JPH02188480A - ＡｌＮセラミックスのメタライズ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ハイブリッドＩＣ回路基板やプリント基板
などで好適に実施される／ＩＮセラミックスのメタライ
ズ方法に関するものである。

〔従来の技術〕

シリコンＩＣの小型化、高密度化に伴って、ハイブリッ
ドＩＣ回路やプリント基板においても素子を高密度に実
装する技術が進展してきている。

最近では、配線を立体的に行ったり、また素子を三次元
的に実装する技術なども提案されている。

このように素子が高密度に実装されるに伴って、集積回
路素子、抵抗素子、および配線導体からの発熱対策が重
要な問題となっている。

プリント基板などの材料には従来からＡ２□０゜（アル
ミナ）が用いられてきているが、このＡＩｌｇｏｓは熱
伝導性が低く　（２０Ｗ／ｍＫ）　、このため素子など
からの熱を良好に放散させることができない。

このＡ　１　！　０３に代わる基板材料として、その良
好な熱伝導性のためにＡｌＮセラミンクスが注目されて
いる。ＡｆｆｉＮセラミックスとＡ／！、０．との主要
な特性は下記第１表に示されている。

第　　１　　表 ところがこの／ＩＮセラミックスは、その熱膨張率がシ
リコン（熱膨張率は３．６　ｘ　１０−’／”ｃ）に近
い比較的小さい値４．４　Ｘ　１０−’／’Ｃであり、
銅、銀、金（熱膨張率：１５〜２０　Ｘ　１０−’／’
Ｃ）などで表面をメタライズしこのメタライズ層を配線
導体などとする場合に、前記メタライズを高温で行うと
、室温まで冷却する際に熱膨張率の差に起因する歪みが
生じるという問題がある。さらにこのＡｌＮセラミック
スは、大多数の金属に対して濡れ性が悪く、メタライズ
が困難である。

／ＩＮセラミックス基板表面のメタライズは従来では、
次の■または■の方法で行われている。

■ＡｆｆｉＮＡｌＮセラミックス１０００°Ｃ以上で酸
化させてＡｊ！２０．とし、この酸化層上にＭｏ−Ｍｎ
法などでメタライズ層を形成する。

■ＡｌＮセラミックス基板表面にＴｉを蒸着し、その上
にｐｔまたはＡｕを蒸着、熱処理してメタライズ層を形
成する。この方法によればメタライズ層の密着強度は２
〜５ｋｇ／ａｍ”程度となると推定される。この密着強
度はもっばら、活性なＴｉがＡｌＮセラミックス基板と
反応し、またこの基板内に拡散することによってもたら
されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが上記■の方法では、１０００°Ｃ以上の高温プ
ロセス処理を伴うためコスト高となる問題があるととも
に、Ｍｏ−Ｍｎ法ではＭｏとＭｎとの混合粉末をペース
ト化したものをＡｌＮセラミックス基板表面に塗布した
後に過湿した水素雰囲気中で１５００°Ｃ程度に加熱す
る必要があるので、上述の熱膨張率の差に起因する歪み
が生じて歩留りが悪くなり、結果としてコストの増大を
招く。

また上記、■の方法では、ＴｉをＡｌＮセラミックスと
反応させ、またＡＩ！、Ｎセラミックス基板内に拡散さ
せるための熱処理（３００〜５００°Ｃ）が必要であり
、やはり熱膨張率の差に起因する歪みが生しる。さらに
Ｔｉに対しては半田付けやろう付けができないため、上
述のように高価なｐｔやＡｕの蒸着を行うようにしてお
り、このためコストの増大を招くこととなる。

室温付近でメタライズを行う代表的な技術として、無電
界めっき法があるが、この無電界めっき法ではＡ２Ｎセ
ラミックス基板に対するメタライズ層の密着強度が高ｋ
　２　ｋｇ／ｍ”程度と低く、体重性が悪くまた歩留り
も悪い。

上述の諸問題を解決するために、本件発明者らは先に特
願昭６３−２５４５３１号において、高温処理を含まず
に、ＣｕをＡｆｆｉＮセラミックス基板表面に高い密着
強度を有して形成する方法を提案している。しかしなが
ら、この方法では基板表面にメタライズした銅箔表面に
半田付けを行う場合に、半田によって銅箔表面が溶融し
、このため半田が玉状に盛り上がるポールアップやＳＲ
Ｍが剥離するなどの半田食われが生じていた。

