤ）、これを樹脂モールドす
ることによって形成されていた。
この構造は、上記のように広い放熱面積を有する放熱板
５力慴頚付けされたチップステージ２Ａ上に半導体チッ
プ１が直に鑞付けされるので放熱板５を介しての熱の放
散による低熱抵抗化に対するの効果を高めるために、樹
脂成形体４内に出来るだけ大きな放熱板５を組み込み、
且つ放熱板５の表面上を覆う樹脂層１０４の厚さＬを出
来るだけ薄くする必要があるので、そのために樹脂クラ
ンクの発生による機械的強度の低下、薄い樹脂層を通し
ての湿気の侵入等による信頼性の低下が問題になってい
た。
５力慴頚付けされたチップステージ２Ａ上に半導体チッ
プ１が直に鑞付けされるので放熱板５を介しての熱の放
散による低熱抵抗化に対するの効果を高めるために、樹
脂成形体４内に出来るだけ大きな放熱板５を組み込み、
且つ放熱板５の表面上を覆う樹脂層１０４の厚さＬを出
来るだけ薄くする必要があるので、そのために樹脂クラ
ンクの発生による機械的強度の低下、薄い樹脂層を通し
ての湿気の侵入等による信頼性の低下が問題になってい
た。
そして更に、前述のように半導体チップと外部接続リー
ドとの間をフィルムキャリアにより接続して組立作業の
効率化及び高信頼化を図った樹脂モールド型半導体装置
においては、上記従来同様の放熱板の組み込みによって
低熱抵抗化を図ろうとすると、前記従来構造において生
じていた問題点の他に新たに次のような問題が生ずる。
ドとの間をフィルムキャリアにより接続して組立作業の
効率化及び高信頼化を図った樹脂モールド型半導体装置
においては、上記従来同様の放熱板の組み込みによって
低熱抵抗化を図ろうとすると、前記従来構造において生
じていた問題点の他に新たに次のような問題が生ずる。
この新たな問題点は、従来構造の応用例を示す第６図の
模式側断面のように、通常のフィルムキャリア６にはチ
ップステージがなく、半導体デツプ１はフィルムキャリ
ア６の窓部上にフィルムキャリア６上から延在する金属
箔パターン６Ａの一端部を介して固着されるので、半導
体チップ１の裏面に放熱板５を直に固着することはでき
ない。従って放熱板５は樹脂成形体４の中に、半導体チ
ップ１の裏面と該裏面側の樹脂成形体４の表面との間に
浮いた形で組み込まれるために、半導体チップ１と放熱
板５との間に少なくとも０ 、２ ｍｍ程度の樹脂層】
０４が介在せざるを得す、そのために望ましい低熱抵抗
構造が得られないこと及び、放熱板５を半導体チップ１
から上記間隔を隔てて浮いた状態に埋込むためには樹脂
モールドの工程が非常に複雑化するということである。
模式側断面のように、通常のフィルムキャリア６にはチ
ップステージがなく、半導体デツプ１はフィルムキャリ
ア６の窓部上にフィルムキャリア６上から延在する金属
箔パターン６Ａの一端部を介して固着されるので、半導
体チップ１の裏面に放熱板５を直に固着することはでき
ない。従って放熱板５は樹脂成形体４の中に、半導体チ
ップ１の裏面と該裏面側の樹脂成形体４の表面との間に
浮いた形で組み込まれるために、半導体チップ１と放熱
板５との間に少なくとも０ 、２ ｍｍ程度の樹脂層】
０４が介在せざるを得す、そのために望ましい低熱抵抗
構造が得られないこと及び、放熱板５を半導体チップ１
から上記間隔を隔てて浮いた状態に埋込むためには樹脂
モールドの工程が非常に複雑化するということである。
（図中、２Ｂ外部接続リード部、７は金属バンブ）そこ
で本発明は、半導体チップと外部接続リード間がフィル
ムキャリアで接続される構成を有する樹脂モールド型半
導体装置において、耐湿性の劣化及び製造工程の複雑化
を伴わずに形成できて優れた放熱効果を有する低熱抵抗
構造の提供を目的とする。
で本発明は、半導体チップと外部接続リード間がフィル
ムキャリアで接続される構成を有する樹脂モールド型半
導体装置において、耐湿性の劣化及び製造工程の複雑化
を伴わずに形成できて優れた放熱効果を有する低熱抵抗
構造の提供を目的とする。
