JPH02188848A - バッファメモリ方式を使用したデータ処理方式 - Google Patents

バッファメモリ方式を使用したデータ処理方式

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JPH02188848A
JPH02188848A JP1008102A JP810289A JPH02188848A JP H02188848 A JPH02188848 A JP H02188848A JP 1008102 A JP1008102 A JP 1008102A JP 810289 A JP810289 A JP 810289A JP H02188848 A JPH02188848 A JP H02188848A
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JP
Japan
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memory
data
capacity
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cache memory
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JP1008102A
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Toru Tejima
手島 通
Kazuo Nagabori
和雄 長堀
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [目 次] 概要 産業上の利用分野 従来の技術(第7〜9図) 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(第1,2図)作用 実施例 (a)第1の実施例の説明(第3,4図)(b)第2の
実施例の説明(第5,6図)(c)その他 発明の効果 [概 要] マイクロプロセッサに内蔵のバッファメモリ(キャッシ
ュメモリ)を使用するデータ処理方式キャッシュメモリ
の容量を大きくしなくても、ヒツト率を上げることがで
きるようにすることを目的とし、 n語単位のうち高速アクセスタイムを要求される先頭か
らm(m<n)語についてはこれを外付けの大容量バッ
ファメモリまたは主記憶装置の高速動作記憶部に記憶し
ておき、データの処理時において、小容量バッファメモ
リ内に目的のデータが存在しない場合には、n語単位の
うち先頭からm語については大容量バッファメモリまた
は主記憶装置の高速動作記憶部に記憶されているデータ
を転送するとともに、残りの(n−m)語については主
記憶装置(低速動作記憶部)に記憶されているデータを
転送するように構成する。
[産業上の利用分野] 本発明は、マイクロプロセッサに内蔵のバッファメモリ
を使用するデータ処理方式に関する。
なお、バッファメモリはキャッシュメモリあるいはロー
カルメモリともいうので、以下、このバッファメモリの
ことを代表してキャッシュメモリということがある。
マイクロプロセッサにおいて、外部メモリとしての主記
憶装置の高速化・大容量化は常に重要な課題の一つにな
っている。しかし、一般にメモリに高速性と大容量の両
方の特性を経済的にもたせることは困難である。そこで
、プロセッサに高速・小容量のキャッシュメモリを内蔵
させ、比較的低速・大容量の主記憶装置と組み合わせる
ことにより、等測的に高速・大容量の主記憶装置を経済
的に実現できるようにしている。かかるメモリ方式をバ
ッファメモリ方式という。
かかるバッファメモリ方式では、必要な命令やデータが
キャッシュメモリに存在しなければ、それらを主記憶装
置からキャッシュメモリへ複数語のブロック単位でロー
ドする仕組になっており、以後のアクセスからはキャッ
シュメモリを参照することにより高速化される。
[従来の技術] 第7図は従来のキャッシュメモリ方式を使用したデータ
処理方式を示すブロック図であるが、この第7図におい
て、1はCPU等のデータ処理部、2は例えば4語単位
でブロック転送されるデータ処理命令および処理データ
を記憶し且つ高速動作が可能な小容量キャッシュメモリ
(SRAM)であり、このデータ処理部1と小容量キャ
ッシュメモリ2とはマイクロプロセッサ3にそなえられ
ている。
4は主記憶装置で、この主記憶装置4はマイクロプロセ
ッサ3のためのデータを格納するもので、その動作は比
較的低速である。
そして、この主記憶装置4とマイクロプロセッサ3とは
、ブロック転送要求ライン5.アドレスライン6、ブロ
ック転送データライン7からなるパスラインを介して接
続されている。
このような構成により、データ処理部1で必要な命令や
データ(目的とする命令やデータ)が小容量キャッシュ
メモリ2をヒツト(bit)することにより検索される
が、もし上記の命令やデータがこの小容量キャッシュメ
