JPH02187285A - 複合金属材料とその製造方法 - Google Patents
複合金属材料とその製造方法Info
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- JPH02187285A JPH02187285A JP382489A JP382489A JPH02187285A JP H02187285 A JPH02187285 A JP H02187285A JP 382489 A JP382489 A JP 382489A JP 382489 A JP382489 A JP 382489A JP H02187285 A JPH02187285 A JP H02187285A
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- 239000007769 metal material Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 18
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Metal Rolling (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、集積回路（ＩＣ）、大規模集′ｆａｔｆｉｊ
路（ＬＳＩ）の基盤材料等に用いられる複合金属材料と
その製造方法に関する。
路（ＬＳＩ）の基盤材料等に用いられる複合金属材料と
その製造方法に関する。
［従来の技術］
現在、一般に用いられているＩＣ，ＬＳＩは、構造的に
、厚（薄）膜ＩＣ１混成ＩＣ，及びモノリシックＩＣに
分類できる。いずれのＩＣにとってもその中心は半導体
であるが、機械的強度が極め、て小さいこの揮の半導体
を保護するため、基盤材料が用いられているのが通常で
ある。
、厚（薄）膜ＩＣ１混成ＩＣ，及びモノリシックＩＣに
分類できる。いずれのＩＣにとってもその中心は半導体
であるが、機械的強度が極め、て小さいこの揮の半導体
を保護するため、基盤材料が用いられているのが通常で
ある。
この種の基盤材料は半導体等が一体的に接合されるもの
であることから、機械的強度が大きく、また、少なくと
も半導体と熱膨張率が近似しており、かつ、熱伝導率の
大きいことがその特性として要求されている。
であることから、機械的強度が大きく、また、少なくと
も半導体と熱膨張率が近似しており、かつ、熱伝導率の
大きいことがその特性として要求されている。
従来、厚（膜）ＩＣ，モノリシックＩＣの基盤材料には
タングステンやモリブデンが用いられ、混成ＩＣの基盤
材料には窒化アルミニウムが用いられている。
タングステンやモリブデンが用いられ、混成ＩＣの基盤
材料には窒化アルミニウムが用いられている。
［発明が解決しようとする課躍］
しかしながら、電子機器等の小型・軽量化、信号処理の
高速化等の要請に応じてＩＣの技術開発が促進されると
、半導体と基盤材料との間の熱伝導率が問題となり、従
来の基盤材料では半導体に充分な熱を伝導し得ず、配線
不良を招く要因になっていた。
高速化等の要請に応じてＩＣの技術開発が促進されると
、半導体と基盤材料との間の熱伝導率が問題となり、従
来の基盤材料では半導体に充分な熱を伝導し得ず、配線
不良を招く要因になっていた。
そこで本発明の課題は、上記問題に鑑み、従来の基盤材
料よりも熱伝導率が高く、かつ、熱膨張率が半導体に近
似する複合金属材料を提供することである。
料よりも熱伝導率が高く、かつ、熱膨張率が半導体に近
似する複合金属材料を提供することである。
本発明の他の課題は、その形状及び熱伝導率、熱膨張率
の調節が容易な複合金属材料の製造方法を提供すること
である。
の調節が容易な複合金属材料の製造方法を提供すること
である。
［課題を解決するための手段］
本発明によればアルミニウムと、銅と、モリブデンとが
圧着積層されていることを特徴とする複合金属材料が得
られる。
圧着積層されていることを特徴とする複合金属材料が得
られる。
また、本発明によれば、銅板とモリブデン板とを配列し
て熱間圧延加工を施し、第一の熱間圧延材を製造する第