上記課題は、樹脂フィルムの表面に金属箔パターンを有
し裏面に該裏面全面を覆う金属箔を有してなるフィルム
キャリアと、該フィルムキャリアの表面部に該金属箔パ
ターンの一端部を介して固着された半導体チップと、該
フィルムキャリアの表面上において該金属箔パターンの
他端部に一端部が接続され該フィルムキャリアの外部に
延在する外部接続リードと、該半導体チップ及び外部接
続リードの一端部とを含むフィルムキャリアの周囲を覆
って形成された一体の樹脂成形体とを有してなる本発明
による樹脂モールド型半導体装置により解決される。
し裏面に該裏面全面を覆う金属箔を有してなるフィルム
キャリアと、該フィルムキャリアの表面部に該金属箔パ
ターンの一端部を介して固着された半導体チップと、該
フィルムキャリアの表面上において該金属箔パターンの
他端部に一端部が接続され該フィルムキャリアの外部に
延在する外部接続リードと、該半導体チップ及び外部接
続リードの一端部とを含むフィルムキャリアの周囲を覆
って形成された一体の樹脂成形体とを有してなる本発明
による樹脂モールド型半導体装置により解決される。
［作 用］
第１図は本発明の原理説明用側断面図である。
即ち本発明の樹脂モールド型半導体装置においては、半
導体チップ１とリードフレーム２の外部接続リード部２
Ｂ間を接続するフィルムキャリア６は、樹脂フィルム６
Ｂの一方の面に金属箔パターン６Ａが被着され、他方の
面の全面に金属箔６Ｃがラミネートされた構造を有し、
上記フィルムキャリア６の樹脂フィルム６Ｂ上に金属箔
パターン６Ａの１端部及び金属バンプ７を介して半導体
チップが固着され、同金属箔パターン６Ａの他端部上に
リードフレーム２の外部接続リード２Ｂの先端部が熱圧
着等により固着され、上記半導体チップ１及び外部接続
リード２Ｂの先端部を含むフィルムキャリア６が一体の
樹脂成形体４内に埋め込まれた構造を有する。
導体チップ１とリードフレーム２の外部接続リード部２
Ｂ間を接続するフィルムキャリア６は、樹脂フィルム６
Ｂの一方の面に金属箔パターン６Ａが被着され、他方の
面の全面に金属箔６Ｃがラミネートされた構造を有し、
上記フィルムキャリア６の樹脂フィルム６Ｂ上に金属箔
パターン６Ａの１端部及び金属バンプ７を介して半導体
チップが固着され、同金属箔パターン６Ａの他端部上に
リードフレーム２の外部接続リード２Ｂの先端部が熱圧
着等により固着され、上記半導体チップ１及び外部接続
リード２Ｂの先端部を含むフィルムキャリア６が一体の
樹脂成形体４内に埋め込まれた構造を有する。
かかる構成において、半導体チップ１に発生した熱は、
通常の放熱板を設けない構造におけると同様の厚いモー
ルド樹脂層１０４を介しての第１の経路（矢印■）によ
る放熱の他に、フィルムキャリア６の厚さ２５〜５０μ
ｍ程度の薄い樹脂フィルム６Ｂ或いは金属箔パターン６
Ａの厚さに相当するごく薄いモールド樹脂層１０４と前
記樹脂フィルム６Ｂとを介して反対面の金属箔６Ｃに達
し、この金属箔６Ｃから再び上記樹脂フィルム６Ｂを介
してリードフレーム２の外部接続リード２Ｂに至り、外
部接続リード２Ｂを通って装置外部に至る第２の放熱経
路（矢印■）によって放熱される。そして、この放熱経
路における熱抵抗は主として介在する樹脂層により、経
路に樹脂層を長い距離で介在せしめないことが熱抵抗減
少のための要件になる。そこで上記本発明の構成におい
て形成される第２の放熱経路■においては、放熱経路内
にフィルムキャリアの樹脂フィルム６Ｂがその厚さに対
応する２５〜５０μｍ程度の短い距離で２回介在するか
、場所によっては更に金属箔パターン６Ａの厚ざに相当
する薄いモールド樹脂層１０４が加わった程度の短い距
離の樹脂層が熱抵抗として介在するのみなので放熱経路
の熱抵抗は小さく、従って第２の放熱経路■が存在する
ことにより樹脂成形体の内部に放熱板を設けない通常構
造に比べ、熱抵抗は大幅に減少する。
通常の放熱板を設けない構造におけると同様の厚いモー
ルド樹脂層１０４を介しての第１の経路（矢印■）によ