モリ2に存在しなければ、それらを主記憶装置4からキ
ャッシュメモリ2へ4語単位のブロック転送を行なって
ロードするようになっている。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、このような従来のデータ処理方式では、
次のような問題点がある。すなわち、マイクロプロセッ
サ3に内蔵のキャッシュメモリ2はその容量が小さいの
で、ヒツト率を上げることが難しく、従ってメモリの高
速化という点で問題がある。
そこで、第8図に示すごとく、マイクロプロセッサ3と
主記憶装置4との間に、小容量キャッシュメモリ2より
も記憶容量が大きく且つ小容量キャッシュメモリ2とほ
ぼ同じ高速動作が可能な外付けの大容量キャッシュメモ
リ(SRAM)8を設けた2段キャッシュメモリ方式が
提案されている。
この2段キャッシュメモリ方式によるデータ処理方式で
は、データ処理部1で必要な命令やデータが小容量キャ
ッシュメモリ2をヒツトすることにより検索されても、
上記の命令やデータがこの小容量キャッシュメモリ2に
存在しなければ、最初は主記憶装置4ではなく、大容量
キャッシュメモリ8をヒツトし、この大容量キャッシュ
メモリ8から小容量キャッシュメモリ2へ4語単位のブ
ロック転送を行なってデータを入れ替えるようになって
いる。そして、大容量キャッシュメモリ8に所要のデー
タがあれば、以後のアクセスからは小容量キャッシュメ
モリ2を参照することにより高速化がはかられている。
なお、このときのブロック転送の様子を示すと、第9図
(a)〜(c)のようになる。
さらに、もし上記の命令やデータがこの大容量キャッシ
ュメモリ8にも存在しなければ、それらを主記憶装置4
からキャッシュメモリ2,8へ同じく4語単位のブロッ
ク転送を行なってロードするようになっている。
しかしながら、このような2段キャッシュメモリ方式に
よるデータ処理方式でも、ヒツト率を上げようとすれば
、キャッシュメモリの容量を更に大きくしなければなら
ず、SRAMが高価なことを勘案すると、コスト的に不
利となる。
本発明は,このような問題点に鑑みなされたもので、キ
ャッシュメモリの容量を大きくしなくても、ヒツト率を
上げることができるようにした、データ処理方式を提供
することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 第1図は本発明の原理ブロック図である。
この第1図において、1はCPU等のデータ処理部、2
はn (nは複数)語単位でブロック転送されるデータ
処理命令および処理データを記憶し且つ高速動作が可能
な小容量キャッシュメモリであり、このデータ処理部1
と小容量キャッシュメモリ2とはプロセッサ3にそなえ
られている。
4は主記憶装置で、この主記憶装置4はプロセッサ3の
ためのデータを格納するもので、この主記憶装置4とプ
ロセッサ3とは、ブロック転送要求ライン、アドレスラ
イン、ブロック転送データラインからなるパスラインを
介して接続されている。
8は大容量キャッシュメモリで、この大容量キャッシュ
メモリ8は、プロセッサ3と主記憶装置4との間に設け
られ、小容量バッファメモリ2よりも記憶容量が大きく
且つ小容量キャッシュメモリ2と同様高速動作が可能な
大容メモリであり、n語単位のうち高速アクセスタイム
を要求される先頭からm(m<n)語については、この
大容量バッファメモリ8に記憶されるようになっている
第2図は本発明の他の態様を示す原理ブロック図であり
、この第2図においても、データ処理部上と小容量キャ
ッシュメモリ2とがプロセッサ3にそなえられており、
主記憶装置4とプロセッサ3とは、ブロック転送要求ラ
イン、アドレスライン、ブロック転送データラインから
なるパスラインを介して接続されている。
しかし、この第2図においては、主記憶装置4が、動作
が低速の低速動作記憶部41と、低速動作記憶部41よ
りも高速な動作が可能な高速動作記憶部42とをそなえ
ており、n語単位のうち高速アクセスタイムを要求され
る先頭からm (m<n)語については、高速動作記憶
部42に記憶されるようになっている。
[作 用] このような構成により、第1図に示すものでは、データ
の処理時において、小容量バッファメモリ2内に目的の
データが存在しない場合には、n語単位のうち先頭から
m語については大容量バッファメモリ8に記憶されてい
るデータを転送するとともに、残りの(n−m)語につ
いては主記憶装置4に記憶されているデータを転送する
一方、第2図に示すものでは、データの処理時において
、小容量バッファメモリ2内に目的のデータが存在しな
い場合には、n語単位のうち先頭からm語については主
記憶装置4の高速動作記憶部42に記憶されているデー
タを転送するとともに、残りの(n−m)語については
主記憶装置4の低速動作記憶部41に記憶されているデ
ータを転送する。
[実施例] 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
