JPH02191393A - プリント配線板の無電解銅めっき方法 - Google Patents
プリント配線板の無電解銅めっき方法Info
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プリント配線板の無電解銅めっき方法に係り
、特に、機械的特性に優れためっき膜を有するプリント
配線板についてのかかる無電解銅めっき方法に関するも
のである。
、特に、機械的特性に優れためっき膜を有するプリント
配線板についてのかかる無電解銅めっき方法に関するも
のである。
周知の如くラジオ、テレビ等の民生用電子機器から電子
計算機、情報産業用電子機器などの高級産業機器にいた
るまで電子工業各分野に広く普及しているプリント配線
板は、従来その殆どがエツチドフォイル法によって製造
されてきたが、近年電子機器産業が高度の発達をとげ、
益々高密度化、高性能化が促進されてきた。
計算機、情報産業用電子機器などの高級産業機器にいた
るまで電子工業各分野に広く普及しているプリント配線
板は、従来その殆どがエツチドフォイル法によって製造
されてきたが、近年電子機器産業が高度の発達をとげ、
益々高密度化、高性能化が促進されてきた。
このプリント配線板の高密度および多層板化に伴い、従
来のエツチドフォイル法において、エツチング工程での
アンダーカットや電解めっき工程におけるめっき厚みの
ばらつきが大きいため、パターン寸法精度が悪くなるば
かりでな（、オーバーハングによるブリッジ、多層板な
どの板厚の厚い基板に形成される径の小さな穴、例えば
板厚が３．２■程度で直径が１．００ｍ以下の穴に、め
っきを施す場合、穴のコーナ一部と中央部とのめっき厚
みの差が大きく、時にはコーナ一部のみめっきが施され
、穴の中央部にめっきが施されないなどの欠点があった
。そのため高密度配線や、高アスペクト比（板厚／穴径
）のプリント配線板の工業的な生産が難しくなってきて
いる。また、エツチドフォイル法では銅張り積層板を用
いるため、銅張り積層板へのパターン印刷後には、その
パターン印刷部以外の銅箔をエツチング工程で除去しな
ければならず、そのエツチングで除去される無駄な銅箔
は全体の５０〜８０％であり、極めて不経済であり、か
つこの様な銅箔除去処理を行うエツチング液も塩化第二
鉄、塩化第二銅、あるいはアンモニア水等を主成分とし
ているため、誤って外部に流した場合、公害問題を引き
起こす原因となる。いずれにしてもエツチドフォイル法
は製造工程の複雑化および銅箔の無駄等を避けることが
できず、経済上不利であった。
来のエツチドフォイル法において、エツチング工程での
アンダーカットや電解めっき工程におけるめっき厚みの
ばらつきが大きいため、パターン寸法精度が悪くなるば
かりでな（、オーバーハングによるブリッジ、多層板な
どの板厚の厚い基板に形成される径の小さな穴、例えば
板厚が３．２■程度で直径が１．００ｍ以下の穴に、め
っきを施す場合、穴のコーナ一部と中央部とのめっき厚
みの差が大きく、時にはコーナ一部のみめっきが施され
、穴の中央部にめっきが施されないなどの欠点があった
。そのため高密度配線や、高アスペクト比（板厚／穴径
）のプリント配線板の工業的な生産が難しくなってきて
いる。また、エツチドフォイル法では銅張り積層板を用
いるため、銅張り積層板へのパターン印刷後には、その
パターン印刷部以外の銅箔をエツチング工程で除去しな
ければならず、そのエツチングで除去される無駄な銅箔
は全体の５０〜８０％であり、極めて不経済であり、か
つこの様な銅箔除去処理を行うエツチング液も塩化第二
鉄、塩化第二銅、あるいはアンモニア水等を主成分とし
ているため、誤って外部に流した場合、公害問題を引き
起こす原因となる。いずれにしてもエツチドフォイル法
は製造工程の複雑化および銅箔の無駄等を避けることが
できず、経済上不利であった。
したがって、最近、電解めっきの代わりに無電解銅めっ
きでパターンおよびスルーホールを形成させるアディテ
ィブ法が注目されている。この方法によれば、電子機器
の高機能化、小型化、高信頼化、低コスト化という要望
に応えることができ、高密度配線や高アスペクト比のプ
リント配線板の工業的な生産が可能となってきた。
きでパターンおよびスルーホールを形成させるアディテ
ィブ法が注目されている。この方法によれば、電子機器
の高機能化、小型化、高信頼化、低コスト化という要望
に応えることができ、高密度配線や高アスペクト比のプ
リント配線板の工業的な生産が可能となってきた。
しかし、従来のプリント配線板用無電解銅めっき方法に
よれば、まず被めっき基板にアルカリ溶液を用いて脱脂
処理を施し、次に酸などによる表面粗化および活性化処
理を施した後、無電解銅めっき浴に浸漬し、一定時間恒
温に保持することにより、所望の厚みの無電解銅めっき
膜を得ることができる。しかし、前記従来方法により得
られるめっき膜は一般に脆く、実用上いまだ充分に満足
されていない。例えば、プリント配線板の導通パターン
およびスルーホールを、無電解銅めっき方法を用いてめ
っきする場合、めっき膜が脆いためプリント配線板の加
工や部品装着の際に生じる機械的応力による歪によって
、パターンの断線、スルーホール内のコーナークラック
などが生じるという欠点がある。これに比べ、パターン
およびスルーホールを電解銅めっき方法を用いてめっき
する場合、無電解銅めっきのようなパターンの断線、は
がれ、亀裂およびスルーホール内のコーナークランクは
生じない。ところで、この電解鋼めっき方法で得られた
めっき膜の機械的特性を測定した結果、めっき膜の引張
り強度３０〜５０ｋｇ／ａｍ”、伸び率３〜８％、１８
０°折り曲げ回数４回であった。
よれば、まず被めっき基板にアルカリ溶液を用いて脱脂
処理を施し、次に酸などによる表面粗化および活性化処
理を施した後、無電解銅めっき浴に浸漬し、一定時間恒
温に保持することにより、所望の厚みの無電解銅めっき
膜を得ることができる。しかし、前記従来方法により得
られるめっき膜は一般に脆く、実用上いまだ充分に満足
されていない。例えば、プリント配線板の導通パターン
およびスルーホールを、無電解銅めっき方法を用いてめ
っきする場合、めっき膜が脆いためプリント配線板の加
工や部品装着の際に生じる機械的応力による歪によって
、パターンの断線、スルーホール内のコーナークラック
などが生じるという欠点がある。これに比べ、パターン
およびスルーホールを電解銅めっき方法を用いてめっき
する場合、無電解銅めっきのようなパターンの断線、は
がれ、亀裂およびスルーホール内のコーナークランクは
生じない。ところで、この電解鋼めっき方法で得られた
めっき膜の機械的特性を測定した結果、めっき膜の引張
り強度３０〜５０ｋｇ／ａｍ”、伸び率３〜８％、１８
０°折り曲げ回数４回であった。
一方、銅塩、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤から成る無電
解銅めっき浴から得られるめっき膜は、１０〜２０ｋｇ
／ｍｍ”の引張り強度、０．５％程度の伸び率、１程度
度の折り曲げ回数を有し、プリント配線板のパターンま
たはスルーホール用銅膜としてほとんど信鯨性に乏しか
った。そこで、めっき膜の延性改良剤としてメルカプタ
ンのような有機硫黄化合物、チオールまたはチオ化合物
、ジピリジル。
解銅めっき浴から得られるめっき膜は、１０〜２０ｋｇ
／ｍｍ”の引張り強度、０．５％程度の伸び率、１程度
度の折り曲げ回数を有し、プリント配線板のパターンま
たはスルーホール用銅膜としてほとんど信鯨性に乏しか
った。そこで、めっき膜の延性改良剤としてメルカプタ
ンのような有機硫黄化合物、チオールまたはチオ化合物
、ジピリジル。
フェナントロリンのような複素環式化合物、その他無機
シアン化合物等を添加することにより、無電解銅めっき
膜の機械的特性の向上がはかられて今日に到っている。
シアン化合物等を添加することにより、無電解銅めっき
膜の機械的特性の向上がはかられて今日に到っている。
このような無電解銅めっき浴から得られるめっき膜は、
２０〜３５ｋｇ／ａｍ”の引張り強度、１〜２％の伸び
率、折り曲げ回数が２程度度の機械的特性を有し、プリ
ント配線板のパターンおよびスルーホール用銅膜として
実用に供せられる。しかし、さらに高信幀性が要求され
るようなプリント配線板の導通パターンおよびスルーホ
ール用銅膜には、電解銅めっき膜なみの機械的特性が必
要である。
２０〜３５ｋｇ／ａｍ”の引張り強度、１〜２％の伸び
率、折り曲げ回数が２程度度の機械的特性を有し、プリ
ント配線板のパターンおよびスルーホール用銅膜として
実用に供せられる。しかし、さらに高信幀性が要求され
るようなプリント配線板の導通パターンおよびスルーホ
ール用銅膜には、電解銅めっき膜なみの機械的特性が必
要である。
そこで、従来無電解銅めっき浴に新しく開発したり改良
した種々のめっき膜の延性改良剤を添加することにより
、無電解銅めっき膜の機械的特性を向上させる試みが終
始なされた。また、めっき膜と基板との間に接着剤層を
設けることにより、この接着剤層がクツションの役割を
果たし、プリント配線板の加工や部品装着の際に生じる
機械的応力による歪が和らげられると考えられたが、無
電解銅めっき膜との密着が非常に良い接着剤、絶縁性に
優れた接着剤、あるいは耐熱性に優れた接着剤がほとん
ど見い出されなかった。しかも、無電解銅めっき膜と接
着剤の密着性を上げるためには、クロム、硫酸混酸など
の非常に危険で有害な酸を使用しなければならなかった
。
した種々のめっき膜の延性改良剤を添加することにより
、無電解銅めっき膜の機械的特性を向上させる試みが終
始なされた。また、めっき膜と基板との間に接着剤層を
設けることにより、この接着剤層がクツションの役割を
果たし、プリント配線板の加工や部品装着の際に生じる
機械的応力による歪が和らげられると考えられたが、無
電解銅めっき膜との密着が非常に良い接着剤、絶縁性に
優れた接着剤、あるいは耐熱性に優れた接着剤がほとん
ど見い出されなかった。しかも、無電解銅めっき膜と接
着剤の密着性を上げるためには、クロム、硫酸混酸など
の非常に危険で有害な酸を使用しなければならなかった
。
また、特開昭５７−１１４６５７号公報に記載の発明に
よれば、被めっき基板表面に無電解銅めっき膜を形成す
るに当り、銅塩、酢化剤、還元剤、ｐＨ調整剤を含む無
電解銅めっき浴の基本組成に添加剤としてエチレンオキ
サイド系非イオン界面活性剤。
よれば、被めっき基板表面に無電解銅めっき膜を形成す
るに当り、銅塩、酢化剤、還元剤、ｐＨ調整剤を含む無
電解銅めっき浴の基本組成に添加剤としてエチレンオキ
サイド系非イオン界面活性剤。
ジピリジル、フェナントロリン誘導体、シアン化合物の
少な（とも１種を含む無電解銅めっき浴と、添加剤とし
て硫黄化合物、けい素化合物、燐化合物の少なくとも１
種を含む無電解銅めっき浴を交互に用いて、無電解銅め
っき層を重層せしめることにより、無電解銅めっき膜の
機械的向上を計る方法が知られている。