る放熱の他に、フィルムキャリア６の厚さ２５〜５０μ
ｍ程度の薄い樹脂フィルム６Ｂ或いは金属箔パターン６
Ａの厚さに相当するごく薄いモールド樹脂層１０４と前
記樹脂フィルム６Ｂとを介して反対面の金属箔６Ｃに達
し、この金属箔６Ｃから再び上記樹脂フィルム６Ｂを介
してリードフレーム２の外部接続リード２Ｂに至り、外
部接続リード２Ｂを通って装置外部に至る第２の放熱経
路（矢印■）によって放熱される。そして、この放熱経
路における熱抵抗は主として介在する樹脂層により、経
路に樹脂層を長い距離で介在せしめないことが熱抵抗減
少のための要件になる。そこで上記本発明の構成におい
て形成される第２の放熱経路■においては、放熱経路内
にフィルムキャリアの樹脂フィルム６Ｂがその厚さに対
応する２５〜５０μｍ程度の短い距離で２回介在するか
、場所によっては更に金属箔パターン６Ａの厚ざに相当
する薄いモールド樹脂層１０４が加わった程度の短い距
離の樹脂層が熱抵抗として介在するのみなので放熱経路
の熱抵抗は小さく、従って第２の放熱経路■が存在する
ことにより樹脂成形体の内部に放熱板を設けない通常構
造に比べ、熱抵抗は大幅に減少する。
また本発明の構造においては、放熱手段とじてフィルム
キャリア６の裏面に厚さ５０〜１００μｍ程度の金属箔
６Ｃをラミネートするのみであるので、半導体チップ１
及びフィルムキャリア６裏面の金Ｊｉ箔６Ｃのラミネー
ト層の上面及び端部からの樹脂成形体４表面部のモール
ド樹脂層の厚みは充分に確保され、強度及び耐湿性は放
熱板なしの従来構造と同様に高く保たれる。
キャリア６の裏面に厚さ５０〜１００μｍ程度の金属箔
６Ｃをラミネートするのみであるので、半導体チップ１
及びフィルムキャリア６裏面の金Ｊｉ箔６Ｃのラミネー
ト層の上面及び端部からの樹脂成形体４表面部のモール
ド樹脂層の厚みは充分に確保され、強度及び耐湿性は放
熱板なしの従来構造と同様に高く保たれる。
以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。
第２図は本発明に用いるフィルムキャリアの一実施例を
模式的に示す上面図（ａ）、Ｙ−Ｙ矢視断面図（ｂ）及
び下面図（Ｃ）、第３図は本発明に係る半導体装置の一
実施例の組立後の状態を模式的に示す上面図（ａ）及び
Ｘ−χ矢視断面図（ｔ））、第４図は本発明に係る半導
体装置の一実施例の樹脂モールド後の状態の模式側断面
図である。
模式的に示す上面図（ａ）、Ｙ−Ｙ矢視断面図（ｂ）及
び下面図（Ｃ）、第３図は本発明に係る半導体装置の一
実施例の組立後の状態を模式的に示す上面図（ａ）及び
Ｘ−χ矢視断面図（ｔ））、第４図は本発明に係る半導
体装置の一実施例の樹脂モールド後の状態の模式側断面
図である。
全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
本発明に係る樹脂モールド型半導体装置の構成に用いる
フィルムキャリア６は、例えば第２図に示すように、厚
さ２５〜５０μｍ程度のポリイミドフィルム６Ｂの表面
に、中央部のチップ搭載領域８の縁部から該ポリイミド
フィルム６Ｂの縁部に向かって末拡がりに延在する厚さ
５０〜１００μｍ程度の例えば銅箔に銀めっきしてなる
金属箔パターン６Ａ（６Ａ＋〜６ＡＩ２）が被着され、
該ポリイミドフィルム６Ｂの裏面側には、その全面に、
上記金属箔パターン６Ａとは接触しない例えば厚さ５０
〜１００μｍ程度の銅箔に銀めっきしてなり放熱に寄与
する金属箔６Ｃがラミネートされてなっている。
フィルムキャリア６は、例えば第２図に示すように、厚
さ２５〜５０μｍ程度のポリイミドフィルム６Ｂの表面
に、中央部のチップ搭載領域８の縁部から該ポリイミド
フィルム６Ｂの縁部に向かって末拡がりに延在する厚さ
５０〜１００μｍ程度の例えば銅箔に銀めっきしてなる
金属箔パターン６Ａ（６Ａ＋〜６ＡＩ２）が被着され、
該ポリイミドフィルム６Ｂの裏面側には、その全面に、