(a)第1実施例の説明 第3図は本発明の第1実施例を示すブロック図であるが
、この第3図に示す実施例は、2段キャッシュメモリ方
式についてのものであり、このため、データ処理部1と
小容量キャッシュメモリ(SRAM)2とを有するマイ
クロプロセッサ3と、主記憶装置4とを結ぶパスライン
(このパスラインはブロック転送要求ライン5.アドレ
スライン6、ブロック転送データライン7をもつ)には
、大容量キャッシュメモリ(SRAM)8が接続されて
いる。
また、主記憶装置4は、偶数アドレスに関するデータを
記憶する偶アドレスメモリ部41Aと、奇数アドレスに
関するデータを記憶する奇アドレスメモリ部41Bとを
そなえており、これらの偶アドレスメモリ部41Aと奇
アドレスメモリ部41Bとしては、共に動作がSRAM
に比べて低速(数分の1)なりRAMが使用される。
さらに、主記憶装置4には、偶アドレスメモリ部41A
と奇アドレスメモリ部41Bとを切り替える制御部43
が設けられている。
なお、記憶部を偶アドレスメモリ部41Aと奇アドレス
メモリ部41Bとに分けているのは、アドレスを偶数ア
ドレスと奇数アドレスとにパンク分けして、メモリ内の
同時動作を可能とし、主記憶装置4内のサイクルタイム
を向上させるためである。また、メモリ素子の読出しサ
イクルを上げるため、DRAMは高速ページモードもし
くはニブルモードを使用している。
ところで、転送ブロック単位を4語単位とすると、4語
のうち高速アクセスタイムを要求される先頭から1語(
先頭語)については、これが大容量バッファメモリ8に
記憶されるようになっている。
上述の構成により、データ処理部1で必要な命令やデー
タが小容量キャッシュメモリ2をヒツトすることにより
検索されても、上記の命令やデータがこの小容量キャッ
シュメモリ2に存在しなければ、即ちデータの処理時に
おいて、小容量バッファメモリ2内に目的のデータが存
在しない場合には、4語単位のうちの先頭語については
大容量バッファメモリ8に記憶されているデータを転送
するとともに、残りの3語については主記憶装置4に記
憶されているデータを転送する。なお、このときのブロ
ック転送の様子を示すと、第4図(a)〜(c)のよう
になる。
そして、このとき主記憶装置4では、偶数アドレスのデ
ータ(2)については偶アドレスメモリ部41Aから読
み出し[第4図(d)〜(f)参照]、奇数アドレスの
データ(1,3)については奇アドレスメモリ部41B
から読み出すようになっている[第4図(g)〜(i)
参照]。
なお、第4図において、RASはローアドレスセレクト
信号、CASはコラムアドレスセレクト信号である。
ところで、上記のように4語単位のうち先頭語だけを大
容量キャッシュメモリ8に記憶しても。
ブロック単位の転送が可能なのは、次の理由による。す
なわち、ブロック転送を行なう場合、高速アクセスタイ
ムを必要とするという観点からは、先頭語が一番厳しく
、以下2〜4語へといくに従って、アクセスタイムの要
求が緩くなるからである。
このように大容量キャッシュメモリ8には先頭語部分の
み記憶させ、2〜4番目のデータは主記憶装置4から転
送することにより、外付はキャッシュメモリ8の容量を
1/4にすることができるほか、従来と同じ容量のSR
AMを使用した場合は、大容量キャッシュメモリ8の見
掛は上の容量を4倍にすることができ、これによりヒツ
ト率を上げることができる。
なお、もし上記の命令やデータがこの大容量キャッシュ
メモリ8にも存在しなければ、それらを主記憶装置4か
らキャッシュメモリ2,8へ同じく4語単位のブロック
転送を行なってロードするようになっている。
(b)第2実施例の説明 第5図は本発明の第2実施例を示すブロック図であるが
、この第2図に示す実施例は、1段キャッシュメモリ方
式についてのものであり、このため、データ処理部1と
小容量キャッシュメモリ(SRAM)2とを有するマイ
クロプロセッサ3と、主記憶装置4とを結ぶパスライン
(このバスラインはブロック転送要求ライン5.アドレ
スライン6、ブロック転送データライン7をもつ)には
、前述の第1実施例のような大容量キャッシュメモリ(
SRAM)は接続されていない。
しかし、この第2実施例では、主記憶装置4が、動作が
低速の低速動作記憶部としての低速メモリ部(DRAM
)41と、低速メモリ部41よりも高速な動作が可能な
高速動作記憶部としての高速メモリ部(SRAM)42
とをそなえており、4語単位のうち高速アクセスタイム
を要求される先頭語についてはこれを高速メモリ部42
に記憶するようになっている。
また、低速メモリ部41は、偶数アドレスに関するデー
タを記憶する偶アドレスメモリ部41Aと、奇数アドレ
スに関するデータを記憶する奇アドレスメモリ部41B
とをそなえており、これらの偶アドレスメモリ部41A
と奇アドレスメモリ部41Bとしては、上記のごとく、
共に動作がSRAMに比べて低速(数分の1)なりRA
Mが使用される。