一の製造工程と、前記熱間延材とアルミニウム板とを配
列して熱間圧延加工を施し、第二の熱間圧延材を製造す
る第二の製造工程とを含むことを特徴とする複合金属材
料の製造方法が得られる。
て熱間圧延加工を施し、第一の熱間圧延材を製造する第
一の製造工程と、前記熱間延材とアルミニウム板とを配
列して熱間圧延加工を施し、第二の熱間圧延材を製造す
る第二の製造工程とを含むことを特徴とする複合金属材
料の製造方法が得られる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
本実施例に係る複合金属材料の製造方法は、第１の製造
工程を有する。
工程を有する。
この工程では、まず、厚さ１．０［１／ＩＩ］、幅１０
０［１ｌｌｌ］、長さ１５０ ［ｉ／ｍ］の形状のモリ
ブデン板を１枚及び、厚さ１．０［ｍ／ｍ］、幅１１０
［ｍ／ｇ］ 、長さ１７０ ［ｍ／ｇ＋］の形状の銅
板を２枚準備し、これらを例えば第１図に示すように、
モリブデン板を中間層１とし、この中間層１を２枚の銅
板で被覆して第一の被覆層２を形成した。２枚の銅板の
接合はスポット溶接により行なった。
０［１ｌｌｌ］、長さ１５０ ［ｉ／ｍ］の形状のモリ
ブデン板を１枚及び、厚さ１．０［ｍ／ｍ］、幅１１０
［ｍ／ｇ］ 、長さ１７０ ［ｍ／ｇ＋］の形状の銅
板を２枚準備し、これらを例えば第１図に示すように、
モリブデン板を中間層１とし、この中間層１を２枚の銅
板で被覆して第一の被覆層２を形成した。２枚の銅板の
接合はスポット溶接により行なった。
次に、第１図の様に配列された各板を、水素ガス雰囲気
中、７５０〜１０００［℃］に加熱して、まず圧延率１
０〜５０［％］で最初の熱間圧延加工を施した。これに
より銅板とモリブデン板とは完全に接合（密着）した。
中、７５０〜１０００［℃］に加熱して、まず圧延率１
０〜５０［％］で最初の熱間圧延加工を施した。これに
より銅板とモリブデン板とは完全に接合（密着）した。
その後、再度同様の条件で加熱し、圧延率５〜３０［％
］で第二回目以降の圧延を繰り返し、板厚１．ｏ［ｍ／
ａ］、幅１１０ ［ｍ／ｍ］ 、長さ４９０ ［ＩＩ／
ｍ］の形状を為す第一の熱間圧延材を製造した。この熱
間圧延材を板厚１．０［ｍ／ｉ］、幅１００〔■ｌＩ〕
、長さ４００ ［ｍ／ｍ］の形状に切断し、更に水素ガ
ス雰囲気中で９００［”Ｃ］に加熱して表面の酸化物を
置元した。
］で第二回目以降の圧延を繰り返し、板厚１．ｏ［ｍ／
ａ］、幅１１０ ［ｍ／ｍ］ 、長さ４９０ ［ＩＩ／
ｍ］の形状を為す第一の熱間圧延材を製造した。この熱
間圧延材を板厚１．０［ｍ／ｉ］、幅１００〔■ｌＩ〕
、長さ４００ ［ｍ／ｍ］の形状に切断し、更に水素ガ
ス雰囲気中で９００［”Ｃ］に加熱して表面の酸化物を
置元した。
本実施例に係る複合金属材料の製造方法は、また、第２
の製造工程を有する。
の製造工程を有する。
この工程では、まず、板厚１．０［ｍ／ｍ］、幅１１０
［ＩＩ／ｌＷ］、長さ４４０ ［ｍ／ｇ＋］の形状のア
ルミニウム板を２枚準備し、前記第一の熱間圧延材とと
もに、第２図に示すような構成に配列した。即ち、熱間
圧延材を中間層３とし、この中間層３を２枚アルミニウ
ム板で被覆して第二の被覆層４を形成した。
［ＩＩ／ｌＷ］、長さ４４０ ［ｍ／ｇ＋］の形状のア
ルミニウム板を２枚準備し、前記第一の熱間圧延材とと
もに、第２図に示すような構成に配列した。即ち、熱間
圧延材を中間層３とし、この中間層３を２枚アルミニウ
ム板で被覆して第二の被覆層４を形成した。
２枚のアルミニウム板の接合は、リベット止めにより行
なった。
なった。
次に、この配列された各板を水素ガス雰囲気中、２００
〜５００［’Ｃコで加熱し、圧延率５〜５０［％］で最
初の熱間圧延加工を施した。これにより、熱間圧延材と
アルミニウム板とが完全に密着（接合）した。その後、
再度同様な条件で加熱し、圧延率５〜３０［％］で第二
回目以降の熱間圧延加工を繰り返して、板厚１．０［ｍ
／１１］、幅１１０ ［ｍ／ｍ］、長さ１２８０ ［ｍ
／ｍ］の形状の第二の熱間圧延材を製造した。この第二
の熱間圧延材を板厚１．０［■ｌ■］、幅１００［■１
１］、長さ１１００ ［ｉ／＋］の形状の板に切断して
複合金属材料を実現した。