上記金属箔パターン６Ａとは接触しない例えば厚さ５０
〜１００μｍ程度の銅箔に銀めっきしてなり放熱に寄与
する金属箔６Ｃがラミネートされてなっている。
そして本発明に係る半導体装置の製造に際しては、先ず
、リードフレーム２上に上記フィルムキャリア６を用い
て要部の組立がなされる。その状態を示したのが第３図
で、図示のように、半導体チップ１は例えば金等よりな
る１５〜２０μｍφ程度の金属バンプ７を介しての熱圧
着法により、金属箔パターン６Ａ（６Ａ＋〜６Ａ＋ｚ）
の一端部を介してフィルムキャリア６上に固着され、こ
のフィルムキャリア６は金属箔パターン５Ａ（６Ａ＋〜
６八、□）の他端部上に例えば恨めっきされてなるリー
ドフレーム２の外部接続リード２Ｂ（２Ｂ、〜２Ｂ、□
）を同時に熱圧着することによりリードフレームに固着
される。
、リードフレーム２上に上記フィルムキャリア６を用い
て要部の組立がなされる。その状態を示したのが第３図
で、図示のように、半導体チップ１は例えば金等よりな
る１５〜２０μｍφ程度の金属バンプ７を介しての熱圧
着法により、金属箔パターン６Ａ（６Ａ＋〜６Ａ＋ｚ）
の一端部を介してフィルムキャリア６上に固着され、こ
のフィルムキャリア６は金属箔パターン５Ａ（６Ａ＋〜
６八、□）の他端部上に例えば恨めっきされてなるリー
ドフレーム２の外部接続リード２Ｂ（２Ｂ、〜２Ｂ、□
）を同時に熱圧着することによりリードフレームに固着
される。
次いで、通常のインジェクション・モールド手段によっ
てシリコン樹脂等による樹脂成形がなされ、リードフレ
ーム２の余分な部分の切り落としがなされ、第４図に示
すように、例えばポリイミドよりなるフィルムキャリア
６の表面上に該フィルムキャリアの金属箔パターン６Ａ
（６Ａ、〜６Δ１□）を介して外部接続リード２Ｂに電
気的に接続する半導体チップ１が搭載されフィルムキャ
リア６の裏面全面上に放熱に寄与する金属箔６Ｃが被着
され、半導体チップ１及び外部接続リード２ Ｂ （２
！３ｚ、２ＢＱ）の金属箔パターン６Ａ（６Ａ２．６Ａ
８）と接続する一端部を含むフィルムキャリア６部が樹
脂成形体４内のほぼ中央部分に埋込まれてなる本発明に
係る樹脂モールド型半導体装置が完成する。
てシリコン樹脂等による樹脂成形がなされ、リードフレ
ーム２の余分な部分の切り落としがなされ、第４図に示
すように、例えばポリイミドよりなるフィルムキャリア
６の表面上に該フィルムキャリアの金属箔パターン６Ａ
（６Ａ、〜６Δ１□）を介して外部接続リード２Ｂに電
気的に接続する半導体チップ１が搭載されフィルムキャ
リア６の裏面全面上に放熱に寄与する金属箔６Ｃが被着
され、半導体チップ１及び外部接続リード２ Ｂ （２
！３ｚ、２ＢＱ）の金属箔パターン６Ａ（６Ａ２．６Ａ
８）と接続する一端部を含むフィルムキャリア６部が樹
脂成形体４内のほぼ中央部分に埋込まれてなる本発明に
係る樹脂モールド型半導体装置が完成する。
この実施例に示す樹脂モールド型半導体装置において、
半導体チップに生じた熱の放熱経路は、１１ｆ１に第１
図によって説明したように、モールド樹脂１０４を通し
て外部へ放散される第１の放熱経路の他に、半導体チッ
プｌからフィルムキャリア６のポリイミドフィルム６Ｂ
を介しフィルムキャリア６７！を面の金属箔６Ｃ内に至
り、この金属箔６から再びポリイミドフィルム６Ｂを介
して外部接続リート２の金属箔パターン６Ａとの接続部
に至り外部接続リード２お通して装置外部へ達する第２
の放熱経路が形成される。
半導体チップに生じた熱の放熱経路は、１１ｆ１に第１
図によって説明したように、モールド樹脂１０４を通し
て外部へ放散される第１の放熱経路の他に、半導体チッ
プｌからフィルムキャリア６のポリイミドフィルム６Ｂ
を介しフィルムキャリア６７！を面の金属箔６Ｃ内に至
り、この金属箔６から再びポリイミドフィルム６Ｂを介
して外部接続リート２の金属箔パターン６Ａとの接続部
に至り外部接続リード２お通して装置外部へ達する第２
の放熱経路が形成される。