さらに、主記憶装置4には、偶アドレスメモリ部41A
と奇アドレスメモリ部41Bと高速メモリ部42とを切
り替える制御部43′が設けられている。
なお、低速メモリ部41を偶アドレスメモリ部41Aと
奇アドレスメモリ部41Bとに分けているのは、前記の
とおり、アドレスを偶数アドレスと奇数アドレスとにバ
ンク分けして、メモリ内の同時動作を可能とし、主記憶
装置4内のサイクルタイムを向上させるためである。ま
た、この場合も、メモリ素子の読出しサイクルを上げる
ため、DRAMは高速ページモードもしくはニブルモー
ドを使用している。
上述の構成により、データ処理部1で必要な命令やデー
タが小容量キャッシュメモリ2をヒツトすることにより
検索されても、上記の命令やデータがこの小容量キャッ
シュメモリ2に存在しなければ、即ちデータの処理時に
おいて、小容量バッファメモリ2内に目的のデータ、が
存在しない場合には、4語単位のうち先頭語については
主記憶装置4の高速メモリ部42に記憶されているデー
タを転送するとともに、残りの3語については主記憶装
置4の低速メモリ部41に記憶されているデータを転送
する。
なお、このときのブロック転送の様子を示すと、第6図
(a)〜(Q)のようになる。
そして、このとき主記憶装置4の高速メモリ部42から
は第6図(d)のようにデータが読み出されるが、主記
憶装置4の低速メモリ部41では、偶数アドレスのデー
タ(2)については偶アドレスメモリ部41Aから読み
出し[第6図(e)〜(g)参照]、奇数アドレスのデ
ータ(1,3)については奇アドレスメモリ部41Bか
ら読み出すようになっている[第6図(h)〜(j)参
照]。
また、上記のように4語単位のうち先頭語だけ高速メモ
リ部42に記憶しても、ブロック単位の転送が可能な理
由は、4語単位のうち先頭語だけ大容量キャッシュメモ
リ8に記憶しても、ブロック単位の転送が可能である理
由と同じである。
このように主記憶装置4の高速メモリ部42には先頭語
部分のみ記憶させ、2〜4番目のデータは主記憶装置4
の低速メモリ部41から転送することにより、大容量の
外付はキャッシュメモリを省略することができ、しかも
少ないSRAMで外部にキャッシュメモリを設けた以上
のデータ処理能力を発揮することができので、コストの
低廉化におおいに寄与しうるちのである。
なお、M語の大容量外付はキャッシュメモリを設けた場
合と比較すると、本実施例では、4XM語の外付はキャ
ッシュメモリ相当のメモリを主記憶装置内に設けたのと
等価になる。
(C)その他 なお、本発明は、4語単位のブロック転送のものに限ら
ず、一般に複数(n)語の単位ブロックで転送するもの
にも同様にして適用できることはいうまでもない。
また、大容量キャッシュメモリ8や主記憶装置4の高速
動作記憶部42に記憶すべきものとして。
先頭語に限らず、先頭語を含む複数(m)語を記憶して
もよい。この場合、大容量キャッシュメモリ8や主記憶
装置4の高速動作記憶部42に記憶すべき語数は、シス
テム等によって異なるが、その語数は高速アクセスタイ
ムを要求される語数分ということになる。
[発明の効果] 以上詳述したように、本発明のバッファメモリ方式を使
用したデータ処理方式によれば、n語単位のうち高速ア
クセスタイムを要求される先頭からm(m<n)語につ
いてはこれを大容量バッファメモリに記憶しておき、デ
ータの処理時において、プロセッサ内の小容量バッファ
メモリに目的のデータが存在しない場合には、n語単位
のうち先頭からm語については大容量バッファメモリに
記憶されているデータを転送するとともに、残りの(n
−m)語については主記憶装置に記憶されているデータ
を転送することが行なわれるので、外付はキャッシュメ
モリの容量を小さくすることができるほか、従来と同じ
容量のメモリを使用した場合は、大容量キャッシュメモ
リの見掛は上の容量を大きくすることができ、これによ
りヒツト率を向上できる利点がある。
また、本発明のバッファメモリ方式を使用したデータ処
理方式によれば、主記憶装置が、動作が低速の低速動作
記憶部と、この低速動作記憶部よりも高速な動作が可能
な高速動作記憶部とをそなえてなり、n語単位のうち高
速アクセスタイムを要求される先頭からm(m<n)語
についてはこれを高速動作記憶部に記憶しておき、デー
タの処理時において、プロセッサ内の小容量バッファメ
モリに目的のデータが存在しない場合には、n語単位の
うち先頭からm語については高速動作記憶部に記憶され
ているデータを転送するとともに、残りの(n−m)語
については低速動作記憶部に記憶されているデータを転
送することが行なわれるので、大容量の外付はキャッシ
ュメモリを省略することができ、しかも少ないメモリで
外部にキャッシュメモリを設けた以上のデータ処理能力
を発揮することができ、これによりコストの低廉化にお
おいに寄与しうるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理ブロック図、 第2図は本発明の他の態様を示す原理ブロック図、 第3図は本発明の第1実施例を示すブロック図、第4図