少な（とも１種を含む無電解銅めっき浴と、添加剤とし
て硫黄化合物、けい素化合物、燐化合物の少なくとも１
種を含む無電解銅めっき浴を交互に用いて、無電解銅め
っき層を重層せしめることにより、無電解銅めっき膜の
機械的向上を計る方法が知られている。
しかし、この方法は添加剤の異なる２種類の無電解銅め
っき浴を用意しなければならず、設備面、例えばめっき
槽の数、設置面積、液量等の点において通常の２倍必要
である。また、被めっき基板に無電解銅めっきを施す際
、添加剤は微量であり、かつめっき浴中には多量の妨害
物が含まれているため、通常の分析方法では分析不可能
とされている添加剤をそれぞれのめっき浴に対して管理
しなければならないという欠点を有する。
っき浴を用意しなければならず、設備面、例えばめっき
槽の数、設置面積、液量等の点において通常の２倍必要
である。また、被めっき基板に無電解銅めっきを施す際
、添加剤は微量であり、かつめっき浴中には多量の妨害
物が含まれているため、通常の分析方法では分析不可能
とされている添加剤をそれぞれのめっき浴に対して管理
しなければならないという欠点を有する。
本発明は、従来のプリント配線板用無電解銅めっき方法
の欠点を改善し、機械的特性に優れためっき膜を与える
プリント配線板用無電解銅めっき方法を提供することを
目的とし、特許請求の範囲記載の方法によって、上記目
的を達成することができる。
の欠点を改善し、機械的特性に優れためっき膜を与える
プリント配線板用無電解銅めっき方法を提供することを
目的とし、特許請求の範囲記載の方法によって、上記目
的を達成することができる。
次に、本発明の詳細な説明する。
本発明の特徴は、無電解銅めっき浴を用いて所望の回路
厚みのパターンを形成する際、無電解銅めっきの析出を
少なくとも２回中断させ、プリント配線板上の無電解銅
めっき膜を３層以上のめっき層として形成させることに
より、プリント配線板への部品装着およびプリント配線
板が使用される時に受ける機械的応力による歪を分散さ
せて少なくし、プリント配線板の機械的特性の評価試験
項目である引張り強度、伸び率、折り曲げ回数を、従来
の無電解銅めっき方法に比べて太き（向上させることに
ある。
厚みのパターンを形成する際、無電解銅めっきの析出を
少なくとも２回中断させ、プリント配線板上の無電解銅
めっき膜を３層以上のめっき層として形成させることに
より、プリント配線板への部品装着およびプリント配線
板が使用される時に受ける機械的応力による歪を分散さ
せて少なくし、プリント配線板の機械的特性の評価試験
項目である引張り強度、伸び率、折り曲げ回数を、従来
の無電解銅めっき方法に比べて太き（向上させることに
ある。
本発明は、まず、基板の表面をトリクレンなどの有機溶
剤またはアルカリ性水溶液中に浸漬もしくはスプレーに
より脱脂して整面し、続いて酸を用いてソフトエツチン
グし、さらに、活性化処理を施したプリント配線板用基
板に無電解銅めっきを施す。例えば、紙基材エポキシ樹
脂基板、合成繊維布基材エポキシ樹脂基板、ガラス布基
材エポキシ樹脂基板、紙基材フェノール樹脂基板、また
は市販されている触媒人積層板や紫外線を照射する部分
のみ触媒となるような物質を含む照射後の積層板を、無
電解銅めっき浴中に一定時間浸漬し、基板上に所望のめ
っき厚みの無電解銅めっき膜を形成する。その後、中断
させるため前記被めっき基板を無電解膜めっき浴から引
き上げる。
剤またはアルカリ性水溶液中に浸漬もしくはスプレーに
より脱脂して整面し、続いて酸を用いてソフトエツチン
グし、さらに、活性化処理を施したプリント配線板用基
板に無電解銅めっきを施す。例えば、紙基材エポキシ樹
脂基板、合成繊維布基材エポキシ樹脂基板、ガラス布基
材エポキシ樹脂基板、紙基材フェノール樹脂基板、また
は市販されている触媒人積層板や紫外線を照射する部分
のみ触媒となるような物質を含む照射後の積層板を、無
電解銅めっき浴中に一定時間浸漬し、基板上に所望のめ
っき厚みの無電解銅めっき膜を形成する。その後、中断
させるため前記被めっき基板を無電解膜めっき浴から引
き上げる。
次に、引き上げた前記被めっき基板に、活性化処理その
他の処理を施した後、前記無電解銅めっき浴に再度浸漬
して無電解銅めっきする操作を無電解銅めっき最終仕上
がり厚さになるまで繰返す。
他の処理を施した後、前記無電解銅めっき浴に再度浸漬
して無電解銅めっきする操作を無電解銅めっき最終仕上
がり厚さになるまで繰返す。
このようにして得られた無電解銅めっき膜は、無電解銅
めっき層が３層以上の層状に形成されているため、プリ
ント配線板への部品装着およびプリント配線板の使用時
に受ける機械的応力による歪が分散されて少なくなり、
プリント配線板の機械的特性の評価試験項目である引張
り強度、伸び率。
めっき層が３層以上の層状に形成されているため、プリ
ント配線板への部品装着およびプリント配線板の使用時
に受ける機械的応力による歪が分散されて少なくなり、
プリント配線板の機械的特性の評価試験項目である引張
り強度、伸び率。
折り曲げ回数を、従来の無電解銅めっき方法で得られる
めっき膜に比べて大きく向上させることができる。
めっき膜に比べて大きく向上させることができる。
なお、被めっき基板を一定時間無電解銅めっき浴中に浸
漬し引き上げ、再度浴中に浸漬する操作を繰返し行う場
合、１回毎に浸漬時間をそれぞれ変化させて無電解銅め
っきを施すか、もしくはそれぞれ同一時間で無電解銅め
っきを施すかの２通りが考えられるが、浸漬時間をそれ
ぞれ同一時間にする場合の方が、浸漬時間をそれぞれ変
化させる場合よりも、引張り強度、伸び率および折り曲
げ回数が大となる。
漬し引き上げ、再度浴中に浸漬する操作を繰返し行う場
合、１回毎に浸漬時間をそれぞれ変化させて無電解銅め
っきを施すか、もしくはそれぞれ同一時間で無電解銅め
っきを施すかの２通りが考えられるが、浸漬時間をそれ
ぞれ同一時間にする場合の方が、浸漬時間をそれぞれ変
化させる場合よりも、引張り強度、伸び率および折り曲
げ回数が大となる。
また、被めっき基板が無電解銅めっき浴中に浸漬される
際、１回の浸漬で基板上に析出させる無電解銅めっき膜
の厚さは、無電解銅めっき浴中に含まれる４成分、銅塩
、還元剤、ｐＨ調整剤、錯化剤のそれぞれの濃度および
無電解銅めっき浴の温度により析出速度が決まるため、
被めっき基板の浸漬時間を多くしたり、少なくしたりし
て調整し、無電解銅めっきの最終仕上がり厚さの１／１
００〜１／２の範囲内とすることにより、引張り強度。
際、１回の浸漬で基板上に析出させる無電解銅めっき膜
の厚さは、無電解銅めっき浴中に含まれる４成分、銅塩
、還元剤、ｐＨ調整剤、錯化剤のそれぞれの濃度および
無電解銅めっき浴の温度により析出速度が決まるため、
被めっき基板の浸漬時間を多くしたり、少なくしたりし
て調整し、無電解銅めっきの最終仕上がり厚さの１／１
００〜１／２の範囲内とすることにより、引張り強度。
伸び率および折り曲げ回数が向上し、特に１１５０〜１
／２の範囲内とすることが最も好ましい。
／２の範囲内とすることが最も好ましい。
被めっき基板を無電解銅めっき浴中に一定時間浸漬し、
それから、無電解銅めっき浴から被めっき基板を引き上
げ、再び前記無電解銅めっき浴に浸漬する操作を繰返す
際、無電解銅めっき浴から引き上げた被めっき基板を毎
回水洗処理と活性化処理とを施すことにより、無電解銅
めっきの析出を中断させ、無電解銅めっき層を３層以上
の層状に形成させ、引張り強度、伸び率および折り曲げ
回数を従来法よりも向上させることができる。
それから、無電解銅めっき浴から被めっき基板を引き上
げ、再び前記無電解銅めっき浴に浸漬する操作を繰返す
際、無電解銅めっき浴から引き上げた被めっき基板を毎
回水洗処理と活性化処理とを施すことにより、無電解銅
めっきの析出を中断させ、無電解銅めっき層を３層以上
の層状に形成させ、引張り強度、伸び率および折り曲げ
回数を従来法よりも向上させることができる。
前記活性化処理方法としては、無電解銅めっき浴から引
き上げた被めっき基板を水洗、無機酸に浸漬し、もう−
度水洗して無電解銅めっき浴に戻す方法、引き上げた被
めっき基板を水洗し、無機酸に浸漬し、水洗し、さらに
触媒付与を行った後無電解銅めっき浴に浸漬する方法、
または引き上げた被めっき基板を水洗し、触媒付与を行
った後無電解銅めっき浴に浸漬する方法の３種が好まし
い。
き上げた被めっき基板を水洗、無機酸に浸漬し、もう−
度水洗して無電解銅めっき浴に戻す方法、引き上げた被
めっき基板を水洗し、無機酸に浸漬し、水洗し、さらに
触媒付与を行った後無電解銅めっき浴に浸漬する方法、
または引き上げた被めっき基板を水洗し、触媒付与を行
った後無電解銅めっき浴に浸漬する方法の３種が好まし
い。
前記活性化処理工程で使用する無機酸としては、いろい
ろ考えられるが、銅の酸化物を溶解可能な酸が好ましい
０例えば、硫酸、塩酸またはこの２種の酸の混合物が最
適である。浴の温度は０．５〜ｌＯ規定、温度は５〜４
０℃、被めっき基板の１回の浸漬時間は１〜１０分間の
範囲内であれば、銅の酸化物の溶解が可能である。
ろ考えられるが、銅の酸化物を溶解可能な酸が好ましい
０例えば、硫酸、塩酸またはこの２種の酸の混合物が最
適である。浴の温度は０．５〜ｌＯ規定、温度は５〜４
０℃、被めっき基板の１回の浸漬時間は１〜１０分間の
範囲内であれば、銅の酸化物の溶解が可能である。
また、触媒付与は、触媒となりうる金属イオンを含む水
溶液、例えばＰｄＣ１ｚ −５ｎＣ１ｚ ）ＩＣＩ
（：Ｉ 。
溶液、例えばＰｄＣ１ｚ −５ｎＣ１ｚ ）ＩＣＩ
（：Ｉ 。
イドタイプ）、塩酸では作業環境を悪くするというので
、その改良型であるＰｄＣ１ｚ ５ｎＣ１ｚ Ｎａ
ＣＩ（コロイドタイプ）、パラジウム有機錯塩化合物、
中性鋼タイプの以上４種のいずれか１種の浴に被めっき
基板を浸漬して、被めっき基板上に金属イオン吸着させ
る。つぎに、触媒となる金属イオンを金属に還元可能な
液、例えば硫酸とシュウ酸の混合液もしくは水酸化ナト
リウムまたは炭酸ナトリウム等のアルカリ性水酸化物と
ホウ水素化合物との混合液に金属イオンが吸着した被め
つき基板を浸漬する操作を少なくとも１回繰返すことに
より、被めっき基板上に触媒を吸着させる方法である。
、その改良型であるＰｄＣ１ｚ ５ｎＣ１ｚ Ｎａ
ＣＩ（コロイドタイプ）、パラジウム有機錯塩化合物、
中性鋼タイプの以上４種のいずれか１種の浴に被めっき
基板を浸漬して、被めっき基板上に金属イオン吸着させ
る。つぎに、触媒となる金属イオンを金属に還元可能な
液、例えば硫酸とシュウ酸の混合液もしくは水酸化ナト
リウムまたは炭酸ナトリウム等のアルカリ性水酸化物と
ホウ水素化合物との混合液に金属イオンが吸着した被め
つき基板を浸漬する操作を少なくとも１回繰返すことに
より、被めっき基板上に触媒を吸着させる方法である。
金属イオンを含む水溶液中の金属イオン濃度は２０ ｐ
ｐｍより薄いと、被めっき基板上に吸着する触媒の量が