そして、この第２の放熱経路に主な熱抵抗源として介在
するのは、２枚分のポリイミドフィルムの厚みに相当す
る厚さ５０〜１００μｍ程度のポリイミド層のみである
。従ってこの第２の放熱経路はモールド樹脂層を介して
の第１の放熱経路に比べて著しく熱抵抗が低くなり、半
導体チップ内で発生した熱は主としてこの熱抵抗の低い
第２の放熱経路を経て外部に放散される。
するのは、２枚分のポリイミドフィルムの厚みに相当す
る厚さ５０〜１００μｍ程度のポリイミド層のみである
。従ってこの第２の放熱経路はモールド樹脂層を介して
の第１の放熱経路に比べて著しく熱抵抗が低くなり、半
導体チップ内で発生した熱は主としてこの熱抵抗の低い
第２の放熱経路を経て外部に放散される。
これにより、上記実施例の樹脂モールド型半導体装置に
おいては、同一外形を有し、放熱板等の強制放熱手段を
設けない通常の樹脂モールド型半導体装置に対して５〜
２０％程度熱抵抗を減少せしめることができた。
おいては、同一外形を有し、放熱板等の強制放熱手段を
設けない通常の樹脂モールド型半導体装置に対して５〜
２０％程度熱抵抗を減少せしめることができた。
また第４図からも明らかなように本発明の構造において
は、放熱手段がフィルムキャリアの裏面に被着した５０
〜１００ μｍ程度の厚さの金属ｆｆ１６ｃのみである
ので、放熱手段のために樹脂成形体４内に封じ込まれる
部分の大きさが放熱手段を設すないものと殆ど変わらな
い。従って、モールド樹脂層の厚みは充分に確保され、
放熱手段を設けないものと同様の強度及び耐湿性が得ら
れる。
は、放熱手段がフィルムキャリアの裏面に被着した５０
〜１００ μｍ程度の厚さの金属ｆｆ１６ｃのみである
ので、放熱手段のために樹脂成形体４内に封じ込まれる
部分の大きさが放熱手段を設すないものと殆ど変わらな
い。従って、モールド樹脂層の厚みは充分に確保され、
放熱手段を設けないものと同様の強度及び耐湿性が得ら
れる。
以上説明のように本発明によれば、強度及び耐湿性に優
れ、且つ低熱抵抗を有する樹脂モールド型半導体装置が
提供される。
れ、且つ低熱抵抗を有する樹脂モールド型半導体装置が
提供される。
従って本発明は、高速、高集積化される樹脂モールド型
半導体装置の信頼性向上に有効である。
半導体装置の信頼性向上に有効である。
第１図は本発明の原理説明用側断面図、第２図は本発明
の一実施例に用いたフィルムキャリアの模式図で、（ａ
）は上面図、（ｂ）はＹ−Ｙ矢視断面図、（Ｃ）は下面
図、 第３図は本発明の一実施例の組立後の状態の模式図で、
（ａ）は上面図、（ｂ）ばＸ−Ｘ矢視断面図、第４図は
本発明の一実施例の樹脂モールド後の模式側断面図、 第５図は従来の低熱抵抗化樹脂モールド型半導体装置の
模式側断面図、 第６図は従来構造の応用例の模式側断面図である。 １０４はモールド樹脂層 を示す。 図において、 １は半導体チップ、 ２はリードフレーム、 ２Ｂ、２Ｂ＋〜２Ｂ、２は外部接続リード、４樹脂成形
体、 ６八、６八、〜６Δ１゜は金属７占パターン、６Ｂは樹
脂フィルム（ポリイミドフィルム）７は金属バンプ、 （とス、ン 下面図 （（１）下面図 （か）Ｙ−Ｙ勘ｌ面面図 （ｃ）ＴＩｔｌ記 （ｈ）Ｘ−Ｘ矢視断面図 プＬｅ日′Ａ／）−９ミネヒＰｔ月に用い丁ヒフイル７
＼埼ヤリーア’７＞ａ呟プ（５］１ ２ 図 ず兇Ｂ肋−寅絶、＋＋＋ ／）租鮨表が仄他ｎ衡旧第
３２
の一実施例に用いたフィルムキャリアの模式図で、（ａ
）は上面図、（ｂ）はＹ−Ｙ矢視断面図、（Ｃ）は下面
図、 第３図は本発明の一実施例の組立後の状態の模式図で、
（ａ）は上面図、（ｂ）ばＸ−Ｘ矢視断面図、第４図は
本発明の一実施例の樹脂モールド後の模式側断面図、 第５図は従来の低熱抵抗化樹脂モールド型半導体装置の
模式側断面図、 第６図は従来構造の応用例の模式側断面図である。 １０４はモールド樹脂層 を示す。 図において、 １は半導体チップ、 ２はリードフレーム、 ２Ｂ、２Ｂ＋〜２Ｂ、２は外部接続リード、４樹脂成形