〜５００［’Ｃコで加熱し、圧延率５〜５０［％］で最
初の熱間圧延加工を施した。これにより、熱間圧延材と
アルミニウム板とが完全に密着（接合）した。その後、
再度同様な条件で加熱し、圧延率５〜３０［％］で第二
回目以降の熱間圧延加工を繰り返して、板厚１．０［ｍ
／１１］、幅１１０ ［ｍ／ｍ］、長さ１２８０ ［ｍ
／ｍ］の形状の第二の熱間圧延材を製造した。この第二
の熱間圧延材を板厚１．０［■ｌ■］、幅１００［■１
１］、長さ１１００ ［ｉ／＋］の形状の板に切断して
複合金属材料を実現した。
このようにして製造された複合金属材料は、第４図（Ａ
）に示される断面層のように、アルミニウム／銅／モリ
ブデン／銅／アルミニウムから成る圧着積層体を形成し
ている。
）に示される断面層のように、アルミニウム／銅／モリ
ブデン／銅／アルミニウムから成る圧着積層体を形成し
ている。
尚、本実施例の第２の製造工程において、アルミニウム
板を１枚のみ準備し、第３図に示すように第一の熱間圧
延材の上底部のみを覆う配列にしても良く、このように
して得られた複合金属材料は第４図（Ｂ）に示される断
面層のように、アルミニウム／銅／モリブデン／銅から
成る圧着積層体を形成する。
板を１枚のみ準備し、第３図に示すように第一の熱間圧
延材の上底部のみを覆う配列にしても良く、このように
して得られた複合金属材料は第４図（Ｂ）に示される断
面層のように、アルミニウム／銅／モリブデン／銅から
成る圧着積層体を形成する。
この様に、本実施例では、熱伝導率の高い金属であるア
ルミニウム及び銅と、機械的強度が高く、かつ、半導体
の熱膨張性と近似するモリブデンとの複合材料としたの
で、従来、ＩＣ等の基盤材料に用いられてきた、タング
ステン単体、モリブデン単体、もしくは窒化アルミニウ
ムに比べて、より熱伝導率が高く、かつ、熱膨張率もよ
り半導体に近似する金属材料を実現することができる。
ルミニウム及び銅と、機械的強度が高く、かつ、半導体
の熱膨張性と近似するモリブデンとの複合材料としたの
で、従来、ＩＣ等の基盤材料に用いられてきた、タング
ステン単体、モリブデン単体、もしくは窒化アルミニウ
ムに比べて、より熱伝導率が高く、かつ、熱膨張率もよ
り半導体に近似する金属材料を実現することができる。
また、製造段階で複合金属材料を組成する圧着積層体の
各層の厚さを自由に変えることにより、容品に材料自体
の形状、熱伝導率、熱膨張率を調節することが可能であ
る。
各層の厚さを自由に変えることにより、容品に材料自体
の形状、熱伝導率、熱膨張率を調節することが可能であ
る。
［発明の効果］
以上の説明のとおり、本発明によれば、従来の基盤材料
よりも熱伝導率に優れ、かつ、半導体の熱膨張率により
近い基盤材料が実現できる。従って、ＩＣの小型・軽量
化により適し、ＩＣ技術の改善等に貢献できるようにな
った。
よりも熱伝導率に優れ、かつ、半導体の熱膨張率により
近い基盤材料が実現できる。従って、ＩＣの小型・軽量
化により適し、ＩＣ技術の改善等に貢献できるようにな
った。
また、本発明によれば、その形状及び熱伝導率、熱膨張
率の調節が容易な複合金属材料の製造方法を実現できる
。
率の調節が容易な複合金属材料の製造方法を実現できる
。
第１図乃至第３図は、本実施例に係る複合金属材料の製
造方法において、各組成金属材料の配列の一例を各々示
した図、第４図は、本実施例により製造された複合金属
材料の断面図を示した図である。 １・・・モリブデン、２・・・銅、３・・・第一の熱間
圧延材、４・・・アルミニウム。 第１図 配列面 第 図 配 列 図 第４ 図
造方法において、各組成金属材料の配列の一例を各々示
した図、第４図は、本実施例により製造された複合金属
材料の断面図を示した図である。 １・・・モリブデン、２・・・銅、３・・・第一の熱間
圧延材、４・・・アルミニウム。 第１図 配列面 第 図 配 列 図 第４ 図
Claims (2)
- （１） アルミニウムと、銅と、モリブデンとが圧着積
層されていることを特徴とする複合金属材料。 - （２） 銅板とモリブデン板とを配列して熱間圧延加工
を施し、第一の熱間圧延材を製造する第一の製造工程と
、前記熱間延材とアルミニウム板とを配列して熱間圧延