少なく無電解銅めっきの析出が開始せず、２５００ ｐ
ｐｍより濃いと触媒濃度をいくら上げても吸着する触媒
の量は一定であるため、２０〜２５００ ｐｐｍの範囲
内が好ましい。浴の温度も管理の点から２０〜６０℃の
範囲内が好ましい。また、被めっき基板の１回の浸漬時
間についても同様に、１分間より短いと触媒の吸着量が
少なく無電解銅めっきの析出が開始せず、１０分間を超
えて浸漬しても吸着する触媒の量は一定であるため、１
〜１０分間の範囲内が好ましい。
ｐｍより薄いと、被めっき基板上に吸着する触媒の量が
少なく無電解銅めっきの析出が開始せず、２５００ ｐ
ｐｍより濃いと触媒濃度をいくら上げても吸着する触媒
の量は一定であるため、２０〜２５００ ｐｐｍの範囲
内が好ましい。浴の温度も管理の点から２０〜６０℃の
範囲内が好ましい。また、被めっき基板の１回の浸漬時
間についても同様に、１分間より短いと触媒の吸着量が
少なく無電解銅めっきの析出が開始せず、１０分間を超
えて浸漬しても吸着する触媒の量は一定であるため、１
〜１０分間の範囲内が好ましい。
還元液浴の温度は、１０℃より低いと還元反応が生起し
にくいし、５０℃より高いと還元剤の自己分解が生起す
るため、１０〜５０℃の範囲内が好ましい。
にくいし、５０℃より高いと還元剤の自己分解が生起す
るため、１０〜５０℃の範囲内が好ましい。
被めっき基板の１回の浸漬時間としては、２分間より短
いと、金属イオンから金属に還元される触媒の量が少な
いため、無電解銅めっきの析出が開始せず、１０分間程
度の浸漬で被めっき基板上に吸着した金属イオンがほと
んど金属に還元されているため、これ以上浸漬させる必
要はない。したがって、被めっき基板の浸漬時間は２〜
１０分間の範囲内が好ましい。また、還元液浴の温度は
、前記とほぼ同じ理由から、０゜Ｏ１〜１＋ａｏｌ＃！
の範囲内が好ましい。
いと、金属イオンから金属に還元される触媒の量が少な
いため、無電解銅めっきの析出が開始せず、１０分間程
度の浸漬で被めっき基板上に吸着した金属イオンがほと
んど金属に還元されているため、これ以上浸漬させる必
要はない。したがって、被めっき基板の浸漬時間は２〜
１０分間の範囲内が好ましい。また、還元液浴の温度は
、前記とほぼ同じ理由から、０゜Ｏ１〜１＋ａｏｌ＃！
の範囲内が好ましい。
本発明において用いられる無電解銅めっき浴は、従来用
いられている第二銅イオン源となる銅塩、銅イオンを金
属銅にするための還元剤、還元剤を有効に働かすアルカ
リ性溶液にするためのｐＨ１整剤、アルカリ性溶液中で
銅の沈澱を防ぐための錯化剤の４成分を含有し、その他
に必要により安定剤を含有させることができ、この安定
剤の働きは無電解銅めっき浴の自己分解を防いで浴の寿
命を長くする。このように浴の寿命が長くなる原因は、
−価の銅および銅粒子をそれぞれ安定剤でマスクするか
らである。
いられている第二銅イオン源となる銅塩、銅イオンを金
属銅にするための還元剤、還元剤を有効に働かすアルカ
リ性溶液にするためのｐＨ１整剤、アルカリ性溶液中で
銅の沈澱を防ぐための錯化剤の４成分を含有し、その他
に必要により安定剤を含有させることができ、この安定
剤の働きは無電解銅めっき浴の自己分解を防いで浴の寿
命を長くする。このように浴の寿命が長くなる原因は、
−価の銅および銅粒子をそれぞれ安定剤でマスクするか
らである。
安定剤としては、キレート剤および高分子剤があり、キ
レート剤としては、シアン化ナトリウム。
レート剤としては、シアン化ナトリウム。
シアン化カリウム、シアン化ニッケルカリウム。
シアン化鉄カリウム、シアン化コバルトカリウム。
ジピリジル、２（２−ピリジル）イミダシン、２（２−
ピリジル）ベンゾイミダゾール、 １．１０フエナント
ロリン、２．９−ジメチル−１，１０−フェナントロリ
ン、４．７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン
１４．７−ジフェニル−２，９−ジメチル−１゜】Ｏ−
フェナントロリン、チオ尿素、アリルチオ尿素、ロダニ
ン、２−メルカプトベンゾチアゾールが知られており、
高分子剤としてはポリエチレングリコール、ポリエチレ
ンオキサイドなどが知られている。
ピリジル）ベンゾイミダゾール、 １．１０フエナント
ロリン、２．９−ジメチル−１，１０−フェナントロリ
ン、４．７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン
１４．７−ジフェニル−２，９−ジメチル−１゜】Ｏ−
フェナントロリン、チオ尿素、アリルチオ尿素、ロダニ
ン、２−メルカプトベンゾチアゾールが知られており、
高分子剤としてはポリエチレングリコール、ポリエチレ
ンオキサイドなどが知られている。
銅塩としては、硫酸銅、塩化第二銅、酢酸銅。
硝酸銅などを用いることができるが、コストの点から硫
酸銅が最も好ましい。還元剤は、ヒドラジン、ホルマリ
ン、ホウ水素化合物１衣亜りん酸ナトリウムを用いるこ
とができるが、安定性およびコストの点からホルマリン
が最も好ましい。同様にｐＨ調整剤は、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア水等
を用いることができるが、水酸化ナトリウムが最も好ま
しい。錯化剤についても酒石酸ナトリウムカリウムおよ
びエチレンジアミン四酢酸ナトリウム塩の２種を用いる
ことができるが、浴の安定性、高速性の点からエチレン
ジアミン四酢酸ナトリウム塩が好ましい。
酸銅が最も好ましい。還元剤は、ヒドラジン、ホルマリ
ン、ホウ水素化合物１衣亜りん酸ナトリウムを用いるこ
とができるが、安定性およびコストの点からホルマリン
が最も好ましい。同様にｐＨ調整剤は、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア水等
を用いることができるが、水酸化ナトリウムが最も好ま
しい。錯化剤についても酒石酸ナトリウムカリウムおよ
びエチレンジアミン四酢酸ナトリウム塩の２種を用いる
ことができるが、浴の安定性、高速性の点からエチレン
ジアミン四酢酸ナトリウム塩が好ましい。
以上４成分のそれぞれの濃度は、銅塩の場合、０．０１
〜０．１５ ａ＋ｏｌ ／ ｌ 、還元剤０．１ｍｏｌ
／１、ｐＨ調整剤０．１〜１ｍｏｌ／ｌ、錯化剤は銅イ
オンのモル濃度の１〜３倍の範囲内が好ましい。
〜０．１５ ａ＋ｏｌ ／ ｌ 、還元剤０．１ｍｏｌ
／１、ｐＨ調整剤０．１〜１ｍｏｌ／ｌ、錯化剤は銅イ
オンのモル濃度の１〜３倍の範囲内が好ましい。
また、無電解銅めっき浴の温度は、８０℃より高いと浴
の分解が生起し、３０℃より低いと析出速度が遅すぎ、
所望の無電解銅めっき厚さを得るまでに時間がかかり過
ぎるため、３０〜８０℃の範囲内が好ましい。
の分解が生起し、３０℃より低いと析出速度が遅すぎ、
所望の無電解銅めっき厚さを得るまでに時間がかかり過
ぎるため、３０〜８０℃の範囲内が好ましい。
被めっき基板を無電解銅めっき浴に一定時間浸漬し、め
っき浴から被めっき基板を引き上げ、その引き上げた被
めっき基板を前記無電解銅めっき浴に再度浸漬するまで
の時間は、４５分間以内が好ましい、その理由は、水洗
水または空気中に長時間放置すると銅表面に酸化膜が生
成し、この酸化膜上に析出させる銅との密着性が悪くな
るため、４５分間以内が好ましい。
っき浴から被めっき基板を引き上げ、その引き上げた被
めっき基板を前記無電解銅めっき浴に再度浸漬するまで
の時間は、４５分間以内が好ましい、その理由は、水洗
水または空気中に長時間放置すると銅表面に酸化膜が生
成し、この酸化膜上に析出させる銅との密着性が悪くな
るため、４５分間以内が好ましい。
以下に、本発明を実施例にもとづいてさらに説明する。
比較例１
表面を機械的に研摩したステンレススチール板を１０ｇ
／βの水酸化ナトリウム水溶液を用いて脱脂した後、シ
ブレイ社製キャタボジット４４水溶液及び同社製アクセ
ラレータ−１９を使用して１表面に触媒付与を行なった
。これを被めっき板とした。
／βの水酸化ナトリウム水溶液を用いて脱脂した後、シ
ブレイ社製キャタボジット４４水溶液及び同社製アクセ
ラレータ−１９を使用して１表面に触媒付与を行なった
。これを被めっき板とした。
浴温度が６０℃の第１表記載の組成１の無電解銅めっき
浴に前記波めっき板を連続して浸漬し、被めっき板上に
厚さ３５〜４０１ｍの無電解銅めっき膜を形成させた。
浴に前記波めっき板を連続して浸漬し、被めっき板上に
厚さ３５〜４０１ｍの無電解銅めっき膜を形成させた。
このめっき膜をステンレススチール板より剥がして、幅
１０ｍｍ、長さ １００ｍｍに切断し、東洋ボールドウ
ィン社製の引張り試験機を用いて引張り強度及び伸び率
を測定した。また、別のサンプルを１８０°折り曲げ、
また元に戻すという折り曲げ試験を行ない、折り目に割
れを生じるまでの回数を測定した。その結果を第２表に
示す。
１０ｍｍ、長さ １００ｍｍに切断し、東洋ボールドウ
ィン社製の引張り試験機を用いて引張り強度及び伸び率
を測定した。また、別のサンプルを１８０°折り曲げ、
また元に戻すという折り曲げ試験を行ない、折り目に割
れを生じるまでの回数を測定した。その結果を第２表に
示す。
第２表
めっき膜の機械的特性
第３表
はんだデイツプ
また、大きさ １００＋ｏｗＸ １００ｍ■、厚さ１
．６ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂系銅張り積層板に
ドリルを用いて直径１．００ｇ＋■の穴を２５０個あけ
た６次に、前記被めっき基板をシブレイ社製アルキレー
ト水溶液を用いて脱脂し、同社コンディショナー１１６
０水溶液を用いて整面し、過硫酸アンモニウム水溶液を
用いて銅表面を粗化し、さらにシブレイ社製キャタボジ
ット４４水溶液及び同社製アクセラレータ−１９を使用
して表面に触媒付与を行なった。前記と同様の組成と浴
温度を持つ無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様の方
法により厚さが３５〜４０ｕｍの無電解銅めっき膜な前
記被めっき基板上に形成させた。前記方法により得られ
た被めっき基板について２６０℃のはんだ槽に１０秒浸
漬し５５秒放冷後、室温のトリクレンに１０秒浸漬する
操作を１サイクルとし、穴のコーナ一部にクラックが生
じる最小回数を測定した。このはんだデイツプ試験の結
果を第３表に示す。
．６ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂系銅張り積層板に
ドリルを用いて直径１．００ｇ＋■の穴を２５０個あけ
た６次に、前記被めっき基板をシブレイ社製アルキレー
ト水溶液を用いて脱脂し、同社コンディショナー１１６
０水溶液を用いて整面し、過硫酸アンモニウム水溶液を
用いて銅表面を粗化し、さらにシブレイ社製キャタボジ
ット４４水溶液及び同社製アクセラレータ−１９を使用
して表面に触媒付与を行なった。前記と同様の組成と浴