体、 ６八、６八、〜６Δ１゜は金属７占パターン、６Ｂは樹
脂フィルム（ポリイミドフィルム）７は金属バンプ、 （とス、ン 下面図 （（１）下面図 （か）Ｙ−Ｙ勘ｌ面面図 （ｃ）ＴＩｔｌ記 （ｈ）Ｘ−Ｘ矢視断面図 プＬｅ日′Ａ／）−９ミネヒＰｔ月に用い丁ヒフイル７
＼埼ヤリーア’７＞ａ呟プ（５］１ ２ 図 ず兇Ｂ肋−寅絶、＋＋＋ ／）租鮨表が仄他ｎ衡旧第
３２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 樹脂フィルムの表面に金属箔パターンを有し裏面に該裏
面全面を覆う金属箔を有してなるフィルムキャリアと、 該フィルムキャリアの表面部に該金属箔パターンの一端
部を介して固着された半導体チップと、該フィルムキャ
リアの表面上において該金属箔パターンの他端部に一端
部が接続され該フィルムキャリアの外部に延在する外部
接続リードと、該半導体チップ及び外部接続リードの一
端部とを含むフィルムキャリアの周囲を覆って形成され
た一体の樹脂成形体とを有してなることを特徴とする樹
脂モールド型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1242489A JPH07114215B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 樹脂モールド型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1242489A JPH07114215B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 樹脂モールド型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192744A true JPH02192744A (ja) | 1990-07-30 |
| JPH07114215B2 JPH07114215B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=11804895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1242489A Expired - Lifetime JPH07114215B2 (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 樹脂モールド型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07114215B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2668854A1 (fr) * | 1990-11-06 | 1992-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif semiconducteur conditionne dans la resine. |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1242489A patent/JPH07114215B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2668854A1 (fr) * | 1990-11-06 | 1992-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif semiconducteur conditionne dans la resine. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07114215B2 (ja) | 1995-12-06 |
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