この対策として特願昭６３−２３０７７６号に提案され
ているように、前記銅箔を厚膜化する方法が考えられる
が、この方法は主として大電流電源用プリント基板など
に向いている方法であり、配線の微細化に伴って配線の
薄膜化が要求される場合には適用することはできない。

この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、たとえ
ばプリント基板などにおいて半田付けなどの配線接続が
良好に行われるようにしたＡｌＮセラミックスのメタラ
イズ方法を提供することである。

（課題を解決するための手段〕 請求項（１）のＡｆｉＮセラミックスのメタライズ方法
は、ｌまたは複数の第８族元素の堆積と、不活性ガスイ
オン照射とを併用して、Ａ２Ｎセラミックス表面にメタ
ライズ層を形成することを特徴とする 請求項（２）のＡｌ２Ｎセラミックスのメタライズ方法
は、１または複数の第８族元素を成分として５０％以上
含む合金の堆積と、不活性ガスイオン照射とを併用して
ＡＪｌ！Ｎセラミックス表面にメタライズ層を形成する
ことを特徴とする 請求項（３）のＡｌＮセラミックスのメタライズ方法は
、前記第８族元素または第８族元素を含む合金を、各元
素または各合金毎に独立の供給源から供給することを特
徴とする。

〔作用〕

請求項（１）のＡＩ！Ｎセラミックスのメタライズ方法
によれば、１または複数の第８族元素の堆積とどもに、
不活性ガスイオンの照射が行われ、これによって／ＩＮ
セラミックス表面に前記第８族元素が不活性ガスイオン
によっていわば押し込まれ、そのようにしてＡｆｆｉＮ
セラミックス表面に、このＡ２Ｎセラミックスと前記堆
積される第８族元素と前記不活性ガスとの混合層を有す
るメタライズ層が形成される。前記混合層は前記ＡｌＮ
セラミックスに対して充分な密着強度を有することがで
き、したがって前記メタライズ層は全体として充分強固
にＡｆｆｉＮセラミックス表面に密着することとなる。

上述のようなメタライズのプロセスは室温で行われ、し
たがってメタライズ層の材料となる前記第８族金属とＡ
２Ｎセラミックスとの熱膨張率の差に起因して、歪みな
どが生じることはなく、またメタライズ層の剥離が生じ
ることもない。

さらに第８族金属は融点が高く、また半田に対する濡れ
性が良好である。したがって前記メタライズ層は充分な
耐熱性を有することができる。この結果たとえば、Ａｆ
ｆｉＮセラミックス基板表面に前記メタライズ層を形成
して、これをプリント基板などとして用いる場合に、半
田付けの際の熱により前記メタライズ層が溶融すること
はないので、いわゆる半田量われなどを生じさせること
なく、配線接続を良好に行うことができる。

請求項（２）のＡｌＮセラミックスのメタライズ方法で
は、前記第８族元素に代えて、ｌまたは複数の第８族元
素を成分として５０％以上含む合金が用いられ、この場
合にも前記請求項（］）のＡＡＮセラミックスのメタラ
イズ方法と同等の作用が達成される。

請求項（３）のＡｌＮセラミックスのメタライズ方法で
は、前記第８族元素または第８族元素を含む合金は、各
元素または各合金毎に独立の供給源から供給され、した
がって、各供給源毎に各元素または各合金の供給量を個
別的に制御することにより、ＡｌＮセラミックス表面に
形成すべきメタライズ層の最適な形成条件を良好に設定
することができる。

〔実施例〕

第２図はこの発明の一実施例に従う薄膜形成装置の基本
的な構成を示す概念図である。メタライズすべきＡｌＮ
セラミックス基板１は真空チャンバ２内で軸線ｊ！ｌま
わりに回転駆動される試料ホルダ３の表面に固定される
。この試料ホルダ３に対向してパケット型イオン源４が
設けられており、中間には供給源である電子ビーム加熱
式蒸発源５が設けられている。