温度を持つ無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様の方
法により厚さが３５〜４０ｕｍの無電解銅めっき膜な前
記被めっき基板上に形成させた。前記方法により得られ
た被めっき基板について２６０℃のはんだ槽に１０秒浸
漬し５５秒放冷後、室温のトリクレンに１０秒浸漬する
操作を１サイクルとし、穴のコーナ一部にクラックが生
じる最小回数を測定した。このはんだデイツプ試験の結
果を第３表に示す。
比較例２
表面を機械的に研摩したステンレススチール板をｌＯｇ
／ｆｆの水酸化ナトリウム水溶液を用いて脱脂した後、
水洗し、３．６規定の硫酸水溶液で中和した０次に、硫
酸銅めっきを行ない、板上に厚さ３５〜４０μｍの電気
銅めっき膜を形成させた。この膜をステンレススチール
板より剥がして、比較例１と同様の方法により引張り強
度、伸び率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を第
２表に示す。
／ｆｆの水酸化ナトリウム水溶液を用いて脱脂した後、
水洗し、３．６規定の硫酸水溶液で中和した０次に、硫
酸銅めっきを行ない、板上に厚さ３５〜４０μｍの電気
銅めっき膜を形成させた。この膜をステンレススチール
板より剥がして、比較例１と同様の方法により引張り強
度、伸び率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を第
２表に示す。
また、比較例１と同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系鋼張り積層板をシブレイ社製ニュートラ
クリーン水溶液を用いて脱脂し、過硫酸アンモニウム水
溶液を用いて銅表面を粗化し、さらに、３．６規定の硫
酸水溶液に浸漬し、表面の酸化物を溶解させた０次に、
硫酸銅めっきを行ない、被めっき基板上に厚さが３５〜
４０μｍの電気銅めっき膜を形成させた。前記方法によ
り得られた被めっき基板についてはんだデイツプ試験を
行ない、穴のコーナ一部にクラックが生じる最小回数を
測定した。その結果を第３表に示す。
エポキシ樹脂系鋼張り積層板をシブレイ社製ニュートラ
クリーン水溶液を用いて脱脂し、過硫酸アンモニウム水
溶液を用いて銅表面を粗化し、さらに、３．６規定の硫
酸水溶液に浸漬し、表面の酸化物を溶解させた０次に、
硫酸銅めっきを行ない、被めっき基板上に厚さが３５〜
４０μｍの電気銅めっき膜を形成させた。前記方法によ
り得られた被めっき基板についてはんだデイツプ試験を
行ない、穴のコーナ一部にクラックが生じる最小回数を
測定した。その結果を第３表に示す。
比較例３
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした６ 浴温度６０℃１組成１の無電解銅めっき浴に前記波めっ
き板を浸漬して厚さ２μｍのめっき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴引き上げ、水で前記
波めっき板上に付着している無電解銅めっき液を洗い落
した後、前記波めっき板を前記無電解銅めっき浴に浸漬
する一連の操作を繰返し行ない、被めっき板上に厚さ３
５〜４０ｕ ｍの無電解銅めっき膜を形成させた。この
めっき膜をステンレススチール板より剥がして、比較例
１と同様の方法により引張り強度、伸び率及び折り曲げ
回数を測定した。その結果を第２表に示す。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした６ 浴温度６０℃１組成１の無電解銅めっき浴に前記波めっ
き板を浸漬して厚さ２μｍのめっき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴引き上げ、水で前記
波めっき板上に付着している無電解銅めっき液を洗い落
した後、前記波めっき板を前記無電解銅めっき浴に浸漬
する一連の操作を繰返し行ない、被めっき板上に厚さ３
５〜４０ｕ ｍの無電解銅めっき膜を形成させた。この
めっき膜をステンレススチール板より剥がして、比較例
１と同様の方法により引張り強度、伸び率及び折り曲げ
回数を測定した。その結果を第２表に示す。
また、比較例１と同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例工と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度が６０℃、組成工の
無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法に
より、被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめっき膜
を形成させた。
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例工と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度が６０℃、組成工の
無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法に
より、被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめっき膜
を形成させた。
前記方法により得られた被めっき基板についてはんだデ
イツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にクラ・ンクが生
じる最小回数を測定した。その結果を第３表に示す。
イツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にクラ・ンクが生
じる最小回数を測定した。その結果を第３表に示す。
比較例４
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度８０℃２組成２の無電解銅めっき浴に前記波めっ
き板を浸漬して厚さＩｇｍのめっき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
した後、前記波めっき板を前記無電解銅めっき浴に浸漬
する一連の操作を繰返し行ない、被めっき板上に厚さ３
５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形成させた。このめ
っき膜をステンレススチール板より剥がして、比較例１
と同様の方法により引張り強度、伸び率及び折り曲げ回
数を測定した。その結果を第２表に示す、また、比較例
１と同様の穴あけを行なったガラス布基材エポキシ樹脂
系銅張り積層板に同様の方法を用いて触媒付与を行なっ
た。浴温度８０℃１組成２の無電解銅めっき浴を用いて
、前記と同様のめっき方法により、被めっき基板上に厚
さ３５〜４０ｕｍのめっき膜を形成させた、前記方法に
より得られた被めっき基板について、はんだデイラブ試
験を行ない、穴のコーナ一部にクラックが生じる最小回
数を測定した。その結果を第３表に示す。
き板を浸漬して厚さＩｇｍのめっき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
した後、前記波めっき板を前記無電解銅めっき浴に浸漬
する一連の操作を繰返し行ない、被めっき板上に厚さ３
５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形成させた。このめ
っき膜をステンレススチール板より剥がして、比較例１
と同様の方法により引張り強度、伸び率及び折り曲げ回
数を測定した。その結果を第２表に示す、また、比較例
１と同様の穴あけを行なったガラス布基材エポキシ樹脂
系銅張り積層板に同様の方法を用いて触媒付与を行なっ
た。浴温度８０℃１組成２の無電解銅めっき浴を用いて
、前記と同様のめっき方法により、被めっき基板上に厚
さ３５〜４０ｕｍのめっき膜を形成させた、前記方法に
より得られた被めっき基板について、はんだデイラブ試
験を行ない、穴のコーナ一部にクラックが生じる最小回
数を測定した。その結果を第３表に示す。
実施例１
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度６０℃２組成３の無電解銅めっき浴に前記波めっ
き板を浸漬して厚さ４ｕｍのめっき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、１．０規定、 ２０’Ｃの塩酸水溶液に被めっき板
を５分間浸漬し、水洗後、前記波めっき板を前記無電解
銅めっき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被め
っき板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形
成させた。このめっき膜をステンレススチール板より剥
がして、比較例１と同様の方法により引張り強度、伸び
率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示
す。
き板を浸漬して厚さ４ｕｍのめっき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、１．０規定、 ２０’Ｃの塩酸水溶液に被めっき板
を５分間浸漬し、水洗後、前記波めっき板を前記無電解
銅めっき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被め
っき板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形
成させた。このめっき膜をステンレススチール板より剥
がして、比較例１と同様の方法により引張り強度、伸び
率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示
す。
また、比較例１と同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度が６０℃２組成３の
無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法に
より、被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめっき膜
を形成させた。
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度が６０℃２組成３の
無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法に
より、被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめっき膜
を形成させた。
前記方法により得られた被めっき基板について、はんだ
デイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にクラックが生