加工を施し、第二の熱間圧延材を製造する第二の製造工
程とを含むことを特徴とする複合金属材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003824A JP2717832B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 複合金属材料とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1003824A JP2717832B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 複合金属材料とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02187285A true JPH02187285A (ja) | 1990-07-23 |
| JP2717832B2 JP2717832B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=11567944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1003824A Expired - Lifetime JP2717832B2 (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | 複合金属材料とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2717832B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0716981A (ja) * | 1993-07-02 | 1995-01-20 | Tokyo Tungsten Co Ltd | 金属複合部品 |
| CN102371719A (zh) * | 2011-08-29 | 2012-03-14 | 西北有色金属研究院 | 一种铜/钼/铜层状复合金属材料的制备方法 |
| CN104801861A (zh) * | 2014-01-27 | 2015-07-29 | 上海却尘科技有限公司 | 一种用于生产钢钨复合板的坯料的制造方法 |
| CN104801925A (zh) * | 2014-01-27 | 2015-07-29 | 上海却尘科技有限公司 | 一种用于生产碳钢-高碳钢复合板的坯料的制造方法 |
| CN104801859A (zh) * | 2014-01-27 | 2015-07-29 | 上海却尘科技有限公司 | 一种用于生产钢铝复合板的坯料的制造方法 |
-
1989
- 1989-01-12 JP JP1003824A patent/JP2717832B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0716981A (ja) * | 1993-07-02 | 1995-01-20 | Tokyo Tungsten Co Ltd | 金属複合部品 |
| CN102371719A (zh) * | 2011-08-29 | 2012-03-14 | 西北有色金属研究院 | 一种铜/钼/铜层状复合金属材料的制备方法 |
| CN104801861A (zh) * | 2014-01-27 | 2015-07-29 | 上海却尘科技有限公司 | 一种用于生产钢钨复合板的坯料的制造方法 |
| CN104801925A (zh) * | 2014-01-27 | 2015-07-29 | 上海却尘科技有限公司 | 一种用于生产碳钢-高碳钢复合板的坯料的制造方法 |
| CN104801859A (zh) * | 2014-01-27 | 2015-07-29 | 上海却尘科技有限公司 | 一种用于生产钢铝复合板的坯料的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2717832B2 (ja) | 1998-02-25 |
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