イオン源４は不活性ガスであるＡｒガスがガス導入口６
から導入されるアークチャンバ９を備え、このアークチ
ャンバ９内でフィラメント７とフ゛ラズマを極８とでア
ーク放電を起こさせるごとによりＡｒプラズマを生成さ
せ、このプラズマからＡｒイオンを抑制電極１０および
引出型ｔｉｌｌによって前記試料ホルダ３に向けて加速
して取り出すようにしたものである。

１２は基板１表面に堆積したメタライズ層の膜厚を測定
するための膜厚モニタであり、１３はイオン源４からの
イオンと一ムのビーム電流を検出するイオン電流モニタ
である。

このような薄膜形成装置によって、ＡＩ！、Ｎセラミッ
クス基板１表面をメタライズするに当たり、まず第１段
階としてＮｉ（またはＰｔ、Ｐｄなどの第８族金属）を
蒸発源５から蒸発させてこのＮｉ金属の蒸着を行うとと
もに、イオン？ｓ４からはＡｒイオンを照射する。この
とき真空チャンバ２内の真空度は１０−”Ｔｏｒｒとさ
れ、Ａｒガスのガス圧力は５〜ｌ０ＸＩＯ−’程度とさ
れる。そしてＡｒイオンの加速エネルギーは５〜２５ｋ
ｅＶとされる。

このようにして基板１表面にはこの基板１の材料とＮｊ
とＡｒとが混合した混合層が形成される。

この混合層が形成される梯子が第１図に簡略化して示さ
れており、図中ａはＡｌＮセラミックス基板１、ｂは前
述の混合層、ＣはＡｒイオンとＮｉ金属とが混合した蒸
着層で混合層すの堆積によりＡｒイオンが基板１まで到
達しなくなった後に混合層す上に形成される。なおｄは
Ａｒイオン、ｅはＮｉ蒸発物である。

任意の速度で蒸発したＮｔ蒸発物ｅは、５〜２５ｋｅＶ
で加速されたＡｒイオンと基板１表面で混合される。こ
のときＮｉ原子は前記加速されたＡｒイオンによってス
パツクされ、もしくは基板１の内部に押し込まれる。こ
のようにして上述の混合層すが形成される。この混合層
すは基板１に対して強固に密着し、またＮｉ蒸蒸着層色
混合層すに対して強固に密着する。

基板１表面に対するＮｉの蒸着とＡｒイオンの照射とは
同時に行われてもよく、また交互に行われてもよい、す
なわちＮｉの蒸着とＡｒイオンの照射とを併用すること
によって、基板ｌに強固に密着した混合層すの形成が可
能となる。

混合層すの層厚はＡｒイオンが基板１に到達できる範囲
にとどめ、その後のＮｌｌ蒸着層色層厚は、外部条件が
混合層すに影響しないように５００〜１００００人とす
る。

単位時間、単位面積当たりのＡｒイオン照射量と、蒸着
されるＮｉ原子数とは、Ｎｉの蒸着速度がＡｒイオンに
よるＮｉのスパッタ率Ｒよりも僅かに大きくなるように
設定するようにして決定される。これによってＮｉ膜は
前記ＡｆｆｉＮセラミ・ンクス基板１表面で成長してい
くこととなる。前記スパッタ率ＲはＡｒイオンのエネル
ギーに依存するが、このエネルギーが１００ｋｅＶ程度
となってもさほど増大しない。

、ＩＮセラミックス基板ｌに押し込むべきＮｉ原子数に
は最適値が存在する。この押し込まれるＮｉ原子数はＡ
ｒイオンの加速エネルギーが高し）はどカスケード衝突
を起こして増大することとなるが、Ａ「イオンのエネル
ギーが過度に高いときには、ＡｒイオンはＮｉ膜を通過
してしまい、Ｎｉ原子を基板１に押し込むことはできな
い。

この実施例ではさらに、第２段階として前記Ｎｉ金属の
蒸着と、Ａｒイオン照射とを併用して形成した混合層す
およびＮｉ蒸着層Ｃ上にＣｕが蒸着される。このときＣ
ｕ蒸着開始初期のＮｉ蒸蒸着層色の界面近傍の処理とし
て、Ａｒイオンの照射とＣｕ蒸着とを同時または交互に
行い、その後はＡｒイオンの照射を停止してＣｕの蒸着
のみを行う、このようにして形成したＣｕ蒸着層（図示
せず、）は、前記Ｎｉ蒸着層Ｃに強固に密着させて形成
することができ、このＣｕ蒸着層と前述の混合層すとＮ
ｉｙ着層Ｃとでメタライズ層が構成される。