じる最小回数を測定した。その結果を第３表に示す。
デイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にクラックが生
じる最小回数を測定した。その結果を第３表に示す。
実施例２
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度５０℃、組成４の無電解銅めっき浴に前記波めっ
き板を浸漬して厚さ２μｍのめっき膜を形成させた１次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、 １．０規定、 ４０”Ｃの塩酸水溶液に被めっき
板を２分間浸漬し、水洗後、前記波めっき板を前記無電
解銅めっき浴に浸漬する−違の操作を繰返し行ない、被
めっき板上に厚さ３５〜４０ｕｍの無電解銅めっき膜を
形成させた。このめっき膜をステンレススチール板より
剥がして、比較例１と同様の方法により引張り強度、伸
び率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に
示す。
き板を浸漬して厚さ２μｍのめっき膜を形成させた１次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、 １．０規定、 ４０”Ｃの塩酸水溶液に被めっき
板を２分間浸漬し、水洗後、前記波めっき板を前記無電
解銅めっき浴に浸漬する−違の操作を繰返し行ない、被
めっき板上に厚さ３５〜４０ｕｍの無電解銅めっき膜を
形成させた。このめっき膜をステンレススチール板より
剥がして、比較例１と同様の方法により引張り強度、伸
び率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に
示す。
また、比較例１と同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度が５０℃、組成４の
無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法に
より、被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめっき膜
を形成させた。
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度が５０℃、組成４の
無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法に
より、被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめっき膜
を形成させた。
前記方法により得られた被めっき基板について、はんだ
デイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にクラ・ンクが
生じる最小回数を測定した。その結果を第３表に示す。
デイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にクラ・ンクが
生じる最小回数を測定した。その結果を第３表に示す。
実施例３
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度７０℃、組成】の無電解銅めっき浴に前記波めっ
き板を浸漬して厚さ２μｍのめっき膜を形成させた。次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、３，６規定、３０℃の硫酸水滴液に被めっき板を１
分間浸漬し、水洗後、前記波めっき板を前記無電解銅め
っき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被めっき
板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形成さ
せた。このめっき膜をステンレススチール板より剥がし
て、比較例１と同様の方法により引張り強度、伸び率及
び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示す。
き板を浸漬して厚さ２μｍのめっき膜を形成させた。次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、３，６規定、３０℃の硫酸水滴液に被めっき板を１
分間浸漬し、水洗後、前記波めっき板を前記無電解銅め
っき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被めっき
板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形成さ
せた。このめっき膜をステンレススチール板より剥がし
て、比較例１と同様の方法により引張り強度、伸び率及
び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示す。
また、比較例１と同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系鋼張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度７０℃、組成１の無
電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法によ
り、被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめっき膜を
形成させた。前記方法により得られた被めっき基板につ
いて、はんだデイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部に
クラックが生じる最小回数を測定した。その結果を第３
表に示す。
エポキシ樹脂系鋼張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度７０℃、組成１の無
電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法によ
り、被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめっき膜を
形成させた。前記方法により得られた被めっき基板につ
いて、はんだデイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部に
クラックが生じる最小回数を測定した。その結果を第３
表に示す。
実施例４
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度６０”Ｃ１組成４の無電解銅めっき浴に前記波め
っき板を浸漬して厚さ５ｕｍのめっき膜を形成させた６
次に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水
洗し、７．２規定、５０”Ｃの硫酸水溶液に被めっき板
を１分間浸漬し、水洗後、前記波めっき板を前記無電解
銅めっき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被め
っき板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形
成させた。このめっき膜をステンレススチール板より剥
がして、比較例１と同様の方法により引張り強度、伸び
率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示
す。
っき板を浸漬して厚さ５ｕｍのめっき膜を形成させた６
次に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水
洗し、７．２規定、５０”Ｃの硫酸水溶液に被めっき板
を１分間浸漬し、水洗後、前記波めっき板を前記無電解
銅めっき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被め
っき板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形
成させた。このめっき膜をステンレススチール板より剥
がして、比較例１と同様の方法により引張り強度、伸び
率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示
す。
また、比較例１と同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系鋼張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度が６０℃、組成４の
無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法に
より、被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめっき膜
を形成させた。
エポキシ樹脂系鋼張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度が６０℃、組成４の
無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法に
より、被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめっき膜
を形成させた。
前記方法により得られた被めっき基板について、はんだ
デイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にクラックが生
じる最小回数を測定した。その結果を第３表に示す。
デイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にクラックが生
じる最小回数を測定した。その結果を第３表に示す。
実施例５
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度６０℃、組成５の無電解銅めっき浴に前記波めっ
き板を浸漬して厚さ３ｕｍのめっき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、３．６規定、３０℃の硫酸水溶液に被めっき板を２
分間浸漬し、水洗後、５００ｐｐｍ、５０℃のＰｄＣ１
ｔ−５ｎＣ１，−ＨＣｌ溶液に被めっき板を３分間浸漬
した。被めっき板を引き上げ、水洗し、各々０．５＋＋
＋ｏｌ／ ９の硫酸・シュウ酸を含む４０℃の水溶液に
８分間浸漬し、さらに水洗した後前記被めっき板を前記
無電解銅めっき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない
、被めっき板上に厚さ３５〜４０ｕｍの無電解銅めっき
膜を形成させた。
き板を浸漬して厚さ３ｕｍのめっき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、３．６規定、３０℃の硫酸水溶液に被めっき板を２
