JPH02189919A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH02189919A JPH02189919A JP936589A JP936589A JPH02189919A JP H02189919 A JPH02189919 A JP H02189919A JP 936589 A JP936589 A JP 936589A JP 936589 A JP936589 A JP 936589A JP H02189919 A JPH02189919 A JP H02189919A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＡｌ合金膜のエツチングに関し、特に塩素系ガ
スでのエツチング後のアフターコロ−ジョンを抑制する
ためのエツチング方法に関する。
スでのエツチング後のアフターコロ−ジョンを抑制する
ためのエツチング方法に関する。
従来、この種のＡｌ合金膜のエツチングにおけるアフタ
ーコロ−ジョンは、エツチング直後の後処理として、水
洗、アッシング、フレオンプラズマ処理を施して発生を
おさえてきた。
ーコロ−ジョンは、エツチング直後の後処理として、水
洗、アッシング、フレオンプラズマ処理を施して発生を
おさえてきた。
しかし、Ａｌ−４％ＣｕなどＡｌ中に高濃度の金属を混
入したものでは、エツチング後の処理だけでアフターコ
ロ−ジョンの発生をおさえることが難しく、上述した従
来の後処理方法だけでは完全にアフターコロ−ジョンの
発生をおさえることができないという欠点がある。
入したものでは、エツチング後の処理だけでアフターコ
ロ−ジョンの発生をおさえることが難しく、上述した従
来の後処理方法だけでは完全にアフターコロ−ジョンの
発生をおさえることができないという欠点がある。
上述した従来の後処理方法に対し、本発明はエツチング
条件やエツチングのマスク材を最適化してアフターコロ
−ジョンを発生させないという相違点を有する。
条件やエツチングのマスク材を最適化してアフターコロ
−ジョンを発生させないという相違点を有する。
本発明の目的は前記課題を解決したドライエツチング方
法を提供することにある。
法を提供することにある。
従来の技術は１０−３Ｔｏｒｒ以上の高い圧力で行なわ
れているということと、エツチングマスク材としてレジ
ストを使っているということから、エツチングの側壁に
、反応生成物とレジストの混合物が付着、これらがアフ
ターコロ−ジョンの主原因となる。
れているということと、エツチングマスク材としてレジ
ストを使っているということから、エツチングの側壁に
、反応生成物とレジストの混合物が付着、これらがアフ
ターコロ−ジョンの主原因となる。
そこで、本発明は、１０−３Ｔｏｒｒ以下の圧力でエツ
チングを行うことで、エツチングに寄与するイオンの方
向性をできるなＣつ垂直とし、さらにマスク材として、
シリコン窒化膜、シリコン酸化膜を用いることで側壁付
着を小さくおさえることを有している。
チングを行うことで、エツチングに寄与するイオンの方
向性をできるなＣつ垂直とし、さらにマスク材として、
シリコン窒化膜、シリコン酸化膜を用いることで側壁付
着を小さくおさえることを有している。
１０−３Ｔｏｒｒ以下の低圧力下で高速のエツチングを
行うため、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）エツチン
グやマクネトロンリアクティブイオンエツチングを用い
ると、さらに効果的である。
行うため、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）エツチン
グやマクネトロンリアクティブイオンエツチングを用い
ると、さらに効果的である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明を適用した実施例１を示す図である６
図において、本発明はＳ ｊＣＱ ４とｃ Ｑ ２の混
合カス３０ｓｃｃｎをチャンバー６内に導入し、１×１
Ｏ−３Ｔｏｒｒの圧力下で、２．４５ＧＨｚのマイクロ
波１と、電子サイクロ１〜ロン共鳴放電用コイル２によ
り８７５Ｇａｕｓｓの磁場を直交させることにより、電
子サイクロ１〜Ｏン共鳴放電プラズマ３を生成し、その
プラズマ３中に、高周波電源７により１３．５６ＨＩＩ
ｚの高周波を印加したウェハー設置型＆／ｌをおくこと
により、１．０μｍ厚のＡｌ−Ｃｕ合金をエツチングす
るものである。５は排気を示す。
合カス３０ｓｃｃｎをチャンバー６内に導入し、１×１
Ｏ−３Ｔｏｒｒの圧力下で、２．４５ＧＨｚのマイクロ
波１と、電子サイクロ１〜ロン共鳴放電用コイル２によ
り８７５Ｇａｕｓｓの磁場を直交させることにより、電
子サイクロ１〜Ｏン共鳴放電プラズマ３を生成し、その
プラズマ３中に、高周波電源７により１３．５６ＨＩＩ
ｚの高周波を印加したウェハー設置型＆／ｌをおくこと
により、１．０μｍ厚のＡｌ−Ｃｕ合金をエツチングす
るものである。５は排気を示す。
本発明によれば、１Ｏ−３Ｔｏｒｒという低圧領域にお
いても電子サイクロトロン共鳴を利用するので、高密度
プラズマ３が生成でき、高速エツチング（１μｍ＃ｎ
ｉ ｎ以上）と側壁付着物の少ない異方性エツチングが
達成される。１Ｏ−３Ｔｏｒｒという低圧なので、エツ
チングマスクとしてレジストでも、窒化膜、酸化膜でも
異方性エツチングが達成される。
いても電子サイクロトロン共鳴を利用するので、高密度
プラズマ３が生成でき、高速エツチング（１μｍ＃ｎ