このメタライズ層は、基板１と混合層すとの間。

混合層すとＮｉ蒸蒸着層色の間、およびＮｌｌ蒸着層色
前記Ｃｕ蒸着層との間でそれぞれ充分な密着強度を有し
ているので、全体として基板１に対して強固に密着する
。また、このメタライズ層の形成には高温プロセスが含
まれておらず、したがって／ＩＮとＮ１などとの熱膨張
率の差に起因する歪みや、メタライズ層の剥離などが生
しることかない、さらにこのメタライズ層において、Ｎ
ｉ金属は、融点が高くしかも半田に対する濡れ性が良好
である。したがって前記メタライズ層を形成した基板１
をプリント基板などとして用いた場合に、たとえば半田
付は作業時などに前記メタライズ層が溶融したりするこ
とはないので、いわゆる半田量われを生じさせることな
く配線接続を確実に行うことができるようになる。

またＡｌＮセラミックスは前述のように高い熱伝導率を
有しているので、前記メタライズし夕基板ｌをＩＣパッ
ケージなどに適用したときには、抵抗素子や半導体素子
および配線導体などからの熱を良好に放散させることが
できるようになり、したがって各素子などの機能を良好
に働かせることができる。この結果、特に熱放散性が重
要視される集積回路素子の高集積化を良好に行うことが
できる。

本件発明者による試験例を以下に示す。

真空チャンバ２内の真空度は１０〜’Ｔｏｒｒとし、Ａ
ｒイオンの加速エネルギーは２５ｋｅＶとしてＡ２Ｎセ
ラミックス基板１表面に前述のメタライズ層を形成した
試料を作製し、この試料の前記メタライズ層表面にエポ
キシ系接着剤を用いてアルミニウム製の棒状体を接着し
て引張試験を行った。

Ａｒイオンの照射は、このＡｒイオンによるスパッタ率
を考慮して、Ａｒイオンの注入深さのピークが基板１の
界面に達したところで停止した。

第３図は試験結果を示す図であり、Ａｒイオン照射量（
個／Ｃが）に対するメタライズ層の密着強度（ｋｇ／ｎ
ｍ”）がシンボル口によって示されている。

ただしこの第３図において、シンボルＯは前記メタライ
ズ層に５６０°ＣＸ３分の真空アニール処理（真空度１
０−’）を施し、その後冷却して大気中で測定した密着
強度を示している。なお第３図中、記号“↑”はその密
着強度の測定時において前記接着剤が破断したことを示
しており、したがってメタライズ層の基板１に対する密
着強度はその測定結果よりも大きいことを示している。

この第３図から以下のことが判る。

■真空蒸着のみ（イオン照射量が０）で形成したメタラ
イズ層では、密着強度にばらつきがある。

■真空蒸着後、５６０°Ｃで真空アニールすると密着強
度は６ｋｇ／ａｍ”以上になる。

■Ａｒイオン照射量を１０１６個／ＣＩ”以上とすると
、５〜６ｋｇ／ｓ”以上の密着強度が得られる。

■Ａｒイオン照射量を１０１６個／ｃｌ”以上として形
成したメタライズ層に、５６０°Ｃで真空アニールを施
すと、６ｋｇ／ｍｍ”の密着強度を示す。

この結果から、基板１とメタライズ層との界面に、Ａｒ
イオン照射量を１０′６個／ｃｒａ”以上として形成し
た混合層を形成することにより、高い密着強度を得るこ
とができ、しかも充分な耐熱性（５６０”Ｃ）を有する
ことが理解される。真空蒸着のみで形成したメタライズ
層に関しては、基板１とメタライズ層との界面に、真空
チャンバ２内の残留ガスや前処理時の汚染などによる何
らかの汚染層が存在していた場合に高い密着強度が得ら
れたものと考えられる。このような汚染層の存在によっ
て一般に密着強度が向上することが知られている。