分間浸漬し、水洗後、５００ｐｐｍ、５０℃のＰｄＣ１
ｔ−５ｎＣ１，−ＨＣｌ溶液に被めっき板を３分間浸漬
した。被めっき板を引き上げ、水洗し、各々０．５＋＋
＋ｏｌ／ ９の硫酸・シュウ酸を含む４０℃の水溶液に
８分間浸漬し、さらに水洗した後前記被めっき板を前記
無電解銅めっき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない
、被めっき板上に厚さ３５〜４０ｕｍの無電解銅めっき
膜を形成させた。
このめっき膜をステンレススチール板より剥がして、比
較例１と同様の方法により引張り強度、伸び率及び折り
曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示す。
較例１と同様の方法により引張り強度、伸び率及び折り
曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示す。
また、比較例１と同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度が６０℃１組成５の
無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめつき方法に
より被めっき基板に厚さ３５〜４０μｍのめつき膜を形
成させた。前記方法により得られた被めっき基板につい
て、はんだデイ・ンブ試験を行ない、穴のコーナ一部に
クラックが生じる最小回数を測定した。その結果を第３
表に示す。
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度が６０℃１組成５の
無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめつき方法に
より被めっき基板に厚さ３５〜４０μｍのめつき膜を形
成させた。前記方法により得られた被めっき基板につい
て、はんだデイ・ンブ試験を行ない、穴のコーナ一部に
クラックが生じる最小回数を測定した。その結果を第３
表に示す。
実施例６
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度６０℃、組成３の無電解銅めっき浴に前記波めっ
き板を浸漬して厚さ２μｍのめつき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、１．２規定、４０℃の塩酸水溶液に被めっき板を１
分間浸漬し、水洗後。
き板を浸漬して厚さ２μｍのめつき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、１．２規定、４０℃の塩酸水溶液に被めっき板を１
分間浸漬し、水洗後。
２５０ｐｐｍ、４０℃のＰｄＣ１ｔ−５ｎＣ１−１（ｃ
Ｉ温溶液被めっき板を６分間浸漬した。被めっき板を引
き上げ、水洗し、各々０．４■ｏｌ／βの硫酸・シュウ
酸を含む５０℃の水溶液に７分間浸漬し、さらに水洗し
た後前２被めっき板を前記無電解銅めっき浴に浸漬する
一連の操作を繰返し行ない、被めっき板上に厚さ３５〜
４０μｍの無電解銅めっき膜を形成させた。
Ｉ温溶液被めっき板を６分間浸漬した。被めっき板を引
き上げ、水洗し、各々０．４■ｏｌ／βの硫酸・シュウ
酸を含む５０℃の水溶液に７分間浸漬し、さらに水洗し
た後前２被めっき板を前記無電解銅めっき浴に浸漬する
一連の操作を繰返し行ない、被めっき板上に厚さ３５〜
４０μｍの無電解銅めっき膜を形成させた。
このめっき膜をステンレススチール板より剥がして、比
較例１と同様の方法により引張り強度、伸び率及び折り
曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示す。
較例１と同様の方法により引張り強度、伸び率及び折り
曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示す。
また、比較例１と同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度６０℃、組成３の無
電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめつき方法によ
り被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめつき膜を形
成させた。前記方法により得られた被めっき基板につい
て、はんだデイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にク
ラックが生じる最小回数を測定した。その結果を第３表
に示す。
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度６０℃、組成３の無
電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめつき方法によ
り被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめつき膜を形
成させた。前記方法により得られた被めっき基板につい
て、はんだデイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にク
ラックが生じる最小回数を測定した。その結果を第３表
に示す。
実施例７
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度７０℃、組成２の無電解銅めっき浴に前記波めっ
き板を浸漬して厚さｌｕｍのめつき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、３．６規定、４０℃の硫酸水溶液に被めっき板を５
分間浸漬し、水洗後、３００ｐｐｍ、５０℃のＰｄＣ１
ｚ−５ｎＣ１ｉ−ＮａＣ１溶液に被めっき板を５分間浸
漬した。被めっき板を引き上げ、水洗し、各々０．３ｎ
＋ｏｌ／ｆ２の硫酸・シュウ酸を含む３０℃の水溶液に
１０分間浸漬し、さらに水洗した後、前記波めっき板を
前記無電解銅めっき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行
ない、被めっき板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅め
っき膜を形成させた。このめっき膜をステンレススチー
ル板より剥がして、比較例１と同様の方法により引張り
強度、伸び率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を
第２表に示す。
き板を浸漬して厚さｌｕｍのめつき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、３．６規定、４０℃の硫酸水溶液に被めっき板を５
分間浸漬し、水洗後、３００ｐｐｍ、５０℃のＰｄＣ１
ｚ−５ｎＣ１ｉ−ＮａＣ１溶液に被めっき板を５分間浸
漬した。被めっき板を引き上げ、水洗し、各々０．３ｎ
＋ｏｌ／ｆ２の硫酸・シュウ酸を含む３０℃の水溶液に
１０分間浸漬し、さらに水洗した後、前記波めっき板を
前記無電解銅めっき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行
ない、被めっき板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅め
っき膜を形成させた。このめっき膜をステンレススチー
ル板より剥がして、比較例１と同様の方法により引張り
強度、伸び率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を
第２表に示す。
また、比較例１と同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度７０℃１組成２の無
電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめつき方法によ
り被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめつき膜を形
成させた、前記方法により得られた被めっき基板につい
て、はんだデイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にク
ラックが生じる最小回数を測定した。その結果を第３表
に示す。
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度７０℃１組成２の無
電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめつき方法によ
り被めっき基板上に厚さ３５〜４０μｍのめつき膜を形
成させた、前記方法により得られた被めっき基板につい
て、はんだデイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にク
ラックが生じる最小回数を測定した。その結果を第３表
に示す。
実施例８
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度７０℃、組成６の無電解銅めっき浴に前記波めっ
き板を浸漬して厚さ５μｍのめつき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、１．２規定、２０℃の塩酸水溶液に被めっき板を８
分間浸漬し、水洗後。
き板を浸漬して厚さ５μｍのめつき膜を形成させた０次
に、前記波めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、１．２規定、２０℃の塩酸水溶液に被めっき板を８
分間浸漬し、水洗後。
２００ｐｐｍ、 ６０℃のＰｄＣ１ｉ−ＳｎＣ１ｚ−Ｎ
ａＣ１溶液に被めっき板を８分間浸漬した。被めっき板
を引き上げ、水洗し、各々０．４ｍｏｌ／βのＦａ酸・
シュウ酸を含む４０℃の水溶液に６分間浸漬し、さらに
水洗した後、前記被めっき板を前記無電解銅めっき浴に
浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被めっき板上に厚
さ３５〜４０ｕｍの無電解銅めっき膜を形成させた。こ
のめっき膜をステンレススチール板より剥がして、比較
例１と同様の方法により引張り強度、伸び率及び折り曲
げ回数を測定した。その結果を第２表に示す。
ａＣ１溶液に被めっき板を８分間浸漬した。被めっき板
を引き上げ、水洗し、各々０．４ｍｏｌ／βのＦａ酸・
シュウ酸を含む４０℃の水溶液に６分間浸漬し、さらに
水洗した後、前記被めっき板を前記無電解銅めっき浴に
浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被めっき板上に厚
さ３５〜４０ｕｍの無電解銅めっき膜を形成させた。こ