は本発明の第1実施例におけるデータ転送時の作用を説
明する図、 第5図は本発明の第2実施例を示すブロック図、第6図
は本発明の第2実施例におけるデータ転送時の作用を説
明する図、 第7図は従来の1段キャッシュメモリ方式を使用したデ
ータ処理方式を示すブロック図、第8図は従来の2段キ
ャッシュメモリ方式を使用したデータ処理方式を示すブ
ロック図、第9図は第8図に示す従来例におけるデータ
転送時の作用を説明する図である。 2は小容量キャッシュメモリ、 3はマイクロプロセッサ、 4は主記憶装置、 5はブロック転送要求ライン、 6はアドレスライン、 7はブロック転送データライン、 8は大容量キャッシュメモリ、 41は低速メモリ部(低速動作記憶部)、41Aは偶ア
ドレスメモリ部、 41Bは奇アドレスメモリ部、 42は高速メモリ部(高速動作記憶部)、43.43’
は制御部である。 図において、 1はデータ処理部、 (a) プロッワ摩式連しt未 (b) アドレス (C) j′ロツq転O3屯ダ (d)、tl鰭しメモリ書戸会禿出しデニダ(e) (f) AS AS (9)イ這¥FTLスメ七In朗腎dλUチニタ(h)
   RAS (i) AS

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)データ処理部(1)とn語単位でブロック転送さ
    れるデータ処理命令および処理データを記憶し且つ高速
    動作が可能な小容量バッファメモリ(2)とを有するプ
    ロセッサ(3)と、 該プロセッサ(3)のためのデータを格納する主記憶装
    置(4)とをそなえ、 該プロセッサ(3)と該主記憶装置(4)との間に、該
    小容量バッファメモリ(2)よりも記憶容量が大きく且
    つ高速動作が可能な大容量バッファメモリ(8)が設け
    られて、 該n語単位のうち高速アクセスタイムを要求される先頭
    からm(m<n)語についてはこれを該大容量バッファ
    メモリ(8)に記憶しておき、データの処理時において
    、該小容量バッファメモリ(2)内に目的のデータが存
    在しない場合に、該n語単位のうち先頭からm語につい
    ては該大容量バッファメモリ(8)に記憶されているデ
    ータを転送するとともに、残りの(n−m)語について
    は該主記憶装置(4)に記憶されているデータを転送す
    ることを 特徴とする、バッファメモリ方式を使用したデータ処理
    方式。
  2. (2)データ処理部(1)と、n語単位でブロック転送
    されるデータ処理命令および処理データを記憶し且つ高
    速動作が可能な小容量バッファメモリ(2)とを有する
    プロセッサ(3)と、 該プロセッサ(3)のためのデータを格納する主記憶装
    置(4)とをそなえ、 該主記憶装置(4)が、動作が低速の低速動作記憶部(
    41)と、該低速動作記憶部(41)よりも高速な動作
    が可能な高速動作記憶部(42)とをそなえてなり、 該n語単位のうち高速アクセスタイムを要求される先頭
    からm(m<n)語についてはこれを該高速動作記憶部
    (42)に記憶しておき、 データの処理時において、該小容量バッファメモリ(2
    )内に目的のデータが存在しない場合に、該n語単位の
    うち先頭からm語については該主記憶装置(4)内の該
    高速動作記憶部(42)に記憶されているデータを転送
    するとともに、残りの(n−m)語については該主記憶
    装置(4)内の該低速動作記憶部(41)に記憶されて
    いるデータを転送することを 特徴とする、バッファメモリ方式を使用したデータ処理
    方式。
JP1008102A 1989-01-17 1989-01-17 バッファメモリ方式を使用したデータ処理方式 Pending JPH02188848A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0535595A (ja) * 1991-07-31 1993-02-12 Matsushita Graphic Commun Syst Inc 記憶制御方法
JPH09146841A (ja) * 1995-11-24 1997-06-06 Nec Corp メモリシステム
JP2013149091A (ja) * 2012-01-19 2013-08-01 Renesas Electronics Corp メモリ制御装置及び制御方法並びに情報処理装置
JP2016006662A (ja) * 2015-08-04 2016-01-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 メモリ制御装置及び制御方法

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