しかしながら上記■および■の結果、すなわちＡｒイオ
ン照射量を１０′Ａ個／ｃｔｓ”以上として形成したメ
タライズ層では密着強度が高くまた充分な耐熱性を有し
ているという結果は、基板１表面の汚染などの偶然の要
素に左右されることがなく、極めて良好な再現性を有し
ている。したがってこの実施例のＡｆｆｉＮセラミック
スのメタライズ方法は、高い信乾性が要求されるプロセ
スに通用して、作製物の安定した品質を保証することが
できる。

第４図はこの発明の第２の実施例に従って基板１表面に
メタライズ層を形成した試料に対する試験結果を示す図
であり、上述の第３図に関して述べたと同様の試験を行
った結果が示されており、第３図と同様の図示がなされ
ている。この実施例では、混合層を前述のＮｉ金属と同
様第８族元素であるＰｔ金属の蒸着と、Ａ「イオン照射
とを併用して形成する。

この第４図からもやはり、前述の第３図に関して述べた
と同様の結論を導き出すことができるが、真空蒸着のみ
、およびＡ「イオン照射量が低い範囲ではＮｉを用いた
ときよりも密着強度が低くなっている。これは、ＰＬが
Ｎｉよりも化学的に不活性であり、したがってＡｌＮセ
ラミックス基板１の表面層と結合しにくいことを反映し
ているものと考えられる。しかしながら、Ａｒイオン照
射量を１ＱＩ６個／ｃ＋ａ″以上として形成したメタラ
イズ層では、Ｎｉを用いたときと同様に６ｋｇ＃ｎａ＋
”以上の高い密着強度を示し、この密着強度は真空アニ
ール処理を施しても低下しなかった。

この発明の第３の実施例では、第２図図示の構成におい
て蒸発源５から、その成分に１または複数の第８族元素
を５０％以上含む合金が蒸発され、この合金がＡ４２Ｎ
セラミックス基板１表面に蒸着される。この合金として
は、たとえばＡｕ、Ａｇ。

Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｌｉなどを含む
各種ろう材などが挙げられる。すなわち第８族元素とし
てＮｉが用いられるときにはたとえば、Ａｕ−５ＯＮｉ
、Ａｇ　　５ＯＮｉ。

Ｐｄ−５ＯＮｉ、Ｃｕ−５ＯＮｉにそれぞれＴｉ。

Ｃｄ、Ｌｉ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｂなどを含む合金が用いら
れる。

このように蒸発ｉａ５から上述のような合金を蒸発させ
るようにして、ＡｌＮセラミックス基板１表面に、前記
合金の蒸着と、Ａｒイオン照射とを併用するようにして
メタライズ層を形成するようにした場合にも、前述の第
１の実施例に関連して述べたと同様の作用および効果を
達成することができる。

この発明の第４の実施例では、第２図に示された構成に
おいて、真空チャンバ２内には複数の蒸発ｆ１５が配設
され、各蒸発源５からそれぞれ異なる種類の第８族元素
、または異なる種類の第８族元素を成分として５０％以
上含む合金が蒸発される。そして前記複数の蒸発源５か
らの各金属（元素または合金）の蒸発量が個別的に制御
される。

このような構成によれば、複数種類の金属元素または合
金の供給量を個別的に制御することができるので、Ａｌ
Ｎセラミックス基板表面に形成すべきメタライズ層の最
適の形成条件、たとえばろう付は強度を最大にするため
の条件などを良好に設定することができる。

上述の実施例では、不活性ガスイオンとしてＡｒイオン
を用いるようにしたが、他の任意の不活性ガス（Ｈｅ、
Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ＊　）を（吏用することができる
。

また上述の実施例では、ＡｌＮセラミックス基板１の表
面に堆積すべき第８族金属として主としてＮｉを例に採
って説明したが、一般に第８族金属は融点が高くしかも
半田に対する濡れ性が良好であるので、Ｎｉ金属に代え
て他の任意の第８族金属（たとえばＰｔ、Ｐｄなど）を
上記の各実施例に適用しても上述の作用および効果を達
成することができる。