のめっき膜をステンレススチール板より剥がして、比較
例１と同様の方法により引張り強度、伸び率及び折り曲
げ回数を測定した。その結果を第２表に示す。
また、比較例１と同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系鋼張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度７０℃、組成６の無
電解銅めっき浴を用いて。
エポキシ樹脂系鋼張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度７０℃、組成６の無
電解銅めっき浴を用いて。
前記と同様のめっき方法により被めっき板上に厚さ３５
〜４０ｕ ｍのめフき膜を形成させた。前記方法により
得られた被めっき基板について、はんだデイツプ試験を
行ない、穴のコーナ一部にクラックが生じる最小回数を
測定した。その結果を第３表に示す。
〜４０ｕ ｍのめフき膜を形成させた。前記方法により
得られた被めっき基板について、はんだデイツプ試験を
行ない、穴のコーナ一部にクラックが生じる最小回数を
測定した。その結果を第３表に示す。
実施例９
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例】と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例】と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度５０℃、組成４の無電解銅めっき浴に前記被めっ
き板を浸漬して厚さ２μｍのめっき膜を形成させた１次
に、前記被めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、２．４規定、３０℃の塩酸水溶液に被めっき板を３
分間浸漬し、水洗後、３００ｐｐｍ、３０℃のパラジウ
ム有機錯塩化合物を含む水溶液に被めっき板を６分間浸
漬した。被めっき板を引き上げ、各々０．２ａ＋ｏｌ／
βの水酸化ナトリウム、ホウ水素化合物を含む３０℃の
水溶液に４分間浸漬し、さらに水洗した後、前記無電解
銅めっき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被め
っき板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形
成させた。このめっき膜をステンレススチール板より剥
がして、比較例１と同様の方法により引張り強度、伸び
率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示
す。
き板を浸漬して厚さ２μｍのめっき膜を形成させた１次
に、前記被めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、２．４規定、３０℃の塩酸水溶液に被めっき板を３
分間浸漬し、水洗後、３００ｐｐｍ、３０℃のパラジウ
ム有機錯塩化合物を含む水溶液に被めっき板を６分間浸
漬した。被めっき板を引き上げ、各々０．２ａ＋ｏｌ／
βの水酸化ナトリウム、ホウ水素化合物を含む３０℃の
水溶液に４分間浸漬し、さらに水洗した後、前記無電解
銅めっき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被め
っき板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形
成させた。このめっき膜をステンレススチール板より剥
がして、比較例１と同様の方法により引張り強度、伸び
率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示
す。
また、比較例１と同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系鋼張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度５０℃１組成４の無
電解銅めっき浴を用いて。
エポキシ樹脂系鋼張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度５０℃１組成４の無
電解銅めっき浴を用いて。
前記と同様のめっき方法により被めっき基板に厚さ３５
〜４０ＬＬｍのめっき膜を形成させた。前記方法により
得られた被めっき基板について、はんだデイツプ試験を
行ない、穴のコーナ一部にクラックが生じる最小回数を
測定した。その結果を第３表に示す。
〜４０ＬＬｍのめっき膜を形成させた。前記方法により
得られた被めっき基板について、はんだデイツプ試験を
行ない、穴のコーナ一部にクラックが生じる最小回数を
測定した。その結果を第３表に示す。
実施例１０
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度７［”Ｃ１組成１の無電解銅めっき浴に前記被め
っき板を浸漬して厚さ３μｍのめっき膜を形成させた０
次に、前記被めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水
洗し、各々２．０規定で、 ３０”Ｃの塩酸、硫酸混合
液に被めっき板を１分間浸漬し、水洗後、 ２００ｐｐ
ｍ、 ４０℃のパラジウム有機錯塩化合物を含む水溶液
に被めっき板を８分間浸漬した。
っき板を浸漬して厚さ３μｍのめっき膜を形成させた０
次に、前記被めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水
洗し、各々２．０規定で、 ３０”Ｃの塩酸、硫酸混合
液に被めっき板を１分間浸漬し、水洗後、 ２００ｐｐ
ｍ、 ４０℃のパラジウム有機錯塩化合物を含む水溶液
に被めっき板を８分間浸漬した。
次に被めっき板を引き上げ、各々０．４ｍｏｌ／１の水
酸化ナトリウム、ホウ水素化合物を含む３０”Ｃの水溶
液に４分間浸漬し、さらに水洗した後、前記無電解銅め
っき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被めっき
板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形成さ
せた。このめっき膜をステンレススチール板より剥がし
て、比較例１と同様の方法により引張り強度、伸び率及
び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示す６ また。比較例Ｉと同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度７０℃、組成ｌの無
電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法によ
り被めっき基板上に厚さ３５〜４０ｇｍのめっき膜を形
成させた。前記方法により得られた被めっき基板につい
て、はんだデイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にク
ラックが生じる最小回数を測定した。その結果を第３表
に示す。
酸化ナトリウム、ホウ水素化合物を含む３０”Ｃの水溶
液に４分間浸漬し、さらに水洗した後、前記無電解銅め
っき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被めっき
板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形成さ
せた。このめっき膜をステンレススチール板より剥がし
て、比較例１と同様の方法により引張り強度、伸び率及
び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示す６ また。比較例Ｉと同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度７０℃、組成ｌの無
電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法によ
り被めっき基板上に厚さ３５〜４０ｇｍのめっき膜を形
成させた。前記方法により得られた被めっき基板につい
て、はんだデイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部にク
ラックが生じる最小回数を測定した。その結果を第３表
に示す。
実施例１１
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度６０℃、組成３の無電解銅めっき浴に前記被めっ
き板を浸漬して厚さ２μｍのめつき膜を形成させた０次
に、前記被めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、 ２ＳＯｐｐｍ、 ５０℃のＰｄＣｌ２−５ｎＣ１
よ−ＮａＣ１水溶液に４分間浸漬し、水洗し。
き板を浸漬して厚さ２μｍのめつき膜を形成させた０次
に、前記被めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、 ２ＳＯｐｐｍ、 ５０℃のＰｄＣｌ２−５ｎＣ１
よ−ＮａＣ１水溶液に４分間浸漬し、水洗し。
０．４ｍｏｌ／ Ａの硫酸、０．８ｍｏｌ／ｆｉのシュ
ウ酸の３０℃の混合液に７分間浸漬した。水洗後、前記
無電解銅めっき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない
、被めっき板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき
膜を形成させた。このめっき膜をステンレススチール板
より剥がして、比較例１と同様の方法により引張り強度
、伸び率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２
表に示す。
ウ酸の３０℃の混合液に７分間浸漬した。水洗後、前記
無電解銅めっき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない
、被めっき板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき
膜を形成させた。このめっき膜をステンレススチール板
より剥がして、比較例１と同様の方法により引張り強度
、伸び率及び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２
表に示す。
また、比較例１と同様の穴あけを行なったガラス布基材
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度６０℃、組成３の無
電解銅めっき浴を用いて。
エポキシ樹脂系銅張り積層板に比較例１と同様の方法を
用いて触媒付与を行なった。浴温度６０℃、組成３の無
電解銅めっき浴を用いて。
前記と同様のめっき方法により被めっき基板に厚さ３５