ｉ ｎ以上）と側壁付着物の少ない異方性エツチングが
達成される。１Ｏ−３Ｔｏｒｒという低圧なので、エツ
チングマスクとしてレジストでも、窒化膜、酸化膜でも
異方性エツチングが達成される。
（実施例２）
第２図は本発明を適用した実施例２を示す図である。第
１の実施例と同様に、Ｓ ｉ ＣＱ ４とＣｕ２の混合
カス３０ｓｅｃｍをチャンバー６内に導入し、上部と下
部の平行平板電橋８，９間に高周波電源７により１３．
５６ＨＩＩｚの高周波を印加する。さらに下部電極９周
辺に４００Ｇａｕｓｓ程度の永久磁石１０を設置したも
のである。電子のサイクロイド運動により、１Ｏ−３Ｔ
ｏｒｒという低圧下でも高密度プラズマ３が生成でき、
極めて良好な異方性エツチングを確保しながら、１μｍ
／ｒｎｉｎという高速エツチングが行える。この実施例
でもエツチングマスク材として無機膜を使用できるので
、Ａｌ−Ｃｕエッチンク側壁に付着物がほとんどつかな
いため、後処理を施さなくても、アフターコロ−ジョン
は発生しない。
１の実施例と同様に、Ｓ ｉ ＣＱ ４とＣｕ２の混合
カス３０ｓｅｃｍをチャンバー６内に導入し、上部と下
部の平行平板電橋８，９間に高周波電源７により１３．
５６ＨＩＩｚの高周波を印加する。さらに下部電極９周
辺に４００Ｇａｕｓｓ程度の永久磁石１０を設置したも
のである。電子のサイクロイド運動により、１Ｏ−３Ｔ
ｏｒｒという低圧下でも高密度プラズマ３が生成でき、
極めて良好な異方性エツチングを確保しながら、１μｍ
／ｒｎｉｎという高速エツチングが行える。この実施例
でもエツチングマスク材として無機膜を使用できるので
、Ａｌ−Ｃｕエッチンク側壁に付着物がほとんどつかな
いため、後処理を施さなくても、アフターコロ−ジョン
は発生しない。
以」二説明したように本発明は１Ｏ−３Ｔｏｒｒ以下の
低圧下でＡｌおよびＡｌ金合金エツチングすることによ
り、エツチング後のコロ−ジョンの発生をなくずことか
できる効果がある。
低圧下でＡｌおよびＡｌ金合金エツチングすることによ
り、エツチング後のコロ−ジョンの発生をなくずことか
できる効果がある。
第１図は本発明を適用した実施例１を示す図、第２図は
本発明を適用した実施例２を示す図である６ １・・・２．４５ＧＩＩｚのマイクロ波２・・・電子サ
イクロトロン共鳴放電用コイル３・・・電子サイクロト
ロン共鳴放電プラズマ４・・・ウェハー設置電極 ５・・・排気 ６・・・チャンバー７・・
・１３．５６Ｈｌｌｚの高周波電源８・・・上部電極
９・・・下部電極１０・・・永久磁石 特許出願人 日木電気株式会社
本発明を適用した実施例２を示す図である６ １・・・２．４５ＧＩＩｚのマイクロ波２・・・電子サ
イクロトロン共鳴放電用コイル３・・・電子サイクロト
ロン共鳴放電プラズマ４・・・ウェハー設置電極 ５・・・排気 ６・・・チャンバー７・・
・１３．５６Ｈｌｌｚの高周波電源８・・・上部電極
９・・・下部電極１０・・・永久磁石 特許出願人 日木電気株式会社
Claims (1)
- （１）半導体基板上に形成された、Ａｌあるいは、Ｃｕ
、Ｓｉ、Ｔｉなど金属を含むＡｌ合金膜を塩素系ガスを
主体としたドライエッチングでエッチングする際に、１
０＾−＾３Ｔｏｒｒ以下の圧力下でエッチングすること
を特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP936589A JPH02189919A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP936589A JPH02189919A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02189919A true JPH02189919A (ja) | 1990-07-25 |
Family
ID=11718452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP936589A Pending JPH02189919A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02189919A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0499289A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-31 | Sumitomo Metal Ind Ltd | エッチング方法 |
| JPH07230993A (ja) * | 1994-02-15 | 1995-08-29 | Nec Corp | 半導体装置の配線の形成方法 |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP936589A patent/JPH02189919A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0499289A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-31 | Sumitomo Metal Ind Ltd | エッチング方法 |
| JPH07230993A (ja) * | 1994-02-15 | 1995-08-29 | Nec Corp | 半導体装置の配線の形成方法 |
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