JPH021908A - 枚葉式半導体基板温度処理装置 - Google Patents
枚葉式半導体基板温度処理装置Info
- Publication number
- JPH021908A JPH021908A JP63143957A JP14395788A JPH021908A JP H021908 A JPH021908 A JP H021908A JP 63143957 A JP63143957 A JP 63143957A JP 14395788 A JP14395788 A JP 14395788A JP H021908 A JPH021908 A JP H021908A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- plate
- oven plate
- heat
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトレジストの塗布後のベータや現像後のベ
ータ等に用いられる枚葉式ウェハー温度処理装置に関す
るものである。
ータ等に用いられる枚葉式ウェハー温度処理装置に関す
るものである。
従来、この種の枚葉式温度処理装置は、第３図に示すよ
うに温度コントロールさｈたオーブンプレート上にウェ
ハーを水平に保持し、所望の温度で所定時間処理をする
機構となっていた。
うに温度コントロールさｈたオーブンプレート上にウェ
ハーを水平に保持し、所望の温度で所定時間処理をする
機構となっていた。
上述した従来の枚葉式ウェハー温度処理装置は、ウェハ
ーを水平に保持するため、ヒータ等により温度制御され
たプレートの上面だけしかウェハーの温度処理ができな
かった。そのためプレート下面へ伝わった熱は単に放熱
されるだけで電気等のエネルギーの無駄使いとなってい
た。また、プレートが水平に設置されているためにその
分多くの床面積も必要となっていた。
ーを水平に保持するため、ヒータ等により温度制御され
たプレートの上面だけしかウェハーの温度処理ができな
かった。そのためプレート下面へ伝わった熱は単に放熱
されるだけで電気等のエネルギーの無駄使いとなってい
た。また、プレートが水平に設置されているためにその
分多くの床面積も必要となっていた。
本発明の枚葉式ウェハー温度処理装置は、半導体基板を
オーブンプレート上に保持し、ウェハーの熱処理等の温
度処理を行なう枚葉式ウェハー温度処理装置において、
ウェハーを縦または斜めに支持しオーブンプレートの表
裏２面で温度処理を行なう事を特徴とする。
オーブンプレート上に保持し、ウェハーの熱処理等の温
度処理を行なう枚葉式ウェハー温度処理装置において、
ウェハーを縦または斜めに支持しオーブンプレートの表
裏２面で温度処理を行なう事を特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
ウェハー１はプレート２に設けられた真空吸着口３によ
り真空吸着されプレート上に保持される。
り真空吸着されプレート上に保持される。
プレート２内に設けられたヒータ４と熱電対５によりプ
レート２は温度コントロールされ、ウェハーは温度処理
される。プレートは縦型のためプレート裏面す側もプレ
ート表面ａ側と同じ様にウェハーの温度処理が可能であ
る。
レート２は温度コントロールされ、ウェハーは温度処理
される。プレートは縦型のためプレート裏面す側もプレ
ート表面ａ側と同じ様にウェハーの温度処理が可能であ
る。
第２図は本発明の他の実施例の斜視図である。
ウェハー１は、上方はど狭くなるように傾斜を作られた
プレート２上にウェハー保持ピン６により保持され該−
実施例と同様にして温度処理を行なう。この実施例では
、プレートに傾斜をつけているためウェハーが前面に倒
れない。このため、ウェハーをプレート２に真空吸着す
る必要が無い。
プレート２上にウェハー保持ピン６により保持され該−
実施例と同様にして温度処理を行なう。この実施例では
、プレートに傾斜をつけているためウェハーが前面に倒
れない。このため、ウェハーをプレート２に真空吸着す
る必要が無い。
したがってプロキシミティベーク化が可能であり、ウェ
ハー裏面への塵の付着を防止する事が可能である。
ハー裏面への塵の付着を防止する事が可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、縦型のオーブンプレート
を用いることにより、ウェハーへの温度処理を少いエネ
ルギーで出来、また装置の床面積も狭くできる。
を用いることにより、ウェハーへの温度処理を少いエネ
ルギーで出来、また装置の床面積も狭くできる。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は本発明の
他の実施例の斜視図、第３図は従来装置の斜視図である
。 １・・・・・・ウェハー ２・・・・・・プレート、３
・・・・・・真空吸着口、４・・・・・・ヒータ、５・
・・・・・熱電対、６・・・・・・ウェハー保持ピン。 代理人 弁理士 内 原 晋 第７ 図 第２ 図
他の実施例の斜視図、第３図は従来装置の斜視図である
。 １・・・・・・ウェハー ２・・・・・・プレート、３
・・・・・・真空吸着口、４・・・・・・ヒータ、５・
・・・・・熱電対、６・・・・・・ウェハー保持ピン。 代理人 弁理士 内 原 晋 第７ 図 第２ 図
Claims (1)
- 半導体基板（以降ウェハーと称す）をオーブンプレート
上に保持し、ウェハーの熱処理等の温度処理を行なう枚
葉式ウェハー温度処理装置において、ウェハーを縦また
は斜めに支持しオーブンプレートの表裏２面で温度処理
を行なう事を特徴とする枚葉式ウェハー温度処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143957A JPH021908A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 枚葉式半導体基板温度処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143957A JPH021908A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 枚葉式半導体基板温度処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021908A true JPH021908A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15350986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63143957A Pending JPH021908A (ja) | 1988-06-10 | 1988-06-10 | 枚葉式半導体基板温度処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH021908A (ja) |
-
1988
- 1988-06-10 JP JP63143957A patent/JPH021908A/ja active Pending
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