〜４０μｍのめっき膜を形成させた。前記方法により得
られた被めっき基板について、はんだデイツプ試験を行
ない、穴のコーナ一部にクラックが生じる最小回数を測
定した。その結果を第３表に示す。
〜４０μｍのめっき膜を形成させた。前記方法により得
られた被めっき基板について、はんだデイツプ試験を行
ない、穴のコーナ一部にクラックが生じる最小回数を測
定した。その結果を第３表に示す。
実施例１２
表面を機械的に研摩したステンレススチール板上に比較
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
例１と同様の方法を用いて触媒付与を行なった。これを
被めっき板とした。
浴温度６０℃、組成１の無電解銅めっき浴に前記被めっ
き板を浸漬して厚さ３μｍのめつき膜を形成させた０次
に、前記被めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、２００ｐｐｍ、４５℃のＰｄＣｌ２−３ｎＣ１ｔ−
ＮａＣ１水溶液に６分間浸漬し、水洗し、０．４ｍｏｌ
／βの硫酸、０．８＋＊ｏｌ／ρのシュウ酸を含む３０
℃の混合液に７分間浸漬した。水洗後、もう−度前記Ｐ
ｄＣ１ｔ−５ｎＣ１ａ−ＮａＣ１水溶液に６分間浸漬し
。
き板を浸漬して厚さ３μｍのめつき膜を形成させた０次
に、前記被めっき板を前記めっき浴から引き上げ、水洗
し、２００ｐｐｍ、４５℃のＰｄＣｌ２−３ｎＣ１ｔ−
ＮａＣ１水溶液に６分間浸漬し、水洗し、０．４ｍｏｌ
／βの硫酸、０．８＋＊ｏｌ／ρのシュウ酸を含む３０
℃の混合液に７分間浸漬した。水洗後、もう−度前記Ｐ
ｄＣ１ｔ−５ｎＣ１ａ−ＮａＣ１水溶液に６分間浸漬し
。
水洗し、前記還元液に浸漬し、水洗し、前記無電解銅め
っき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被めっき
板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形成さ
せた。このめっき膜をステンレススチール板より剥がし
て、比較例Ｉと同様の方法により引張り強度、伸び率及
び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示す。
っき浴に浸漬する一連の操作を繰返し行ない、被めっき
板上に厚さ３５〜４０μｍの無電解銅めっき膜を形成さ
せた。このめっき膜をステンレススチール板より剥がし
て、比較例Ｉと同様の方法により引張り強度、伸び率及
び折り曲げ回数を測定した。その結果を第２表に示す。
また、比較例１と同様の穴あ番づを行なったガラス布基
材エポキシ樹脂系鋼張り積層板に比較例１と同様の方法
を用いて触媒付与を行なった。浴温度６０℃１組成１の
無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法に
より被めっき基板に厚さ３５〜４（Ｉｕｍのめっき膜を
形成させた。前記方法により得られた被めっき基板につ
いて、はんだデイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部に
クラックが生しる最小回数を測定した。その結果を第３
表に示す。
材エポキシ樹脂系鋼張り積層板に比較例１と同様の方法
を用いて触媒付与を行なった。浴温度６０℃１組成１の
無電解銅めっき浴を用いて、前記と同様のめっき方法に
より被めっき基板に厚さ３５〜４（Ｉｕｍのめっき膜を
形成させた。前記方法により得られた被めっき基板につ
いて、はんだデイツプ試験を行ない、穴のコーナ一部に
クラックが生しる最小回数を測定した。その結果を第３
表に示す。
Claims (7)
- １．プリント配線板を製造する際に施される無電解銅め
っき方法において、プリント配線板上に所望の厚さまで
無電解銅めっきを施す際、下記（ａ）〜（ｅ）の工程の
少なくとも一部を繰返すことにより、仕上がり全厚に対
する各層の厚さがそれぞれ１／１００〜１／２の厚さで
ある３層以上の層状無電解銅めっき膜を形成させること
を特徴とするプリント配線板の無電解銅めっき方法。 （ａ）被めっき用プリント配線板の基板を無電解銅めっ
き浴に浸漬する工程、 （ｂ）前記無電解銅めっき浴から、めっきを施した前記
基板を引き上、水洗する工程、 （ｃ）上記（ｂ）工程を経て得られた基板を、浴温が２
０〜４０℃、濃度が１．０〜１０．０Ｎとなる無機酸を
含む水溶液中に１〜１０分間浸漬して活性化処理を施す
工程、 （ｄ）上記（ｃ）工程を経た基板を、前記無機酸を含む
水溶液から引き上げ、水洗する工程、 （ｅ）上記（ｄ）工程を経た基板を、直ちに前記無電解
銅めっき浴に浸漬する工程。 - ２．前記無機酸を含む水溶液の浴温は、３０〜４０℃の
範囲内であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の無電解銅めっき方法。 - ３．前記無機酸を含む水溶液の酸濃度は、２．０〜１０
．０Ｎの範囲内であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載のプリント配線板の無電解銅めっき方法。 - ４．前記無機酸を含む水溶液へのプリント配線板の浸漬
時間は、５〜１０分間の範囲内であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のプリント配線板の無電解
銅めっき方法。 - ５．前記無機酸は、塩酸であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載のプリント配線板の無電解銅めっ
き方法。 - ６．プリント配線板をめっき浴中に繰り返し浸漬する際
、プリント配線板の上に析出させる各回の銅めっき厚さ
は、銅めっきの最終仕上がり厚さの１／１００〜１／２
の範囲とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載のプリント配線板の無電解銅めっき方法。 - ７．前記基板の上に各回毎に析出させる銅めっきの厚さ
は、銅めっきの最終仕上がり厚さの１／５０〜１／４の
範囲とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載のプリント配線板の無電解銅めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1100289A JPH02191393A (ja) | 1989-01-21 | 1989-01-21 | プリント配線板の無電解銅めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1100289A JPH02191393A (ja) | 1989-01-21 | 1989-01-21 | プリント配線板の無電解銅めっき方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22675882A Division JPS59119786A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | プリント配線板の無電解銅めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02191393A true JPH02191393A (ja) | 1990-07-27 |
| JPH0455550B2 JPH0455550B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=11765917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1100289A Granted JPH02191393A (ja) | 1989-01-21 | 1989-01-21 | プリント配線板の無電解銅めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02191393A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7670644B2 (en) | 2001-11-05 | 2010-03-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Die for molding honeycomb structure and manufacturing method thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57192099A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-26 | Hitachi Ltd | Method of producing printed board |
| JPS59119786A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | イビデン株式会社 | プリント配線板の無電解銅めっき方法 |
-
1989
- 1989-01-21 JP JP1100289A patent/JPH02191393A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57192099A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-26 | Hitachi Ltd | Method of producing printed board |
| JPS59119786A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | イビデン株式会社 | プリント配線板の無電解銅めっき方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7670644B2 (en) | 2001-11-05 | 2010-03-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Die for molding honeycomb structure and manufacturing method thereof |
| US8226400B2 (en) | 2001-11-05 | 2012-07-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Die for molding honeycomb structure and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0455550B2 (ja) | 1992-09-03 |
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