さらにまた、上述の第１の実施例において、Ａｒイオン
の照射は混合層すの形成時のみにとどめ、Ｎｉ蒸着層Ｃ
の形成時には行わないこととしたが、Ｎｆ蒸着Ｍｃの形
成時にもＡｒイオンを照射するようにしてもよい、しか
しながらこの場合には、Ａｒイオンによるスパッタ作用
によりメタライズ層の成長が抑えられるとともに、メタ
ライズ層に格子欠陥を生じさせたりして、このメタライ
ズ層の強度の劣化を招くおそれがある。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明のＡｆｆｉＮセラミックスのメタ
ライズ方法によれば、ＡｌＮセラミックス表面に、この
ＡＩ！、Ｎセラミックスと第８族元素と不活性ガスとの
混合層を有するメタライズ層が形成され、この混合層は
前記ＡｌＮセラミックスに対して充分な密着強度を有す
ることができるので、前記メタライズ層は全体として充
分強固にＡ２Ｎセラミックス表面に密着することとなる
。

しかもメタライズ層の形成は室温で行われ、したがって
メタライズ層の材料となる前記第８族金属とＡｌＮセラ
ミックスとの熱膨張率の差に起因して、歪みなどが住し
ることはなく、またメタライズ層の剥離が生じることも
ない。

さらに第８族金属は融点が高く、したがって前記メタラ
イズ層は充分な耐熱性を有している。また第８族金属は
半田に対する濡れ性も良好である。

これによりたとえば、ＡＩ！、Ｎセラミックス基板表面
に前記メタライズ層を形成して、これをプリント基板な
どとして用いる場合に、いわゆる半田量われなどを生じ
させることなく配線接続を良好に行うことができる。こ
のようなプリント基板などはへ〇Ｎセラミックスの高い
熱伝導率のために熱放散性が良好であり、したがってた
とえばＩＣパッケージなどに適用したときには抵抗素子
や半導体素子などの熱放散を良好に行わせて各素子の機
能を良好に働かせることができるようになる。この結果
、熱放散が重要となる集積回路素子の高集積化にも寄与
することができる。

請求項（２）のＡ２Ｎセラミックスのメタライズ方法で
は、前記第８族元素に代えて、１または複数の第８族元
素を成分として５０％以上含む合金が用いられ、この場
合にも前記請求項（１）のＡｌＮセラミックスのメタラ
イズ方法と同様の効果を得ることができる。

請求項（３）のＡｌＮセラミックスのメタライズ方法で
は、前記第８族元素または第８族元素を含む合金は、各
元素または各合金毎に独立の供給源から供給され、した
がって、各供給源毎に各元素または各合金の供給量を個
別的に制御することにより、ＡｆｆｉＮセラミックス表
面に形成すべきメタライズ層の最適な形成条件を良好に
設定することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によってメタライズしたＡ
ｌＮセラミックス基板表面近傍の様子を簡略化して示す
説明図、第２図はこの発明の一実施例に従う薄膜形成装
置の基本的な構成を説明するための概念図、第３図およ
び第４図はＡ２Ｎセラミックス基板表面へのメタライズ
層の密着強度の測定結果を示す図である。 １・・・ＡＩ！、Ｎセラミックス基板、４・・・イオン
源、５・・・莫発源（供給源）、ａ・・・Ａｊ！Ｎセラ
ミックス基板、ｂ・・・混合層、Ｃ・・・Ｎｔ蒸着層、
ｄ・・・Ａｒイオン、ｅ・・・Ｎｉ蒸発物 第 図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）　１または複数の第８族元素の堆積と、不活性ガ
   スイオン照射とを併用して、ＡｌＮセラミックス表面に
   メタライズ層を形成することを特徴とするＡｌＮセラミ
   ックスのメタライズ方法。
2. （２）　１または複数の第８族元素を成分として５０％
   以上含む合金の堆積と、不活性ガスイオン照射とを併用
   してＡｌＮセラミックス表面にメタライズ層を形成する
   ことを特徴とするＡｌＮセラミックスのメタライズ方法
   。
3. （３）　前記第８族元素または第８族元素を含む合金を
   、各元素または各合金毎に独立の供給源から供給するこ
   とを特徴とする請求項（１）または請求項（２）記載の
   ＡｌＮセラミックスのメタライズ方法。